「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(157ページ目) - Weblio英語例文検索

The operation screen 200 is so set that the map screen 100 of the lower layer is transmitted through a region other than that wherein the buttons and others are displayed so that the map screen 100 may be displayed.例文帳に追加

操作画面２００は、下のレイヤの地図画面１００が表示されるように、ボタンなどを表示する領域以外は、地図画面１００を透過させるように設定されている。 - 特許庁

Even if the thermal expansion coefficient is different between the substrate 41 and a lower sheet 22 of the detection panel 20, the warping deformation of the substrate 41 can be prevented by the correction layer 42 laminated on the reverse side.例文帳に追加

基板４１と検知パネル２０の下部シート２２との熱膨張係数が相違していても、逆側に矯正層４２が積層されているため、基板４１の反り変形を抑制できる。 - 特許庁

By means of a self-alignment system using a spacer, an ONO dielectric layer on the lower part of a gate is formed to have a twin ONO dielectric structure, of which the middle portion is separated and the both separated sides are symmetric.例文帳に追加

スペーサを使用した自己整合方式でゲート下部のＯＮＯ誘電層を、中間部分が分離され、分離された両側が対称的なツインＯＮＯ誘電層構造に形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a dual-damascene interconnect capable of sufficiently protecting a surface of a lower conductive layer, high in reliability, and small in interconnect capacitance.例文帳に追加

下層導電層の表面を十分保護することができ、信頼性が高く、配線容量が小さなデュアルダマシン配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a scribe region 3, the cap metal layer 32 connected to the lower wire 25 is formed between the surface of the third interlayer insulating film 27 and the passivation film 33.例文帳に追加

一方、スクライブ領域３においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続されるキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

To provide a film formation method of a carbon nanotube film capable of forming a high-density carbon nanotube film of low defect by forming a lower layer catalytic metal into a fine particle and a high-density.例文帳に追加

下層の触媒金属を微粒にかつ高密度に形成して低欠陥で高密度のカーボンナノチューブ膜を形成することができるカーボンナノチューブ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetic head suspension including a pair of piezoelectric members and effectively preventing short circuit of a voltage supply side electrode layer disposed in a lower surface facing the disk surface of the piezoelectric members.例文帳に追加

一対の圧電部材を備えた磁気ヘッドサスペンションにおいて、前記圧電部材のディスク面に対向する下面に設けられた電圧供給側電極層の短絡を有効に防止する。 - 特許庁

In a fixing device of an external heating system using a balloon film whose surface layer is black, the balloon film is compressed between upper and lower metal rollers on a downstream side of a fixing nip.例文帳に追加

表層黒色のバルーンフィルムを用いた外部加熱方式の定着装置において、分離ニップ下流側で、上下金属ローラ間でバルーンフィルムを、圧縮する構成とする。 - 特許庁

The metal layer 12 is made of the metal material, provided on an upper surface or lower surface of the composite member 11, and formed integrally with the plurality of vias 12 by plating.例文帳に追加

金属層１２は、上記金属材料からなり、複合部材１１の上面または下面に設けられているとともに、メッキによって複数のビア１２と一体的に形成されている。 - 特許庁

Although unevaporated liquid water is stored in a water trap part 8c at the lower end, where, recovery of heat (Q4) from a reformed gas before flowing in the shift catalyst layer 7 is performed, and the evaporation is accelerated.例文帳に追加

未蒸発の液水は下端の水トラップ部８ｃに貯留するが、ここでシフト触媒層７流入前の改質ガスから熱回収（Ｑ４）し、蒸発が促進される。 - 特許庁

An upper end positioned at the outside of the rubber sheet layer 30 in a tire radial direction is higher than the upper end of the bead filler 24 and lower than 0.7×SH if the tire section height is SH.例文帳に追加

ゴムシート層３０のタイヤ半径方向の外側に位置する上端は、ビードフィラー２４の上端よりも高く、かつ、タイヤ断面高さをＳＨとすると０．７×ＳＨよりも低い。 - 特許庁

The layer is again irradiated with the laser beam having the energy quantity equal to or higher than the ablation threshold to cut a weak bond in silicon dioxide, which transits with a lower energy, and to sublimate and vaporize.例文帳に追加

そして、レーザ光のエネルギー量をアブレーション閾値以上として再照射して二酸化ケイ素のうち少ないエネルギーで遷移する弱い結合を切断し、消化・蒸発させるのである。 - 特許庁

An n well region 6 whose concentration is higher than that of the n^--type epitaxial growth layer 2, and lower than that of the p^+-type emitter region 5 is formed at the periphery of the p^+-type emitter region 5.例文帳に追加

Ｐ＋型エミッタ領域５の周囲に、Ｎ−型エピタキシャル成長層２よりも高濃度で、且つＰ＋型エミッタ領域５よりも低濃度のＮウェル領域６が形成されている。 - 特許庁

For the dry-etching with a lower-layer titanium film 2, the etchant is added with CHF3 whose aluminum etching rate is low, and Cl2, BCl3 and CHF3 are used for adjustment to a specified partial pressure ratio.例文帳に追加

下層のチタン膜２のドライエッチングは、上記のエッチャントに、アルミニウムのエッチングレートの低いＣＨＦ_3を加え、Ｃｌ_2、ＢＣｌ_3、及びＣＨＦ_3を用いて、所定の分圧比に調整して行う。 - 特許庁

The polishing pad comprises a polishing layer having a foaming structure, which has a region having the same composition as that of its surrounding region and lower foaming characteristic than that of the surrounding region.例文帳に追加

発泡構造を有する研磨層からなる研磨パッドであって、周辺と同一組成であり、かつ周辺よりも低発泡である領域を有することを特徴とする研磨パッド。 - 特許庁

Thus, stress applied to the lower part of the external terminal 8 is dispersed by the low dielectric constant film layer 12 formed in the electrode for the impact of wire bonding to the external terminal 8.例文帳に追加

これにより、外部端子８に対するワイヤボンドの衝撃に対して電極中に設けた低誘電率膜層１２によって外部端子８下部へかかる応力を分散する。 - 特許庁

On the top surface of the electrode substrate 3 and between the cathode extraction layer of the capacitor element 1 and the electrode substrate 3, a protruding portion 8 for supporting the capacitor element 1 from its lower side is provided.例文帳に追加

上記電極基板３の上面で、コンデンサ素子１の陰極引出層と電極基板３との間にコンデンサ素子１を下側から支持する突出部８が設けられている。 - 特許庁

At this point, an element pattern where the ion implantation stop film 7 is formed at the lower part of a memory cell is formed to a gate electrode wiring or the diffusion layer in a self-aligned manner.例文帳に追加

ここで、上記のイオン注入阻止膜がメモリセルの下層部に形成された素子パターン例えばゲート電極配線あるいは上記の拡散層に対してセルフアラインに形成される。 - 特許庁

The dewatering rubber roll for iron making rolling comprises having a roller layer formed on a metal core, which consists of chlorinated polyethylene having Mooney viscosity ML1+4 (121°C) of 90 or lower and including chlorine of 40 weight % or less.例文帳に追加

塩素含有量40重量%以下で、ムーニー粘度ML_1+4(121℃)が90以下の塩素化ポリエチレンよりなるローラー層を金属製芯上に形成せしめた製鉄圧延用水切りゴムロール。 - 特許庁

An auxiliary wiring N with a constitution that is provided with a light-absorbing layer 9 composed of a conductive material having a higher light absorbance than that of the lower part electrode 4 is formed between respective pixels a.例文帳に追加

各画素ａ間に、下部電極４よりも光吸収率の高い導電性材料からなる光吸収層９を備えた構成の補助配線Ｎを形成する。 - 特許庁

The rear surface of a transparent substrate is irradiated with a laser after forming a source/drain region, and impurity ions in a semiconductor layer are diffused to lower direction of the gate electrode to form the GOLD structure.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域形成後に透明基板裏面からレーザを照射して半導体層中の不純物イオンをゲート電極下方向へ拡散させてGOLD構造を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a laminated electrode consisting of a tunnel oxide film 2, a floating gate electrode 3, an interlayer insulation film 4 and a control gate electrode 5 in order from a lower layer is formed.例文帳に追加

半導体基板１上に下層より順にトンネル酸化膜２、浮遊ゲート電極３、層間絶縁膜４および制御ゲート電極５からなる積層電極を形成する。 - 特許庁

The brick having complex oxides of magnesia with rare earth metal oxides, such as yttria, latnia, is used for a circulating tube and a vessel bottom at the lower layer of the RH furnace, and an MgO-C brick is used for a side wall thereof.例文帳に追加

ＲＨ炉下部層の環流管と槽底にマグネシアとイットリア、ラトニアのような希土類酸化物との複合酸化物のれんがを使用し、側壁にＭｇＯ−Ｃれんがを使用する。 - 特許庁

Also, cross sections of the buried multi-layer wires 115, 117 and 119 by the wiring groove formed by etching are normally formed into trapezoidal shapes in which upper sides are longer than long lower sides.例文帳に追加

また、エッチングで形成された配線溝による埋め込み多層配線１１５、１１７、１１９の断面は、上辺が長い下辺よりも長い台形状に形成されるのが通常である。 - 特許庁

Further, the area of the intermetallic compound layer 3a is limited to 60% or lower of the whole area of the joined part 3 at the boundary plane between the aluminum plated steel plate 1 and the aluminum plate 2.例文帳に追加

そして、アルミニウムメッキ鋼板１とアルミニウム板２との界面において、金属間化合物層３ａの面積が接合部３全体の面積の６０％以下に規制されている。 - 特許庁

The surface light-emitting laser element has a resonator structural body including an active layer 105, a lower semiconductor DBR 103 and an upper semiconductor DBR 107 which are provided with the resonator structural body sandwiched therebetween.例文帳に追加

活性層１０５を含む共振器構造体と、該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３及び上部半導体ＤＢＲ１０７とを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method of enabling rework by causing no damage on the lower layer in the SOD film formation process of a semiconductor manufacturing apparatus, and to provide the semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

半導体装置のＳＯＤ膜形成工程において、下層にダメージを生じることなくリワークを可能とする半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

Filmy or sheet-like water absorptive material 20 having water absorptivity and flexibility is hung down vertically, and its lower part touches a freezing surface 1202 to be produced freezing layer on it.例文帳に追加

吸水性および可撓性を有する膜状またはシート状の吸水性部材２０を上下に垂らし、その下部を、氷結層を作製すべき被氷結作製面１２０２に接触させる。 - 特許庁

A block layer 13a brought into contact with the bottom board outer face 12a performs a base board supporting the common ditch 12, and a support member such as a pile 14 is provided on the lower side.例文帳に追加

底盤外面１２ａに接触されているブロック層１３ａは、共同溝１２を支持する基盤の役割も果し、その下側には、パイル１４等の支持部材が設けられている。 - 特許庁

The odor gas processed is then introduced into the lower portion of the next deodorization tower 2 and passed through the deodorant packed layer 21 to accomplish the process of deodorizing the malodor components of nitrogen compounds, e.g. ammonium.例文帳に追加

次いで処理した臭気ガスを、次の脱臭塔２の下部に導入し、脱臭剤充填層２１を通過させて、窒素化合物の悪臭成分、例えばアンモニアを脱臭処理する。 - 特許庁

The display device has a conductive layer 114 regulated at a potential lower than that of the anode electrode, around a hole on a face opposite to the inner face of the vacuum vessel of the first substrate.例文帳に追加

そして、本表示装置は、第一の基板の真空容器内面と反対側の面における穴の周囲に、アノード電極よりも低電位に規定された導電層１１４を有している。 - 特許庁

By forming the color layer not only in the display region but in the peripheral region of the lower substrate, difference in the cell gap between the display region and the peripheral region can be minimized.例文帳に追加

下部基板は表示領域だけではなく、周辺領域にもカラーフィルター層を形成し表示領域と周辺領域間のセルギャップの差異を最小化することができる。 - 特許庁

The aluminum foil lid (13) having opening knobs (11) and a heat-sealed material layer (12) on the lower surface can be heat-fused to the upper surface of the flange (9) of the inner container (2).例文帳に追加

開封用摘み（11）を備えかつ下面に熱封緘材層（12）を有するアルミニウム箔製の蓋（13）が、浅底内容器（２）のフランジ（9）上面に加熱融着し得るようになされている - 特許庁

To lower a breakdown voltage of an insulating film, relating to a non-volatile semiconductor memory device in which data is stored by dielectric breakdown of the insulating film, between a drain layer and a drain electrode.例文帳に追加

ドレイン層とドレイン電極の間の絶縁膜を絶縁破壊することによりデータを記憶させるようにした不揮発性半導体記憶装置において、絶縁膜の破壊電圧を下げる。 - 特許庁

To provide an application method of a reagent capable of applying surely on a desired application spot area without accumulation of bubbles (air) on the lower layer of a through hole, and performing efficiently reagent application.例文帳に追加

貫通穴の下層に気泡（空気）が溜まることなく、所望の塗布スポット面積に確実に塗布でき、試薬塗布を効率よく行うことができる試薬の塗布方法を提供する。 - 特許庁

To develop a method for forming a shielding layer for preventing external leakage of neutron, which is much quicker, lower in cost and higher in shielding performance than by the conventional resin panel method.例文帳に追加

中性子が外部へ漏洩することを防止する遮蔽層形成を従来の樹脂パネル方式に比し、圧倒的に速く、安価で、かつ高い遮蔽性能をもつものを開発する。 - 特許庁

In addition, the start position information and the record number information on records recorded in the index file and the pointer for the node management information on the lower layer are used to extract data from the searched file.例文帳に追加

また、該インデックスファイルに記録されたレコードの開始位置情報やレコード数情報、下位階層のノード管理情報のポインタを用いて被検索ファイルよりデータの抽出を行う。 - 特許庁

Since an electric field concentrating in a region where the lower end part of the Schottky electrode 14 touches the first SiC layer 12 can be relaxed, breakdown voltage can be enhanced.例文帳に追加

これにより、ショットキー電極１４の下端部と第１ＳｉＣ層１２とが接する領域で集中する電界を緩和することができるので、耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

A method for forming semiconductor device includes a step of forming a deep trench 14 into a substrate 12 and another step of forming the lining of a dielectric layer 26 in the lower section of the trench 14.例文帳に追加

本発明の半導体装置形成方法は基板１２に深トレンチ１４を形成するステップと、深トレンチの下部に誘電体層２６のライニングを形成するステップを有する。 - 特許庁

A source terminal of the semiconductor switching element 12U on the upper arm side and a drain terminal of the semiconductor switching element 12L on the lower arm side are connected through a first wiring 14 consisting of the wiring layer.例文帳に追加

上アーム側の半導体スイッチング素子１２Ｕのソース端子と、下アーム側の半導体スイッチング素子１２Ｌのドレイン端子とは、配線層からなる第１配線１４により接続される。 - 特許庁

The body rubber layer 12 uses as a rubber component a cold resistant hydrogenated nitrile rubber whose temperature is -36°C or lower at a specific modulus value of 10 in measurement with low temperature torsion test.例文帳に追加

本体ゴム層１２は、低温ねじり試験による測定における比モジュラスの値１０に対する温度が−３６℃以下である耐寒性の水素化ニトリルゴムをゴム成分とする。 - 特許庁

Local wiring 12 for connecting an upper electrode 10 of a ferroelectric capacitor C to the wiring 16 is formed by an IrO_X film 12A and an Ir film 12B successively from a lower layer side.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣの上部電極１０と配線１６とを接続するための局所配線１２を、下層側から順にＩｒＯ_X 膜１２ＡとＩｒ膜１２Ｂとを形成する。 - 特許庁

Processing with an alkaline developer 6 is carried out to dissolve the interlayer film 12 comprising a water-soluble polymer and the lower layer resist 11 to form a stencil shape having high pattern dimensional precision.例文帳に追加

次に、アルカリ性現像液６により処理を行い、水溶性ポリマーである層間膜１２と下層レジスト１１を溶解して、パターン寸法精度の高いステンシル形状を形成する。 - 特許庁

To provide a thin film capacitor, in which the electrode loss of a lower electrode layer and an upper electrode is small and moreover the area of a capacity generation area can be formed accurately.例文帳に追加

本発明は下部電極層、上部電極の電極損失が小さく、且つ容量発生領域の面積を精度よく形成することができる薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

In the provided semiconductor device, a driving voltage which drives the global wiring layers 2, 3 is made lower than a driving voltage which drives the local wiring layer 1.例文帳に追加

グローバル配線層２、３内を駆動する駆動電圧は、ローカル配線層１内を駆動する駆動電圧よりも低電圧に設定されていることを特徴とする半導体装置を提供する。 - 特許庁