「m=M」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The ion generation element 130 is arranged inside the casing 110 and generates H^+(H_2O)_m (m is an optional integer) as a positive ion and O_2^-(H_2O)_n (n is an optional integer) as a negative ion.例文帳に追加

イオン発生素子１３０は、筐体１１０内に設けられ、正イオンとしてＨ^＋（Ｈ_２Ｏ）_ｍ（ｍは任意の整数数）と負イオンとしてＯ_２^−（Ｈ_２Ｏ）_ｎ（ｎは任意の整数数）とを発生させる。 - 特許庁

A data access circuit 10 includes: an M-bit buffer (M≥n+m, M: a positive integer) for storing data read from the memory; and a pointer management section for managing the pointers of the M-bit buffer.例文帳に追加

データアクセス回路１０は、メモリから読み出されたデータが格納されるＭ（Ｍ≧ｎ＋ｍ、Ｍは正の整数）ビットバッファと、Ｍビットバッファのポインタを管理するポインタ管理部とを含む。 - 特許庁

An encoding device divides an original image into M (M is an integer, and M>2) equal bands and encodes the divided signals by using an embedded entropy encoding method.例文帳に追加

符号化装置が、原画像をＭ個（Ｍは整数であり、かつ、Ｍ＞２）の等帯域に分割し、分割した信号を、埋め込み型のエントロピー符号化方法を用いて符号化する。 - 特許庁

The image processor 10 contains a converter 12 for performing a conversion process on input image data represented by pixels of M (M≥3) gradations and converting it into output image data represented by minute pixels of two gradations.例文帳に追加

画像処理装置１０は、Ｍ（Ｍ≧３）階調の画素で表される入力画像データに変換処理を施し、２階調の微画素で表される出力画像データに変換する変換部１２を含む。 - 特許庁

The (M+k)th signal electrode XS_k (=SM_+k) and the k-th electrode SS_k are arranged correspondingly to the k-th (1≤k≤M, M, k: integers) signal electrode S_k.例文帳に追加

第ｋ（１≦ｋ≦Ｍ、Ｍ、ｋは整数）の信号電極Ｓ_kに対応して、第（Ｍ＋ｋ）の信号電極ＸＳ_k（＝Ｓ_M+k）と第ｋの電極ＳＳ_kが配置される。 - 特許庁

An operation processing part 4 collectively operates continuous m (m is 2≤m≤n) output data in n output data dout of sampling timing after the oversampling.例文帳に追加

演算処理部４は、オーバーサンプリング後のｎ個のサンプリングタイミングの出力データｄｏｕｔのうち、連続するｍ個（ｍは、２≦ｍ≦ｎ）の出力データを、一括して演算する。 - 特許庁

To provide a new binuclear complex (M=M complex) having a metal-metal double bond being higher in reactivity than ever as compared to a conventional complex, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

より反応性に優れた金属−金属二重結合を有する新規な二核錯体（Ｍ＝Ｍ錯体）およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An overflow free list management part 130 generates elements of an overflow free list for managing logical addresses by (m+1)th and successive clusters when the number of the elements of the free list exceeds (m) (m: natural number).例文帳に追加

あふれフリーリスト管理部１３０は、フリーリストの要素の数がｍ個（ｍは自然数）を超えるとき、ｍ＋１個目からの連続クラスタごとに、その論理アドレスを管理するあふれフリーリストの要素を生成する。 - 特許庁

A second mark of M×m rows and N×n columns is formed on the photosensitive substrate via the reticle, by repeating shot exposure for M×N times for arranging the second mark in m rows and n columns at specified column intervals and row interval.例文帳に追加

また、レチクルを介して、感光基板上に所定の列間隔及び行間隔のｍ行ｎ列に第２マークを配するショット露光をＭ×Ｎ回繰返し、Ｍ×ｍ行Ｎ×ｎ列の第２マークを形成する。 - 特許庁

The dielectric ceramic consists of a polycrystal body consisting of oxides containing at least rare earth elements (Ln), Al, M (M is Ca and/or Sr), and Ti as metallic elements, and contains prescribed amounts of Si, Fe and Zr.例文帳に追加

金属元素として少なくとも希土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍ（ＭはＣａおよび／またはＳｒ）、及びＴｉを含有する酸化物を主成分とする多結晶体からなり、Ｓｉ、ＦｅおよびＺｒを所定量含有する。 - 特許庁

The drive circuit drives the electro-optical device by outputting m (m is a natural number ≥2) systems of data signals to m image signal lines (Vi).例文帳に追加

駆動回路は、ｍ（但し、ｍは２以上の自然数）本の画像信号線（Ｖｉ）に対してｍ系列のデータ信号を出力することで電気光学装置を駆動する。 - 特許庁

The dielectric porcelain comprises an oxide having a specific composition wherein a rare earth element (Ln), Al, M (M is Ca and/or Sr) and Ti are contained as metal elements, and the dielectric porcelain contains crystallites having diameters of 100 to 1,000 Å.例文帳に追加

金属元素として希土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍ（ＭはＣａおよび／またはＳｒ）、及びＴｉを含有する特定組成の酸化物からなり、結晶子径が１００〜１０００Åである誘電体磁器とする。 - 特許庁

Complex symbol strings SIS (m) of a digital signal in a plurality m (m is a positive integer) of subscribers are respectively inputted to the symbol string transforming means 1.例文帳に追加

シンボル列変換手段１には、複数ｍ（ｍは整数）の加入者におけるディジタル信号の複素シンボル列ＳＩＳ（ｍ）が、それぞれ入力されている。 - 特許庁

The error function arithmetic unit, which performs processing for finding an error function F_M(T) where variables are T (positive real numbers) and degrees are M (M are integers ≥0), includes a coefficient table 10 and arithmetic section 150.例文帳に追加

変数をＴ（正の実数）、次数をＭ（Ｍは０以上の整数）とする誤差関数Ｆ_Ｍ（Ｔ）を求める処理を行う誤差関数演算装置は、係数テーブル１０と、演算部１５０とを含む。 - 特許庁

A background pixel selecting unit 130 selects m (m≤n) pixel values centering one (image I_t to be processed) of input images I_1-I_n held in an input image holding unit 110.例文帳に追加

背景画素選択部１３０は、入力画像保持部１１０に保持された入力画像（Ｉ_１〜Ｉ_ｎ）の１枚（処理対象画像Ｉ_ｔ）を中心としてｍ個（ｍ≦ｎ）の画素値を選択する。 - 特許庁

The data transfer network has an m (m is a natural number being not less than two)-dimensional interchange structure for directly connecting core nodes which constitute the m-dimensional hyper hub structure.例文帳に追加

本発明は、ｍ（：ｍは２以上の自然数）次元ハイパーハブ構造を構成するコアノード間を直接接続するｍ次元インターチェンジ構造を持つことを特徴とするデータ転送ネットワークである。 - 特許庁

The drive circuit drives the electro-optical device by outputting m (m is a natural number ≥2) systems of data signals to a plurality of data lines (6a) through m image signal lines (Vi).例文帳に追加

駆動回路は、複数のデータ線（６ａ）に対してｍ（但し、ｍは２以上の自然数）本の画像信号線（Ｖｉ）を介してｍ系列のデータ信号を出力し電気光学装置を駆動する。 - 特許庁

This quantum circuit is configured so as to be decomposed like self-similarity until it is turned to be configured of a quantum circuit for performing quantum Fourier transformation with a digit which is 2^m(m is the threshold of approximation) or less as a model.例文帳に追加

この量子回路は、２^ｍ〔ｍは近似の閾値〕以下の数を法とする量子フーリエ変換を行う量子回路から構成されるようになるまで自己相似的に分解して構成される。 - 特許庁

The number m (m is a natural number: m=1, 2, ...) of frequency values of the number m of signals are calculated from the signal with the largest amplitude of a plurality of converted signals by a calculating means 142.例文帳に追加

算出手段１４２が複数の変換された信号の大きさの最も大きい信号からｍ個（ｍは自然数：ｍ＝１，２，・・・）の信号のｍ個の周波数値を算出する。 - 特許庁

An optical demultiplexer 10 has 2^n (n=1, 2, 3, ...) input ports, 2^m (m>n) output ports, and includes a demultiplexing coupler 11 for demultiplexing input optical packet.例文帳に追加

光分波部１０は、２^n（ｎ＝１、２、３、・・・）個の入力ポートと、２^m（ｍ＞ｎ）個の出力ポートとを有し、入力した光パケットを分波する分波カプラ１１を含む。 - 特許庁

The degree of modulation M(M=(Is-Im)/Is) is calculated by signal levels Is and Im, and the laser power is so adjusted that the degree of modulation M becomes a target value.例文帳に追加

そして、信号レベルＩｓ、Ｉｍから変調度Ｍ（Ｍ＝（Ｉｓ−Ｉｍ）／Ｉｓ）を算出し、変調度Ｍが目標値となるようレーザパワーを調整する。 - 特許庁

However (4) each layer consists of 3 steps, the 1st and 3rd steps consist of m×m switches and the 2nd step consists of (N/m2)×(N/m2) non blocking switches.例文帳に追加

ただし、（４）各レイヤは３個の段からなり、その第１段および第３段はｍ×ｍスイッチからなり、第２段は（Ｎ／ｍ^２）×（Ｎ／ｍ^２）ノンブロッキングスイッチからなる。 - 特許庁

3×n (n: integer) units and 3×m (m: integer) units of insulators 12 are arrayed upside-down to form first insulator columns 51 and second insulator columns 52.例文帳に追加

３×ｎ（ｎ：整数）個分、及び３×ｍ（ｍ：整数）個分のインシュレータ１２を、互いに上下方向を逆に向けて配列して第１インシュレータ列５１と第２インシュレータ列５２を形成する。 - 特許庁

In image processing which performs a processing aggregation including N (N is an integer of ≥3) pieces of unit processing recursively, the unit processing is processed in M (M is an integer of ≥2 and <N ) processing sections to perform the unit process.例文帳に追加

Ｎ個（Ｎは３以上の整数）の単位処理を含む処理集合を繰り返し実行する画像処理において、単位処理を実行するためのＭ個（Ｍは２以上でＮ未満の整数）の処理部で単位処理を実行させる。 - 特許庁

A compensation control circuit 34 generates compensation control signals GCP[1] to GCP[M] corresponding to groups B[1] to B[M] (M=m/3) formed by sectioning the element array section 10 by three rows.例文帳に追加

補償制御回路３４は、素子アレイ部１０を３行ずつ区分した各グループＢ[1]〜Ｂ[M]（Ｍ＝m/3）について補償制御信号ＧCP[1]〜ＧCP[M]を生成する。 - 特許庁

A match detection circuit 10 receives M (M is a natural number) signals from a DUT 102, and determines which of N (N is an integer of 2 or more) predetermined states each of the M signals matches.例文帳に追加

マッチ検出回路１０は、ＤＵＴ１０２からのＭ個（Ｍは自然数）の信号を受け、あらかじめ定められたＮ個（Ｎは２以上の整数）の状態のいずれに一致するかを判定する。 - 特許庁

A permutation storage part 5 stores a permutation S(i, j) indicating an output state with respect to the input of all bijective functions of an arbitrary size m (m is a natural number of ≥2).例文帳に追加

順列記憶部５は、任意の大きさｍ（ｍは２以上の自然数）の全ての全単射関数の入力に対する出力の状態を示す順列S(i,j)を記憶する。 - 特許庁

Besides the aforementioned, the inverter 21 includes m (m is an integer of one or more) NMOS transistor(s) having a gate electrode G3 and n (n is an integer of zero or more) NMOS transistor(s) having a gate electrode G4.例文帳に追加

また、インバータ２１は、ゲート電極Ｇ３を有するｍ（ｍは１以上の整数）個のＮＭＯＳトランジスタ及びゲート電極Ｇ２を有するｎ（ｎは０以上の整数）個のＮＭＯＳトランジスタを有する。 - 特許庁

In semiconductor devices 500A-500D, the number of data bits is compressed inside, and a test result is outputted to data input/output terminals DQ [0:3] to the number of m (m=4).例文帳に追加

半導体装置５００Ａ〜５００Ｄは、データビット数を内部で圧縮し、テスト結果をｍ個（ｍ＝４）のデータ入出力端子ＤＱ［０：３］に出力する。 - 特許庁

Furthermore, the layout processing part 11 computes the number of pages M (M is natural number) allocated to the last sheet when printing the number of print pages N which are counted according to the layout setting.例文帳に追加

さらに、割り付け処理部１１は、割り付け設定に従ってカウントされた印刷ページ数Ｎの印刷を行うときの、最終シートに割り付けられるページ数Ｍ（Ｍは自然数）を算出する。 - 特許庁

The image display device displays a display image including display content selected by M (M is an integer being ≥2 and ≤N) of the N image supply devices in the first display part.例文帳に追加

画像表示装置は、Ｎ個の画像供給装置のうちのＭ個（Ｍは２以上Ｎ以下の整数）において選択されている表示コンテンツを含む表示画像を前記第１の表示部に表示する。 - 特許庁

The thin-film magnetic material storage device includes N memory banks MB1 to MBN, M (M>N) data read circuits RDV1 to RDVM and M data write circuits WDV1 to WDVM.例文帳に追加

薄膜磁性体記憶装置には、Ｎ個のメモリバンクＭＢ１〜ＭＢＮと、Ｍ個ずつ（Ｍ＞Ｎ）のデータ読出回路ＲＤＶ１〜ＲＤＶＭおよびデータ書込回路ＷＤＶ１〜ＷＤＶＭとを含み。 - 特許庁

When the number of pages M (M is natural number) allocated to the last sheet is a predetermined number or smaller, the layout processing part 11 adjusts the number of print pages based on the document data, so that the number of print pages may become pages (N-M).例文帳に追加

割り付け処理部１１は、最終シートに割り付けられるページ数Ｍ（Ｍは自然数）が所定数以下のとき、文書データに基づいて、印刷ページ数が（Ｎ−Ｍ）ページになるように印刷ページ数を調整する。 - 特許庁

In the high-voltage generation device, first and second capacity circuits are constituted of dielectric bodies 21_1 to 21_(m-1) held between m (m is an integer of two or larger) parallel flat plates 21_1 to 21_m having electric conductivity, respectively.例文帳に追加

第１および第２のコンデンサ回路は、電気伝導性を有するｍ枚（ｍは２以上の整数）の平行平板２１＿１〜２１＿ｍの間にそれぞれ誘電体２１＿１〜２１＿（ｍ−１）を挟んで構成される。 - 特許庁

Then, pudding data P is put in the extent D from the terminal position (position B) of a VOBU#4 to the head position (position C) of a next block#k+6 and VOBUs #m, #m+1, etc., concerned with data after power is recovered are recorded after the block#k+6.例文帳に追加

そして、ＶＯＢＵ＃４の終端位置（位置Ｂ）から直後のブロック＃ｋ＋６の先頭位置（位置Ｃ）までの範囲ＤにパディングデータＰを詰め、復電後のデータにかかるＶＯＢＵ＃ｍ、＃ｍ＋１等をブロック＃ｋ＋６以降に記録する。 - 特許庁

When n becomes a set value N (ST8), a condition 2 at a low light level and a sub-scanning rate V2 are set (ST9), and assuming the number m of lines is 0 (ST10), one line is read (ST11), and the equation is written in the form m=m+1 (ST12).例文帳に追加

ｎが設定値Ｎになると（ＳＴ８）、低光量時条件２及び副走査速度Ｖ２を設定し（ＳＴ９）、ライン数ｍを０とし（ＳＴ１０）、１ラインを読み取り（ＳＴ１１）、ｍ＝ｍ＋１とする（ＳＴ１２）。 - 特許庁

Input image data consisting of a plurality of (n) bits inputted from outside via an interface means is converted into a plurality of (m) (m<n) bits, which are outputted to a display memory means to be stored there.例文帳に追加

外部よりインターフェース手段を介して入力される複数ｎビットの入力画像データを複数ｍ（ｍ＜ｎ）ビットに変換して、表示メモリ手段に記憶させるように出力する。 - 特許庁

The line address circuit generates the line address of M (M: an integer of 2 or more) bits corresponding to n1 and outputs a line lead address of the M bits offset in response to a frame address of k bits being an offset value.例文帳に追加

ラインアドレス回路は、ｎ１に応じたＭ（Ｍは２以上の整数）ビットのラインアドレスを発生、オフセット値であるｋビットのフレームアドレスに応じてオフセットされたＭビットのラインリードアドレスを出力する。 - 特許庁

This positive electrode active material comprises particles, composed of three elements of Ag, Bi and M (M is a transition metal) and O which has crystal of a compound in it, and Bi is dispersed in the entire area in the particles.例文帳に追加

Ａｇ，Ｂｉ，Ｍ（Ｍは遷移金属）およびＯの３元素からなる粒子であって，粒子内に化合物の結晶を有し且つ粒子内全域にＢｉが分散している粒子からなる電池用正極活物質である。 - 特許庁

Moreover, distances P2, P2' concerning thickness direction K2 between second reference positions N2, N2' provided on each of the outlines 26, 26' and the projection centers M, M' are made to differ between the element 321 of the initial lot and the element 321' of the final lot.例文帳に追加

また、各外郭２６，２６’に設けられる第２の基準位置Ｎ２，Ｎ２’と突出中心Ｍ，Ｍ’との厚み方向Ｋ２に関する距離Ｐ２，Ｐ２’を、初期ロットの素材３２１と終期ロットの素材３２１’とで異ならせている。 - 特許庁

An installation length of the water flowing pipe 13 with respect to the surface area of the heat radiation panel 1 is set to be 14-30 m/m^2, and an arrangement pitch of the water flowing pipes 13 between the joist members 12, 12 is set to be 30-55 mm.例文帳に追加

放熱パネル１の表面積に対する通水管１３の敷設長さが１４〜３０ｍ／ｍ^２、根太状部材１２，１２の間の通水管１３の配列ピッチが３０〜５５ｍｍに設定される。 - 特許庁

An interval in each nozzle groups with respect to the nozzles used in each nozzle group is selected to be M ('M' is an integer number not less than 2) times of (k), i.e., a value of M×(k).例文帳に追加

各ノズル群の中で使用されるノズルに関する各ノズル群の間の間隔は、ノズルピッチｋのＭ倍（Ｍは２以上の整数）の値Ｍ×ｋとなるように選択される。 - 特許庁

When a load of this fuel cell system is less than m/(m+n) of the full load, switches 15 and 16 are opened; and a current is supplied to a load device 4 from the first fuel cell stack 2.例文帳に追加

燃料電池システムの負荷が全負荷のｍ／（ｍ＋ｎ）未満の場合、スイッチ１５，１６は開いており、第１燃料電池スタック２から負荷装置４へ電流が供給される。 - 特許庁

The both receiving members 91, 92 and separating surfaces M, M of both receiving members 91, 92 are extendedly disposed in parallel with surfaces S1, S2 including rotary locus of the cams 25 to 27.例文帳に追加

両受け部材９１，９２ないし両受け部材９１，９２の分離面Ｍ，Ｍをカム２５〜２７の回転軌跡を含む面Ｓ１，Ｓ２に平行に延設する。 - 特許庁

This substrate for mounting the semiconductor comprises a flexible insulating substrate and a wiring conductor, and a coefficient of moisture permeability of the insulating substrate is in the range of 1.0×10-4 to 1.0×10-2 (g.m/m2.24 h).例文帳に追加

可とう性の絶縁基材と配線導体とからなる基板であって、絶縁基材の透湿率が1. 0×10^-4〜1.0×10^-2(g・m/m^2・24h)の範囲である半導体搭載用基板。 - 特許庁