「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(156ページ目) - Weblio英語例文検索

Since a pair of the non- displacing contact parts 12 press down two corner parts 21a of the silicon wafer 21, the silicon wafer 21 is bent and separated from another silicon wafer is a lower layer.例文帳に追加

このとき、一対の非変位接触部１２によってシリコンウエハー２１の２つの角部２１ａが押えられるので、シリコンウエハー２１が反って下側の他のシリコンウエハーから分離される。 - 特許庁

(a) The specific resistances of the B-layer-side surface at a temperature of 25°C and a relative humidity of 65% RH, and at a temperature of 25°C and a relative humidity of 30% RH are both equal to or lower than 10^10 Ω/sq.例文帳に追加

（ａ）温度２５℃・相対湿度６５％ＲＨ、および、温度２５℃・相対湿度３０％ＲＨでのＢ層側表面の比抵抗値が共に１０^１０Ω/□以下。 - 特許庁

The front end of the base frame 3 is installed on the eaves edge side to form a cylindrical air layer part 20 extending from the front end of the base frame 3 to the rear end thereof on the lower surface of the mesh-like body 2.例文帳に追加

前記ベースフレーム３の前端を軒先側に設置して網状体２の下面にベースフレーム３の前端から後端に延びる筒状の空気層部２０を形成した。 - 特許庁

To provide a method for removing a structure, to which an extraction force may be applied, by suspending the building structure without using a large-scale heavy machine and overhauling the building structure from the lower layer part thereof.例文帳に追加

引抜き力の掛かる惧れのある構造物において、大規模な重機械を使用せず、建築構造体を吊り下げて、その下層部から解体して除去する工法を提供する。 - 特許庁

An n^+-embedding layer 31 is formed in a p^--substrate 200 so as to contact the bottom surface of the n-type impurity region 121 while covering at least the lower part of the n^+-type source region 133.例文帳に追加

ｎ^+埋め込み層３１は、少なくともｎ^+型ソース領域１３３の下方を覆いつつ、ｎ型不純物領域１２１の底面に接してｐ^-基板２００内に形成されている。 - 特許庁

To obtain a reversible heat-sensitive storage sheet in which a pattern being formed on the lower side of a reversible heat-sensitive storage layer and an OVD are made visible, and a display storage medium using the same.例文帳に追加

可逆性感熱記録層の下側に形成されている絵柄、ＯＶＤなどが可視できるようにした可逆性感熱記録シート及びそれを用いた表示記録媒体である。 - 特許庁

At least the first bit line or the second bit line arranged at one-side end is arranged closer to the center of the first column unit relative to a connection part between a lower layer and itself.例文帳に追加

少なくとも片側の端部に配置される第１のビット線もしくは第２のビット線は、それと下層との接続部分よりも、第１のカラムユニットの中央寄りに配置される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical fiber preform stably having a large relative index difference in the longitudinal direction without producing a rough surface on a glass layer surface deposited on the lower part of a rod.例文帳に追加

ロッド下部に堆積したガラス層表面にざらつきが発生せず、長手方向に安定して大きな比屈折率差を有する光ファイバプリフォームの製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, an unnecessary magnetic field is reduced on a medium at off-track positions by forming a projection level difference wider than the upper magnetic pole tip layer on the lower magnetic pole tip.例文帳に追加

また、下部磁極先端部の上に上部磁極先端層の幅より広い幅を有する突起段差を設けることによりオフトラック位置での不要な媒体面内磁界を低減する。 - 特許庁

When the porous film of the lower layer is constituted of periodically repetitive three primary colors of RGB or a color filter is disposed on the upper transparent substrate 3, color display can be also performed.例文帳に追加

下層の多孔質膜をＲＧＢ３原色などが周期的に繰返すようにしたり、透明な上基板３上にカラーフィルタを配置すれば、カラー表示を行うこともできる。 - 特許庁

A liner film 13 and an interlayer insulating film 3 are laminated on an interlayer insulating film 1 in which a lower layer wiring 2 is embedded, and a through hole 6 is formed therein.例文帳に追加

下層配線２が埋め込まれている層間絶縁膜１上にはライナー膜１３及び層間絶縁膜３が積層されており、それらの内部には貫通孔６が形成されている。 - 特許庁

That is to say, the surface of the flat part 8 facing the lower thin film 10 is formed into a flat surface without having a recessed part in the wiring layer 7 stacked on the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

すなわち、半導体基板２上に積層される配線層７において、下薄膜１０が対向する平坦部８の表面は、凹部を有していない平坦面となっている。 - 特許庁

To improve the production efficiency, in a heat treatment system in which a nitrogen-rich layer is formed in primary heat treatment and quenching is applied in secondary heat treatment, at lower temperature than the heating temperature in the primary heat treatment.例文帳に追加

一次熱処理で窒素富化層を形成し、二次熱処理で一次熱処理での加熱温度よりも低温で焼入れする熱処理システムにおいて、生産効率の向上を図る。 - 特許庁

The excavation of the lower half widening section 22 and the fracture removal of side walls 18 of the lining layer 14 are carried out by excavators 27 through work on the roadbeds on the sides of the mobile working platform 26.例文帳に追加

下半拡幅部２２の掘削と覆工層１４の側壁部１８の破壊撤去とを、移動式作業構台２６の側方の路盤上作業により、掘削機２７により行う。 - 特許庁

In the recording medium having an ink receiving layer with two regions, each having a different ratio of a pigment to an organic binder, formed on a fibrous base, the ratio of the base material side is lower.例文帳に追加

繊維基体上に顔料と有機バインダーとの比率が異なる二つの領域を持つインク受容層を有する記録媒体において基材側の比率の方が小さな値を有する。 - 特許庁

The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。 - 特許庁

An embedded conductor layer with a flattened top end has a multilayer structure comprising lower conductive layers 4 and 7 formed of different kinds of conductive materials and upper conductive layers 6 and 9 formed of different kinds of conductive materials.例文帳に追加

上端が平坦化された埋込導電体層を、互いに異種の導電材料からなる下部導電層４，７と上部導電層６，９からなる多層構造で構成する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device whose loss is small by realizing conductivity modulation in a voltage region of the barrier layer voltage (0.6V) or lower at the pn junction in a voltage driven element such as na MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ等の電圧駆動型素子において、ｐｎ接合の堰層電圧（０．６Ｖ）以下の電圧領域で伝導度変調を可能にし、低損失の半導体装置を実現する。 - 特許庁

By adjusting the depth of the recess 9 and the angle of inclination, the center of the solder ball 8 can be positioned on a layer lower than a dotted line, and a neck of the solder ball 8 can be eliminated.例文帳に追加

この凹み部９の深さ、傾斜の角度を調整することで、半田ボール８の中心を点線よりも下層に位置させることができ、半田ボール８のネックを無くすことができる。 - 特許庁

This film roll is characterized by winding a film for forming a film forming material layer on a support film around a core with surface hardness lower than that of the support film.例文帳に追加

膜形成材料層が支持フィルム上に形成されたフィルムが、支持フィルムよりも低い表面硬度を有する巻芯に巻き取られてなることを特徴とするフィルムロールを提供する。 - 特許庁

This radiation control bag A is manufactured by superposing an upper sheet 6 and a lower sheet 7, sealing their peripheral edges, and forming an aluminum deposition layer 9 on the approximately whole face of the upper sheet 6.例文帳に追加

上シート６と下シート７を重ねて周縁をシールして袋状に形成し、上シート６に略全面に亙るアルミニウム蒸着層９を設けて放熱制御袋Ａを形成する。 - 特許庁

An applying time of energy is made longer, as a heating temperature becomes lower, to the thermoreversible recording medium 1 capable of displaying multiple colors wherein a thermal recording layer containing a cholesteric liquid crystal is provided.例文帳に追加

コレステリック液晶材料を含む感熱記録層を設けた多色表示可能な熱可逆性記録媒体１に、加熱温度が低温になるほどエネルギーの印加時間を長くする。 - 特許庁

To form gate insulating films which are different in film thickness on the same substrate and also lower reduction in thickness of semiconductor layer, while controlling the deterioration in quality of a gate insulating film interface.例文帳に追加

ゲート絶縁膜界面の品質の劣化を抑制しつつ、膜厚の異なるゲート絶縁膜を同一基板上に形成するとともに、半導体層の薄膜化を低減させる。 - 特許庁

Then, the longitudinal impurity density of the guard ring layer 13 is given a gradient to be relatively high on a lower side and relatively low on an upper side on the whole, or made fixed.例文帳に追加

そして、ガードリング層１３の縦方向の不純物濃度を、全体的に下側が相対的に高く上側が相対的に低くなるように傾斜させるか、又は一定とする。 - 特許庁

The coating layer 3 is formed by injection molding the thermoplastic synthetic resin in a cavity 14 from a gate hole 13 by using a mold unit having an upper mold 11 and a lower mold 12.例文帳に追加

被覆層３は、上金型１１及び下金型１２よりなる金型を用い、ゲート孔１３からキャビティ１４に熱可塑性合成樹脂を射出成形することにより形成される。 - 特許庁

When the composite rod-shaped member 1 serves as a horizontal batten for holding a tile and the like, a groove 20 for drainage is provided preferably in the under surface of the lower layer of the covering member 3 along the width direction of the member 1.例文帳に追加

瓦止め用横桟木等として用いる場合には、被覆材３の下層の下面に、棒状部材１の幅方向に沿って排水用溝２０を設けるのが好ましい。 - 特許庁

To simultaneously form a conductive circuit bridging over an upper surface, a lower surface and an inner wall surface of a frame-shaped substrate, and a shield layer extended over the entire surface of the outer wall of the substrate.例文帳に追加

枠型の基体の上側表面、下側表面、及び内壁の面に跨る導電性回路と、この基体の外壁の全表面に亘たるシールド層とを同時に形成する。 - 特許庁

The deposition temperature in the first process can be made lower than the deposition temperature in the second process, as the vapor phase deposition technology, for example, an atomic layer deposition method is used.例文帳に追加

第１の工程における成膜温度を、第２の工程における成膜温度より低い温度とすることができ、気相成膜技術としては、例えば原子層堆積法を用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same whereby a distance between an emitter layer and an external base electrode is shortened to lower a base resistance and reduce the number of masks and the number of steps.例文帳に追加

エミッタ層と外部ベース電極の距離を縮小してベース抵抗の低減と、マスク枚数と工程数の削減が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When forming a p-type transistor as the metal film 6 of the lower layer, a Pt film is formed, for example, and when forming an n-type transistor, an Er film is formed, for example.例文帳に追加

下層の金属膜６としては、Ｐ型トランジスタを形成する場合には、例えばＰｔ膜を形成し、Ｎ型トランジスタを形成する場合には、例えばＥｒ膜を形成する。 - 特許庁

The inter-layer insulating film 4 has a recess 10 formed reaching the capacitance lower electrode 3, and a capacitive insulating film 5A is formed on a bottom surface and a wall surface of the recess 10.例文帳に追加

層間絶縁膜４には、容量下部電極３に達する凹部１０が形成されており、凹部１０の底面及び壁面のそれぞれの上に容量絶縁膜５Ａが形成されている。 - 特許庁

To solve such a problem that it is required to minimize the thickness of an electric functional layer for the electrical characteristics and the short response time of a component, and to use a print medium of lower viscosity.例文帳に追加

部品の電気的特性及び短い応答時間に関して、電気機能層の層厚さを最小限にし、よりいっそう低粘度の印刷媒体を使用することが必要である。 - 特許庁

As for the material of the electrode disposed in the lower layer, a transparent conductive film of amorphous indium zinc oxide, amorphous indium germanium oxide or amorphous oxide essentially comprising the above oxides is used.例文帳に追加

下層に配置される電極の材料として、アモルファスの酸化インジウム亜鉛，アモルファスの酸化インジウムゲルマニウムまたはこれらを主成分とするアモルファスの酸化物透明導電膜を用いる。 - 特許庁

In this cogeneration system, whether a temperature T1 of an uppermost hot water layer V1 is lower than 65°C or not is determined as a first step by setting a power generation start hot water storage level L1 and a stop hot water storage level L4.例文帳に追加

発電開始貯湯レベル（Ｌ１）及び停止貯湯レベル（Ｌ４）を設定することにより、第一ステップとして最上層の湯層Ｖ１の温度Ｔ１が６５℃以下か否かが判定される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor of a non-volatile semiconductor memory device, in which the contact property of an adhesive layer used as a lower electrode is improved by the use of a TaON film.例文帳に追加

下部電極に使用される接着層をＴａＯＮ薄膜を用いて接触特性を向上させた不揮発性半導体メモリ素子のキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the intermediate concentration region is formed by introducing the first conductivity-type impurity to the upper layer of the high concentration region, so that the impurity concentration becomes lower than the high concentration region.例文帳に追加

また、中濃度領域は、高濃度領域の上層部に第１導電型不純物を導入して、高濃度領域よりも不純物濃度が低くなるようにして形成する。 - 特許庁

Terminals 8b, 49c, 89 are connected to the ends of the wiring modules 52, 56, and a part of the terminal 49b of the bus bar 49 is connected to an intermediate part of the random wiring module 52 of a lower layer.例文帳に追加

端子８ｂ，４９ｃ，８９を配線モジュール５２，５６の端部に接続し、バスバー４９の端子４９ｂの一部を下層のランダム配線モジュール５２の中間部に接続する。 - 特許庁

In response to the user's selection of an advanced settings command icon MC through the operations of the menu switch 112M and circumferential switches, the display on the monitor 114 is changed to a lower-layer menu image.例文帳に追加

そして、このトップメニューにおいて、メニュースイッチ１１２Ｍとその周囲スイッチ操作により、詳細設定コマンド画像ＭＣが選択されると、トップメニューより下層のメニュー画像を表示する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device formed by mounting two stacked semiconductor chips or more on a substrate that can layer the semiconductor chips of the same size or the same kinds onto upper and lower stages.例文帳に追加

２以上の半導体チップを積層して搭載する半導体装置において、上段と下段に同一のサイズや同一の種類の半導体チップを積層できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of joining members having different thermal expansion coefficients, capable of joining them at a temperature lower than the melting point of Ag to obtain a joining layer having excellent durability to a thermal cycle.例文帳に追加

銀の融点より低温で接合でき、熱サイクルに対して優れた耐久性を備える接合層を得られる熱膨張係数が異なる部材の接合方法を提供する。 - 特許庁

The method for reproducing information includes a step for emitting a laser beam to the recording medium while applying a bias magnetic field and heating the recording medium to a temperature equal to or lower than the Curie temperature of the recording layer.例文帳に追加

情報の再生方法は、バイアス磁界を印加しながら記録媒体にレーザビームを照射して、記録層のキュリー温度以下に記録媒体を加熱するステップを含んでいる。 - 特許庁

Similarly also in a lower liquid crystal cell 19, the major axis of a liquid crystal molecule 30 in the center of the liquid crystal layer and the lag phase axes 28, 32 of two flexible substrates 15, 16 are parallel to each other.例文帳に追加

同様に下側の液晶セル１９も液晶層中央にある液晶分子３０の長軸と２枚の可撓性基板１５，１６の遅相軸２８、３２とが平行である。 - 特許庁

In an interlayer insulating film 11 formed on a semiconductor substrate, electrical via connection regions 121, 122 related to an unshown lower wiring layer or elements are formed.例文帳に追加

半導体基板上に設けられた層間絶縁膜１１中に、図示しない下層の配線層または素子に関係する電気的なビア接続領域１２１、１２２が形成されている。 - 特許庁

A transparent leveling layer 2 for forming a surface smoothly is formed on the surface of the transparent laminated sheet 1 by coating the surface with a coating agent having a curing shrinkage rate lower than 5%.例文帳に追加

表面を平滑に形成するための透明な平滑化層２が、硬化収縮率が５％未満のコーティング剤の塗装によって透明積層板１の表面に形成されている。 - 特許庁

The source and drain of the memory cell are constituted by an inverting layer (local data line) formed in a p-type well 3 at the lower part of the embedded gate 8 when a positive voltage is applied to the embedded gate 8.例文帳に追加

メモリセルのソース、ドレインは、埋め込みゲート８に正の電圧を印加した時に、埋め込みゲート８の下部のｐ型ウエル３に形成される反転層（ローカルデータ線）によって構成される。 - 特許庁