「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(150ページ目) - Weblio英語例文検索

A solid layer 6 formed of a material with high durability against breakage and disabled to compress or slightly enabled to compress is disposed between an upper side layer 4 having a high returning force and formed of a volumetrically compressible porous material and a lower side layer 5 formed of a plastically elastic material.例文帳に追加

高い戻し力を有する、容量圧縮可能な微孔性の材料から成る上側の層（４）と、可塑性の弾性的材料から成る下側の層（５）との間に、高い裂断耐久性を有する材料から成る、圧縮不能な、又は極わずかにだけ圧縮可能な中実の層（６）が配置されているようにした。 - 特許庁

Further, only dummy wiring and dummy plugs are arranged within the upper layer side interlayer insulating film B in the region directly under the electrode pad 70, and when a stress is applied to the electrode pad 70, the stress applied to the upper layer side interlayer insulating film B is made larger than the stress applied to the lower layer side interlayer insulating film A.例文帳に追加

また、電極パッド７０の直下域の上層側層間絶縁膜Ｂ内にはダミー配線及びダミープラグのみを配置し、電極パッド７０に応力が印加されたときに下層側層間絶縁膜Ａよりも上層側層間絶縁膜Ｂに大きな応力が印加されるようにする。 - 特許庁

In the laminated sheet, at least two thermoplastic resin layers are formed on at least one side of a substrate, and at least one layer excluding the outermost layer is made of a resin which has a melting point lower than that of the resin of the outermost layer and in which the difference between the melting point and the Vicat softening point is 50°C or below.例文帳に追加

基材の少なくとも片面に熱可塑性樹脂からなる２以上の樹脂層を設け、そのうちの最外層を除く少なくとも１層が、最外層の樹脂よりも融点が低く且つ融点とビカット軟化点との差が５０℃以下である樹脂からなることを特徴とする積層シート。 - 特許庁

An oxidation resisting film 5 composed of plural coating layers is formed on the surface of a base metal 1 of a nickel base alloy, a cobalt base alloy or the like, the upper coating layer 4 in the coating layers is composed of Al, the lower intermediate coating layer 2 is formed of Pt, and, moreover, the upper intermediate coating layer 3 is formed of Ir.例文帳に追加

ニッケル基合金やコバルト基合金等の母材１の表面に複数のコーティング層からなる耐酸化被膜５が形成され、コーティング層の上部コーティング層４がＡｌからなり、下部中間コーティング層２がＰｔで形成され、また、上部中間コーティング層３がＩｒで形成される。 - 特許庁

The negative ion producing nonwoven fabric structure is a nonwoven fabric mat having a three-layer structure and comprises laminating a lower layer, which comprises an electret nonwoven fabric, on both surfaces of an intermediate layer which comprises a non-electret nonwoven fabric to which a fine powder of a natural mineral having positive and negative poles applied to both ends of its crystal and having piezoelectric procperties is fixed.例文帳に追加

三層構造からなる不織布マットであって、結晶の両端にプラス極とマイナス極を有し、かつ圧電性を有する天然鉱物の微粉末を固着した非エレクトレット化不織布からなる中間層の両面に、エレクトレット化不織布からなる上、下層を積層して貼り合わして成る。 - 特許庁

A mesa structure (first mesa structure) 13 formed on the lower face 11a of the semiconductor substrate 11 is such a mesa structure that has a so-called element function in which an active layer 12 is a light emitting layer, and a mesa structure (second mesa structure) 23 formed on the upper face 11b of the semiconductor substrate 11 is a dummy mesa structure having no active layer.例文帳に追加

半導体基板１１の下面１１ａに形成されたメサ構造（第１のメサ構造）１３は活性層１２が発光部となる、いわば素子機能を有するメサ構造であり、半導体基板１１の上面１１ｂに形成されたメサ構造（第２のメサ構造）２３は、活性層をもたないダミーのメサ構造である。 - 特許庁

The optical device is provided with a quantum well structured GaInNAs active layer that generates light, and GaInAs barrier layers vapor-deposited vertically, over and under the active layer having conduction band kinetic energy and lower valence band kinetic energy higher than that of the active layer, and it has an superior long-wavelength luminescence characteristic of 1.3 ums or longer.例文帳に追加

量子ウェル構造を有して光を生成するＧａＩｎＮＡｓ活性層と、活性層の上下部に蒸着されて前記活性層より高い伝導帯のエネルギーと低い価電子帯エネルギーとを有するＧａＩｎＡｓ障壁層とを備え、１．３μｍ以上の長波長帯域の優秀な発光特性を有する。 - 特許庁

The barrier metal electrode, inserted between the solder ball 20 and the wiring pad 12, has the barrier metal layer 16 of a two-layer structure, which is constituted of a lower Ni-V layer having tensile stress and a granular crystal organization and an upper Ni-V film, having compression stress and columnar crystal organization.例文帳に追加

半田ボール２０と配線パッド１２との間に挿入されるバリアメタル電極は、引張応力を有し且つ粒状結晶組織を有する下層のＮｉ−Ｖ層と、圧縮応力を有し且つ柱状結晶組織を有する上層のＮｉ−Ｖ膜とから成る２層構造のバリアメタル層１６を有する。 - 特許庁

Next, the sintered sheet is cut in a prescribed direction to make a strip thermistor element assembly 13, and the first and second glass pastes are printed sequentially on the cut surfaces of both sides of the thermistor element assembly and dried and then burned to form a glass layer having a lower glass layer and an upper glass layer.例文帳に追加

次に上記焼結シートを所定の方向に切断して短冊状サーミスタ素体１３を作り、このサーミスタ素体の両側の切断面に上記と同一の第１及び第２ガラスペーストを順次印刷して乾燥した後に焼成して下ガラス層及び上ガラス層を有するガラス層を形成する。 - 特許庁

To make it easy to form a layered structure of an organic electronic material layer by a wet process, without causing dissolution of a lower layer by a solvent of liquid for forming an upper layer, whether an organic electronic material is made of a low molecular system organic substance or a polymer system organic substance.例文帳に追加

有機電子材料が低分子系有機物及び高分子系有機物のいずれであっても、上層を形成するための液の溶媒による下層の溶解を引き起こすことなく湿式法により有機電子材料層の積層構造を形成することが容易な電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The laser beam machining method is provided for machining the hollow three-dimensional structure 1 having the surface layer part 11 with a machined part 13, and the lower layer part 12 disposed through a space 14 interposed between itself and the surface layer part 11, by laser beams A guided into the liquid jet B2 jetted from a jet nozzle 21 of a laser beam machining apparatus 2.例文帳に追加

レーザ加工方法は、被加工部１３を有する表層部１１と、表層部１１に空間１４を介在して配置された下層部１２を有する中空状の立体構造物１を、レーザ加工装置２のジェットノズル２１から噴射された液体噴流Ｂ２内に導かれたレーザ光Ａで加工する方法である。 - 特許庁

To provide a method capable of improving a recovery ratio of a target layer by cutting a cylindrical member along the lower end of the target recovery layer with a cutting means in addition to an opening in the upper part of a container and carrying out face discharge of an unnecessary layer without using a conventional one point suction method.例文帳に追加

容器の上部の開口部に加え下部は目的回収層回収時に目的回収層の下端に沿って前記筒型部材を前記切断手段にて切断することで、従来の一点吸引ではなく、面排出に近づけ、目的層回収率の向上ができる方法を提供すること。 - 特許庁

This mat comprises an upper layer 10 obtained by mixing ceramic powder having far-infrared ray emitting effect to a synthetic rubber comprising ethylene-propylene-diene monomer, an intermediate layer 20 composed of a foamed ethylene-vinyl acetate resin and a lower layer 30 obtained by mixing an antibacterial agent comprising a modified ceramics powder and a synthetic rubber comprising ethylene-propylene-diene monomer.例文帳に追加

エチレンプロピレンジエンモノマからなる合成ゴムに遠赤外線放射効果を有するセラミックス粉末が混合された上層１０と、発泡エチレン酢酸ビニル樹脂により形成される中層２０と、エチレンプロピレンジエンモノマからなる合成ゴムと変性セラミックス粉末からなる抗菌剤が混合された下層３０とを有する。 - 特許庁

The operating procedure selected by the user for each layer is determined, and if an operating procedure at the layer below the operating procedure determined exists, voice information regarding the operating procedure at the lower layer is synthesized by a voice synthesizing process part 105 using a voice synthesis dictionary 106 and is output from a voice output part 107.例文帳に追加

そして、階層毎にユーザが選択した操作手順を判定し、判定された操作手順の下位階層の操作手順が存在する場合、下位階層の操作手順に関する音声情報を音声合成用辞書１０６を用いて音声合成処理部１０５で合成し、音声出力部１０７から出力する。 - 特許庁

A main magnetic pole layer 12 is constituted so as to form the laminated structure with a lower main pole layer 12A having 1st saturated magnetic flux density J1 while being positioned at the medium inflow side and an upper main pole layer 12B having 2nd saturated magnetic flux density J2 larger than the 1st saturated flux density J1 while being positioned at the medium outflow side.例文帳に追加

媒体流入側に位置して第１の飽和磁束密度Ｊ１を有する下部主磁極層１２Ａと、媒体流出側に位置して第１の飽和磁束密度Ｊ１よりも大きい第２の飽和磁束密度Ｊ２を有する上部主磁極層１２Ｂとの積層構造をなすように主磁極層１２を構成する。 - 特許庁

The solar cell is provided in order with a texture layer having an uneven texture structure on its upper surface, a lower electrode, a photoelectric conversion layer, and an upper electrode, and the texture layer contains a silicon-based polymer made mainly of silsesquioxane including a unit represented by general formula (I) (wherein R is H, a methyl group, or a phenyl group).例文帳に追加

基板上に、凹凸からなるテクスチャ構造を上面にもつテクスチャ層、下部電極、光電変換層および上部電極をこの順で有する太陽電池であって、テクスチャ層が、下記一般式（Ｉ）で表される単位を含むシルセスキオキサンを骨格として有するケイ素系ポリマーを含有する太陽電池。 - 特許庁

The ultrasonic wave vibrator with a curved face is characterized in that two grooves or more placed side by side in a width direction are formed to a lower surface of an acoustic matching layer and adhesive adhering the upper electrode and the acoustic matching layer is filled in the grooves of the acoustic matching layer.例文帳に追加

音響整合層の下側表面に、幅方向に沿って並列する二個以上の溝部が形成されていて、該上側電極と該音響整合層とを貼り付けている接着剤が、該音響整合層の溝部にも充填されていることを特徴とする湾曲面を有する超音波振動子。 - 特許庁

The fiber composing at least one layer of the fiber layer A and the fiber layer B is used as a composite fiber constituted of at least two kinds of thermoplastic resins having a difference of a melting point of 10°C or higher, and both the layers are preferably integrated through heat fusion of lower melting point components of the composite fiber.例文帳に追加

繊維層Ａ及び繊維層Ｂの少なくとも１つの層を構成する繊維を、１０℃以上の融点差を有する少なくとも２種類の熱可塑性樹脂で構成された複合繊維とし、該複合繊維の低融点成分の熱融着を介して両層を一体化するようにするのが好ましい。 - 特許庁

The MEMS device 1 is provided with an upper layer substrate 2 and a lower layer substrate 3, the upper layer substrate 2 has a rocking part 2A with movable electrodes 28 and a fixed parts 2B and 2C with fixed electrodes 29, and the rocking part 2A rocks, by applying an alternative voltage between the fixed electrodes 29 and the movable electrodes 28.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイス１は、上層基板２と下層基板３とを具備し、上層基板２は、可動電極２８を有する揺動部２Ａと、固定電極２９を有する固定部２Ｂ、２Ｃとを有し、揺動部２Ａは、固定電極２９と可動電極２８との間に交流電圧が印加されることによって揺動する。 - 特許庁

After depositing a layer insulation film 18 on a substrate provided with an element, wires 52 and 56 of a lower layer, the layer insulation film 18 has a via hole 70 reaching the wire 56 formed in an internal element area and an annular groove 30 reaching an annular pad 16 formed in the outer periphery part of a chip region.例文帳に追加

素子や下層の配線５２，５６が設けられた基板上に、層間絶縁膜１８を堆積した後、層間絶縁膜１８に、内部素子領域においては配線５６に到達するヴィアホール７０を、チップ領域外周部においては環状パッド１６に到達する環状溝３０を、それぞれ形成する。 - 特許庁

The image display deice has stacking structure of a scanning line lower electrode GL-L embedded in a groove MZ formed by working the main surface of an insulating substrate SUB1 which is a first substrate, a first insulating layer INS1, a signal line electrode DL, a second insulating layer INS2, a third insulating layer INS3, and a scanning line upper electrode GL-H.例文帳に追加

第１の基板となる絶縁基板ＳＵＢ１の主面を加工した溝ＭＺに埋設した走査線下部電極ＧＬ−Ｌ、第１絶縁層ＩＮＳ１、信号線電極ＤＬ、第２の絶縁層ＩＮＳ２、第３の絶縁層ＩＮＳ３、および走査線上部電極ＧＬ−Ｈの積層構造とする。 - 特許庁

Small-diameter sacrifice 5 pipes passing through the impermeable base course layer 2 from the permeable base course layer 3 to reach the roadbed 1 are buried and installed in the number of about one to three per 1 m^2, and rainwater at the lower end of the permeable base course layer 3 is drained from a water infiltrating part 6 to prevent corrosion and mold caused by the retention of rainwater.例文帳に追加

透水性路盤層３から非透水性路盤層２を貫通して路床１に至る細径の捨てパイプ５を１ｍ^２当り１〜３本程度埋込設置し，その水浸透部６から透水性路盤層３下端の雨水を排出して，雨水滞留による腐食やカビを防止する。 - 特許庁

The thin film magnetic head for azimuth recording of a helical tape scan system is provided with an upper layer magnetic core and a lower layer magnetic core, and one side 37 of the magnetic pole end part 36A of the upper layer magnetic core 36 is obliquely cut so as to be parallel to the end edge of a recording track in a width direction or enter the recording track.例文帳に追加

ヘリカルテープスキャン方式のアジマス記録用の薄膜磁気ヘッドであって、上層磁気コア３３及び下層磁気コア３６を有し、上層磁気コア３６の磁極端部３６Ａの片側３７が、記録トラックの幅方向の端縁に平行にもしくは記録トラック内に入り込むように、斜めカットされて成る - 特許庁

The food packaging bag constituted of a bag upper piece part comprising a polypropylene film (A), a bag lid part and a bag lower piece part comprising a substrate sheet of which thickness is larger than that of the bag upper piece part and the bag lid part and which is constituted by forming at least a printing layer between a layer of a polypropylene film (B) and a layer of a polypropylene film (C).例文帳に追加

ポリプロピレンフィルム（Ａ）からなる袋上片部及び袋蓋部と、袋上片部及び袋蓋部の厚み以上の厚みを有し、ポリプロピレンフィルム（Ｂ）層及びポリプロピレンフィルム（Ｃ）層間に少なくとも印刷層を形成した基体シートからなる袋下片部とで構成された食品包装用袋。 - 特許庁

A value related to the density of a hair on an upper layer is calculated on the basis of a value related to the density of a hair on its lower layer and the direction of the hair, or random numbers are introduced to the value related to the density of the hair and the direction of the hair and can be used for transmittance calculation and mixing processing in the upper layer.例文帳に追加

また、下の層の毛の密度に関連する値及び毛の方向を基に上の層の毛の密度に関連する値を毛の密度に関連する値を計算したり、あるいは毛の密度に関連する値や毛の方向に乱数を導入して、上の層における透過度計算並びに混合処理に利用することができる。 - 特許庁

At least the surface of the die at the portion for pressing the powder is composed of at least a rough surface or a mixed layer of an electrode and a base material of the die caused by electric discharge machining, and an amorphous carbon based hard layer which has residual stress lower than 0.3 GPa or less and is formed on the rough surface or the mixed layer.例文帳に追加

少なくとも前記粉末を押圧する部位の金型表面を、粗面または放電加工による電極と金型基材との混合層と、前記粗面または前記混合層上に成形された０．３ＧＰａ以下の残留応力を有する非晶質炭素系硬質膜とから少なくとも構成する。 - 特許庁

Only a first silicon oxide film 30 (a lower-layer film 30-1 and an upper-layer film 30-2) having a thickness, for example, 40 nm or smaller is interposed between a semiconductor substrate 20 and a shielding film 32 on a photoelectric converter 23 of the solid-state image pickup device.例文帳に追加

固体撮像素子の光電変換部２３上において半導体基板２０と遮光膜３２との間に、厚さ例えば４０ｎｍ以下の第１シリコン酸化膜３０（下層膜３０−１と上層膜３０−２）のみが介在するようにする。 - 特許庁

At the time of exposing a drain electrode constituting the laminate structure of a metallic film in a lower layer and an aluminum film in an upper layer, the exposure of only a partial region is changed, a region whose resist thickness is thinner than the other region is formed, then patterning is carried out as usual.例文帳に追加

下層の金属膜と上層のアルミ膜の積層構造をなすドレイン電極の露光時に一部領域のみ露光量を変えることによりレジスト厚が他よりも薄い領域を形成した後に、通常どおりのパターニングを行う。 - 特許庁

The inkjet recording medium is manufactured by a method wherein a lower layer containing a water-absorbing inorganic pigment, a latex and boric acid or a salt thereof and an upper layer containing a submicron pigment and polyvinyl alcohol are provided by coating on a base and subjected to calendering and then casting.例文帳に追加

基材上に、吸水性無機顔料、ラテックス、ホウ酸またはその塩を含有する下層、サブミクロン顔料、ポリビニルアルコールを含有する上層を塗工し、カレンダ処理を施した後に、キャスト処理をして製造されてなるインクジェット記録媒体。 - 特許庁

If the radiation is irradiated after a resist layer 3 is laminated on the circuit, a portion positioned at the upper part of the hollow E of the resist layer 3 is exposed to a dosage which is lower than a threshold of development of a resist only by primary flux F1.例文帳に追加

レジスト層３が回路上に積層された後に放射線を照射すると、レジスト層３の、くぼみＥの上方に位置する部分は、１次フラックスＦ１のみによりレジストの現像のしきい値よりも小さい放射線量にさらされる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon wafer for lowering an interface level between a surface silicon layer of an SOI substrate having an embedded oxide film and the embedded oxide layer, and also to provide a silicon wafer having a lower interface level manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ基板の表面シリコン層と埋め込み酸化層との界面準位を低減できるシリコンウェーハの製造方法およびその製造方法で製造した界面準位の低いシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

The charge injection layer is formed throughout a display region including the lower electrode and the element separation film, and a high resistance region of the charge injection layer is formed at a tapered portion of the element separation film.例文帳に追加

前記電荷注入層は前記下部電極及び前記素子分離膜を含む表示領域全面に形成されており、前記素子分離膜のテーパー部に、前記電荷注入層の高抵抗領域が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The mixed liquid 13 is separated by the difference of the specific gravities so that the catalyst and the extractant 14 taking in the hetero compound and the aromatic hydrocarbon may be moved to the lower layer, and the stock oil 16 converted to the hydrocarbon having the high octane number may be moved to the upper layer.例文帳に追加

次に上記混合液１３を比重差により、ヘテロ化合物及び芳香族炭化水素を取込んだ触媒・抽出剤１４を下層に移行させ、高オクタン価の炭化水素に転換された原料油１６を上層に移行させる。 - 特許庁

A buffer layer 6 which has a width W wider than the width w of this progressive wave type electrode 3 and is at least partly embedded in the surface layer part of the substrate 1 is formed only in the lower part of the progressive wave type electrode 3.例文帳に追加

そして、進行波型信号電極３の下部のみに、この進行波型信号電極３の幅ωよりも広い幅Ｗを有するとともに、少なくとも一部が基板１の表層部分に埋設したバッファ層６を形成する。 - 特許庁

After the resist pattern 6a is removed, the oxide silicone pattern 5a is used as a mask and the monocrystal silicone layer 4 is removed by etching until a buried oxide film 3 which becomes a lower clad is disclosed, and a core pattern 4a of a monocrystal silicone layer is formed.例文帳に追加

レジストパターン６ａ除去後、シリコン酸化膜パターン５ａをマスクとして単結晶シリコン層４を下部クラッドとなる埋め込み酸化膜３が現われるまでエッチング除去して単結晶シリコン層からなるコアパターン４ａを形成する。 - 特許庁

A first conductive layer 21 is formed on a cavity 5 side surface (upper surface) of a lower ceramic board 13 along one longer inner side of a frame 19, and the right end of this first conductive layer 21 extends to the upper right corner part of the ceramic package 1.例文帳に追加

下部セラミック板１３のキャビティ５側の表面（上面）には、枠部１９の一方の長辺の内側に沿って、第１導電層２１が形成されており、この第１導電層２１の右端はセラミックパッケージ１の右上角部に伸びている。 - 特許庁

Since the connecting layer 2 composed of Mo is formed, the fall of the activity of a catalytic metal 5 is suppressed by suppressing the thermal diffusion of Cu from the lower-layer Cu wiring 1, even when heat is added to the wiring 1 at the time of performing the CVD for growing the carbon nanotube 6.例文帳に追加

Ｍｏからなる接続層２を形成することにより、カーボンナノチューブ６を成長させるＣＶＤの際に熱が加えられても、下層Ｃｕ配線１からのＣｕの熱拡散が抑制され、触媒金属５の活性低下が抑えられる。 - 特許庁

An insulating film 22 is deposited on the substrate 10 so as to cover the lower electrode 12 and the sacrificial layer 21, then, by patterning the insulating film 22 like a belt from below to above the sacrificial layer 21, a bridge type structural body 14 is formed.例文帳に追加

下部電極１２および犠牲層２１を覆う状態で、基板１０上に絶縁膜２２を成膜し、この絶縁膜２２を犠牲層２１の下部から上部にわたる帯状にパターニングすることで、ブリッジ形状の構造体１４を形成する。 - 特許庁

The inverting sense circuit 10 senses data of the bit lines BL when reading the data and sets so that current does not flow in either the main data line MDL on the upper layer side or the bit line BL on the lower layer side when the current flows in the other.例文帳に追加

反転センス回路１０は、データの読み出し時に、ビット線ＢＬのデータをセンスすると共に、上層側のメインデータ線ＭＤＬと下層側のビット線ＢＬとの間で一方に電流が流れるときに他方に電流が流れないように設定する。 - 特許庁

An impact absorption layer 20 formed by a material having hardness lower than hardness of a slider substrate 11 is provided to an end part L1 on the leading side of the slider substrate 11 and projected parts 21, 21 are formed on the surface of the impact absorption layer 20.例文帳に追加

スライダ基板１１のリーディング側端部Ｌ１に、スライダ基板１１の硬度よりも低い硬度を有する材料から形成される衝撃吸収層２０を設け、衝撃吸収層２０の表面に突出部２１，２１を形成する。 - 特許庁

A switching resistor (2) is formed on a semiconductor substrate (1), an isolation layer (4) is deposited on the switching transistor (2), and then a memory capacitor provided with a lower electrode (7) formed of platinum and a ferroelectric or paraelectric (8) is formed on the isolation layer.例文帳に追加

半導体基板（１）上にスイッチングトランジスタ（２）を形成し、この上にアイソレーション層（４）を施し、該アイソレーション層上に白金からなる下方電極（７）及び強誘電体又は常誘電体誘電体（８）を有するメモリキャパシタを形成する。 - 特許庁

Further, the thin film wiring is made such that the film having Cu or Ag as the main body is used as an intermediate layer, and upper and lower layers of the intermediate layer are formed with the alloy film containing Mo and V and/or Nb, and these three layers are laminated.例文帳に追加

また、ＣｕまたはＡｇを主成分とする膜を中間層として、該中間層の上層と下層をＭｏを主体としてＶおよび／またはＮｂを含有する合金膜で形成する３層で積層されている薄膜配線である。 - 特許庁

To provide a tunnel-type magnetic detecting element which, compared especially with such mode as a Ta layer is inserted in a free magnetic layer, reduces a gap length (GL) between upper and lower shield layers and raises a resistance change rate (ΔR/R).例文帳に追加

特に、フリー磁性層内にＴａ層を挿入した形態に比べて、上下シールド層間のギャップ長（ＧＬ）を小さくしつつ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

Due to this structure, an injected current density in a multi-strain- quantum well active layer 105 in the area near the rear end face of the resonator becomes lower than that in the multi-strain-quantum well active layer 105 in the other areas.例文帳に追加

これにより、共振器後端面近傍の領域における多重歪量子井戸活性層１０５への注入電流密度は、他の領域における多重歪量子井戸活性層１０５への注入電流密度よりも低減される。 - 特許庁

The first board 100 and the second board 200 may further have a plurality of ground vias 170 and 270 arranged on side parts of the cavity and electrically connecting the upper ground layer 160 of the cavity and the lower ground layer 260 of the cavity.例文帳に追加

また、第１基板１００および第２基板２００は、空洞の側部に配列され、空洞の上側のグランド層１６０および空洞の下側のグランド層２６０を電気的に接続する複数のグランドビア１７０、２７０を更に有してもよい。 - 特許庁