「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(159ページ目) - Weblio英語例文検索

An edge of the lower layer 12b is provided across a recess in the container body 11, and a hot water draining aperture 36 is formed between the edge and the inner peripheral edge of a flange 13.例文帳に追加

また、前記下層１２ｂの端縁が容器本体１１内の凹部を跨ぐように配置されて、その端縁とフランジ１３の内周縁との間に湯切り間隙３６が形成されている。 - 特許庁

A lower-layer electrode film of the image signal wire is formed on a first insulation substrate of a back panel, with a thick film applied and embedded by printing method, in a groove formed by a sandblast method or the like.例文帳に追加

背面パネルの第１絶縁基板にサンドブラスト法等で形成した溝に印刷法で塗布し埋設した厚膜で画像信号配線の下層電極膜を形成する。 - 特許庁

To provide a surface luminescent semiconductor laser device in which the deterioration of an active layer and a lower DBR is suppressed, and which has high reliability and excellent laser characteristics; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

活性層及び下部ＤＢＲの劣化が抑制され、高い信頼性と良好なレーザ特性を有する面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A cartridge heater 11 is inserted in the vessel to the downward space of an active carbon layer 10 to lower the humidity of the soil gas, by which the temperature of the soil gas is adjusted to a prescribed temperature at which the active carbon is liable to be adsorbed.例文帳に追加

槽内には活性炭層１０の下方空間へカートリッジヒータ１１を挿着し、土壌ガスの湿度を下げ活性炭が吸着し易い所定の温度に調節する。 - 特許庁

The method is for calculating the lower end height Z [m] of the smoke layer formed by the smoke of the fire when a fire occurs in the room of the building provided with the smoke exhaustion equipment.例文帳に追加

排煙設備が設置された建築物の居室内で火災が生じた場合において、該火災の煙により形成される煙層の下端高さＺ[m]を算定する方法である。 - 特許庁

A multilayer film T1 is formed in a manner that a tilt angle of a side end surface T1s in the multilayer film T1 is made larger on the upper side in a fixed magnetic layer 26 than that on the lower side therein.例文帳に追加

多層膜Ｔ１の側端面Ｔ１ｓの傾斜角度が、固定磁性層２６中の位置の上側より下側の方が大きくなるように、多層膜Ｔ１を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 105 is formed on a lower-layer wiring, and a first interlayer dielectric film 106 and a second interlayer dielectric film 108 are deposited on the silicon nitride film 105.例文帳に追加

下層配線の上にシリコン窒化膜１０５が形成され、該シリコン窒化膜１０５の上に第１の層間絶縁膜１０６及び第２の層間絶縁膜１０８が堆積されている。 - 特許庁

For enabling the electron injection from the ITO as the lower electrode 9, a film produced by co-evaporating Li and Alq3 in a molecular ratio of 3:1 is used in the electron injecting layer 111.例文帳に追加

下部電極９であるＩＴＯからの電子注入を可能にするため、電子注入層１１１にＬｉとＡｌｑ３をｍｏｌ比３：１で共蒸着した膜を用いる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which neither individually requires a stage for doping to a poly-Si layer nor causes gate dielectric strength or life to become lower or shorter.例文帳に追加

Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層へのドーピングのための工程を独自に必要とすることなく、ゲート絶縁耐圧および寿命の低下を引き起こさない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When forming at least one of the first wiring and the second wiring, a connecting portion that covers a part of the lower electrode layer outside the memory cell array is formed on the first wiring and the second wiring.例文帳に追加

第１配線及び第２配線の少なくとも一方の形成に際しては、これら配線にメモリセルアレイ外において下部電極層の一部を覆う接続部を形成する。 - 特許庁

On the lower surface of a place where micro mirrors 1a to 1d of a silicon substrate 30 are planed to be formed, the magnetic material layer 12 comprising permalloy is formed by previously applying Cr spatter and subsequent electrolytic plating.例文帳に追加

シリコン基板３０のマイクロミラー１ａ〜１ｄ形成予定場所の下面に、予め、Ｃｒスパッタを施し、さらに電解めっきによりパーマロイからなる磁性体層１２を形成しておく。 - 特許庁

To provide a field effect organic transistor that is driven with lower voltage compared with one in which high dielectric particles contained in a gate insulating layer are not unevenly distributed to the gate electrode side.例文帳に追加

ゲート絶縁層に含まれる高誘電体粒子がゲート電極側に偏在していない場合に比べ、低電圧でも駆動する電界効果型有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a technique for improving the contrast of a lower layer pattern in multiple layers by combining detection signals from a plurality of detectors by using a suitable distribution ratio corresponding to a pattern arrangement.例文帳に追加

複数の検出器からの検出信号をパターン配置に応じた適切な配分比を用いて合成して、多層レイヤにおける下層パターンのコントラストを向上する技術を提供する。 - 特許庁

The injection molding is carried out using a mold having an insulating layer formed on the inner mold surface at a mold temperature of 100°C or lower in the injection molding of a polyarylene sulfide-based resin composition.例文帳に追加

ポリアリーレンサルファイド系樹脂組成物の射出成形において、金型内表面に断熱層が形成された金型を用い、１００℃以下の金型温度で射出成形する。 - 特許庁

The vibration part has a structure wherein a plurality of layers including an upper principal surface electrode 2, a piezoelectric substrate 3, a lower principal surface electrode 4 and a dielectric layer 5 are laminated in the principal surface normal direction.例文帳に追加

この振動部は上主面電極２と圧電基板３と下主面電極４と誘電体層５とを含む複数の層を主面法線方向に積層した構成である。 - 特許庁

The generalization node generates a control signal in response to an instruction on behalf of the terminal node and writes the generated control signal through the network into the register of the lower layer of the terminal node.例文帳に追加

統括ノードは、末端ノードの代理として指示に応じて制御信号を生成してネットワークを介して該生成した制御信号を末端ノードの下位層のレジスタに書き込む。 - 特許庁

The electrolyte layer includes an ion liquid containing a cation component and an anion component, and an organic solvent containing a phosphorus atom or a fluorine atom whose viscosity is lower than the ion liquid.例文帳に追加

そして、電解質層は、カチオン成分およびアニオン成分を有するイオン液体、ならびに当該イオン液体よりも粘度の低いフッ素原子またはリン原子を含有する有機溶媒を含む。 - 特許庁

One or more of high-refraction films 510 and one or more of low-refraction films 520 having a refractive index lower than that of the high-refraction film are alternately laminated as the capping layer.例文帳に追加

前記キャッピングレイヤは、一つ以上の高屈折膜５１０と、前記高屈折膜の屈折率よりも低い屈折率を有する一つ以上の低屈折膜５２０とが交互的に積層される。 - 特許庁

A V-ribbed belt 10 comprises an extension part 12 comprising cover canvas 15, an adhesion part 14 embedding cores 13, and a compression part 16 which is an elastic body layer in a lower side thereof.例文帳に追加

Ｖリブドベルト１０は、カバー帆布１５からなる伸張部１２と、心線１３を埋設した接着部１４、その下側に弾性体層である圧縮部１６からなっている。 - 特許庁

The bipolar transistor in made to have a structure where a polycrystalline silicon doped with an impurity of a second conduction type is buried in an external base polycrystalline silicon in the vicinity of an emitter at a position of the lower part of the external base polycrystalline silicon adjacent to an epitaxial base layer.例文帳に追加

エミッタ近傍の外部ベース多結晶シリコンの下部のエピタキシャルベース層と接する位置に、第２導電型不純物をドープした多結晶シリコを埋め込んだ構造とする。 - 特許庁

The aerosol generator 10 in the film deposition system 1 is provided with a stirring rod 15 moving as its lower end part is buried into a deposition layer 14 of material grains stored in an aerosol chamber 11.例文帳に追加

成膜装置１のエアロゾル発生器１０には、エアロゾル室１１収容された材料粒子の堆積層１４中に下端部を埋没させつつ移動する攪拌棒１５が備えられている。 - 特許庁

For this reason, even if electrical circuit elements 2a to 2c or an electrical circuit board 2 are going to vibrate; the lower layer gel 3b itself is restrained from deforming, and the vibration of the electrical circuit elements 2a to 2c or the electrical circuit board 2 can be restrained.例文帳に追加

このため、電気回路素子２ａ〜２ｃもしくは電気回路基板２が振動しようとしても、下層ゲル３ｂそのものの変形が抑えられ、それらの振動を抑制できる。 - 特許庁

The gate insulating film 32 is present below the side-end lower part, so no electric connection with the drain diffusion layer 21d is made and only a contact area 21dc is connected thereto.例文帳に追加

この側端下部の下側にはゲート絶縁膜３２が存在するため、ドレイン拡散層２１ｄとは電気的に接続しておらず、接続しているのはコンタクト領域２１ｄｃだけである。 - 特許庁

The PVAt porous compact (auxiliary material 1) has a film layer 47 having lower porosity than the porosity of the inner region 45 almost over the whole region of the exposed outer region 41.例文帳に追加

ＰＶＡｔ系多孔質成形体（補助材料１）は、露出する外部領域４１のほぼ全域に、内部領域４５の気孔率よりも低い気孔率の皮膜層４７を有する。 - 特許庁

When the layer 2 is clogged, washing water is introduced into the tank 1 from the upper part at ≥1 m/minute flow velocity and discharged from the lower part.例文帳に追加

ろ過によりこの浮上ろ材の充填層２が閉塞したとき、下部から排水するとともに、上部から洗浄水を１ｍ/分以上の流速で充填層２内に導入する。 - 特許庁

In the outermost surface layer of the photoreceptor 1, the Martens hardness value is 175-196 N/mm^2, the elastic deformation rate is 35-48%, and the coefficient of static friction is 0.535 or lower.例文帳に追加

上記感光体１の最表面層は、マルテンス硬さ値が１７５〜１９６Ｎ／ｍｍ^２であり、弾性変形率が３５〜４８％であり、静止摩擦係数が０．５３５以下である。 - 特許庁

On a front face 30A of the transparent substrate 30, an intermediate layer 40 having a lower refractive index in a wavelength region of the light L than the transparent substrate 30 is provided for totally reflecting the light L.例文帳に追加

透明基板３０の前面３０Ａには、光Ｌの波長域における屈折率が透明基板３０の屈折率よりも低い中間層４０を設けて、光Ｌを全反射させる。 - 特許庁

When a subject-side sonic velocity of the acoustic matching layer 2 is lower than the sonic velocity of the subject, the curved shape is convexly formed in the width direction and concavely formed in the arrangement direction.例文帳に追加

前記曲面形状は、音響整合層２の被検体側の音速が被検体の音速よりも小さいときには幅方向に凸状に、配列方向に凹状に形成する。 - 特許庁

Therefore, recombination of carriers on the uppermost surface of the lower cell 14 can be reduced, because uncombined hands existing on the uppermost surface of the cell 14 are coupled with the insulating layer 22, and as a result, lattice defects can be reduced.例文帳に追加

これにより、下部セル１４の最上面に存在する未結合手と絶縁層２２とが結合し、格子欠陥を減少でき、この部分におけるキャリアの再結合を減少できる。 - 特許庁

A negative expansion layer 13 formed of either of zirconium tungstate, silicon oxide and manganese nitride, is prepared on a lower surface of the sealing film 12 in the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１において、封止膜１２の下面には、タングステン酸ジルコニウム、シリコン酸化物、マンガン窒化物のいずれかによって形成された負膨張層１３が設けられている。 - 特許庁

This measuring chip comprises a metal film or strip metal growing on the substrate, and a dielectric for limiting the refraction ratio on the upper and lower surfaces and a dielectric buffer layer.例文帳に追加

下地の上に成長した金属薄膜またはストリップ状金属を有し、その上下表面に屈折率を限定する誘電体と誘電体バッファ層を有する測定チップに関する。 - 特許庁

Thereafter, as a flattening process, embedded layers 4 are respectively formed in parts recessed as compared with parts overlapping the lower electrodes 12 on a surface of the polycrystalline silicon layer 2a (fig. (c)).例文帳に追加

その後、平坦化工程として、多結晶シリコン層３ａの表面において下部電極１２に重なる部分に比べて凹んだ部分にそれぞれ埋込層４を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁

In a gate electrode SG of a selection gate transistor, a short-circuit opening 6a is formed in the inter-electrode insulating film 6 between the lower electrode film 5B and the upper layer electrode film 7B.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタのゲート電極ＳＧは、下層電極膜５Ｂと上層電極膜７Ｂとの間の電極間絶縁膜６に短絡用開口部６ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an interlayer insulating layer that has superior embedding characteristic of adjacent wiring layers even in the design rule of 0.13 μm generation or lower, for example.例文帳に追加

例えば０．１３μｍ世代以下のデザインルールであっても、隣接する配線層間の埋め込み性に優れた層間絶縁層を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dielectric paste with which a condenser having a high dielectric constant and a high insulating property of a dielectric layer against heating and voltage impressing can be calcined at a temperature of 1000°C or lower.例文帳に追加

高い誘電率を有し、加熱や電圧印加に対する誘電体層の絶縁性が高いコンデンサを、１０００℃以下で焼成することができる誘電体ペーストを提供すること。 - 特許庁

Lower layer electrode wiring 11 is formed through an oxide film 2 on the shape part of the fuse wiring 3 on a silicon board 1, and the fuse wiring 3 is formed through an oxide film 12 thereon.例文帳に追加

シリコン基板１上のヒューズ配線３の形成箇所に、酸化膜２を介して下層電極配線１１を形成し、この上に酸化膜１２を介してヒューズ配線３を形成する。 - 特許庁

The side of the lower electrode 31 is formed of aluminum oxide of about 5 to 100 nm in film thickness, and covered with a 1st insulating barrier layer 15 that prevents oxygen and hydrogen from being diffused.例文帳に追加

下部電極３１の側面は、膜厚が５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の酸化アルミニウムからなり、酸素及び水素の拡散を防ぐ第１の絶縁性バリア層１５により覆われている。 - 特許庁

After an organic layer material is coated in an inert gas atmosphere, the element is heated and dried in the inert gas or in a vacuum at a temperatures lower than a glass transition temperature Tg by 10°C.例文帳に追加

有機層材料を不活性ガス雰囲気中で塗布した後、不活性ガスもしくは真空中において、ガラス転移温度Ｔｇよりも１０℃以上低い温度で加熱乾燥を行う。 - 特許庁

When it is of the top page, a keyword is reported to a retrieval engine to request a retrieval, and the most suitable page of the top page and lower layer pages thereof is determined as the link destination.例文帳に追加

トップページのものである場合は、検索エンジンにキーワードを通知して検索依頼をかけ、前記トップページおよびその下層ページのうち最も適切なページをリンク先として決定する。 - 特許庁

In a bonding resistance evaluating element provided with a bonding pad 4 and multilayer wiring films arranged on the lower side of the bonding pad 4, a metal film 5 is formed in a wiring layer 2 just under the bonding pad 4.例文帳に追加

ボンディングパッド４と、該ボンディングパッドの下側に多層配線とを備えたボンディング耐性評価用素子であって、 ボンディングパッド４の真下の配線層２に金属体５が設けられてなる。 - 特許庁

An insulating film is formed on an upper side of the auxiliary capacitance electrode 11 and an intrinsic semiconductor layer 13 is formed on the lower side and on the peripheral side of the contact hole 6 on an upper side of the insulating film.例文帳に追加

補助容量電極１１の上側には絶縁膜が形成され、絶縁膜の上側にはコンタクトホール６の下側及びその周辺に真正半導体層１３が形成される。 - 特許庁

To prevent reaction gas from flowing out to an outlet without having it pass through electrodes to lower power generating efficiency, even if the gas flows into a gap between a gasket and a gaseous diffusion layer.例文帳に追加

ガスケットとガス拡散層との間の隙間に反応ガスが流れ込んだとしても、当該反応ガスが電極を通らずに出口へ流れ出して発電効率が低下することを防止する。 - 特許庁

Effective wiring electrically connected to the semiconductor is arranged together with dummy wiring and dummy plugs within the lower layer side interlayer insulating film A in the region directly under an electrode pad 70.例文帳に追加

電極パッド７０の直下域の下層側層間絶縁膜Ａ内にはダミー配線及びダミープラグとともに、半導体素子に電気的に接続された有効配線を配置する。 - 特許庁

By adding a silicon nitride layer 306, rigidity significantly increases and cracking or other damage is prevented from propagated into the active circuit present on the lower side.例文帳に追加

また窒化シリコン層３０６を付加することにより、堅牢性が著しく増加し、且つ亀裂又はその他の損傷が下側に存在するアクティブ回路内へ伝搬することを防止する。 - 特許庁

The electric double layer capacitor 1 comprises lower and upper storage containers 2 and 3, packing 4, electrolyte 5, a pair of current collectors 6 and 7, a pair of electrodes 8 and 9, and separator 10.例文帳に追加

電気二重層キャパシタ１は、下部及び上部収納容器２、３と、パッキング４と、電解液５と、１対の集電体６、７と、１対の電極８、９と、セパレータ１０とを備えている。 - 特許庁