「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(154ページ目) - Weblio英語例文検索

In the variable capacity capacitor where a lower electrode layer 2, a dielectric layer 3 where a dielectric rate changes by applying an external control voltage, and an upper electrode layer 4 are deposited successively, the dielectric layer 3 is made of a Perovskite type oxide crystal particle containing at least Ba, Sr, and Ti, and the crystal particle is oriented randomly without being oriented in a specific direction.例文帳に追加

支持基板１上に下部電極層２、外部制御電圧を印加することにより誘電率が変化する誘電体層３、上部電極層４を順次被着してなる可変容量コンデンサにおいて、前記誘電体層３が、少なくともBa、Sr、Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなり、その結晶粒子が特定方向に配向のすることがない、ランダム配向している。 - 特許庁

With such a structure, the lower n-type semiconductor layer 19 and the upper n-type semiconductor layer 23, which surround the group III-V compound semiconductor layer 21 on both sides of the main surface, can act as a so-called protective film to suppress hydrogen from mixing into the group III-V compound semiconductor layer 21 in various kinds of manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

このような構成により、III−Ｖ族化合物半導体層２１を主面両側で囲んでいる下部ｎ型半導体層１９および上部ｎ型半導体層２３は、半導体デバイスの種々の製造工程において水素がIII−Ｖ族化合物半導体層２１に混入することを抑制するためのいわゆる保護膜として作用することができる。 - 特許庁

The image sensor according to an embodiment includes a first substrate 100 where a lower interconnection 110 and the circuitry are formed, a crystalline semiconductor layer bonded to the first substrate 100 in contact with the lower interconnection 110, the photodiode 210 formed in the crystalline semiconductor layer to be electrically coupled to the lower interconnection 110, and an element isolation film 222 formed in the photodiode 210.例文帳に追加

実施の形態によるイメージセンサは、下部配線１１０と回路が形成された第１基板１００と、前記下部配線１１０と接触しながら前記第１基板１００とボンディングされた結晶半導体層と、前記結晶半導体層内に前記下部配線１１０と電気的に連結されるように形成されたフォトダイオード２１０と、前記フォトダイオード２１０内に形成された素子分離膜２２２と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To suppress an overflow carrier being leaked, as a minor carrier, from a first semiconductor layer to a second semiconductor layer over a junction barrier having lower impurity doping concentration in a semiconductor device, where a first semiconductor layer with a prescribed band gap and a second semiconductor layer having a band gap that is the same or larger than the first semiconductor layer are joined with each other.例文帳に追加

本発明は、所定のバンドギャップを有する第１の半導体層と、これと同一又はこれより大きなバンドギャップを有する第２の半導体層とを互いに接合してなる半導体素子において、第１の半導体層から第２の半導体層へ、接合障壁を越えて少数キャリアとして漏れて行くオーバーフローキャリアを、少ない不純物添加濃度において抑圧することが可能な半導体素子および半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the ferroelectric capacitor, the first ferroelectric layer is formed on one electrode of a pair of electrodes at a temperature not lower than crystallization temperature at which the first ferroelectric layer has a crystallization structure showing ferroelectricity; and then, the second ferroelectric layer is formed on the first ferroelectric layer at a temperature less than crystallization temperature at which the second ferroelectric layer has the crystallization structure showing the ferroelectricity.例文帳に追加

一対の電極における一つの電極上に、第１強誘電体層が強誘電性を示す結晶化構造をとる結晶化温度以上の温度で該第１強誘電体層を形成した後、該第１強誘電体層の上に、第２強誘電体層が強誘電性を示す結晶化構造をとる結晶化温度未満の温度で該第２強誘電体層を形成する強誘電体キャパシタの製造方法。 - 特許庁

In this radiation image conversion panel having the support body and the phosphor layer formed thereon by a vapor-deposition method, the phosphor layer is constituted of a phosphor comprising a phosphor mother compound and an activator, and a substrate layer comprising the phosphor mother compound and having a value of a relative density lower than that of the phosphor layer is provided between the support body and the phosphor layer.例文帳に追加

支持体およびその上に気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該蛍光体層が蛍光体母体化合物と付活剤とからなる蛍光体から構成され、そして該支持体と該蛍光体層との間に、該蛍光体母体化合物からなり、相対密度が該蛍光体層の相対密度よりも低い値を示す下地層が設けられている放射線像変換パネル。 - 特許庁

In the optical recording medium having a dielectric lower protective layer, recording layer, upper protective layer and reflective heat radiating layer successively deposited on a transparent substrate, the recording layer shows reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase by irradiation of light and the face where light enters is in the transparent substrate side.例文帳に追加

記録層が光照射により非晶質相と結晶相の可逆的相変化をするものであって、光入射面が透明基板側で、該透明基板上に誘電体下部保護層、記録層、上部保護層、反射放熱層を順次積層した光記録媒体において、上部保護層にＺｎＳ・ＳｉＯ_２より熱伝導率が低く、かつ結晶化を促進させるＳｉＣ系の物質を用いる光記録媒体であることを主要な構成とする。 - 特許庁

This electronic component storing package is provided with a 10-50 μm burr 2a in height in the inner and outer periphery of the lower surface of the metal frame 2, and solder 8 stays between the lower surface and the outer side of the metalized layer 7 and the metal frame 2.例文帳に追加

金属枠体２の下面の内周縁および外周縁に高さが10〜50μｍのバリ２ａを設けるとともに、メタライズ層７と金属枠体２の下面および外周側面との間にろう材８の溜まりを形成した電子部品収納用パッケージである。 - 特許庁

To provide a method for decomposing a chlorinated organic compound, capable of employing a reaction temperature of 250°C or lower (preferably 200°C or lower) required from a viewpoint of a problem of the re-synthesis of dioxins or the reduction of the use amount of steam being a heating source of a catalyst layer.例文帳に追加

ダイオキシン類の再合成の問題や触媒層の加熱源であるスチームの使用量の削減の観点から要求される２５０℃以下（好ましくは２００℃以下）の反応温度を採用し得る、塩素化有機化合物の分解方法を提供する。 - 特許庁

A peeling off preventing layer 13 comprising a thin film made of (for example, non-doping polycrystalline silicon, non-doping amorphous silicone, silicon oxide, silicon nitride, or the like) preventing the peeling off of the electron passing part 5 from the lower electrode is placed between the lower electrode 12 and an insulating substrate 11.例文帳に追加

下部電極１２と絶縁性基板１１との間に下部電極１２から電子通過部５が剥れるのを防止する薄膜（例えば、ノンドープの多結晶シリコン、ノンドープのアモルファスシリコン、酸化シリコン、窒化シリコンなど）からなる剥れ防止層１３を介在させてある。 - 特許庁

The ink for inkjet recording contains a resin fine particle in a pigment covering layer, and contains a dispersion having an average particle diameter of 20-200 nm and a polymer fine particle having a glass transition temperature of -10°C or lower and an acid value of 100 mgKOH/g or lower.例文帳に追加

顔料被覆層に樹脂微粒子を含み、平均粒径が２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の分散体と、ガラス転位温度が−１０℃以下で、且つ酸価が１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である高分子微粒子を含んでなるインクジェット記録用インク。 - 特許庁

Furthermore, in the first chip 2 and the second chip 3 having these structures, the second chip 3 is stacked on the lower layer of the first chip 2 so as to dispose the pixel-drive circuit 11 paired to the pixel 4 in the lower part of the pixel 4 formed on the first chip 2.例文帳に追加

そして、このような構成を有する第１のチップ２と第２のチップ３において、第２のチップ３は、第１のチップ２に形成された画素４の下部に、該画素に対応する画素駆動回路１１が配されるように、第１のチップ２の下層に積層されている。 - 特許庁

A rugged layer (7), a metallic film (6) and a black matrix (4) are previously formed in this order on a lower substrate (2), red, green and blue colored resins are printed on the lower substrate 2 by offset printing and only the colored resins are flattened by pressing to form a color filter (33).例文帳に追加

予め凹凸層（７）、金属膜（６）、ブラックマトリックス（４）を順次形成した下基板（２）にオフセット印刷法でＲ、Ｇ、Ｂの着色樹脂を印刷し、その後、３色の着色樹脂のみを加圧して平坦化することでカラーフィルタ（３３）を形成する。 - 特許庁

In this micro-heater, an insulating layer 200 is constituted by layering on a surface 110 of a semiconductor substrate 100 the lower tensile stress film 211, the lower compressive stress film 212, the upper compressive stress film 221 and the upper tensile stress film 222 in this order.例文帳に追加

マイクロヒータにおいて、絶縁層２００は、下側引張応力膜２１１、下側圧縮応力膜２１２、上側圧縮応力膜２２１及び上側引張応力膜２２２を順次半導体基板１００の表面１１０に積層して構成されている。 - 特許庁

The attraction section 59 releases the attraction force to the plate, before the plate held by the attraction section 59 is brought into contact with the lower face of the attraction section of the plate lamination section 75 or the lower face of the plate which is laminated thereto and is at the outermost layer.例文帳に追加

そして、吸着部５９が、吸着部５９に保持されたプレートがプレート積層部７５の吸着部の下面又はその下面に積層された最外層にあるプレートの下面に接触するよりも前に、プレートに対する吸着力を解除する。 - 特許庁

This magnetic memory element utilizing a current induction switching comprises: a magnetic resistance structure containing a lower electrode and a free layer disposed on the lower electrode in which the distance between two sides opposed to each other is changed; and an upper electrode disposed on the magnetic resistance structure.例文帳に追加

下部電極と、下部電極上に形成され、対向する２辺の間隔が変化する自由層を備える磁気抵抗構造体と、磁気抵抗構造体上に形成された上部電極と、を備える電流誘導スイッチングを利用した磁気メモリ素子。 - 特許庁

To provide a suspension device for a vehicle capable of engaging and attaching a diaphragm lower bead so as to avoid diaphragm damage caused by early rust, the early replacement of an elastic spring, troublesome maintenance and a cost increase, and capable of enhancing and improving the surface treatment of a lower support for supporting a core layer.例文帳に追加

早期錆によるダイヤフラム損傷、弾性ばねの早期交換、メンテナンスの面倒さやコストアップ回避が可能となるよう、ダイヤフラム下ビード部を嵌着し、かつ、ゴム層を支持する下支持部の表面処理が強化改善される車両用懸架装置を提供する。 - 特許庁

On the lower side of the back electrode plate 16, a contact spring 18 elastically pressing it upward is arranged in a deflected and deformed state to bring its lower end into contact with a portion of the second conductive layer 36c on the upper surface of the annular substrate 36.例文帳に追加

また、背面電極板１６の下方に、これを上方へ向けて弾性的に押圧するコンタクトスプリング１８を、その下端部を第２導電層３６ｃにおける環状基板３６の上面の部分に当接させるようにして撓み変形させた状態で配置する。 - 特許庁

The piezoelectric layer 5B is formed with two through holes 9B for connecting upper and lower electrodes 6B electrically, a through hole 10B for connecting the upper and lower electrodes 6A electrically, and a connection pattern 11B connected electrically with the through hole 10B.例文帳に追加

圧電体層５Ｂには、上下の電極６Ｂ同士を電気的に接続する２つのスルーホール９Ｂと、上下の電極６Ａ同士を電気的に接続するスルーホール１０Ｂと、スルーホール１０Ｂと電気的に接続された接続用パターン１１Ｂとが形成されている。 - 特許庁

In this optical semiconductor element, a light emitting layer 22 having a p-n junction is formed on the upper surface 25 of a transparent substrate 21 having translucency to a light emitting wavelength, and upper- and lower-surface electrodes 23 and 24 are respectively formed on the upper and lower surfaces 25 and 26 of the substrate 21.例文帳に追加

発光波長に対して透光性を有する透明基板２１の上面にｐｎ接合を有する発光層２２を形成し、透明基板２１の上面２５および下面２６に上面電極２３および下面電極２４をそれぞれ形成している。 - 特許庁

A light-shielding conductive film 2 is formed on the lower layer side of the field-effect transistor 30 so as to overlap it, in a plan view via a ground dielectric film 70, and the light-shielding conductive film 2 functions also as a lower electrode for photoelectric conversion of the photoelectric conversion element 40.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ３０の下層側には、下地絶縁膜７０を介して平面視で重なる遮光性導電膜２が形成され、かかる遮光性導電膜２は、光電変換素子４０の光電変換用下電極としても機能する。 - 特許庁

An anode leader wire is planed at a position shifted from the center of the lower face of an anode member, and a cathode leader layer is formed in a region biased from the center of the lower face to the direction opposite to the planting position of the lead wire.例文帳に追加

前記陽極リードワイヤを、前記陽極部材の下面の中央からずれた位置に植立させ、前記コンデンサ素子の下面において、該下面の中央から前記リードワイヤの植立位置と反対方向に片寄った領域に、前記陰極引出層を形成する。 - 特許庁

Separate from the bump, a projected part 56 is formed on a part opposite to a land 52 in the upper surface of a base material 51, where the land 52 and a wire 53 are formed at the lower surface, and then a thermosetting-bonding agent layer 55 is formed at the lower surface of the base material 51.例文帳に追加

そして、これとは別に、下面にランド５２及び配線５３が形成された基材５１の上面におけるランド５２と対向する部分に突出部５６を形成し、続いて基材５１の下面に熱硬化性の接着剤層５５を形成する。 - 特許庁

On a silicon substrate 18, a lower nitride film 20, a lower oxide film 21, a heater 16, a temperature sensitive part 17, an upper oxide film 22, an upper nitride film 23, and the oxide film 25 of an uppermost layer are formed; and a hollow part 19 is formed in the membrane 15 forming part of the silicon substrate 18.例文帳に追加

シリコン基板１８上に、下部窒化膜２０、下部酸化膜２１、ヒータ部１６、感温部１７、上部酸化膜２２、上部窒化膜２３および最上層の酸化膜２５を形成し、メンブレン１５の形成部分のシリコン基板１８に空洞部１９を形成する。 - 特許庁

The thin-film electron source is provided with a lower electrode 11 formed of metal, suitably, aluminum or an aluminum alloy on an insulation substrate, and a tunnel insulation layer 12 on the lower electrode 11, on which, further, a silicon-made upper electrode 23 is laminated.例文帳に追加

薄膜電子源として、絶縁基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金を好適とする金属で形成した下部電極１１と、この下部電極１１の上にトンネル絶縁層１２を有し、さらにこの上層にシリコンの上部電極２３を積層した構造とする。 - 特許庁

The piezoelectric layer 5A is formed with two through holes 9A for connecting upper and lower electrodes 6A electrically, a through hole 10A for connecting upper and lower electrodes 6B electrically, and a connection pattern 11A connected electrically with the through hole 10A.例文帳に追加

圧電体層５Ａには、上下の電極６Ａ同士を電気的に接続する２つのスルーホール９Ａと、上下の電極６Ｂ同士を電気的に接続するスルーホール１０Ａと、スルーホール１０Ａと電気的に接続された接続用パターン１１Ａとが形成されている。 - 特許庁

A reflection layers 16 reflecting light are formed partially on a lower substrate 2 and spacers 17 coated with a sticking layer whose sticking force is lowered by UV irradiation are disposed between the lower substrate 2 and an upper substrate 1 selectively above the reflection layers 16.例文帳に追加

光を反射する反射層１６を下基板２上に部分的に形成し、下基板２と上基板１との間に、紫外線照射によりその固着力が低下する固着層により被覆されてなるスペーサー１７を、反射層１６の上方に選択的に配設した。 - 特許庁

The flat plate type display element at least comprises a plurality of lower electrodes 20 arranged on the same plane, a plurality of upper electrodes 6 arranged on the same plane, and a luminous layer 4 formed between the plurality of lower electrodes 20 and the plurality of upper electrodes 6.例文帳に追加

平板型表示素子は、同一平面上に配された複数の下電極２０と、同一平面上に配された複数の上電極６と、複数の下電極２０と複数の上電極６との間に配された発光層４とを少なくとも備える。 - 特許庁

To provide a bracket extremely simple in structure, low in cost and easily and rapidly mounted to a seam joint part of a seam joint type lower roof to support an upper roof in two-layer type roof comprising the lower roof and the upper roof.例文帳に追加

下部屋根と上部屋根とからなる２層タイプの屋根において、その馳締タイプの下部屋根の馳締部に簡易且つ迅速に装着して上部屋根を支持するものであって、しかもその構造を極めて簡単且つ低価格に提供することができる受金具に関する。 - 特許庁

The conducive electric connection part 4 is so provided on the stress reducing layer 3 in the through-hole 2 as to close a lower surface opening 21, electrically communicating the lower surface 10 with the upper surface 11 of the substrate 1.例文帳に追加

一方、電気接続部４は、導電性を有し、スルーホール２において、応力緩和層３上に設けられるとともに、下面開口２１を閉塞するように設けられているものであり、基板１の下面１０及び上面１１の導電領域と導通する。 - 特許庁

As the lower step switch 3 below the cover can not be used thereby when the cover 5 is not opened, the lower step switch is prevented from outputting carelessly and it is possible to arrange a number of the first and the second switches 3 and 6 being a two layer structure above and below the cover 5.例文帳に追加

これにより、カバー５を開けないとカバー５下部の下段スイッチ３が使用できないため下段スイッチ３の不用意な出力を防止できるとともに、カバー５の上下に二層構造で第１，第２のスイッチ３，６を多数配置することが可能となる。 - 特許庁

The region in which the reinforcing tape does not exist between the reinforcing tapes 6 adhered to both the sides of the lower surface of the insulating film 2, is disposed under the region in which the part of the copper layer 1 is eliminated by patterning at a conductor pattern forming time or in the lower vicinity region.例文帳に追加

絶縁フィルム２の下面両側に貼り付けられた補強テープ６間の補強テープが存在しない領域を、導体パターン形成時のパターンニングにより銅層１の一部が無くなった領域の下方又は下方近傍領域に配置する。 - 特許庁

In this thin film magnetic head having an upper magnetic core and a lower magnetic core, a layered film consisting of a soft magnetic film 71 and a non-magnetic film 72 which has resistivity higher than that of the soft magnetic layer is formed by electroless plating on the upper magnetic core 7 and/or the lower magnetic core.例文帳に追加

上部磁気コアと下部磁気コアを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気コア７及び／又は下部磁気コアに、軟磁性膜７１と軟磁性層よりも比抵抗の高い非磁性膜７２を無電解めっき法で積層した膜を形成したもの。 - 特許庁

(A) The central cover layer is constituted by using a three-twisted composite cord in which a cord arranged near a center in a tire axial direction and obtained by lower-twisting two high elastic yarns and one low elastic yarn in the same direction respectively is twisted in the lower-twisting direction and the opposite direction.例文帳に追加

（Ａ）センターカバー層：タイヤ軸方向中央付近に配置され、２本の高弾性ヤーンと１本の低弾性ヤーンをそれぞれ同一方向に下撚りしたものを、該下撚り方向と逆方向に撚り合せてなる３本撚り複合コードを用いて構成される。 - 特許庁

The method includes a step for forming a trench whose width is further expanded in its lower portion, a step for generating an air gap in the lower corner of the trench by utilizing the step coverage of an insulating substance, and a step for burying the insulating layer in the trench.例文帳に追加

半導体基板の所定の領域に下部の幅がさらに広いトレンチを形成する段階と、絶縁物質の段差被覆性（ステップカバレージ）を用いてトレンチの下部コーナーにエアギャップを発生させるとともに、トレンチを絶縁層で埋め込む段階とを含む。 - 特許庁

Using this apparatus for charging the raw material, the particle size distribution in a raw material accumulated layer in the lower part hopper 2 is controlled and the particle size distribution of the raw material discharged from the lower part hopper 2 into the blast furnace 9 is controlled and thus the particle size distribution of the raw material in the radius direction in the blast furnace 9 is controlled.例文帳に追加

これにより下部ホッパー２内の原料堆積層内の粒度分布を制御し、２から高炉９内へ排出される原料の粒度分布を制御し、これにより高炉９内での半径方向における原料粒度分布を制御する。 - 特許庁

An upper substrate 1 and a lower substrate 2 are arranged opposite to each other across spacers (not illustrated) and a plurality of colored particles 6 which are negatively charged are charged in an air layer 9 formed between those upper substrate 1 and lower substrate 2.例文帳に追加

上側基板１および下側基板２は、スペーサ（図示せず）を介して対向して配置されており、これらの上側基板１と下側基板２との間に形成された空気層９には負に帯電させた複数の着色粒子６が充填されている。 - 特許庁

The carbon nanotube 121 is grown in the catalyst metal layer 111 and is extended on the plane from the upper stage 101a to the lower stage 101b, and it is provided with a bending part 121a in a step between the upper stage 101a and the lower stage 101b.例文帳に追加

カーボンナノチューブ１２１は、触媒金属層１１１より成長し、上段部１０１ａから下段部１０１ｂの平面上に延在し、上段部１０１ａと下段部１０１ｂとの間の段差部において屈曲した屈曲部１２１ａを備えている。 - 特許庁

A piezoelectric element 300 comprises a lower electrode 33, an upper electrode 44, and a piezoelectric layer 43 which is arranged between the lower electrode 33 and the upper electrode 44 with the crystalline plane direction priorly oriented to (100) and the particle diameter of 100 nm or less.例文帳に追加

下部電極３３と、上部電極４４と、下部電極３３と上部電極４４との間に配設されると共に、結晶面方位が（１００）に優先配向しており、粒径が１００ｎｍ以下である圧電体層４３を備えた圧電体素子３００である。 - 特許庁

The semiconductor device has a structure comprising an active element provided with an ohmic electrode and an MIM capacitor having a dielectric layer interposed between a lower electrode and an upper electrode, on a semiconductor substrate, wherein the lower electrode and the ohmic electrode have the same structure.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板上に、オーミック電極を備えた能動素子と、下側電極と上側電極との間に誘電体層が介在するＭＩＭキャパシタとが設けられた構造を有し、下側電極とオーミック電極とが同じ構造を有する。 - 特許庁

The capacitor of a semiconductor device is characterized by a lower electrode 43 of a single layer formed of noble metal alloy or oxide thereof, a dielectric film 44 arranged on the lower electrode 43, and an upper electrode 46 arranged on the dielectric film 44.例文帳に追加

貴金属合金またはその酸化物よりなる単層の下部電極４３と、この下部電極４３上に配置された誘電膜４４と、この誘電膜４４上に配置された上部電極４６とを含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタ。 - 特許庁

The vacuum heat shielding layer 70 is formed by combining, through close sealing at the lower ends and then setting the internal space thereof into the vacuum condition, a cylindrical vessel 73 which is formed by integrating the upper surface and side surface with the lower surface opened, and a cylindrical external vacuum vessel 74 which is formed by integrating the upper surface and side surface with the lower surface opened.例文帳に追加

真空断熱層７０は、上面および側面を一体に形成し且つ下面が開口した筒状の内側真空容器７３と、上面および側面を一体に形成し且つ下面が開口した筒状の外側真空容器７４とを下端部で密着シールして組み合わせ、その内部空間を真空状態とすることにより形成する。 - 特許庁

The capacitor 52 has an upper electrode 50 and a lower electrode 46 which are made of platium group elements, a dielectric thin film 48 which is formed between the upper and lower electrodes, and a buffer layer 47 which is made of group 3, group 4, or group 13 metal oxide between the lower electrode and dielectric thin film.例文帳に追加

白金族元素よりなる上部電極５０及び下部電極４６と、前記上部電極と下部電極との間に形成された誘電体薄膜４８と、前記下部電極と誘電体薄膜との間に形成され、３族、４族または１３族の金属酸化物よりなるバッファ層４７とを備えることを特徴とするキャパシタ５２。 - 特許庁

The thin film piezoelectric element comprises a lower electrode formed on a substrate, a piezoelectric thin film containing lead formed on the lower electrode and an upper electrode arranged on the piezoelectric thin film wherein a material principally comprising iron is employed in the substrate and one or more diffusion preventive layer is arranged between the lower electrode and the substrate.例文帳に追加

基板上に下部電極を形成し、該下部電極上に鉛を含有する圧電薄膜を形成し、該圧電薄膜の上に更に上部電極を配した薄膜圧電素子において、該基板として鉄を主成分とする材料を用い、かつ該下部電極と基板との間に１層以上の拡散防止層を配することを特徴とする薄膜圧電素子。 - 特許庁

Alternatively, in the lens protection transfer sheet, the substrate sheet has an approximately U-shaped cross section, the bottom part of the central crest part is lower than the apex parts of both side walls, the lower surface of the central crest part is in a shape corresponding to the outline of the lens, and the hard coat layer is formed at least on the lower surface of the central crest part.例文帳に追加

また、基体シートが断面大略Ｕ字状を呈し、中央の谷部の底部が両側壁の頂部より低く、かつ中央の谷部の下面はレンズ外形状に相応する形状を呈するレンズ保護転写シートであって、少なくとも中央の谷部の下面にハードコート層が形成されたことを特徴とするレンズ保護転写シートである。 - 特許庁