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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > lower- layerの意味・解説 > lower- layerに関連した英語例文

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lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11223



例文

Thus, the semiconductor device which has the low-cost rear surface electrode 5 capable of high-speed operating with the lower electric resistance aluminum (Al) layer than the silver (Ag) without using an expensive gold (Au) layer or a copper (Cu) layer can be realized.例文帳に追加

これにより銀(Ag)よりも低電気抵抗のアルミニウム(Al)層を有する高速動作が可能な、且つ高価な金(Au)層や銅(Cu)層を用いない安価な裏面電極5を有する、半導体装置が実現できる。 - 特許庁

This heat ray reflecting layer system contains at least one functional layer based on silver and has a lower antireflection layer consisting of one or more kinds of metal oxides TiO2, SnO2, ZnO, Ta2O5 and Nb2O5.例文帳に追加

本発明の熱線反射層システムは銀をベースとする少なくとも1個の機能層を含み、金属酸化物TiO_2、SnO_2、ZnO、Ta_2O_5又はNb_2O_5の1種以上から構成される下位反射防止層をもつ。 - 特許庁

Fluid fuel such as hydrogen or ethanol supplied from the lower end of the fuel supply layer is penetratingly supplied to the whole face of the anode layer, and reacted on oxygen in the atmosphere supplied from the cathode layer to generate an electromotive force.例文帳に追加

燃料供給層の下端部から供給された水素、エタノールなどの流体燃料が、アノード層全面に浸透供給され、カソード層から供給された大気中の酸素と反応して、起電力を生起できる。 - 特許庁

In such a case, the thickness A of the lower part Ti layer is10 and ≤30 nm, the thickness B of the intermediate metal layer 4 is35 and ≤65 nm, and the thickness C of the upper part Ti layer 5 is10 and ≤30 nm.例文帳に追加

ここで、下部Ti層3の厚さAは、10nm以上、30nm以下であり、中間金属層4の厚さBは、35nm以上、65nm以下であり、上部Ti層5の厚さCは、10nm以上、30nm以下である。 - 特許庁

例文

A recording head 100B includes a DFH 17 for causing the main magnetic pole layer 18 to protrude by heating, and the DFH 17 is located in a portion of a lower insulating layer 16 to be closer to a recording magnetic pole end portion 14 of the main magnetic pole layer 18.例文帳に追加

記録ヘッド100Bは、下部絶縁層16の内部における主磁極層18の記録磁極先端部14に近い側に、その主磁極層18を加熱して突出させるDFH17を含んでいる。 - 特許庁


例文

This optical waveguide chip 10 has a core 8, a clad layer comprising a lower clad layer 7 and an upper clad layer 9, and an optical fiber guide 6 to position the single mode optical fiber 11 to be connected with the core 8.例文帳に追加

光導波路チップ10は、コア部8と、下部クラッド層7と上部クラッド層9とからなるクラッド層と、コア部8に接続されるシングルモード用光ファイバ11を位置決めするための光ファイバ用ガイド部6とを有する。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer on a conductive supporting body via an intermediate layer, the photoreceptor is characterized in that the intermediate layer is formed by hydrolyzing a hydrolyzable compound at a temperature of 100 °C or lower.例文帳に追加

導電性支持体上に中間層を介して感光層を有する電子写真感光体において、該中間層が加水分解性の化合物を100℃以下で加水分解して形成されたものであることを特徴とする。 - 特許庁

Since the soluble resist layer is exposed in the backside of the resin layer from which the carrier is exfoliated, the soluble resist layer is dissolved for removal by using the solution from this bottom side, thereby forming a cavity portion 6 in the lower face side of the components.例文帳に追加

キャリアを剥離した樹脂層の裏面に可溶性レジスト層が露出するので、この底面側から溶解液を用いて可溶性レジスト層を溶解除去することにより、部品の下面側に空洞部6を形成する。 - 特許庁

A winding 5 is wound in parallel on each layer on the left, right and underside of an E-type electromagnet, and as shown in an enlarged part of Figure (b), the winding 5 of the following layer is so set as to be laid in a recessed part produced between the adjacent windings 5 of the lower layer.例文帳に追加

左右及び下面においては、各層間で巻き線5は平行に巻回され、(b)の拡大部分に示すように、下層の隣り合う巻き線5の間にできる凹み部に次層の巻き線5が配置されるようになっている。 - 特許庁

例文

A gallium nitride semiconductor layer is manufacturing by providing at least one column and at least one groove in a lower gallium nitride layer formed on a sapphire substrate by etching the gallium nitride layer.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体層は、サファイア基板上の下層の窒化ガリウム層をエッチングして、下層の窒化ガリウムにおける少なくとも一つの柱および下層の窒化ガリウム層における少なくとも一つの溝を規定することによって製造される。 - 特許庁

例文

A diffusion prevention layer for principally protecting a lower layer out of power wiring metal is composed such that the upper surface and at least a part of the side face is coated with a metal layer for principally supplying power.例文帳に追加

電力配線金属のうち、主として下層を保護するための拡散防止層は、その上面および少なくとも側面の一部が、主として電力を供給するための金属層によって被覆されるように構成する。 - 特許庁

The process of forming the lower electrode 4 includes a process of forming a first metal layer by an ion beam sputtering method or a DC sputtering method, and a process of depositing a second metal layer on the first metal layer by an electrolytic plating method.例文帳に追加

下部電極4を形成する工程は、イオンビームスパッタ法またはDCスパッタ法によって第1金属層を形成する工程と、第1金属層の上に電解めっき法によって第2金属層を析出させる工程と、を含む。 - 特許庁

In such a Schottky diode, each p-type diffusion layer 3 is pinched off by a depletion layer extending from the lower region 3b of each p-type diffusion layer 3 and a field is relaxed in the reverse direction.例文帳に追加

このようなショットキーダイオードにおいては、各p型拡散層3の下部領域3bから伸びる空乏層によって各p型拡散層3の間がピンチオフされることで、逆方向における電界緩和が成されるようになっている。 - 特許庁

A cathode electrode 12 and a resistor layer 13 are laminated on a lower substrate 11, and a plurality of emitters 15 which are constructed of an N(nitrogen)-doped diamond are randomly provided on the resistor layer 13 through an adhesion layer 14.例文帳に追加

下地基板11上にカソード電極12および抵抗層13が積層され、抵抗層13の上に接着層14を介してN(窒素)−dopedダイヤモンドよりなる多数のエミッタ15がランダムに設けられている。 - 特許庁

The white colored film is a compound film comprising a polyester layer comprising mainly white inorganic particles and voids formed around them and its surface layer part has a lower void forming ratio compared with the inner layer part.例文帳に追加

ポリエステル層からなり、主に白色無機微粒子とその周囲に形成されたボイドとを有してなる複合フィルムであって、その表層部が内層部に対してボイド形成率が低いことを特徴とする白色ポリエステルフィルムである。 - 特許庁

The common upper layer electrode 36 and common lower layer electrode 37 each are formed of comb-shaped electrodes consisting of base electrodes 42, 44 and a plurality of branch electrodes 43, 45 extending from the base electrodes to each piezoelectric layer 31.例文帳に追加

共通上電極36及び共通下電極37をそれぞれ、基電極42,44とこれらの基電極から各圧電体層31に延設された複数の枝電極43,45とからなる櫛歯状電極によって構成する。 - 特許庁

The lower layer resistor 7 is formed by introducing impurity ions in stripe and band shapes into one layer of nondoped polysilicon film 5 while being self-aligned with and defined by the upper layer resistor 11.例文帳に追加

下層抵抗体7は上層抵抗体11に対して自己整合的に1層のノンドープポリシリコン膜5に帯状かつ縞状に不純物イオンが導入されて形成されたものであり、上層抵抗体11により画定されている。 - 特許庁

In the surface structure 10, an intermediate layer 10b is superposed on a lower layer 10a, which is a bundle of continuous filaments, an upper layer 10a is superposed thereon, and the continuous filaments of the respective layers are partially fused by a joining wire to be formed into a sheet.例文帳に追加

表面構造体10は、連続フィラメントの束である下層10aの上に中層10bがその上に上層10aが重ねられて、各層の連続フィラメントが接合線で部分的に融着されてシート化されている。 - 特許庁

At this time, the conductive layer 8 is not directly etched by the XeF_2 gas, and the XeF_2 gas wraps around into a lower part of the conductive layer 8 according too etching of the silicon substrate 6, and the conductive layer 8 is etched from the under surface side.例文帳に追加

このとき、導電層8がXeF_2ガスで直接エッチングされることは無いが、シリコン基板6のエッチングに伴ってXeF_2ガスが導電層8の下部に回り込み、導電層8が下面側からエッチングされる。 - 特許庁

The second absorption layer 23 has second high absorption polymer grains 42 whose water absorption time is shorter than that of first high absorption polymer grains 27 and whose water retension magnification is lower than that of the grains 27 which grains are included in the first absorption layer 21 and the third absorption layer 23.例文帳に追加

第2吸収層23は、第1,第3吸収層21,23に含まれる第1高吸収性ポリマー粒子27よりも吸水時間が短く、保水倍率の低い第2高吸収性ポリマー粒子42が使用される。 - 特許庁

In the floor structure, a heating layer 2 for heating a floor is provided on the upper or lower part of or inside of a layer (a heat storage layer 5) of a heat storage material which has hysteresis property with a melting temperature zone higher than a coagulating temperature zone.例文帳に追加

本発明の床構造は、凝固する温度帯域に比べて融解する温度帯域が高いヒステリシス特性を備えた蓄熱材の層(蓄熱層5)の上、下又は内部に床暖房の発熱層2が設けられている。 - 特許庁

A lowest layer laminating sheet is arranged so that a criteria pin may be inserted in a perforation 24a of the lowest layer laminating sheet 41 and may be contacted and the face for forming a conducting film of a laminating sheet is set to contact the upper face of the lowest layer so as to contact the top face of a lower dummy sheet.例文帳に追加

基準ピンが最下層積層用シート41の貫通孔24aを挿通し且つ最下層積層用シートの導体膜形成面が下部ダミーシートの上面に接するように、最下層積層用シートを配置する。 - 特許庁

A chip body 130 having a through-hole or a recess, an intermediate film 140 having an adhesive layer 150' on one surface, and a lower layer film 170 having a transfer function layer 160 on one surface are prepared.例文帳に追加

貫通孔または凹部が形成されたチップ本体130と、一方の面に接着剤層150’が形成された中間フィルム140と、一方の面に伝達機能層160が形成された下層フィルム170とを準備する。 - 特許庁

In the second step, the solder layer 53 constituted of tape-like solder is piled up on upper/lower surfaces 52b of the collective conductor 52, and heated from the outside of the solder layer 53, and thus, the collective conductor 52 and the solder layer 53 are integrated.例文帳に追加

第2の工程では、テープ状はんだからなるはんだ層53を、集合導体52の上下面52bに積層させて、はんだ層53の外側から加熱することで、集合導体52とはんだ層53とを一体化する。 - 特許庁

The low resistance layer 14 is an oxide film of a metal element same as a metal oxide film forming the resistance change layer 13, and is resistance-lowering processed such that its resistive value becomes lower than that of the resistance change layer.例文帳に追加

低抵抗層14は、抵抗変化層13を構成する金属酸化膜と同一の金属元素の酸化膜であり、且つその抵抗値が前記抵抗変化層よりも低くなるように低抵抗化する処理がされている。 - 特許庁

Disclosed is the intermediate transfer body having the surface for carrying a developer image, and an adjacent layer which has a lower Young's modulus than the surface layer and is adjacent to the surface layer on the opposite side of the surface from a side where the developer image is carried.例文帳に追加

現像剤像を担持するための表面層と、前記表面層よりヤング率が低く、該表面層の、前記現像剤像が担持される側とは反対側にて該表面層と隣接した隣接層と、を有する中間転写体。 - 特許庁

One layer absorbing the light is decomposed by being irradiated with the light of the wavelength of λ either absorbed by the lower crystal layer 31 or the upper crystal layer 32 and then the wafer is cut into two portions at the neighbouhood of the boundary surfaces of both layers.例文帳に追加

下部結晶層31と上部結晶層32のいずれかのみが吸収する波長λの光を照射し、両層の界面近傍にて、該光を吸収する方の層を分解させ、ウェハを2つの部分に切り離す。 - 特許庁

The organic EL display device is provided with: a lower electrode 102 formed on a substrate 101; an upper electrode 107 arranged to face the lower electrode 102; and an organic light-emitting layer 105, formed in between the lower electrode 102 and the upper electrode 107.例文帳に追加

基板101上に形成された下部電極102と、下部電極102に対向して設けられた上部電極107と、下部電極102と上部電極107間に形成された有機発光層105とを備えている。 - 特許庁

A high-resistance layer 5 is provided at the connection between the side face of the lower wiring 2 and the via plug 4 in case the via plug 4 extending from the upper surface of the interlayer insulating film 3 to the lower wire 2 fails to be formed correctly landing on the lower wiring 2.例文帳に追加

層間絶縁膜3の上面から下層配線2に至るビアプラグ4が、下層配線2に対して踏み外して形成され場合において、下層配線2の側面部とビアプラグ4とが接続している部分に高抵抗層5を備える。 - 特許庁

In a conversion circuit 13, interpolating (up-sampling) processing is performed on lower predictive image data L_PRE generated by the lower layer encoder circuit 12 to generate lower predictive image data L_PREb having the same resolution (the same number of scan lines) as progressive image data S10_1.例文帳に追加

変換回路13において、下位レイヤ符号化回路12が生成した下位予測画像データL_PREを補間(アップサンプル)処理して、プログレッシブ画像データS10_1と同じ解像度(走査線数)の下位予測画像データL_PREbを生成する。 - 特許庁

After a lower wire 6 including a lower barrier metal film 4a and a lower metallic film 5a embedded is formed in the low dielectric constant film 2 on a silicon substrate 1, the damaged layer 7 of a predetermined thickness is formed on the surface of the film 2 by plasma processing.例文帳に追加

シリコン基板1上の低誘電率膜2に下層バリアメタル膜4aおよび下層金属膜5aを埋め込んだ下層配線6を形成した後、プラズマ処理により低誘電率膜2の表面に所定厚さのダメージ層7を形成する。 - 特許庁

In the side 1e of the device body 1B, the end surface 43E1 of the lower conductor layer 43 and the end surface 73E1 of the upper conductor layer 73 are electrically and physically connected.例文帳に追加

デバイス本体1Bの側面1eにおいて、下部導体層43の端面43E1と上部導体層73の端面73E1は、電気的且つ物理的に接続されている。 - 特許庁

A gasket 1 is a three tiered structure which is overlapped a first surface layer plate 3 on at least a lower surface of a middle plate 2, and which is overlapped a second surface layer plate 4 on the middle plate 2.例文帳に追加

ガスケット1は、中間板2の少なくとも下面に第1表層板3を重ね合せ、該中間板2の上面に第2表層板4を重ね合せた3層構造である。 - 特許庁

A hot water pipe 4 for circulating hot water from a boiler 5 installed outdoor is buried in the concrete layer part 24, the lower part medical stone part 21b, and the medical stone layer part 22.例文帳に追加

該コンクリート層部24,前記下部薬石層部21b及び前記薬石層部22には、屋外に設置したボイラ5からの温水を循環させる温水パイプ4が埋設されてなること。 - 特許庁

To provide an operation information system of a traveling object for enabling operation of an object in an arbitrary layer which is in a lower layer without changing the context of layers on a screen on which image data is displayed with duplicated layers.例文帳に追加

レイヤの重なりで表示された画面でレイヤの前後関係を変えることなく、下層にある任意のレイヤのオブジェクトを操作できる移動体の運行情報システムを提供する。 - 特許庁

Colmnar spacers 18 consisting of a transparent positive resist hardened by ultraviolet rays are formed on an alignment layer 5 of a lower glass substrate 1 and under an alignment layer 16 of an upper glass substrate 11.例文帳に追加

下ガラス基板1の配向膜5上および上ガラス基板11の配向膜16下には紫外線硬化型の透明なポジ型レジストからなる柱状のスペーサ18が形成されている。 - 特許庁

The magnetic recording medium is obtained by providing a substantially non-magnetic lower layer and a magnetic layer in which hexagonal ferrite powders are dispersed in a binder, in this order on a non-magnetic substrate.例文帳に追加

非磁性支持体上に実質的に非磁性である下層と六方晶系フェライト粉末を結合剤中に分散してなる磁性層とをこの順に設けた磁気記録媒体。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a contact plug has a bottom in anchor structure without reference to the width of upper-layer wiring to reduce the connection resistance with lower-layer wiring, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

上層配線の幅によらずにコンタクトプラグの底面がアンカー構造となり、下層配線との接続抵抗を低減できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

An etching stopper film 7, an interlayer insulating film 6, an etching stopper film 5, an interlayer insulating film 4, and a cap film 3 are formed on a lower layer wiring layer 8 successively to form a via hole 9.例文帳に追加

下層配線層8上にエッチングストッパ膜7、層間絶縁膜6、エッチングストッパ膜5、層間絶縁膜4及びキャップ膜3をこの順に形成し、ビアホール9を形成する。 - 特許庁

To provide a re-transmitter that gives no adverse effect on a lower layer service side even when an error rate at a high layer service side receiving hierarchically transmitted packets gets higher in a system such as a cable television system.例文帳に追加

ケーブルテレビジョンシステムなどのシステムにおいて、階層伝送される高階層サービス側の誤り率が高くなっても、低階層サービス側に悪影響を与えないようにする。 - 特許庁

While ejecting by an overflow the contaminations 91 gathered at an upper layer portion of the reservoir tub 13, the wash water is attracted from a lower layer portion of the reservoir tub 13 for circulation.例文帳に追加

貯留槽13の上層部に集まった汚染物91をオーバーフローによって排出するとともに、貯留槽13の下層部から洗浄水を吸引して循環させる。 - 特許庁

In this method, SiN buffer bodies 12 are discretely formed on a substrate 10, and a GaN buffer layer 14 which is formed at a lower temperature and a GaN semiconductor layer 16 at a high temperature are successively formed on the substrate 10 and buffer bodies 12.例文帳に追加

基板10上にSiNバッファ体12を離散的に形成し、その上に低温でGaNバッファ層14、高温でGaN半導体層16を形成する。 - 特許庁

And a second reflection layer 6 is formed at a lower-layer position at a region in which no land layers 31, 41 are formed in a region exposed to the bottom surface of at least the cavity 10 in the substrate 11.例文帳に追加

又、基体11には、少なくともキャビティ10の底面に露出する領域の内、ランド層31、41が形成されていない領域の下層位置に、第2反射層6が形成されている。 - 特許庁

The source/drain area 9 connected with the bit line 17 includes a second conductive type impurity area 11 in its upper layer and a first conductivity type impurity area 10 in its lower layer.例文帳に追加

ビット線17と接続するソース・ドレイン領域9は、上層に高濃度の第2導電型不純物領域11を有し、下層に第1導電型不純物領域10を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetic sensor element, which prevents potential differences between a substrate, a lower shield layer, a magnetoresistive element, and an upper shield layer in the manufacturing process, and provide a magnetic sensor element.例文帳に追加

製造過程において基板と下部シールド層、磁気抵抗素子、上部シールド層間での電位差の発生を防止した磁気検出素子及びその製造方法、磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

This magnetic recording medium has a nonmagnetic lower layer containing nonmagnetic powder and a binder, and a magnetic layer containing ferromagnetic powder and a binder in this order on a nonmagnetic flexible base.例文帳に追加

非磁性可撓性支持体上に非磁性粉末と結合剤とを含む非磁性下層及び強磁性粉末と結合剤とを含む磁性層をこの順に有する磁気記録媒体。 - 特許庁

The device body 1B includes a lower conductor layer 43 used for consisting a first passive element and an upper conductor layer 73 used for consisting a second passive element.例文帳に追加

デバイス本体1Bは、第1の受動素子を構成するために用いられる下部導体層43と、第2の受動素子を構成するために用いられる上部導体層73とを含んでいる。 - 特許庁

The pick guard is formed by laminating an upper layer section 54 formed of a leather which has a leather surface known as a grain surface at its top end and is subjected to tanning on a lower layer section 52 which is formed of a plastic plate.例文帳に追加

ピックガードを、プラスチック板で形成した下層部52に、銀面と呼ばれる皮革面を上端に持つなめし加工された皮革で形成した上層部54を積層して、形成する。 - 特許庁

An upper shield layer 18 and a lower shield layer 13 which are used as electrode layers which cause a sense current to flow to a magneto- resistance effect element 16 are arranged approximately in parallel so that they may face each other.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子16にセンス電流を流す電極層を兼ねる上部シールド層18と下部シールド層13とは、略平行に、かつ、互いに対向して配置されている。 - 特許庁

例文

In this case, the organic inter layer film 5 is provided so as to cover only the lower part of the contact metal 3, and a second insulating film 6 is formed on the surfaces of the organic inter layer film 5 and the contact metal 3.例文帳に追加

この場合、コンタクトメタル3の下部のみを覆うように有機層間膜5を設け、有機層間膜5およびコンタクトメタル3の表面に第2の絶縁膜6を形成する。 - 特許庁




  
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