「m=M」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

This silica aerogel has 0.005-0.5 g/cc density and a skeleton composed of (SiO2)m (m is a positive integer) and comprises a silica surface subjected to fluorination treatment by chemically reacting a gelatinous compound of a silanol group-containing silica with a fluoroalkylsilane compound containing both a functional group to be reacted with the silanol group and a fluoroalkyl group.例文帳に追加

シリカエアロゲルは、密度が０．００５〜０．５ｇ／ｃｃの範囲のシリカエアロゲルであって、骨格が（ＳｉＯ_2 ）_m （ｍは正の整数）からなり、且つ、シラノール基を有するシリカのゲル状化合物に対し、前記シラノール基と反応可能な官能基とフルオロアルキル基を併せもつフルオロアルキルシラン化合物を化学反応させることで、シリカ表面をフッ素処理されてなる。 - 特許庁

The communication system is provided with: the transmitter for scrambling data by m (m is a positive integer) different scramble patterns m times and transmitting the data scrambled m times; and the receiver for receiving the scrambled data from the transmitter, descrambling the received data by m scramble patterns m times and outputting the data descrambled m times.例文帳に追加

本願発明はデータをｍ個（ｍは正整数）の異なるスクランブルパターンでｍ回スクランブル処理し、ｍ回スクランブル処理したデータを送信する送信装置と、前記送信装置からの前記スクランブル処理されたデータを受信した後、受信したデータを前記ｍ個のスクランブルパターンでｍ回デスクランブル処理し、ｍ回デスクランブル処理したデータを出力する受信装置と、を備える通信システムである。 - 特許庁

A first process is executed at first period intervals of a reference carrier frequency and a second process is executed at first period intervals of a high frequency carrier signal that is an m (m is an integer of 2 or greater) multiple of the reference carrier frequency to update a PWM duty at the first period intervals of the high frequency carrier signal.例文帳に追加

基準キャリア周波数の１周期間隔で第１処理を実行するとともに、基準キャリア周波数をｍ（ｍは２以上の整数）倍した高周波キャリア信号の１周期間隔で第２処理を実行することにより、高周波キャリア信号の１周期間隔でＰＷＭデューティを更新する。 - 特許庁

The display driver comprises: a digital/analog converter which receives an input voltage lower than a source voltage used in a buffer amplifier for output drive, generates a plurality of reference voltages and selects a reference voltage corresponding to an M (M is a positive integer) bit data signal; and an amplifier which amplifies the reference voltage selected by the digital/analog converter.例文帳に追加

本発明によるディスプレイ駆動装置は、出力駆動用バッファアンプに使用される電源電圧より減少した入力電圧を受け取って基準電圧を生成し、Ｍ（Ｍは、正の整数）ビットのデータ信号に対応する基準電圧を選択するデジタル／アナログ変換部、及びデジタル／アナログ変換部から選択された基準電圧を増幅する増幅部を備える。 - 特許庁

A main conductor layer 4 composed of a contact metal layer 2, a first anti-diffusion layer 3 and Au, a second anti-diffusion layer 5 of Pt and a solder material layer 7 composed of an Sn layer 6 and an alloy of Au-M (M is Sn, Si or Ge) are stacked in sequence to form a wiring conductor layer on the top of an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１の上面に密着金属層２、第１の拡散防止層３、Ａｕより成る主導体層４、Ｐｔより成る第２の拡散防止層５、Ｓｎ層６およびＡｕ−Ｍ（ＭはＳｎ，ＳｉまたはＧｅ）合金より成るロウ材層７が順次積層された配線導体層が形成されている。 - 特許庁

This parallel A/D converter is provided with a reference voltage generating circuit having respectively different voltage values for outputting (m) ((m) is an integer of ≥2) reference voltages corresponding to the bit accuracy of a digital output signal, (n) ((n) is an integer smaller than (m)) comparators and an encoder for outputting the digital output signal by encoding the output of (n) comparators.例文帳に追加

本発明の並列型Ａ／Ｄ変換器は、各々異なる電圧値を有し、デジタル出力信号のビット精度に応じてｍ（ｍは２以上の整数）個の参照電圧を出力する参照電圧発生回路と、ｎ（ｎはｍよりも小さい整数）個の比較器と、前記ｎ個の比較器の出力を符号化して前記デジタル出力信号を出力する符号器とを備える。 - 特許庁

This ion generator has the constitution for generating H^+(H_2O)_n (n is a natural number) as the cation and O_2^-(H_2O)_m (m is a natural number) as the anion by impressing voltage on an ion generating element having an electrode, and is provided with a heating means for heating the ion generating element to reduce relative humidity in the vicinity of the electrode.例文帳に追加

電極を有するイオン発生素子に電圧を印加してプラスイオンとしてＨ^+（Ｈ_2Ｏ）_n（ｎは自然数）と、マイナスイオンとしてＯ_2^-（Ｈ_2Ｏ）_m（ｍは自然数）を発生させる構成を備えたイオン発生装置において、前記イオン発生素子を加熱するための加熱手段を設けることにより、前記電極の近傍の相対湿度を低下させる。 - 特許庁

A frame inverting part 2 of a transmitting part 100 operates data during M (M is an integer except for 0) time slots between frame synchronizing patterns distributed over multiplexed data signals S2a and S2b according to a signal logic and supplies the frame synchronizing bits distributed and located over the data signals S2a and Sob to a sum arithmetic part 3 while controlling the inversion according to this arithmetic result.例文帳に追加

送信部１００のフレーム反転部２は、多重化データ信号Ｓ２ａ及びＳ２ｂに分散されたフレーム同期パターン間のＭタイムスロット（Ｍは０以外の整数）間のデータを信号論理に従って演算し，この演算結果に従ってデータ信号Ｓ２ａ及びＳ２ｂの分散配置されたフレーム同期ビットを反転制御して和分演算部３に供給する。 - 特許庁

Further, the gradation data of each pixel P2 for every processing unit is converted into gradation data expressed depending on existence of dot formation with adjacent M (M is an integer of two or more) pixels out of a plurality of pixels P2 which constitute the magnified image I2, and the N pixels of the unmagnified image I1 has the same arrays as the adjacent M pixels of the magnified image I2.例文帳に追加

さらに、拡大画像Ｉ２を構成する複数の画素Ｐ２のうち近隣するＭ画素（Ｍは２以上の整数）を処理単位として該処理単位毎に各画素Ｐ２の階調データをドットの形成有無により表現した階調データに変換するとともに、拡大前画像Ｉ１のＮ画素を拡大画像Ｉ２のＭ画素と同じ並びにする。 - 特許庁

The hydrogen storage alloy electrode comprises a hydrogen storage alloy as an inner core alloy containing at least Ti and having a body- centered cubic crystal structure, the hydrogen storage alloy serving as an active material where at least a portion of the surface of the inner core alloy is provided with an outer periphery alloy portion containing at least Ni and M (M: at least one type selected from Zr, Hf and Mn).例文帳に追加

少なくともＴｉを含み結晶構造が体心立方構造である水素吸蔵合金を内核合金とし、前記内核合金の表面の少なくとも一部に、少なくともＮｉとＭ（ＭはＺｒ、Ｈｆ、Ｍｎから選ばれる少なくとも一種）とを含有した外周合金部を形成した水素吸蔵合金を活物質としたことを特徴とする水素吸蔵合金電極。 - 特許庁

When upper (m) bits of the serial register 9 indicates an address take-in code, an address transfer signal and an address take-in signal are made an enable-state, lower M-m bits of the serial register are transferred and taken in test signal output circuits 6-1, 6-2,... 6-N as a test address signal.例文帳に追加

シリアルレジスタ９の上位ｍビットがアドレス取り込みコードを表しているときは、アドレス転送信号及びアドレス取り込み信号をイネーブル状態にし、シリアルレジスタの下位Ｍ−ｍビットをテストアドレス信号としてテスト信号出力回路６−１，６−２，…６−Ｎに転送かつ取り込む。 - 特許庁

After a decimation part 12 decimates pixels from a plurality of pixels of an area of M (M is an integer of 1 or more) pixels × N (N is an integer of 1 or more) pixels into a representative 1 pixel in each coordinate of an input frame, a fitness candidate calculation part 13 calculates a fitness candidate, so that computational complexity for calculating the fitness candidate can be reduced.例文帳に追加

間引き部１２で、入力フレームの各座標において、水平方向にＭ（Ｍは１以上の整数）画素、垂直方向にＮ（Ｎは１以上の整数）画素からなる領域の複数の画素から代表１画素に間引いた後で、適合度候補算出部１３によって適合度候補を算出するので、適合度候補を算出するための演算量を削減することが可能となる。 - 特許庁

This dielectric porcelain composition contains at least a rare earth element (Ln), Al, M (M is Ca or/and Sr) and Ti as metal elements and is obtained by crystallizing so that the average particle size of crystals in the crystal phase consisting mainly of oxides of M and Ti is made larger than that of crystals in the crystal phase consisting mainly of oxides of Ln and Al.例文帳に追加

金属元素として少なくとも稀土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍ（ＭはＣａまたは／およびＳｒ）及びＴｉを含有し、結晶相としてＭおよびＴｉの酸化物からなる結晶相を主相とする結晶の平均粒径を、結晶相として稀土類元素（Ｌｎ）およびＡｌの酸化物からなる結晶相を主相とする結晶の平均粒径よりも大きくする。 - 特許庁

Concretely, the determining part 20 determines abnormality about m (m is natural number) semiconductor products whose manufactured numbers to be manufactured continue when the film thickness of each corresponding semiconductor product is larger than a target value and at least one in the film thickness of the m semiconductor products is outside a prescribed non-determination region.例文帳に追加

具体的には、判定部２０は、製造される順番が連続するｍ（ｍは自然数）個の上記半導体製品について、当該各半導体製品の膜厚が所定の目標値よりも大きく、且つ当該ｍ個の半導体製品の膜厚のうち少なくとも１個が所定の無判定領域の外にある場合に、異常を判定する。 - 特許庁

The iron based rare earth magnetic material includes Th_2Zn_17 type crystal structure or a ferromagnetic phase having Th_2Ni_17 type crystal structure wherein the ferromagnetic phase contains 0.5-10 atm% of element M (M is at least one kind selected from a group of P, As, Se and Bi).例文帳に追加

本発明の鉄基希土類磁性材料は、Ｔｈ_2Ｚｎ_17型結晶構造またはＴｈ_2Ｎｉ_17型結晶構造を有する強磁性相を含む鉄基希土類磁性材料であって、前記強磁性相が０．５原子％超１０原子％以下の元素Ｍ（Ｍは、Ｐ、Ａｓ、Ｓｅ、およびＢｉからなる群から選択された少なくとも１種）を含んでいる。 - 特許庁

For a summary sentence candidate composed of M (M>N) words extracted from a summary object sentence composed of N words, a summary score defined as the cumulative value of the sum of a language score for each word and a topics word score is calculated and the summary sentence candidate having the maximum summary score is selected as a maximum summary score summary sentence.例文帳に追加

Ｎ個の単語からなる要約対象文から抽出したＭ個（Ｎ＞Ｍ）の単語で構成される要約文候補について、各単語の言語スコアと話題語スコアの和の累積値として定義される要約スコアを算出し、最大の要約スコアを有する要約文候補を最大要約スコア要約文として選択する。 - 特許庁

The silicon manufacturing method is carried out to obtain silicon by bringing halogenated silane G1 into contact with the metal particles M_p to reduce the halogenated silane G1, wherein the metal particle M_p are supplied into the reactor 3 by blowing an atomizing gas G2 to the molten metal M_m to supply the metal particles M_p and halogenated silane G1 into the reactor 3 in a concurrent manner.例文帳に追加

金属粒子Ｍ_ｐと、ハロゲン化シランＧ１とを、反応器３内で互いに接触させてハロゲン化シランＧ１を還元し、シリコンを得るシリコンの製造方法において、溶融金属Ｍ_ｍにアトマイズガスＧ２を吹き付けることにより金属粒子Ｍ_ｐを反応器３内へ供給し、金属粒子Ｍ_ｐと、ハロゲン化シランＧ１とを、反応器３内へ並流に供給するシリコンの製造方法。 - 特許庁

To achieve this, the processor determines a predetermined sector number in accordance with values from the first bit at the bottom of addresses given from the host system to an n-bit, and the number of zones is determined based on values from the n+1 bit counted from the bottom of the addresses given from the host system to an m (m is an integer of n+1 or more) bit.例文帳に追加

これを実現するため、プロセッサは、ホストシステムから与えられるアドレスの下位側１ビット目からｎビット目までの値に基づいて、所定のセクタ数を決定し、ゾーン数をホストシステムから与えられるアドレスの下位側からｎ＋１ビット目からｍ（ｍはｎ＋１以上の整数）ビット目までの値に基づいて決定する。 - 特許庁

Therefore, the metal film 29 rich in extendability enters between the conductor crimping part 24 inside face and the core wire part M and between the adjacent core wire parts M, M because of crimping stress, so that a contact area between the conductor crimping part 24 and the core wire part M is increased via the metal film 29, and consequently, conductivity is improved and heat generation can be suppressed.例文帳に追加

従って、延展性に富んだ金属膜２９が、加締応力により導体加締部２４内面と芯線部Ｍとの間及び隣接する芯線部Ｍ、Ｍ間に入り込み、金属膜２９を介して導体加締部２４と芯線部Ｍとの接触面積が増大し、導電性が向上して発熱を抑えることができる。 - 特許庁

Particularly, the individual carbon nanohorn constituting the carbon nanohorn aggregate of the contrast agent has an opening at the side wall or the tip end and contains a metal M (M is at least one kind of metal selected from paramagnetic metals, ferromagnetic metals and super paramagnetic metals) included or dispersed in the horn or on the surface of the horn.例文帳に追加

カーボンナノホーン集合体を構成する個々のカーボンナノホーンがその側壁又は先端に開口部を有し、個々のカーボンナノホーンの内部又は表面に金属Ｍ（ただし、Ｍは常磁性体金属、強磁性体金属及び超常磁性体金属の中から選択される少なくとも１種）又は金属Ｍの化合物が内包又は分散されていることを特徴とする造影剤。 - 特許庁

A display drive device comprises: a digital/analog converter which receives input voltage reduced from source voltage, generates reference voltage and selects the reference voltage corresponding to M (M is a positive integer) bit data signal; and an amplifier which amplifies the reference voltage selected by the digital/analog converter.例文帳に追加

本発明によるディスプレイ駆動装置は、電源電圧より減少した入力電圧を受け取って基準電圧を生成し、Ｍ（Ｍは、正の整数）ビットのデータ信号に対応する基準電圧を選択するデジタル／アナログ変換部、及びデジタル／アナログ変換部から選択された基準電圧を増幅する増幅部を備える。 - 特許庁

On the c-axis, metal atoms are arranged in layers, or metal atoms and oxygen atoms are arranged in layers, being represented by In_2SnZn_2O_7(ZnO)_m (m is 0 or a natural number).例文帳に追加

それぞれ、ｃ軸配向し、ａｂ面、上面または被形成面に垂直な方向から見て少なくとも三角形状または六角形状の原子配列を有し、ｃ軸においては、金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列しており、Ｉｎ_２ＳｎＺｎ_２Ｏ_７（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは０または自然数。）で表される、ａｂ面（または上面または被形成面）においては、ａ軸またはｂ軸の向きが異なる二種以上の結晶部分を含む酸化物膜を用いる。 - 特許庁