「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(96ページ目) - Weblio英語例文検索

The emitting portion 10 and the dummy portion 20 include a lower semiconductor multilayer reflecting film 102 of n-type, an active layer 104, a p-type current constriction layer 106, a p-type upper semiconductor multilayer reflecting film 108, and a contact layer 110.例文帳に追加

発光部１０およびダミー部２０は、ｎ型の下部半導体多層反射膜１０２、活性層１０４、ｐ型の電流狭窄層１０６、ｐ型の上部半導体多層反射膜１０８及びコンタクト層１１０を含んでいる。 - 特許庁

An infrared detector includes a light absorption layer 200 that absorbs infrared using an inter-subband transition of a quantum dot 24 that is laminated in a multi-layer, and a lower electrode 27 and an upper electrode 28 provided so as to interpose the light absorption layer 200.例文帳に追加

多層に積層された量子ドット２４のサブバンド間遷移を利用して赤外線を吸収する光吸収層２００と、光吸収層２００を挟むように設けられた下部電極２７及び上部電極２８を有する。 - 特許庁

To easily confirm the selection of content items by visually clearly recognizing the relation of upper-layer hierarchy such as upper-layer menu and lower-layer menu etc.例文帳に追加

上層メニューのような上層階層と下層メニューのような階層関係を視覚的に明確に認識できるようにして、内容項目の選択の確認が容易に行える情報表示装置及び情報表示方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor wherein the carrier density of a protective film side interface of an oxide semiconductor layer is lower than that of a gate insulation layer side and the film thickness of the oxide semiconductor layer is optimized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化物半導体層の保護膜側界面のキャリア密度がゲート絶縁層側のキャリア密度より小さく、および酸化物半導体層の膜厚が最適化された薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of a base layer 16 for the formation of magnetic pole layers 15 (upper magnetic pole layer and lower magnetic pole layer) of a thin film magnetic head has different surface levels by alternately forming projections 17 and recesses 18 parallel to a sliding face 19 for a magnetic medium.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドの磁極層１５（上部磁極層，下部磁極層）を形成する際の下地層１６の表面に、記録媒体摺動面１９と平行に凸部１７，凹部１８を交互に形成した段差を設ける。 - 特許庁

In the low temperature region where the exhaust gas temperature is 200°C or lower, NO_x is adsorbed by the NO_x adsorption layer, whereas in the high temperature region where the exhaust gas temperature exceeds about 200°C, the NO_x released from the NO_x adsorption layer is occluded and reductively purified by the NO_x storage reduction catalyst on the upper layer.例文帳に追加

排ガス温度が約 200℃以下の低温域ではNO_x はNO_x 吸着層に吸着され、約 200℃を超える高温域でNO_x 吸着層から放出されたNO_x は上層のNO_x 吸蔵還元触媒によって吸蔵され還元浄化される。 - 特許庁

That is, the first layer is a polishing member 2A having polishing particles mixed therein, and the second layer 2B carrying the first layer is bonded onto a lower side of the polishing member to form the polishing cloth 2.例文帳に追加

研磨布（２）を少なくとも２層構造とし、研磨部材（２Ａ）に研磨粒子を混入させた第１の層と、この研磨部材の下部に、第１の層を保持する第２の層（２Ｂ）を接着したものを研磨布（２）として用いる。 - 特許庁

All the required heat treatment processes performed in a period after the process of forming the wiring layer and before the process of covering the wiring layer with the protective insulating film are performed at a plastic deformation temperature of the wiring layer or a temperature lower than this.例文帳に追加

そして、前記配線層を形成する工程の後であって、前記配線層を前記保護絶縁膜で覆う工程の前に行われる必要な全ての熱処理工程を、前記配線層の塑性変形温度以下で行う。 - 特許庁

Then, the other functional layer and the upper electrode are formed by being laminated on the transfer layer, thereby providing an organic electroluminescent element, which is formed by pinching the transfer layer containing the organic light-emitting material, between the lower electrode and the upper electrode.例文帳に追加

そして、転写層に積層させて、他の機能層や上部電極を形成することにより、下部電極と上部電極との間に有機発光材料を含む転写層を挟持してなる有機電界発光素子を設ける。 - 特許庁

The brush or the commutator to be used in a commutator motor includes a high-resistance layer that constitutes the entire contact surface between the brush and the commutator and a low-resistance layer that has a specific resistance lower than the high-resistance layer and is connected to a power supply.例文帳に追加

整流子モータに用いるブラシ又は整流子であって、このブラシと整流子との接触面の全体を構成する高抵抗層と、前記高抵抗層の比抵抗より低く、電源に接続される低抵抗層とを含む。 - 特許庁

The elastomeric laminate (1) includes an elastomeric support layer (2) composed of a thermoplastic elastomer and at least one micro-textured coat layer (3) composed of a polymer showing lower elasticity than the material of the support layer (2).例文帳に追加

本発明は、熱可塑性エラストマーから成るエラストマー性支持層（２）と、支持層（２）の材料より低い弾性を示すポリマーから成る少なくとも１層のマイクロテクスチャ加工された被覆層（３）とを備えたエラストマー性積層体（１）に関する。 - 特許庁

A p^- diffusion layer 11 and a p^+ diffusion layer 12 contacting it are formed right below the high-potential wiring 9 in contact with an n drain buffer layer 10 to lower electric field intensity of an insulating film 44a that the high-potential wiring 9 crosses.例文帳に追加

高電位配線９の直下にｎドレインバッファ層１０と接してｐ^-拡散層１１とこれに接するｐ^+拡散層１２を形成することで、高電位配線９が横切る絶縁膜４４ａの電界強度を低下できる。 - 特許庁

In electronic equipment 10, a surface of a thermal grease layer 16 exposed from a gap between an LSI 12 and a heat sink 15 is covered with a resin layer 17 having a fluidity lower than that of the thermal grease layer 16 and a high elasticity.例文帳に追加

電子機器１０では、ＬＳＩ１２とヒートシンク１５との間の隙間から露出するサーマルグリース層１６の表面をサーマルグリース層１６よりも低い流動性を有すると共に、高い弾性を有する樹脂層１７で覆う。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 101, an insulating film 102 serving as a backing layer of a wiring layer formed on the semiconductor substrate 101, and a lower layer wire 103 made of an AlCu film formed on the insulating film 102.例文帳に追加

半導体基板１０１と、該半導体基板１０１の上に形成された配線層の下地層となる絶縁膜１０２と、該絶縁膜１０２の上に形成されたＡｌＣｕ膜からなる下層配線１０３とを備えている。 - 特許庁

In the tinned steel sheet, one side or both sides of a steel sheet is provided with a tinned layer in which pinholes are sealed by iron phosphate as the lower layer, and, a phosphoric acid based film containing magnesium ions is provided as the upper layer thereof.例文帳に追加

鋼板の片面または両面に、下層としてピンホールがリン酸鉄によって封孔された錫めっき層を有し、その上層としてマグネシウムイオンを含有するリン酸系皮膜を有することを特徴とする錫めっき鋼板。 - 特許庁

A carbon content insulating film(third insulating film 106) whose density or carbon density is continuously changing to a thickness direction is used as an inter-layer insulating film between lower layer metallic wiring 104 and upper layer metallic wiring 113.例文帳に追加

下層金属配線１０４と上層金属配線１１３との間の層間絶縁膜として、密度又は炭素濃度が厚さ方向に連続的に変化する炭素含有絶縁膜（第３の絶縁膜１０６）を用いる。 - 特許庁

In the sheet to be thermally transferred comprising the base material sheet 1, the anchor layer 3 and the dye acceptive layer 2 in which the crosslinking curing agent is added and sequentially laminated, the anchor layer contains a poly(N,N-di-lower alkyl substituted aminoethylmethacrylate).例文帳に追加

基材シート１、アンカー層３、及び架橋用硬化剤が添加された染料受容層２が順次積層された被熱転写シートにおいて、該アンカー層をポリ（Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル置換アミノエチルメタクリレート）から形成する。 - 特許庁

The alignment mark 40 is opened on a inter-layer insulation film in a single etching process of opening the via hole for forming a metal contact for connecting lower layer wiring to upper layer wiring.例文帳に追加

本アライメントマーク４０は、下層配線に上層配線を接続するメタルコンタクトを形成するビアホールを層間絶縁膜に開口する際に、ビアホールを開口する同じエッチング工程で層間絶縁膜に開口するアライメントマークである。 - 特許庁

To provide an improved method of depositing a lower electrode suitable as a surface upon which to deposit a piezoelectric layer, but which eliminates the need for a sacrificial layer under an electrode layer and/or polishing of an immediate underlay.例文帳に追加

その上に圧電体層を堆積させる表面としてふさわしい、しかし、電極層の下の犠牲層および／または直に接する下地（underlay）の研磨を必要としていない、下部電極を堆積させる向上した方法を提供すること。 - 特許庁

By the high crystallinity of the upper organic semiconductor layer, the carrier movility can be raised to enable the compensation of the inadequate contact originated in the upper organic semiconductor layer by the lower organic semiconductor layer.例文帳に追加

結晶性の高い上層の有機半導体層により、キャリア移動度を高めることができ、下層の有機半導体層によって当該上層の有機半導体層に起因する不十分な接触を補償することができる。 - 特許庁

A mixture of an isocyanate component and a polyol component is jetted on the lower layer to form an upper polyurethane elastomer layer 13 of 100-700% elongation and 60-400 kg/mm2 tensile strength, and a multi-layer polyurethane waterproof material.例文帳に追加

この下層上にイソシアネート成分とポリオール成分との混和物を噴射して伸び１００〜７００％、引張強度６０〜４００ｋｇ／ｍｍ^2のウレタンエラストマーの上層１３を形成して、複層のウレタン防水材１２とする。 - 特許庁

A resistance element 602 is formed using a metal material or semiconductor material, and used in common as a light shield film which cuts off light to irradiate a semiconductor layer 1a from a lower layer side of the semiconductor layer 1a.例文帳に追加

抵抗素子６０２は、金属材料或いは半導体材料を用いて形成されており、半導体層１ａの下層側から半導体層１ａに照射される光を遮光するする遮光膜として兼用される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reliable semiconductor element that prevents a decrease in the dimensional precision and disconnection of upper-layer wiring, by improving the flatness of an upper-layer insulating film formed on lower-layer wiring.例文帳に追加

下層配線上に形成される上層絶縁膜の平坦性を改善することにより、上層配線の寸法精度低下や断線を防止することができる高信頼性の半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The strong electric field drift layer is obtained by anodically oxidizing using a lower part electrode of a material 30 to be treated on which the polycrystalline silicon layer is formed as an anode to form composite nano crystalline layer and after that, electrochemically oxidizing it.例文帳に追加

強電界ドリフト層は、下部電極上に多結晶シリコン層が形成された被処理物３０の下部電極を陽極として陽極酸化を行うことで複合ナノ結晶層を形成し、その後、電気化学酸化を行う。 - 特許庁

By using a target ID applied by a command control device in an upper layer also for a command control device in an intermediate layer and a management device in a lower layer, management of target information using target numbers batched among systems is performed.例文帳に追加

上位層の指揮統制装置で付与した目標ＩＤを中位層の指揮統制装置及び下位層の対処装置でも使用することで、システム間で一括した目標番号を使用した目標情報の管理を実施する。 - 特許庁

The optical probe head 1 as the light input and output part is composed of a lower clad layer 2, a core layer 3 and an upper clad layer 4 which have a different refractive index respectively, and moreover one end surface of the tip ends is the optical waveguide consisting of a mirror surface 5.例文帳に追加

光の入出力部としての光プローブヘッド１は、それぞれ屈折率の異なる下部クラッド層２，コア層３，上部クラッド層４からなり、かつ、その先端の一端面はミラー面５とする構造の光導波路である。 - 特許庁

To prevent the occurrence of an Al spike in a second metal layer (switch TFT source drain wiring) and an ohmic contact layer (n^+ layer), and to achieve the low-resistance contact between an MIS type PD lower electrode and the drain electrode of a switch TFT.例文帳に追加

第２の金属層（スイッチＴＦＴソースドレイン配線）とオーミックコンタクト層（ｎ^+層）でのＡｌスパイクの発生を防止し、ＭＩＳ型ＰＤ下部電極とスイッチＴＦＴのドレイン電極との低抵抗のコンタクトを実現する。 - 特許庁

The strong electric field drift layer is obtained by anodically oxidizing using a lower part electrode of a material C to be treated on which the polycrystalline silicon layer is formed as an anode to form a composite nano crystalline layer and after that, electrochemically oxidizing it.例文帳に追加

強電界ドリフト層は、下部電極上に多結晶シリコン層が形成された被処理物Ｃの下部電極を陽極として陽極酸化を行うことで複合ナノ結晶層を形成し、その後、電気化学酸化を行う。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium has a structure wherein end surfaces of the lower layer 2 provided directly under the magnetic recording layer 6 comprising a porous non-magnetic layer 7 having regularly arranged holes 8 and a ferromagnetic body material 9 with which the holes 8 are filled up are not exposed.例文帳に追加

規則的に配列された孔８を有する多孔性非磁性層７と孔８に充填された強磁性体材料９からなる磁気記録層６の直下に設ける下部層２の端面が露出しない構造とする。 - 特許庁

A lower electrode layer 21, a dielectric layer 11 and an upper electrode layer 22 are successively laminated and formed on the upper surface of a substrate 30 and on one end face of this laminate, an electrode film 23 is formed for short-circuiting the electrode layers 21 and 22.例文帳に追加

サブストレート３０の上面に下層の電極層２１、誘電体層１１、上層の電極層２２を順に積層形成し、この積層体の一方の端面に、電極層２１と２２を短絡する電極膜２３を形成する。 - 特許庁

A hollow pipe provided with holes in multistage is disposed at an ink supply section to the body in an ink tank such that ink flows into the pipe from the entire region of upper layer, intermediate layer and lower layer in the ink tank thus making the ink density uniform.例文帳に追加

インクタンク内の本体へのインク供給部に他段に孔を設けた中空パイプを設置し、各孔から、インクタンクの上層、中層、下層の全域より、パイプ内にインクが流入するように構成しインク濃度の均一化を計る。 - 特許庁

The height size H5 of the coil insulating layer building up from above the lower magnetic pole layer 11 is made smaller than heretofore, by which the front end of the upper core layer formed at a track width Tw may be formed with high accuracy.例文帳に追加

本発明では、下部磁極層１１上から盛り上がるコイル絶縁層の高さ寸法Ｈ５を従来に比べて小さくでき、よってトラック幅Ｔｗで形成される上部コア層の先端部を、高精度に形成できる。 - 特許庁

The recording layer 4 includes a division part 12 for dividing the recording layer 4 into the recording bit areas 11, and the division part 12 is filled with a low thermal conducting body 13 with lower thermal conductivity than the recording layer 4.例文帳に追加

また、記録層４には、記録層４を複数の記録ビット領域１１に区分する分断部１２が形成されており、分断部１２には、記録層４よりも熱伝導率が低い低熱伝導体１３が充填されている。 - 特許庁

The fluorescent material layer can be made with a laminated structure of the lower layer of a first fluorescent material having particle diameters of 3 to 15 μm and of the upper layer of a second fluorescent material having particle diameters smaller than those of the first fluorescent material (preferably 1/2 or less).例文帳に追加

蛍光体層を、３〜１５μｍの粒径を有する第１の蛍光体の下層と、第１の蛍光体より粒径の小さい（好ましくは１／２以下）第２の蛍光体の上層との積層構造とすることができる。 - 特許庁

A projecting pattern 27 for controlling a polish amount of a color filter layer 17 is formed in a height lower than that of a spacer 25 in a predetermined position in the vicinity of the spacer 25 of the color filter layer 17 which is polished for preventing reduction of contrast characteristics when the color filter layer is formed.例文帳に追加

コントラスト特性の低下の防止のために形成時に研磨するカラーフィルタ層17のスペーサ25近傍の所定位置に、カラーフィルタ層17の研磨量を制御する凸パターン部27をスペーサ25よりも低い高さに形成する。 - 特許庁

A stripping film 2 having such a constitution that a first stripping layer 2a having a prescribed dissolution speed and a second stripping layer 2b having a dissolution speed lower than that of the first stripping layer 2a are laminated on each other is formed on a substrate 1 (Fig.(a)).例文帳に追加

所定の溶解速度をもつ第１剥離層２ａと、この第１剥離層２ａより小さい溶解速度をもつ第２剥離層２ｂとが積層された構成を有する剥離膜２を基板１の上に成膜する（図（ａ））。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element for preventing the degree of etching in a conductive layer at a lower portion of a gate electrode layer from causing a difference, when etching the gate electrode layer at a memory cell region and a peripheral circuit region.例文帳に追加

メモリセル領域と周辺回路領域のゲート電極層をエッチングする時にゲート電極層の下部の導電層がエッチングされる程度の差を発生させないようにする非揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby oxygen is supplied to water to be treated passing through the upper filter layer 24, which keeps the DO (dissolved oxygen concentration) of the water to be treated passing through the upper filter layer 24 relatively low, and increases the DO of the water to be treated passing through the lower filter layer 16.例文帳に追加

このため、上部ろ層２４を通過した被処理水に酸素が供給され、上部ろ層２４を通過する被処理水のＤＯを比較的低く維持しつつ、下部ろ層１６を通過する被処理水のＤＯが高くなる。 - 特許庁

Then, a high refractive index variation layer part 25 where the refractive index of the layer 21 is set to be lower than other layers 21 on both sides adjacent via the layer 20 is inserted in thin film 19.例文帳に追加

また、この薄膜１９には、高屈折率層２１の屈折率が低屈折率層２０を介して隣接する両側の他の高屈折率層２１よりも低く設定された高屈折率変動層部２５が挿入されている構成とした。 - 特許庁

The recording head is provided with a lower magnetic pole layer and an upper magnetic pole layer 13, which include magnetic pole parts facing each other with a recording gap layer 12 between them, and a thin film coil which is arranged between them in the insulated state.例文帳に追加

記録ヘッドは、記録ギャップ層１２を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層および上部磁極層１３と、これらの間に絶縁された状態で配設された薄膜コイル１０とを有している。 - 特許庁

Thus, a conductor circuit 72 for connecting the via-hole 50 of the lower layer to the via-hole of the upper layer can be placed, at a position directly above the via-hole 50 which has been a dead space in a prior art, resulting in a high-density multi-layer printed wiring board.例文帳に追加

このため、従来技術ではデッドスペースになっていた、該下層バイアホール５０の直上位置に上層バイアホールへの接続用の導体回路７２を配置できるため、多層プリント配線板の高密度化が可能となる。 - 特許庁

The outside of the layer 16 is encircled with a plurality of guard ring diffused layers 171 to 174, and a pad diffused layer 18 formed at the position under the lower part of the gate pad 35 is made to connect with the guard ring diffused layer 171 on the innermost periphery of the diffused layers 171 to 174.例文帳に追加

固定電位拡散層１６の外側を複数本のガードリング拡散層１７_1〜１７_4で囲い、ゲートパッド３５の下方位置に形成したパッド拡散層１８を最内周のガードリング拡散層１７_1に接続させる。 - 特許庁

A first conductor layer 20 is formed in such a way that a magnetic substance layer 40 is interposed on the upper surface of a dielectric substrate 10, and a second conductor layer 30 in a uniform pattern is formed on the lower surface of the dielectric substrate 10.例文帳に追加

誘電体基板１０の上面に磁性体層４０を介在させるようにして第１導電体層２０を形成し、誘電体基板１０の下面には一様パターンの第２導電体層３０を形成する。 - 特許庁

Refractive indexes of the multiple first optical waveguides, the multimode interference optical waveguide, and the second optical waveguide are higher than a refractive index of the upper clad layer, and the refractive index of the upper clad layer is higher than a refractive index of the lower clad layer.例文帳に追加

そして、複数の第１の光導波路、多モード干渉光導波路、および、第２の光導波路の屈折率が、上部クラッド層の屈折率よりも高く、上部クラッド層の屈折率が、下部クラッド層の屈折率よりも高い。 - 特許庁

A projecting part 3a is formed on a lower shield layer 3 corresponding to the read track width W and a step is formed on an insulating layer 5 between the area where an AMR element 6 is formed and the area where the lead-out electrode layer 8 is formed.例文帳に追加

読み取りトラック幅Ｗに対応して下部シールド層３に凸部３ａを形成し、ＡＭＲ素子６が形成される領域と、引き出し電極層８が形成される領域との間の絶縁層５に段差を形成する。 - 特許庁