「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(151ページ目) - Weblio英語例文検索

The light reflection film-cum-membrane side electrode is composed of two- layer metal film of a TiN film 36 provided as a lower layer and having a film thickness of 10 nm to 70 nm and an Al film 38 provided thereon and having a film thickness of 50 nm to 150 nm.例文帳に追加

光反射膜兼メンブレン側電極は、下層に膜厚が１０ｎｍから７０ｎｍのＴｉＮ膜３６と、その上に設けられた膜厚が５０ｎｍから１５０ｎｍのＡｌ膜３８との２層金属膜で構成されている。 - 特許庁

This packaging comprises a three laminated resin layers, an intermediate layer 30 is a resin layer containing a light transmission preventive material such as zinc oxide, titanium oxide and iron oxide, and upper and lower layers 10 and 20 are resin layers having a reinforcing structure of polyethylene and polypropylene.例文帳に追加

３層の樹脂層を積層してなり、中間の層３０は酸化亜鉛、酸化チタン、酸化鉄等の光透過防止材を含有した樹脂層であり、上下の層１０，２０はポリエチレン、ポリプロピレンの補強構造を有する樹脂層である包装材。 - 特許庁

The Y-direction width of the lower part of a first conductive layer 6 becomes narrower than the Y-direction width of the upper part, because the side wall of the first conductive layer 6 is subjected to etching or the reaction product of the etching is removed.例文帳に追加

第１の導電層６の側壁をエッチング処理や当該処理時の反応生成物の除去処理等により除去することで第１の導電層６の下部のＹ方向の幅がその上部のＹ方向の幅よりも狭く形成される。 - 特許庁

Occupation area ratio of an opening 4A to a conductor layer 4P for ground or power supply of a core substrate 1 is set lower than the occupation area ratio of an opening 8A to a conductor layer 8P for ground or power supply of a built-up part 2.例文帳に追加

コア基板１の接地用または電源用の導体層４Ｐにおける開口部４Ａの占める面積比率を、ビルドアップ部２の接地用または電源用の導体層８Ｐにおける開口部８Ａの占める面積比率よりも小さいものとした。 - 特許庁

At least the steering wheel 1 includes a synthetic resin layer 6 covering at least the entire rim part 4 for the metal core 5, and the upper shell 8 and the lower shell 9 are covered to be pinched in the synthetic resin layer 6 forming a part of the rim part 4.例文帳に追加

このとき、芯金５の少なくともリム部４の全体をモールディングによって被覆して成る合成樹脂層６を有し、アッパシェル８及びロアシェル９は、リム部４の一部を成す合成樹脂層６に挟み込むようにして被覆する。 - 特許庁

Film thickness at portions 7b and 8b of the Si thin films 7 and 8 between portions 7a and 8a for covering an active layer 2 and the lower surface of the semiconductor laser chip 1 is set thinner than that of the portions 7a and 8a for covering the active layer 2 of the Si thin films 7 and 8.例文帳に追加

Ｓｉ薄膜７，８の活性層２を覆う部分７ａ，８ａの膜厚より、この活性層２を覆う部分７ａ，８ａと半導体レーザチップ１の下面との間のＳｉ薄膜７，８の部分７ｂ，８ｂの膜厚が薄くなっている。 - 特許庁

This construction plate 1 is constituted by providing a lower side paint layer 3 and an upper side paint layer 4 sequentially on a design surface 201 of an original plate forming many curly grain formation protrusions 21, 22 for providing tone of curly grain and having a curly grain recessed and protrusion 203.例文帳に追加

建築板１は，木目調を呈するための多数の木目形成凸部２１，２２を形成してなる木目凹凸模様２０３を有する原板の意匠表面２０１に，下側塗料層３及び上側塗料層４を順次設けてなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element by which, when an inter-layer insulating film using an O_3-TEOS is etched to form a contact, loss in a cleaning process for a lower part of the inter-layer insulating film not densified is prevented.例文帳に追加

Ｏ_３−ＴＥＯＳを用いた層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトを形成するとき、緻密化されていない層間絶縁膜の下部のクリーニング工程における損失を防止することが可能な半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is provided with an insulation layer 14 on the lower surface of a planar base metal 12, two or more lines of wiring 16 are formed at the insulation layer 14, and a connection pad 18 is provided on one end part of each wiring 16.例文帳に追加

半導体装置１０は、平板状のベースメタル１２の下面に絶縁層１４が設けられており、絶縁層１４には、複数の配線１６が形成されており、それぞれの配線１６の一方の端部には接続パッド１８が設けられている。 - 特許庁

The refractive index of a first isolation film 12A of a barrier layer for converting the light-shielding film 11 on the photoelectric conversion region 3, and an transfer region 4 is selected lower than the refractive index of a second isolation film 13A that is a planarization layer on the first isolation film 12A.例文帳に追加

光電変換領域３および、電荷転送領域４上の遮光膜１１を覆うバリア層の第１絶縁膜１２Ａの屈折率を、その上の平坦化層である第２絶縁膜１３Ａの屈折率よりも低く設定している。 - 特許庁

In the liquid crystal display element wherein a liquid crystal is interposed on two counter substrates through alignment layers, the azimuth anchoring energy of the liquid crystal of the alignment layer on one substrate is specified to be lower than that of the alignment layer on the other substrate.例文帳に追加

２つの対向基板上に配向膜を介して液晶が挟持されている液晶表示素子において、一方の基板上の配向膜の液晶の方位角アンカリングエネルギーが、他方の基板上の配向膜のそれよりも小さい構成とする。 - 特許庁

Thickness is reduced by an amount corresponding to the thickness of an adhesive layer as compared with a case where the lower surface of the silicon substrate 3 of the semiconductor structure 2 is bonded to an upper surface of a base plate 1 through an adhesive layer of die bond material.例文帳に追加

これにより、ベース板１の上面に半導体構成体２のシリコン基板３の下面をダイボンド材等からなる接着層を介して接着する場合と比較して、接着層の厚さに相当する分だけ薄型化することができる。 - 特許庁

The element 10 is constituted so that the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed by making a current in the in-face direction flow through the storage layer 4 to the element 10, and the information is recorded to the storage layer 4.例文帳に追加

また、上記磁気記憶素子１０に対して、記憶層４にその面内方向の電流を流すことにより、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層１，３の磁化の向きを変化させて、記憶層４に情報の記録を行う。 - 特許庁

Sandbags 2 and 2' as two layers are made to intervene between a pile head section of the pile 1 and the upper structure 5, the sandbag 2' located on a lower layer is fixed to the pile head section of the pile 1, and the sandbag 2 located on an upper layer is fixed to the upper structure 5.例文帳に追加

杭体１の杭頭部と上部構造物５との間には、土のう２、２’が２層に介装されており、下層に位置する土のう２’は杭体１の杭頭部に、上層に位置する土のう２’は上部構造物５に、各々固着されている。 - 特許庁

The anisotropy particle arrangement 100 consists of an elastic polymer layer 120, and an elastic electrical conductor 110 or an elastic heat conductor 110 placed so as an upper part and a lower part to be exposed in the elastic polymer layer 120.例文帳に追加

本発明の非等方性粒子配列体１００は、弾性高分子層１２０と、弾性高分子層１２０内に上部および下部が露出されるように位置する弾性導電体１１０または弾性熱伝導体１１０とを含んでなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory device suppressing generation of pattern collapse or pattern short-circuit between adjacent memory cells in a lower part of the memory cells when a laminated film containing a resistance change layer and a rectifying layer is processed to form a columnar memory cell.例文帳に追加

抵抗変化層と整流層とを含む積層膜を柱状のメモリセルを加工する場合に、パターン倒れやメモリセル下部での隣接するメモリセルとの間のパターンショートの発生を抑える不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Specifically, the surface layer is divided into four regions, i.e., a region A around a head, a region B around a chest, a region C around a lower back part, and a region D around a leg part, thereby to obtain the relationship of A≥D>B>C concerning the thickness of the surface layer.例文帳に追加

具体的には、表面層を頭部周辺領域Ａ、胸部周辺領域Ｂ、腰部周辺領域Ｃ、脚部周辺領域Ｄの４つの領域に区分し、前記表面層の厚みが、Ａ≧Ｄ＞Ｂ＞Ｃの関係が成り立つようにする。 - 特許庁

Between a lower end of the upper edge heat seal part 16 and an upper end of the pressure-sensitive adhesive layer 17, a tear tape 18 is attached on the back face of the rear face sheet 12 astride right and left edges approximately parallel to the upper end of the pressure-sensitive adhesive layer 17.例文帳に追加

また、上縁ヒートシール部１６の下端と感圧粘着剤層１７の上端との間に、後面シート１２の裏面に感圧粘着剤層１７の上端とほぼ平行に左右の縁の間に渡す様にティアテープ１８が貼り付けられている。 - 特許庁

With respect to the lower-layer coil conductor 11U and the upper-layer coil conductor 11S, an arrangement interval of axial parallel parts PA in parallel with an axial direction of a magnetic core 1 is narrower than an arrangement interval of axial crossing parts CA crossing the axis of the magnetic core 1.例文帳に追加

下層コイル導体部１１Ｕ及び上層コイル導体部１１Ｓについて、磁性体コア１の軸方向に平行な軸平行部ＰＡの配置間隔は、磁性体コア１の軸に直交する軸直交部ＣＡの配置間隔より狭い。 - 特許庁

A lower clad layer 32, a core 33, and an upper clad layer 35 are formed on an Si substrate 31, and light is confined in the core 33 by a refractive index difference between the core 33 and the clad layers 32 and 35 to be propagated in the longitudinal direction of the core 33.例文帳に追加

Ｓｉ基板３１の上に、下部クラッド層３２、コア３３及び上部クラッド層３５が形成されており、光はコア３３とクラッド層３２，３５との屈折率の差によりコア３３内に閉じ込められてコア３３の長手方向に伝搬する。 - 特許庁

To provide an RFID tag structure that allows a wiring pattern to be formed up to a peripheral part of even a wiring layer of a lower layer, by reducing a region that must be secured as a clearance, when installing an RFID tag at an end of the upper surface of a printed board.例文帳に追加

ＲＦＩＤタグをプリント基板上面の端部に設置する場合、クリアランスとして確保しなければならない領域を減らし、下層の配線層も周辺部まで配線パターンの形成ができるＲＦＩＤタグ構成を提供すること。 - 特許庁

The first common wiring 43b is led out to the lower surface of the piezoelectric layer 40 and the upper surface of the piezoelectric layer 42, respectively, by means of four first extensions 43b1 and through holes 51 and 53 formed to face a first joint 43b2.例文帳に追加

第１共通配線４３ｂは、４つの第１延在部４３ｂ１、及び、第１接続部４３ｂ２と対向するように形成されたスルーホール５１、５３により、それぞれ、圧電層４０の下面及び圧電層４２の上面に引き出されている。 - 特許庁

The second free layer includes: a first magnetization fixing region provided on an upper surface of a film of the second free layer, and in which magnetization direction is fixed to a first direction; and a second magnetization fixing region provided on a lower surface of the film, and in which the magnetization direction is fixed to a second direction.例文帳に追加

第２のフリー層は、第２のフリー層の膜の上面に設けられ、第１方向に磁化が固定された第１の磁化固定領域と、膜の下面に設けられ、第２方向に磁化方向が固定された第２の磁化固定領域とを含む。 - 特許庁

When heating and drying a resist film 2 after applying the resist on a photomask substrate 1, heating is carried out by a hot plate 10 to the lower face of the substrate and by near IR rays K2 to a light-shielding layer or a halftone layer 1b on the upper face of the substrate.例文帳に追加

フォトマスク基板１上にレジストを塗布した後の該塗布膜２の加熱乾燥にて、基板下面へのホットプレート１０による加熱と、基板上面の遮光層或いはハーフトーン層１ｂへの近赤外線Ｋ２による加熱を行うこと。 - 特許庁

At least either of a lower magnetic shielding layer 3 and an upper magnetic shielding layer 12 are formed to such shapes that the sectional lengths, sectional positions, etc., in the track width direction exposed on surfaces for sliding with media change according to the depth of the MR element 6.例文帳に追加

下部磁気シールド層３及び上部磁気シールド層１２のうち少なくとも一方を、ＭＲ素子６のデプスに応じて、媒体摺動面に露出するトラック幅方向の断面長さ、及び断面位置などが変化するような形状で形成する。 - 特許庁

Based on a surface of the resin insulation layer 24 as an outermost layer exposed from the upper surface 31 of the wiring lamination portion 30, the capacitor connection terminal 42 is higher than a reference surface and the IC chip connection terminal 41 is lower than the reference surface.例文帳に追加

配線積層部３０の上面３１にて露出する最外層の樹脂絶縁層２４の表面を基準としたとき、コンデンサ接続端子４２は基準面よりも高く、ＩＣチップ接続端子４１は基準面よりも低くなっている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 1 using the organic luminescent material is obtained by supporting at least a luminescent layer 503 between a lower electrode (anode) 3 and an upper electrode (cathode) 7 and contains the organic luminescent material in the luminescent layer 503.例文帳に追加

この有機発光材料を用いた有機電界発光素子１は、下部電極（陽極）３と上部電極（陰極）７との間に少なくとも発光層５０３を挟持してなり、発光層５０３に有機発光材料が含有されている。 - 特許庁

A protective film 1 for preventing electrification consists of a resin film 2, an adhesive layer 4 formed on the lower surface 22 of the resin film 2, and a sputtered layer 3 formed on the upper surface 21 of the resin film 2 by sputtering metal or metal oxide.例文帳に追加

樹脂フィルム２と，該樹脂フィルム２の下面２２に形成した粘着層４と，上記樹脂フィルム２の上面２１に金属又は金属酸化物をスパッタリングすることにより形成したスパッタ層３とからなる帯電防止用保護フィルム１。 - 特許庁

The piezoelectric thin film 14 is laminated with a first piezoelectric layer 141 wherein ZnO is polarized upward and a second piezoelectric layer 142 wherein the ZnO is polarized downward when a positive voltage is applied to the lower electrode 13 and a negative voltage is applied to the upper electrode 15.例文帳に追加

圧電体薄膜１４は、下部電極１３に正、上部電極１５に負の電圧を印加した時に、ZnOの分極が上向きになる第１圧電体層１４１と下向きになる第２圧電体層１４２を積層したものである。 - 特許庁

In the display medium, hollow particles 2,500 having a lower dielectric constant than a binder 251B of a liquid crystal layer 250B are dispersed in the binder 251B to make a low dielectric constant, thereby impedance of the liquid crystal layer 250B is increased.例文帳に追加

本発明の表示媒体は、液晶層２５０Ｂのバインダー２５１Ｂに、バインダー２５１Ｂの誘電率よりも低い誘電率を持つ中空粒子２５００が分散されて低誘電率化することにより、液晶層２５０Ｂのインピーダンスが増加する。 - 特許庁

A dielectric layer 161 is provided between a conductor circuit 58 on the lower surface of an interlayer resin insulating layer 150 and a conductor circuit 159 on the upper surface thereof wherein the conductor circuits 58 and 159 function as counter electrodes thus constituting a capacitor.例文帳に追加

層間樹脂絶縁層１５０の下面の導体回路５８と上面の導体回路１５９との間に誘電体層１６１が設けられ、導体回路５８，１５９が対向電極として機能することでコンデンサが構成されている。 - 特許庁

The aluminum composite superconductive cable with an aggregate 4 of superconducting element wires 1 coated with an aluminum matrix 8 comprises the aluminum matrix 8 formed with a composite material having ay high-purity aluminum upper layer 6 and an aluminum alloy lower layer 7.例文帳に追加

超電導素線１の集合体４をアルミニウムマトリックス８によって被覆したアルミニウム複合超電導線において、アルミニウムマトリックス８を高純度アルミニウムの上層６とアルミニウム合金の下層７の複合物によって構成する。 - 特許庁

The water-cooling rolls 2a and 2b vertically form a pair and a rubber layer 3 is fixed on the periphery of the lower side water-cooling roll, which rubber layer 3 has 3 mm thickness, 60 degree hardness measured value measured with a type A durometer based on JIS K6253 and heat resistance.例文帳に追加

水冷ロール２ａ、２ｂは上下で対をなし、下側の水冷ロール２ｂの外周には厚み３ｍｍ、ＪＩＳ Ｋ６２５３に従うタイプＡデュロメータによって計測値が硬度６０度で、耐熱性を有するゴム層３が固着されている。 - 特許庁

Moreover, the intermediate layer 4 is an in-plane magnetization film at a room temperature, and is a magnetic layer in which its Curie temperature is reached at about 140°C lower than reproducing temperature, in which magnetization disappears only in a region which reaches the Curie temperature, and in which other region holds in-plane magnetization.例文帳に追加

また、中間層４は、室温で面内磁化膜であり、再生温度より低い１４０℃程度でキュリー温度に達し、そのキュリー温度に達した領域のみ、磁化が消滅し、それ以外の領域は面内磁化を保持する磁性層である。 - 特許庁

Magnetic material layers 1a and 1b and 1c and 1d formed by making magnetic powder scatter in a polyvinyl benzyl ether compound are respectively provided on the upper and lower sides of composite layers, which respectively consist of the strip lines 4 and 5 forming the pair and the layer 2a and the strip lines 6 and 7 having the pair and the layer 2b.例文帳に追加

対をなすストリップライン４、５または６、７と非磁性体層２ａまたは２ｂでなる複合層の上下に、ポリビニルベンジルエーテル化合物に磁性粉末を分散させた磁性体層１ａ、１ｂまたは１ｃ、１ｄを設ける。 - 特許庁

The ceramic wafer 11 in the wafer laminate 15 is then sliced to separate the circuit layers 12 one by one, thereby manufacturing a secondarily processed wafer 20 having a structure in which the upper and lower parts of the circuit layer 12 are sandwiched by the ceramic layer 13.例文帳に追加

次に、ウェハー積層体１５におけるセラミックウェハー１１の部分をスライスすることにより、回路層１２を１枚ずつ分離し、これにより回路層１２の上下がセラミック層１３に挟まれた構造を有する２次加工ウェハー２０を作製する。 - 特許庁

The upper layer portion (3) is selectively and anisotropically dry-etched using the masks 41 until the upper surface of the intermediate portion 2 is exposed, and then, the intermediate portion 2 is selectively etched until the upper surface of the lower layer portion 1 is exposed, and finally, the masks 41 are selectively etched.例文帳に追加

そして、マスク４１を用いて中層部２の上面が出るまで上層部３を選択的かつ異方的にドライエッチングし、次に、下層部１の上面が出るまで中層部２を選択的にエッチングし、最後に、マスク４１を選択的にエッチングする。 - 特許庁

In the magnetic recording medium provided with two or more magnetic layers formed on a substrate, the axis of easy magnetization in the uppermost magnetic layer and the axis of easy magnetization in the lower magnetic layer are oriented in the directions perpendicular to each other.例文帳に追加

支持体上に２層以上の磁性層が設けられた磁気記録媒体に於いて、最上層磁性層の磁化容易軸と下層磁性層の磁化容易軸とが互いに直交する方向に配向されていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

The floor finish and its method of manufacture are characterized in that a cloth-like material 3 having a layer of synthetic resin grains 4 secured to its lower surface, and a lining layer 5 of synthetic resin are stacked in that order on the back of a surface finish 2.例文帳に追加

表面仕上げ材２の裏面に、下面に合成樹脂製粒状体層４を固着した布状物３、合成樹脂製裏打ち層５がこの順に積層されていることを特徴とする床仕上げ材およびその製造方法。 - 特許庁

The total thickness (about 3 μm) of the p-side electrode 10 and the p-side pad electrode 11 is larger than a distance (about 1.0 μm to about 2.1 μm) from the lower face of an n-type clad layer 3 below an MQW active layer 4 to the upper face of the ridge part.例文帳に追加

そして、ｐ側電極１０とｐ側パッド電極１１との合計厚み（約３μｍ）は、ＭＱＷ活性層４の下のｎ型クラッド層３の下面からリッジ部の上面までの距離（約１．０μｍ〜約２．１μｍ）よりも大きい。 - 特許庁

This base material for brassier cups is such one as to comprise at least each one upper and lower layers and one intermediate layer which are mutually jointed through needle punching and have coarse-dense-coarse relationship, wherein an elastic dispersed-in-water type emulsion polymer is contained mainly in the intermediate layer.例文帳に追加

ニードルパンチ加工により接合された、少なくとも各１層の上下層と１層の中間層とが粗−密−粗の関係を有し、かつ主として中間層に弾性を有する水中分散型エマルジョンポリマーを含有して成る。 - 特許庁

To provide a thin film transistor and its manufacturing method capable of preventing contamination of a metal electrode formed on an ohmic layer, alleviating a deterioration of step coverage caused by a lamination at a lower portion of a gate insulating layer, and improving interface property between laminations.例文帳に追加

オーミック層上に形成される金属電極の汚染を防止でき、ゲート絶縁層下部の積層物によるステップカバレージの悪化を緩和でき、積層物間の界面特性を向上できる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The inside of high-toughness FRC shotcrete 11 is filled with a material having rigidity lower than the ground 1 and a shear-deformation reducing layer 13 is formed, and high-toughness FRC lining concrete 15 is mounted inside the shear-deformation reducing layer 13.例文帳に追加

高靭性ＦＲＣ吹付けコンクリート１１の内側に、地山１より剛性の低い材料を充填してせん断変形低減層１３を形成し、せん断変形低減層１３の内側に高靭性ＦＲＣ覆工コンクリート１５を設置する。 - 特許庁

When anodizing treatment is performed, the anode junction of the substrate 24 is performed on the lower surface of the substrate 21, and the anode junction of the layer 31 under the substrate 28 is simultaneously performed on the upper surface of the layer 30 disposed on the substrate 21.例文帳に追加

そして、陽極酸化処理を行うと、シリコン基板２１の下面に第１ガラス基板２４が陽極接合されると同時に、シリコン基板２１上のガラス層３０の上面に第２ガラス基板２８下の金属層３１が陽極接合される。 - 特許庁

A part of the air-conditioned air fed to the heat exchange chamber 6 is discharged to a lower side of the seat through a discharge passage and the remaining air-conditioned air is blown out from a blowing hole provided on the seat skin layer 5 to a surface side of the seat skin layer 5.例文帳に追加

熱交換室６に送られた空調空気の一部は排出通路を介してシートの下方側に排出し、残余の空調空気はシート表皮層５に設けた吹き出し孔２３からシート表皮層５の表面側に吹き出させる。 - 特許庁