「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(148ページ目) - Weblio英語例文検索

In the thermal transfer acceptive sheet comprising a dye dyeable acceptive layer on a support, the acceptive layer contains a thermoplastic resin having a glass transition point of 60°C or lower or a thermoplastic resin having a glass transition point of 90°C or lower, a lightproof assistant and organic spherical particles of 0.3 to 1 wt.% of the resin.例文帳に追加

支持体上に染料染着性受容層を有する熱転写受容シートにおいて、染料染着性受容層中にガラス転移点６０℃以下の熱可塑性樹脂、もしくはガラス転移点９０℃以下の熱可塑性樹脂と耐光性助剤、および該樹脂に対して０．３〜１重量％の有機系球状粒子を含有する熱転写受容シート。 - 特許庁

The surface electrode 7 is formed with two-layered thin-film electrode layers 7b and 7a, the top thin-film electrode layer 7a shows lower state density around energy of emitted electron, the bottom thin-film electrode layer 7b shows lower state density around energy of emitted electron and a good adherence property to the strong electrostatic drift region 6.例文帳に追加

表面電極７は、二層の薄膜電極層７ｂ，７ａからなり、最上層の薄膜電極層７ａは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低い性質を有し、最下層の薄膜電極層７ｂは、放出される電子のエネルギ近傍の状態密度が低く且つ強電界ドリフト部６との密着性が良い性質を有する。 - 特許庁

In manufacturing a nonvolatile organic memory device 100 which includes a memory layer 20 interposed between an upper electrode 10 and a lower electrode 30, ions of the conductive particles are disposed in an organic material between the upper electrode 10 and the lower electrode 30, and then the conductive nanoparticles are formed by reducing the ions of conductive nanoparticles in the organic material, to form the memory layer 20.例文帳に追加

上部電極１０と下部電極３０との間にメモリ層２０を含む不揮発性有機メモリ１００を製造するにおいて、上部電極１０と下部電極３０との間の有機物にイオン状態の伝導性粒子を分散させた後、これを有機物内で還元させて伝導性ナノ粒子を形成することにより、メモリ層２０を形成する。 - 特許庁

Moreover, the capacitor is provided with the SiO2 layer 118 for electrically insulating the upper electrode 107 and a wiring 105, a contact hole 103a for a W-plug 113 to electrically connect the impurity layer 117 and lower electrode 111, and a contact hole 103b for electrically connecting the lower electrode 111 and the wiring 105.例文帳に追加

さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。 - 特許庁

A VCSEL contains, on a substrate, an n-type lower DBR106, an active region, and a p-type upper DBR 110, a first selective oxidation layer 106A composed of an n-type AlAs being formed in the lower DBR 106, a second selective oxidation layer 110A composed of a p-type AlAs being formed in the upper DBR 110.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。 - 特許庁

A rectangular foam synthetic resin-made block 1 is placed on a leveling layer 23, and after the lower half part of a tabular joint member 9A has been fitted to a stepped engaging section 7 of the upper end of the lower block 1, the stepped engaging section 7 of the upper block member 1A is fitted to the upper half part of the tabular joint member 9A so as to layer.例文帳に追加

レベリング層２３の上に矩形状発泡合成樹脂製ブロック１が配設され、続いて、板状接合部材９Ａの下半分が下位のブロック１の上端部の段状係合部７に嵌合された後、板状接合部材９Ａの上半分に上位のブロック材１Ａの段状係合部７が嵌合するようにして積層される。 - 特許庁

When the user uses the contents, the discrimination software of the use contract is actuated at the client computer, a reproducing signal in which bits of the magnetic information of the upper and lower layer parts 102 and 104 obtained from a magnetic head are superimposed is identified, and the reproducing signals of the upper and lower layer parts 102 and 104 are subjected to digital signal processing to obtain the degree of correlation between both signals.例文帳に追加

ユーザーがコンテンツを利用する際、クライアントコンピュータにおいて利用契約の判別ソフトが作動し、磁気ヘッドから得られる上層部１０２と下層部１０４の磁気情報が重畳した再生信号を弁別して、上層部１０２と下層部１０４の再生信号をデジタル信号処理して、両信号の相関度を求める。 - 特許庁

The mold surface 21 is brought into contact with the material layer 15 by an enough force which can adapt the layer 15 to the surface 21, while the mold 20 is brought into contact with the flat and rigid lower surface of an object 25 by the enough force which can adapt its mold surface opposite to the pattern surface to the above-mentioned lower surface.例文帳に追加

モールド表面２１が、材料層１５がモールド表面２１に順応するのに充分な力で材料層１５と接触する状態におかれ、モールド２０が、物体２５の平坦で剛性の下表面に順応するのに充分な力で、パターン表面の反対側のモールド面を物体２５の平坦で剛性の下表面と接触する状態におかれる。 - 特許庁

The liquid crystal display device 20 is a transflective liquid crystal display device 20 which has liquid crystal 26 is held between an upper substrate 24 and a lower substrate 23 arranged opposite each other, and provided with a translucent reflecting layer 35 made of cholesteric liquid crystal and a pigment color filter layer 32 on the lower substrate 23 and equipped with a back light 22.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置２０は、互いに対向配置された上基板２４と下基板２３との間に液晶２６が挟持され、下基板２３上にコレステリック液晶からなる半透過反射層３５と顔料カラーフィルター層３２とが設けられ、バックライト２２が備えられた半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁

Further, it is provided with a SiO2 layer 118 to electrically insulate the upper electrode 107 from a wiring 105, a contact hole 103a for forming a W plug 113 to electrically connect the doped layer 117 and the lower electrode 111, and a contact hole 103b to electrically connect the lower electrode 111 and the wiring 105.例文帳に追加

さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。 - 特許庁

The optical waveguide structure includes an optical waveguide which includes a core layer having a core part and a cladding part having a lower refractive index than that of the core part, and cladding layers disposed in contact with both faces of the core layer and having a lower refractive index than that of the core; and conductive layers disposed on both faces of the optical waveguide.例文帳に追加

光導波路構造体は、コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層と、該コア層の両面に接触して設けられ、コア部より屈折率の低いクラッド層を有する光導波路と、光導波路の両面に設けられた導体層を有し、クラッド層は、ノルボルネン系ポリマーを主材料として構成されている。 - 特許庁

Further, the capacitor 102 is provided with an SiO_2 layer 118 for electrically insulating the upper electrode 107 and wiring 105, a contact hole 103a to form a W-plug 113 for electrically connecting an impurity layer 117 and the lower electrode 111, and a contact hole 103b for electrically connecting the lower electrode 111 and wiring 105.例文帳に追加

さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。 - 特許庁

A high-pressure gas layer is formed between an object 105 and the lower face of the substrate part 3 by the gas jetted by the first and second air flow jetting means, and the gap between the object 105 and the lower face of the substrate part 3 is kept constant by the equilibrium of the pressure and weight of the gas layer.例文帳に追加

第１及び第２の空気流噴射手段により噴射される気体によって、対象物１０５と基材部３の下面部との間に高圧の気体層が形成され、この気体層の圧力と自重との均衡によって、対象物１０５と基材部３の下面部との間の間隔が所定の一定間隔に維持される。 - 特許庁

A glass window 106 at a lower face of a box 104 in which a UV lamp 102 of the UV irradiation means 100 disposed above the platen 20 is stored is formed in a three layer structure wherein a vacuum layer 109 which resists conduction of radiant heat or the like emitted from the UV lamp 102 is interposed between upper and lower two sheets of glass plates 107 which can pass ultraviolet rays.例文帳に追加

プラテン２０上方に配置されたＵＶ照射手段１００のＵＶランプ１０２が収容されたボックス１０４下面のガラス窓１０６が、紫外線が通過可能な上下２枚のガラス板１０７の間に、ＵＶランプ１０２から発せられた輻射熱等が伝わりにくい真空層１０９が介在する３層構造に形成する。 - 特許庁

The water sealing walls 4, as shown in a of the figure, have the lower ends set lower than the polluted region 2, and distantly set from an upper face of of a water impermeable layer or a hardly water permeating layer 9 spread in the polluted soil 3, to allow ground water to flow into a washing space 10 in the polluted soil 3 put between the water sealing walls 4.例文帳に追加

ここで、遮水壁４は同図(a)に示すように、その下端を汚染領域２より下方であって汚染土壌３内に拡がる非透水層又は難透水層９の上面から離隔させてあり、遮水壁４，４に挟み込まれた汚染土壌３内の洗浄空間１０に地下水が流入できるようになっている。 - 特許庁

Since a thin part TP3 of an upper layer W3 is cut together with at least an upper part of a lower layer W2 constituting a workpiece W, an optical element provided on the upper layer W3 and other components are separated by finally cutting the thin part TP3, for example, while remaining the part TP3.例文帳に追加

ワークＷを構成する下側の層Ｗ２の少なくとも上部とともに上側の層Ｗ３の肉薄部ＴＰ３を切断するので、上側の層Ｗ３に設けた光学素子その他の部品を、例えば肉薄部ＴＰ３を残しつつ肉薄部ＴＰ３で最終的に切り離すように分離することができる。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for compound semiconductor element provided with a nearly ideal n-type InGaAs non-alloy layer not resulting in any influence on the characteristics of transistors, by solving the problems of surface flatness, diffusion into the lower layers and memory effect resulting from an n-type dopant on the InGaAs non-alloy layer of the uppermost layer.例文帳に追加

最上層のＩｎＧａＡｓノンアロイ層へのｎ型ドーパントが及ぼす表面の平坦性、下層への拡散、及びメモリー効果といった課題を解決して、トランジスタの特性に影響が無い、理想に近いｎ型のＩｎＧａＡｓノンアロイ層を具備する化合物半導体素子用エピタキシャルウェハを提供すること。 - 特許庁

In the metal bellows pipe compound hose 10 having the metal bellows pipe 20 as a permeable barrier layer of transferred fluid and the reinforcing layer 30 prepared by braiding the reinforcing wire material comprising the metallic wire, braiding density of the reinforcing layer 30 is equal to or lower than 55% and equal to or higher than 6%.例文帳に追加

金属蛇腹管２０を輸送流体の透過バリア層として有するとともに、金属ワイヤから成る補強線材を編組して成る補強層３０を有する金属蛇腹管複合ホース１０において、補強層３０における編組の密度を５５％以下の低密度且つ６％以上の密度となす。 - 特許庁

The lithographic printing plate precursor is obtained by disposing on a support a recording layer including a lower layer containing resin having a phenol skeleton and a urea bond in a backbone structure and an upper layer containing a water-insoluble but alkali-soluble resin and an infrared absorbent and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by exposure.例文帳に追加

支持体上に、主鎖構造中にフェノール骨格と尿素結合とを有する樹脂を含有する下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収剤を含有し、露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上層と、を含む記録層を設けてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a composition for forming the lower layer of a resist film which has strong absorption regarding a KrF excimer laser or the like, does not cause intermixing with the upper layer of the photoresist film, and furthermore can be simultaneously developed when the upper layer of the photoresist is developed with an alkaline developing solution and a crosslinking agent to be used in the composition.例文帳に追加

ＫｒＦエキシマレーザー等に対して強い吸収を持ち、上層のフォトレジスト膜とのインターミキシングを起こさず、さらに上層のフォトレジスト膜がアルカリ性現像液で現像される際に同時に現像されるレジスト下層膜を形成するための組成物、及び当該組成物に用いる架橋剤を提供する。 - 特許庁

In the storage container for a coating composition where a main material layer of the coating and a skinning-preventing layer are piled up from the lower part of the container upwards, the skinning-preventing layer contains a perfume which functions as discriminative indication of a supplier of the coating or a contractor who applies the coating.例文帳に追加

また、塗料組成物貯蔵容器内に容器下部から塗料主材層と、皮張り防止層とが積層されている塗料組成物貯蔵容器において、その皮張り防止層が塗料供給者又は塗料を塗装する施工業者の識別表示となる香料を含む皮張り防止層である。 - 特許庁

A recess 11 is formed at a position in contact with an inner-layer electrode 1 on the lower surface of a laminated sheet 2 laminated onto the laminated sheet 2 having the inner-layer electrode 1, thus accommodating the inner-layer electrode into the recess and hence improving the flatness in the high-frequency laminated component.例文帳に追加

内層電極１を有する積層シート２上に積み重ねられる積層シート２の下面における内層電極１が当接する位置に凹部１１を形成することで、内層電極がこの凹部に収容されることになり、高周波積層部品の平坦度を向上させることが出来るのである。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element, having an organic compound layer, containing an organic luminous layer pinched between at least a pair of electrodes, this organic electroluminescent element, in which at least one organic compound layer, is formed by an organic compound material wherein the concentration of impurity composed of a halogen containing compound is 1,000 ppm or lower.例文帳に追加

少なくとも一対の電極間に挟持された有機発光層を含む有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも１つの有機化合物層をハロゲン含有化合物からなる不純物の濃度が１０００ｐｐｍ未満の有機化合物材料で形成した有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁

The electron-emitting element comprises a layer 2 electrically connected to a cathode electrode 5, and a plurality of particles 3 mainly made of a material having a resistivity lower than that of a material constituting the layer 2, wherein the density of the particles 3 in the layer 2 is not less than 1×10^14/cm^3 and not more than 5×10^18/cm^3.例文帳に追加

カソード電極５に電気的に接続された層２と、該層２を構成する材料の抵抗率よりも抵抗率の低い材料を主体とする複数の粒子３とを有し、層２内の粒子３の密度が、１×１０^１４個／ｃｍ^３以上５×１０^１８個／ｃｍ^３以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The method includes manufacturing a laminated body in which a lower semiconductor DBR, a resonator structure including an active layer, an upper semiconductor DBR including a selectively oxidized layer etc., are laminated on a substrate; and etching the laminated body from an upper surface to form a mesa structure having at least the selectively oxidized layer exposed at a side surface.例文帳に追加

基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層された積層体を作成し、該積層体を上面からエッチングし、少なくとも被選択酸化層が側面に露出しているメサを形成する。 - 特許庁

After a lower columnar electrode 10 is formed by electrolytic plating on an upper surface of a connection pad part of an upper metal layer 9 for wiring, a plating resist film 27 for upper columnar electrode formation made of negative dry film resist is pattern-formed on an upper surface of a base metal layer 8 including the upper metal layer 9.例文帳に追加

配線用の上部金属層９の接続パッド部上面に電解メッキにより下部柱状電極１０を形成した後、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にネガ型のドライフィルムレジストからなる上部柱状電極形成用メッキレジスト膜２７をパターン形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, when six surfaces of a p-n column are exposed by etching back a p-type epitaxial layer 5 buried in a deep trench 4 having a high-aspect ratio, a surface of the p-type epitaxial layer 5 is etched so as to be lower in level than a surface of a n-type epitaxial layer 2 by isotorpic etching.例文帳に追加

高アスペクト比の深いトレンチ４に埋め込んだｐ型エピタキシャル層５をエッチバックすることによりｐｎカラム６表面を露出させるときに、等方性エッチングを用い、さらにｐ型エピタキシャル層５の表面をｎ型エピタキシャル層２表面よりも低くなるようにエッチングする半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The electroplating apparatus 2 flows the electroplating liquid l between the other side of an insulating layer 11 and the anode 21 by the electroplating liquid feeding part 23 and further exhausts the electroplating liquid L between the other side of the insulating layer 11 and the anode 21 to the part lower than the other side of the insulating layer 11.例文帳に追加

電解めっき装置２は、電解めっき液供給部２３により、絶縁層１１の他面と陽極２１との間に電解めっき液Ｌを流すとともに、絶縁層１１の他面と、陽極２１との間の電解めっき液Ｌを絶縁層１１の他面よりも下方に排出するように構成される。 - 特許庁

On both end faces of a semiconductor laser 100 in a lengthwise direction L, core layers 123 are formed which are composed of GaInAsP not containing Al and work as passive waveguide layers, instead of a lower part SCH layer 112, a multiple quantum well active layer 113 and an upper part SCH layer 114 which are positioned in the center of the lengthwise direction L.例文帳に追加

半導体レーザ１００の長さ方向Ｌの両端面に、長さ方向Ｌの中央に位置する部分の、下部ＳＣＨ層１１２、多重量子井戸活性層１１３、上部ＳＣＨ層１１４の代わりに、Ａｌを含まないＧａＩｎＡｓＰでなる、受動導波路層としてのコア層１２３が形成されている。 - 特許庁

The electroplating liquid L is made to flow between the other side of the insulating layer 11 and the anode 21 by the electroplating feeding part 23 in the electroplating apparatus, and further, the electroplating liquid L between the other side of the insulating layer 11 and the anode 21 is exhausted to the part lower than the other side of the insulating layer 11.例文帳に追加

当該電解めっき装置２は、電解めっき液供給部２３により、絶縁層１１の他面と陽極２１との間に電解めっき液Ｌを流すとともに、絶縁層１１の他面と、陽極２１との間の前記電解めっき液Ｌを前記絶縁層１１の他面よりも下方に排出するように構成される。 - 特許庁

The conductive connection sheet 1 comprises a laminate including resin composition layers 11, 13 and a metal layer 12 joined to the resin composition layers 11, 13, and is characterized in that viscosity of the first resin composition layer 11 is lower than that of the second resin composition layer 13.例文帳に追加

本発明の導電接続シート１は、樹脂組成物層１１、１３と、この樹脂組成物層１１、１３に接合される金属層１２とを備える積層体により構成されるものであり、第１の樹脂組成物層１１は、その粘度が、第２の樹脂組成物層１３の粘度より低いことを特徴とする。 - 特許庁

By adopting this configuration, the functional layers (lower layer nonmagnetic layer 3 and the backcoat layer 7) are surely prevented from being peeling off while ensuring sufficient strength and durability, and additionally, high reliability can be obtained even when performing high density recording because a coating defect can easily be detected by using visible light.例文帳に追加

この構成を採用することで、十分な強度および耐久性を確保しつつ、機能層（下層非磁性層３とバックコート層７）の剥離を確実に防止することができ、しかも、塗布欠陥を可視光を利用して簡易に検出できるため、高密度記録化したときにも高い信頼性を得ることができる。 - 特許庁

A liquid crystal display element 1 employs a structure configured such that the surface area of wall surfaces installed at predetermined intervals in liquid crystal panels of an upper layer positioned closest to an incidence side of light is larger than the surface area of wall surfaces installed at predetermined intervals in liquid crystal panels of a lower layer positioned below the liquid crystal panels of the upper layer.例文帳に追加

液晶表示素子１は、最も光の入射側に位置する上層の液晶パネル内に所定の間隔で設置される壁面の表面積が、当該上層の液晶パネルよりも下に位置する下層の液晶パネルに所定の間隔で設置される壁面の表面積よりも大きい構造を導入する。 - 特許庁

The method for operating the blast furnace with the use of the ferrocoke includes mixing the ferrocoke with the ore in a region of the ore layer from 0.2 or higher and 0.7 or lower up to 1.0 by a dimensionless layer height, when operating the blast furnace by preparing a mixture of the ferrocoke and the ore by mixing them and charging the mixture into the blast furnace to form the ore layer.例文帳に追加

フェロコークスを鉱石と混合して高炉内に装入して鉱石層を形成して操業を行なう際に、フェロコークスを前記鉱石層の無次元層高で、０．２以上、０．７以下から、１．０までの領域に混合することを特徴とするフェロコークスを用いた高炉操業方法を用いる。 - 特許庁

Lead-out wiring is provided using lower layer wiring 103 and 106 excepting uppermost layer wiring 107 in the electrode wiring having a multilayer wiring structure of a resin sealed semiconductor becoming a major cause of cracking a passivation film 108 in order to minimize level difference incident to the uppermost layer wiring.例文帳に追加

パッシベーション膜１０８のクラック発生の主要な原因となる樹脂封止型半導体の多層配線構造の電極配線内の最上層配線１０７を除いた下層配線１０３、１０６を用いて引出配線を設けることで最上層配線を用いて配線することから発生する段差を最小限にする。 - 特許庁

A porous membrane layer 11 of two layers of polytetrafluoroethylene (PTFE) keeps damage caused by rubbing by a brush to the layers above support layers 12, by using the air filter medium 10 layered via the support layers 12, to avoid damage to the PTFE porous membrane of the layer lower than the support layer.例文帳に追加

２層のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）多孔質膜層１１が、支持層１２を介して積層されているエアフィルタ濾材１０を用いることにより、ブラシ等でこすった際のダメージを、前記支持層より上の層に留め、前記支持層より下の層のＰＴＦＥ多孔質膜層の損傷を回避することができる。 - 特許庁

On the upper surface of a second interlayer insulation layer 7, a second local interconnect line 8 connecting the source region 4A of an MOS transistor T with the lower electrode layer 10A of a ferroelectric capacitor C and connecting a part of the gate electrodes 3A and 3C of the MOS transistor T with the uppermost layer interconnect line 12 is formed.例文帳に追加

また、第二の層間絶縁層７の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのソース領域４Ａと強誘電体キャパシタＣの下部電極層１０Ａとを接続し、且つ、ＭＯＳトランジスタＴの一部のゲート電極３Ａ、３Ｃと最上層配線１２とを接続する第二の局所配線８を形成する。 - 特許庁

The guard ring 108 includes an annular impurity diffused layer 110 provided on the surface of the semiconductor substrate, and annular conductors (112, 114, 136 and 138) connected to the guard ring 108 and extended across a plurality of wiring layers, up to a layer having a level of height not lower than the layer having the inductor 120 provided therein.例文帳に追加

ガードリング１０８は、半導体基板表面に設けられた環状の不純物拡散層１１０と、ガードリング１０８に接続し、複数の配線層にわたって延在するとともにインダクタ１２０が設けられた層以上の層まで延在する環状の導電体（１１２、１１４、１３６、および１３８）とを含む。 - 特許庁

The device has upper layer auxiliary wiring 54 (upper part electrode connecting wiring) arranged being adjacent to only an R pixel 20b connected to a cathode electrode (an upper electrode) of an organic EL element 20, and lower layer auxiliary wiring 55 (resistance adjusting wiring) connected to the upper layer auxiliary wiring 54 so as to adjust electric resistance of the cathode electrode.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２０のカソード電極（上部電極）と接続され、Ｒ画素２０ｂのみに隣接して配置された上層補助配線５４（上部電極接続配線）と、カソード電極の電気抵抗を調整するために上層補助配線５４と接続された下層補助配線５５（抵抗調整配線）とを有する。 - 特許庁

The phase change memory element includes a lower electrode 12 formed on a substrate 10; a composite layer 20, containing a dielectric material 16 and a low heat-conducting material 18, which is formed on an insulating layer 14; a phase change material 24 filled in a through-hole formed in the composite layer 20; and an upper electrode 26.例文帳に追加

相変化メモリ素子は、基板１０上に形成された下電極１２と、絶縁層１４上に形成され、誘電材料１６と低熱伝導材料１８からなる複合層２０と、複合層２０に形成された貫通孔に充填される相変化物質２４と、上電極２６からなる。 - 特許庁

This separator for the fuel cell has the metallic base material, an intermediate layer formed on the metallic base material and composed of metal having corrosion resisting property lower than that of the metallic base material, and the corrosion-resisting layer formed on the intermediate layer and composed of metal or resin having corrosion resisting property higher than that of the metallic base material.例文帳に追加

本発明の燃料電池用セパレータは、金属基材と、前記金属基材上に前記金属基材より耐食性の低い金属により構成される中間層と、前記中間層上に前記金属基材より耐食性の高い金属又は樹脂により構成される耐食層とを有する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 1 is provided with an n-type substrate 3 and an n^+ epitaxial layer 5; an anode electrode 9 formed on the upper surface 5a of the n^+ epitaxial layer 5; a cathode electrode 7 formed on the lower surface 3b of the n-type substrate 3; and a p-type impurity region 13 formed in the n^+ epitaxial layer 5.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型基板３およびｎ^+エピタキシャル層５と、ｎ^+エピタキシャル層５の上面５ａに形成されたアノード電極９と、ｎ型基板３の下面３ｂに形成されたカソード電極７と、ｎ^+エピタキシャル層５中に形成されたｐ型不純物領域１３とを備えている。 - 特許庁

In the heater, the softening point of the first glass protection layer is lower than that of the second glass protection layer and that of the heat generator layer.例文帳に追加

絶縁基板上の発熱体層を覆うように前記絶縁基板上に形成された第—のガラス保護層と、前記第一のガラス保護層に積層して形成された第二のガラス保護層と、を有するヒータにおいて、第一のガラス保護層の軟化点を、前記第二のガラス保護層の軟化点、及び、前記発熱体層の軟化点よりも低くする。 - 特許庁

A first conductor 27 to a fourth conductor 30 are spirally wound, the first, second, third and fourth conductors 27, 28, 29, 30 are disposed approximately in parallel, and the magnetic permeability of a second insulator layer 22 is set lower than those of a first insulator layer 21 and a third insulator layer 23.例文帳に追加

第１の導体２７乃至第４の導体３０を渦巻き状とし、第１の導体２７と第２の導体２８および第３の導体２９と第４の導体３０はほぼ並行に配置され、加えて、第２の絶縁体層２２が第１の絶縁体層２１、第３の絶縁体層２３よりも透磁率を低くしたものである。 - 特許庁

In the thermal transfer recording material which records an image by light, with the photothermal conversion layer containing at least a photothermal conversion substance and a resin on a support, the difference in the SP value between one or more pieces of the resin of the photothermal layer and one or more pieces of the resin constituting the lower layer of the former resin, is 5 or less.例文帳に追加

支持体上に少なくとも光熱変換物質と樹脂を含む光熱変換層が存在し、光によって記録を行う熱転写記録材料において、光熱変換層の１つ以上の樹脂とその下層を形成する１つ以上の樹脂とのＳＰ値の差が５以内である熱転写記録材料。 - 特許庁