| 意味 | 例文 |
lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11223件
Dielectric characteristics in the ferroelectric layer positioned between the upper electrode and the lower electrode can be greatly improved by applying metal oxide such as strontium ruthenium oxide onto the upper electrode and/or the lower electrode, thereby enabling the system to solve the particle problem in a process generating during the formation of the upper/lower electrodes.例文帳に追加
ストロンチウムルテニウム酸化物などの金属酸化物を上部電極及び/又は下部電極に適用することで、上部と下部電極との間に位置する強誘電体層の誘電特性を大きく改善することができ、上部電極及び下部電極を形成する間に発生する工程上のパーティクル問題を解決することができる。 - 特許庁
This ferroelectric memory device 1000 has a memory cell array 100 in which memory cells are arranged in a matrix-like state and a lower electrode 12, an upper electrode 16 arranged in a direction intersecting the lower electrode 12, and the ferroelectric layer 14 which is positioned in at least the intersecting area of the upper and the lower electrodes 16 and 12 are contained.例文帳に追加
強誘電体メモリ装置1000は、メモリセルがマトリクス状に配列され、下部電極12と、下部電極12と交差する方向に配列された上部電極16と、少なくとも上部電極16と下部電極12との交差領域に配置された強誘電体層14と、を含むメモリセルアレイ100を有する。 - 特許庁
Pull-around wirings for plural scanning electrodes 16 are provided through an insulating film at the lower layer side of scanning electrodes 6 on a lower side substrate 3 and these scanning electrodes 6 and the pull-around wirings for scanning electrodes 16 are electrically connected and also one ends of the pull-around wirings 16 are extended toward one side of the lower side substrate 3.例文帳に追加
下側基板3上の走査電極6の下層側に絶縁膜を介して複数の走査電極用引き廻し配線16が設けられ、これら走査電極6と走査電極用引き廻し配線16とが電気的に接続されるとともに、走査電極用引き廻し配線16の一端が下側基板3の一辺に向けて延びている。 - 特許庁
The upper structure 12 of the building is supported on the lower structure 11 via the base-isolated layer 13; an elevator core 2 with a built-in elevator 22 is provided independently of the upper structure 12; a lower part of the elevator core 2 is coupled to the lower structure 11; and an upper part of the elevator core 2 is coupled to an upper part of the upper structure 12.例文帳に追加
建物の上層構造体12が、下層構造体11の上に免震層13を介して支持され、エレベーター装置22を内蔵したエレベーターコア2が上層構造体12と独立して設けられ、このエレベーターコア2の下部が下層構造体11に連結され、エレベーターコア2の上部が上層構造体12の上部に連結されている。 - 特許庁
Another embodiment of this invention is capacitors (296, 396) in a semiconductor device, which has two lower plates (230, 231, 330, 331) mutually separated, dielectric layers (260, 360) above the lower plate and upper plates (296, 396) above the dielectric layer which covers the lower plate, extends preferably across it.例文帳に追加
本発明の他の態様は、互いに間隔を置いて配置された2枚の下位プレート(230、231、330、331)、前記下位プレートの上方の誘電層(260、360)、および前記下位プレートを覆い、好ましくはこれを越えて延びる、前記誘電層の上方の上位プレート(296、396)を有する、半導体装置中のキャパシタ(296、396)である。 - 特許庁
As the film base is not projected from an emulsion layer on a side end face of the film in a side with a support of the lower blade, the film base is not ground even when the film is in friction with the flange or the like.例文帳に追加
下刃で支持されている側のフイルムの側端面ではフイルムベースが乳剤層より突出することがなく、フランジなどと擦れてもフイルムベースが削られることがない。 - 特許庁
A shape of a cross sectional face of the conductive layer cut by a plane perpendicular to a longitudinal direction of each of the conductive layers is a substantially trapezoid shape, and has an upper base and a lower base.例文帳に追加
前記導電体層の長手方向に直交する平面により切断した同導電体層の断面の形状は実質的に上底及び下底を有する台形である。 - 特許庁
A metal plate 31 comprises a base material 36 and a surface layer 37 overlying the external surface of the base material 36 and having a lower melting point than that of a metal constituting the base material 36.例文帳に追加
金属板31は母材36と母材36の外表面上に積層されかつ母材36を構成する金属よりも融点の低い表面層37とを備えている。 - 特許庁
Moreover, the intermediate part of the wire rod 20 is pushed onto the adhesive layer of the substrate 32 by another pushing tool 70 to cut the wire rod 20 by an upper blade 68 and a lower blade 64.例文帳に追加
さらに、感磁性線材20の中間部を別の押圧具70で基材32の接着剤層上に押し付け、上刃68と下刃64で感磁性線材20を切断する。 - 特許庁
A print card PC in a lower layer of a card feeding part 11 is sent out to a card carrying path PL of an adjacently provided rewrite printer part 12 and is ejected from a taking out opening 12c after print processing.例文帳に追加
カード繰り出し部11の下積み印字カードPCが、隣設のリライトプリンタ部12のカード搬送路PLに送出されて、印字処理後に取り出し口12cから排出される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which prevents that a hole designed to lead to a conductive layer reaches a lower interlayer insulating film derived from a displacement of alignment, and to provide a manufacturing method.例文帳に追加
導電層に至るホールが、アライメントのずれに起因して、下側の層間絶縁膜まで到達してしまうことが防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
An oil content OL is separated from a condensed liquid L1 in an oily water separating tank 4, and a water content placed at a lower layer of the separating tank 4 is extracted and purified by a purifying apparatus 7.例文帳に追加
油水分離槽4内の凝集液L1から油分OLを分離し、かつ分離槽4の低層に位置する水分は抽出され浄化装置7で浄化される。 - 特許庁
A fuel cell diffusion layer D is sandwiched under pressure between a water-guiding plate 40 provided with a mounting means 10 and a pressuring plate (a separator equivalent body) 100 provided on the lower face of a sandwiching means 60.例文帳に追加
燃料電池拡散層Dを載置手段10に備えた誘水プレート40と挟持手段60の下面に備えた押圧板(セパレータ相当体)100の間で加圧挟持する。 - 特許庁
With respect to the manufacturing method of the semiconductor device, lower-layer wirings 102 are formed in a first interlayer insulating film 101 provided on a semiconductor substrate, and an insulating barrier film 103 is deposited on the first interlayer insulating film 101.例文帳に追加
半導体基板上の第1の層間絶縁膜101に下層配線102を形成し、第1の層間絶縁膜101の上に絶縁性バリア膜103を堆積する。 - 特許庁
To enable segmentation in a lower level of a wireless user base (for example, the 2nd layer of OSI reference model), and to provide a security to a network 100 in connecting with network 116.例文帳に追加
ネットワーク116への接続について、無線使用者ベースのより低いレベル(例えば、OSI参照モデルの第2層)での区分化を可能とし、ネットワーク100にセキュリティを提供すること。 - 特許庁
A surface light emitting type semiconductor laser element chip, having a resonator structure including reflecting mirrors which are provided in the upper part and the lower part of an active layer emitting light, is specified as a laser chip.例文帳に追加
レーザチップは、光を発生する活性層の上部及び下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。 - 特許庁
Two or more markers 16, together with a lower layer wiring 13, an upper wiring 14 and a via 15, are formed with a predetermined topography to the via 15 in an analysis region 10.例文帳に追加
解析領域10に、下層配線13、上層配線14およびビア15と共に、そのビア15に対する所定の位置に、所定の形状で、複数のマーカ16を形成する。 - 特許庁
The repellency of the adsorption prevention layer improves the separability of the recording liquid and protects the surface of the recording medium against stains by making the angle of fall in the recording liquid 25 μl at 20° or lower.例文帳に追加
吸着防止層のはじき性は、記録液25μlにおける転落角が20°以下とすることにより、記録液の液離れが良く、被記録媒体の表面を汚すことがない。 - 特許庁
A granular floating filter medium 2 carrying a biological membrane is packed in a tank, and a drain is passed in upflow from the lower part of the tank while diffusing air by a middle step air diffusing means 3 of a packed layer.例文帳に追加
生物膜を担持させた粒状の浮上ろ材2を槽内に充填し、充填層の中段の散気手段3より散気しつつ排水を槽下部より上向流で通水する。 - 特許庁
A coating layer is formed by coating a nano-processed surface of the workpiece with the block copolymer composed of two kinds of polymer components and having a lower glass transition temperature than the workpiece.例文帳に追加
2種類のポリマー成分から成りガラス転移温度が加工対象物よりも低いブロック共重合体を加工対象物の被ナノ加工面に被覆して被覆層を形成する。 - 特許庁
This working method includes effectively forming a surface-modified layer, by irradiating a metal surface with a laser beam in an ultraviolet region, which is reflected by a metallic material at a lower reflectance.例文帳に追加
金属材料の反射率が減少する紫外領域のレーザ光を金属表面に照射することにより効率的に表面改質層の形成を行っている。 - 特許庁
A V-ribbed belt 10 is provided with an expansion section 12 made of a cover canvas 15, a glueing section 14 burying the core wires 13, and a compression section 16 which is an elastomer layer at a lower side of the glueing section.例文帳に追加
Vリブドベルト10は、カバー帆布15からなる伸張部12と、心線13を埋設した接着部14、その下側に弾性体層である圧縮部16からなっている。 - 特許庁
A Pt polycrystalline thin film 10 of the lower electrode layer contains columnar Pt crystal grains 10A, 10B, 10C, etc. in which 90% or more of the crystal grains has an orientation (111).例文帳に追加
下部電極層であるPt多結晶薄膜10は、柱状のPt結晶粒10A,10B,10C,・・を含んでいるが、それらのうちの90%以上が(111)配向を有する。 - 特許庁
An adjacent gap 15 is provided with a low secondary electron emitting film 7, that has secondary electron emitting probability which is lower than that of the high secondary electron emitting film 6 is provided on the surface of the front surface dielectric layer 5.例文帳に追加
隣接ギャップ15には、前面誘電体層5の表面に高2次電子放出膜6よりも低い2次電子放出確率を持つ低2次電子放出膜7を設ける。 - 特許庁
The liquid level in the cylindrical body 20 becomes lower than that in the vessel 12 by the flow-out from the suction port 14 and the slits 22 and then the liquid in the liquid surface layer of the vessel 12 flows into the cylindrical body 20.例文帳に追加
筒体20内の液面は、吸い込み口14からの流出とスリット22により、槽12内の液面より低くなり、槽12の表層部の液が筒体20内に流れ込む。 - 特許庁
An interlayer dielectric 207 is etched with a resist pattern 208 as a mask, and then an insulation film 206 for preventing Cu diffusion is etched to form a concave portion 220 to expose a lower-layer interconnection 205.例文帳に追加
レジストパターン208をマスクとして、層間絶縁膜207をエッチングし、さらにCu拡散防止用絶縁膜206をエッチングして凹部220を形成し、下層配線205を露出する。 - 特許庁
To provide a dwelling unit structure of a multi-layer building capable of preventing various construction work noise, life noise, and vibration generated in an indoor space of one dwelling unit from being transmitted between dwelling units at upper and lower stories.例文帳に追加
一住戸の室内空間で発生する各種工事音,生活音,振動が上下階の住戸間で伝播するのを防止できる多層建物の住戸構造を提供する。 - 特許庁
When the polysilicon layer 9 is etched, conditions such as Cl2: 150 sccm, HBr: 450 sccm, CHF3: 100 sccm, pressure: 100 mTorr, RF power in an upper counter electrode 15: 500 W and RF power in a lower counter electrode 13: 300 W are adopted.例文帳に追加
ここで、ポリシリコン層9のエッチングにおいて、例えば、Cl_2:150sccm、HBr:450sccm、CHF_3:100sccm、圧力:100mTorr、上部対向電極15におけるRFパワー:500W、および下部対向電極13におけるRFパワー:300Wの条件を用いる。 - 特許庁
The mold 1 and the tire 6 are released by the pressure of the pressurizing air and an air layer is formed between the mold 1 and the tire 6 to lower friction force to enhance the mold releasability of the tire 6 from the mold 1.例文帳に追加
加圧気体の圧力で金型1とタイヤ6を剥離し、それらの間に気体の層を形成して摩擦力を低下させ、タイヤ6の金型1からの離型性を向上させる。 - 特許庁
The device has a contact plug 9c which is formed like beads in a lower layer between two sets of wiring 11C, 11D and electrically connects the two sets of wiring 11C, 11D.例文帳に追加
2つの配線11C、11D間の下層部にて、数珠繋ぎ形状に形成されるとともに、2つの配線11C、11Dを電気的に接続するコンタクトプラグ9cを備える。 - 特許庁
The recording device comprises stopping means 100 for stopping separating and returning means 42 at a position of the separating and returning means in the state of returning a recording media in a lower layer to a hopper 3.例文帳に追加
分離・戻し手段42が下層の記録媒体をホッパー3に戻したときの前記分離・戻し手段の位置に前記分離・戻し手段を停止させる停止手段100を備える。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a GMR-reproducing head, having not only a thin reproduction gap and a narrow reproduction track width, but also a flat GMR center layer insulated from a lower part magnetic shield.例文帳に追加
薄い再生ギャップおよび狭い再生トラック幅を有すると共に、下部磁気シールドから絶縁された平坦GMRセンサ層を備えたGMR再生ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
The transverse mode adjusting layer 17 is located in correspondence to the light emitting port 22, and is constructed so that a reflectance of a surrounding area 22B is lower than that of a center area 22A.例文帳に追加
横モード調整層17は光出射口22に対応して設けられると共に、周辺領域22Bの反射率が中央領域22Aのそれよりも低くなるように構成される。 - 特許庁
To provide the subject device simple in mechanism and capable of easily and surely mounting a solar cell module pannel on a sheathing board through formation of an air layer at a lower surface.例文帳に追加
機構が簡単で、簡単且つ強固に太陽電池モジュールパネルを下面に空気層を形成して野地板に取り付けることができる屋根用太陽電池モジュールパネル取付装置を提供する。 - 特許庁
The impurities in the third filter tank 49 are captured by the coke lumps 69 in the third filter tank 49 and the captured impurities deposit on the lower layer segments of a settling tank 45.例文帳に追加
第3濾過槽49内の不純物は、第3濾過槽49内のコークス塊69に捕捉され、この捕捉された不純物は沈降槽45の下層部分に堆積する。 - 特許庁
A V-ribbed belt 10 is provided with an expandable section 12 made of a cover canvas 15, a glueing section 14 burying core wires 13, and a compression section 16 which is an elastomer layer at a lower side of the glueing section 14.例文帳に追加
Vリブドベルト10は、カバー帆布15からなる伸張部12と、心線13を埋設した接着部14、その下側に弾性体層である圧縮部16からなっている。 - 特許庁
The adhesive layer 5 has an adhesive face 7 for adhesively fixing the substrate F, and a center part 9 of the adhesive face 7 is flatted and a peripheral part 11 is lower than the center part.例文帳に追加
粘着層5は、基板Fを粘着固定する粘着面7を有し、粘着面7は、中央部9が平らにされ、周縁部11が中央部よりも低くされている。 - 特許庁
A relay layer 93 extends from a top surface 42a of a second interlayer dielectric 42 to an end surface 42b of the second interlayer dielectric 42 and an end surface 71b of a lower capacitive electrode 71.例文帳に追加
中継層93は、第2層間絶縁層42の上面42aから第2層間絶縁層42の端面42b及び下部容量電極71の端面71bに延びている。 - 特許庁
According to an embodiment, a method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a core member 20 which includes a constriction between an upper end and a lower end, on a foundation layer.例文帳に追加
実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、上端と下端との間にくびれた部分を有する芯材20を、下地層上に形成する工程を備えている。 - 特許庁
A capacitor is formed on the insulation layers so as to be electrically connected to the node contact, and an intermediate contact is formed on the second insulation layer so as to be electrically connected to the lower contact.例文帳に追加
キャパシタをノードコンタクトと電気的に接続されるよう絶縁層の上に形成し、中間コンタクトを下部コンタクトと電気的に接続されるよう第二の絶縁層上に形成する。 - 特許庁
The liquid crystal device 1 can, therefore, have a connection area between the lower capacitive electrode 71 formed in a non-opening area and the relay layer 93 made small or eliminated.例文帳に追加
したがって、液晶装置1によれば、非開口領域に形成された下部容量電極71と、中継層93との接続領域を小さく、或いはまったく無くすことが可能である。 - 特許庁
An interlayer insulation film 12 is formed on a substrate plane 10a of a semiconductor substrate 10 in such a manner as to cover lower layer interconnections 11, and interconnection trenches 13 are formed in the interlayer insulation film 12.例文帳に追加
半導体基板10の基板面10a上に、下層配線11を覆って層間絶縁膜12を形成し、層間絶縁膜12に配線溝13を形成する。 - 特許庁
To secure a predetermined distance between wirings, and to prevent the damage of a lower layer wiring when forming an insulator film formed for securing a distance between the wirings by patterning, etc.例文帳に追加
所定の配線間距離を確保すると共に、配線間距離を確保するために形成される絶縁膜をパターニング等によって形成する際に、下層配線の損傷を防ぐ。 - 特許庁
The display of a display plate disposed in the lower part of the glass plate 1 for the cooking device is formed so that it is visible from the upper part of the glass top plate 1 for the cooking device through the touch panel layer 3.例文帳に追加
調理器用ガラストッププレート1の下方に配置される表示板の表示を、タッチパネル層3を介して調理器用ガラストッププレート1の上方から視認可能に構成されている。 - 特許庁
To provide an etching method of a conductor layer which enables formation of a conductor circuit with almost rectangular cross sectional contour without etching so far as a lower part of etching resist excessively.例文帳に追加
エッチングレジストの下部にまで余計にエッチングすることがなく、略矩形状の断面形状を有する導体回路を形成することができる導体層のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
An opening 10A is provided to a resin case main body 5A, a deformation absorbing layer 11 of a resin having a low Young's modulus is formed under the lower part of the peripheral edge of the opening 10A.例文帳に追加
樹脂ケース本体5Aにおける開口部10Aの開口周縁下部に、低ヤング率樹脂でなる変形吸収層11が配設されて樹脂ケース5が構成されている。 - 特許庁
Further, a tact spring 10 is loaded on the lower-layer sheet 3 in a state always in contact with the outer fixed contact point 8, and an outer periphery part of the tact spring 10 is held by a holding sheet 11.例文帳に追加
また、下層シート部3上に外側固定接点8と常時接触した状態でタクトばね10を載置しておき、このタクトばね10の外周部を保持シート11にて保持する。 - 特許庁
The separation membrane for solid/liquid separation is characterized by having surface roughness of its surface layer of not greater than 0.1 μm and a breakaway coefficient ratio of the substance unable to permeate the membrane of not lower than 4.例文帳に追加
膜表層部の表面粗さが0.1μm以下であり、かつ、膜表面における非膜透過物質剥離係数比率が4以上である固液分離用分離膜である。 - 特許庁
And a substrate film 14 of the wiring plug P2 for connecting the local wiring 12 to an upper wiring 16 is formed by an IrO_X film 14A and an Ir film 14B successively from the lower layer side.例文帳に追加
また、局所配線12と上部配線16とを接続する配線プラグP2の下地膜14を、下層側から順にIrO_X 膜14AとIr膜14Bとを形成する。 - 特許庁
With this structure, the Al atoms of the wire Al piece spreads gradually into the electrode film piece and thermal reacting layer under the high temperature condition and such Al atoms are fetched into a high impurity concentration n-type SiC region at the lower part.例文帳に追加
電極素片8または加熱反応層9と配線Al素片10との間に、Al拡散阻止層11を設け、Al原子の拡散を防止する構成とする。 - 特許庁
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