「memory less」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A CPU 81 obtains the remaining quantity DYrem of DY ink from the memory step 53 of a cartridge 43 to judge whether the obtained remaining quantity DYrem of the DY ink is less than a lower limit value DYref permitting the use of the DY ink.例文帳に追加

ＣＰＵ８１はＤＹインク残量ＤＹremをカートリッジ４３の記憶措置５３から取得し、取得したＤＹインク残量ＤＹremがＤＹインクの使用を許容する下限値ＤＹref未満であるか否かを判定する。 - 特許庁

In this case, since the number of times of data read from and write of data to a memory is less than the case when accessing is made to the transmission buffer section 105 or the like for rewriting data, a time required for rewrite processing can be shortened.例文帳に追加

この場合、送信バッファ部１０５等にアクセスして書き換えを行う場合と比べ、メモリからのデータ読み出し／メモリへのデータ書き込みの回数が少なくてすむので、書き換え処理にかかる時間を短縮できる。 - 特許庁

To provide an imaging device less in risk that when photography lasts for several days, a chance to photograph a desired scene is missed on the final day of use because of insufficient capacity of a memory.例文帳に追加

複数日にわたって撮影を行なう場合に利用最終日にメモリの残量がなくなり撮影ができなくなって所望のシーンの撮影チャンスを逃してしまうおそれの少ない撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which high speed write-in can be performed without increasing storage capacity of a region in which less bits than a multi-level region are stored, while a life time of a product can be extended.例文帳に追加

多値領域よりも少ないビットを記憶する領域の記憶容量を増大することなく、高速な書き込みが可能であるとともに、製品の寿命を延ばすことが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When the number of counted faces is equal to or less than the number of faces stored in the predetermined region of the memory part 3, the CPU 2 repeats processing for detecting the faces included in the captured image to count the number of faces.例文帳に追加

ＣＰＵ２はカウントした顔の数がメモリ部３の所定の領域に記憶されている顔の数以下である場合、撮像された画像に含まれる顔を検出して顔の数をカウントする処理を繰り返す。 - 特許庁

During program verification, a control circuit 3 writes a fail value when all adjacent cells equal to or less than the offset n of a memory cell to be programmed are in elimination status, and a path value in other cases in an adjacent cell buffer 5.例文帳に追加

プログラムベリファイ時に、制御回路３は、プログラムすべきメモリセルのオフセットｎ以下の隣接セルがすべて消去状態である場合にはフェイル値を、それ以外の場合はパス値を、隣接セルバッファ５に書き込む。 - 特許庁

To provide an image processor, image processing program and image processing method capable of calculating correction data with excellent precision without increasing a data amount of a LUT and with the less number of memory accessing times.例文帳に追加

ＬＵＴのデータ量を増加することなく且つより少ないメモリアクセス回数で良好な精度の補正データを算出することが可能な画像処理装置、画像処理プログラム及び画像処理方法を提供する。 - 特許庁

With this, candidate images in a frame memory have higher possibility of retaining continuity with frame images to be encoded so that efficient motion vector detection and encoding with less data formation can be realized.例文帳に追加

これにより、フレームメモリ内の候補画像は符号化対象フレーム画像と連続性の高い画像である可能性が高まり、効率よい動きベクトルの検出、ひいてはデータ生成量の少ない符号化を可能とする。 - 特許庁

To reduce the number and capacity of a memory used for a process less than before when performing a process in which coded data are expanded by a coding method such as wavelet transformation to obtain the image of specified size.例文帳に追加

ウェーブレット変換などの符号化方式によって符号化データを伸張して、指定されたサイズの画像を得るという処理を実行する際に、その処理に用いるメモリの数乃至容量を従来よりも低減させる。 - 特許庁

When the storable capacity of a memory for storing the object information corresponding to a plotting object reaches a prescribed amounts or less, the object information is developed to bit map image data, and the bit map image data are compressed (S1052).例文帳に追加

描画オブジェクトに対応するオブジェクト情報を記憶するメモリの記憶可能な容量が所定量以下になると、オブジェクト情報をビットマップイメージデータに展開し、そのビットマップイメージデータを圧縮する（Ｓ１０５２）。 - 特許庁

To provide a marker detector capable of detecting a marker signal with high accuracy even when reception environment is not excellent, and detecting the marker signal with less memory capacity and a small load, and an atomic clock.例文帳に追加

受信環境が良好でなくても高精度にマーカー信号を検出できるとともに、少ないメモリ容量で、且つ、小さな負荷でマーカー信号を検出できるマーカー検出装置ならびに電波時計を提供する。 - 特許庁

Consequently, a plurality of languages can be displayed from the message catalog by using the single file, so the storage memory is used more efficiently and the file can be altered through less operation.例文帳に追加

この構成によれば、メッセージカタログから単一ファイルを使用して複数の言語を表示することができるので、記憶メモリをより効率的に使用し、またファイルに対する変更を少ない作業で行うことができる。 - 特許庁

To provide an image processing device, capable of realizing conversion from pseudo-halftone data to monochrome pseudo-halftone data with less memory and high speed and quality, or conversion from the monochrome pseudo-halftone data to color pseudo-halftone data.例文帳に追加

カラー擬似中間調データのモノクロ擬似中間調データへの変換、あるいはモノクロ擬似中間調データのカラー擬似中間調データへの変換を、省メモリ、高速、高画質にて実現する画像処理装置を得ること。 - 特許庁

When the total of first and second reservation memory counts exceeds a prescribed value, the microcomputer for game control controls to shorten the variable display time as compared that when it is less than the value.例文帳に追加

また、遊技制御用マイクロコンピュータは、第１保留記憶数と第２保留記憶数の合計数が所定数以上であるときに、所定数未満であるときに比べて可変表示時間を短縮する制御を行う。 - 特許庁

The control part measures the intensity of the light emitted from the lamp by using the photodiode (S1), and judges whether or not the measured intensity of the light is equal to or less than the reference value of the intensity of the light stored in the memory (S2).例文帳に追加

制御部は、フォトダイオードを用いてランプから出射される光の強さを測定し（Ｓ１）、測定した光の強さが、メモリに記憶されている光の強さの基準値以下か否かを判断する（Ｓ２）。 - 特許庁

The performance information of a piece of music to be reproduced at the time of call incoming is divided into not less than two blocks on a time base, and the first block is stored in a memory so as to be defrosted and performed immediately after the call incoming.例文帳に追加

着信時に再生する楽曲の演奏情報を時間軸上で２つ以上のブロックに分割し、最初のブロックについては着信後すぐに解凍して演奏できる状態でメモリに記憶しておく。 - 特許庁

Figures appearing in any process of two-digit multiplication are divided into blocks of two digits and transformed into words to make the number of words to be simultaneously memorized seven or less so that the calculation falls within the short-term memory ability and the mental arithmetic is possible.例文帳に追加

２桁の掛け算のすべての過程で出てくる数字を２桁に区切り言葉に変換して同時に記憶する言葉を７個以下にして短期記憶能力以内におさめることにより暗算を可能にした。 - 特許庁

When the amount D is less than the value L1, a disk rotational speed SP is set to a speed X2, which is faster than a disk rotational speed X1 during a normal reproduction, to increase the amount D in the memory.例文帳に追加

メモリー内データ量Ｄが第１のしきい値Ｌ１よりも少ないときは、ディスク回転速度ＳＰを通常再生時のディスク回転速度Ｘ１よりも高い速度Ｘ２に上げて、メモリー内データ量Ｄを増加させる。 - 特許庁

To provide an address control circuit in which expansion of the circuit scale is prevented and the circuit delay time is less when an IC memory operated at a high speed is tested in a semiconductor test device.例文帳に追加

本発明の課題は、半導体試験装置において、高速に動作するメモリＩＣの検査を行う際に、回路規模の拡大を防ぎ、回路遅延時間の少ないアドレス制御回路を提供することである。 - 特許庁

As a result, when the using capacity of the buffer 20b for the layer 1 transmission exceeds 80%, an operating system 10 notifies a high-order layer that a memory residual amount becomes equal to or less than a prescribed capacity by an event flag.例文帳に追加

その結果、レイヤ１送信用バッファ２０ｂの使用容量が８０％を越えると、オペレーティングシステム１０はメモリ残量が所定の容量以下になったことをイベントフラグにより上位レイヤに通知する。 - 特許庁

Further, for a period when an iris drive motor 26 generates noise, the memory 62 stores sound picked up by the first microphone 42 located to pick up less noise of the iris drive motor 26 than the other microphone.例文帳に追加

また、アイリス駆動モータ２６が騒音を発生している期間には、アイリス駆動モータ２６の騒音を最も集音しないように配置された第１マイクロホン４２が集音した音声をメモリ６２に記憶させる。 - 特許庁

If the value indicates a number of clock cycles N that is less than a threshold number, the memory device transfers data associated with a first address between the signaling interface and the data buffer during each of the N cycles of the clock signal.例文帳に追加

この値が、閾値数未満であるクロックサイクル数Ｎを示す場合には、メモリ装置は、クロック信号のＮサイクルのそれぞれの間に、信号インタフェースとデータバッファとの間で、第１のアドレスに関連するデータを転送する。 - 特許庁

About each driving lever, the angle formed by the direction of the vector of the power which the shape memory alloy gives to the driving lever concerned and the direction of the vector of the power which the spring gives to the same driving lever, is set below to nearly 120° or less.例文帳に追加

各駆動レバーについて、形状記憶合金が当該駆動レバーに与える力のベクトル方向と、スプリングが同駆動レバーに与える力のベクトル方向とのなす角度をほぼ120°以下に設定する。 - 特許庁

If the white blemish correction information is recorded in a flash memory 20d and the temperature of a CCD type image pickup element 13 is not less than a predetermined value, a control unit 20 uses the data of a pixels for correction to correct the data of pixels of the white blemish in an RAW system image data written into a buffer memory 16.例文帳に追加

フラッシュメモリ２０ｄに白キズ補正情報が記録されており、且つＣＣＤ型撮像素子１３の温度が所定値以上である場合、制御部２０は、バッファメモリ１６に書き込まれたＲＡＷ形式の画像データ中の白キズにかかる画素のデータを補正用画素のデータを用いて補正する。 - 特許庁

A memory system is provided with a code processing circuit 100 for performing the redundancy code processing of write-in object data Din, and for generating data RDin so that the number of bits as a prescribed value can be turned to be equal to or less than the number of all bits and a memory 120 in which the data RDin generated by the code processing circuit are written.例文帳に追加

書き込み対象のデータＤｉｎの冗長化符号処理を行い、所定値をとるビットの個数が全ビット数の半分以下となるデータＲＤｉｎを生成する符号処理回路１００と、前記符号処理回路により生成されるデータＲＤｉｎが書き込まれるメモリ１２０と、を備える。 - 特許庁

At write-in erasure, a voltage value A1 of a pulse 1 applied initially to a memory cell transistor is set to a voltage value being larger than a voltage value B1 of a pulse 2 applied to a memory transistor in a second time and a voltage value C1 of a pulse 3 applied in a third time and being the maximum voltage value D1 applied finally or less.例文帳に追加

書き込み消去時に、初回にメモリセルトランジスタに印加するパルス１の電圧値Ａ１は、２回目にメモリセルトランジスタに印加されるパルス２の電圧値Ｂ１、３回目に印加するパルス３の電圧値Ｃ１より大きく、かつ、最終的に印加する最大の電圧値Ｄ１以下の電圧値に設定する。 - 特許庁

The semiconductor laser device comprises a laser unit including a semiconductor laser, a memory storing the amplitude information of a wavelength dither signal with a resolution less than one cycle of the wavelength dither signal input to the laser unit, and a dither producing portion producing the wavelength dither signal on the basis of the amplitude information stored in the memory.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、半導体レーザを含むレーザユニットと、レーザユニットに入力する波長ディザ信号の１周期未満の分解能で波長ディザ信号の振幅情報を格納するメモリと、メモリに格納された振幅情報に基づいて波長ディザ信号を生成するディザ生成部と、を備える。 - 特許庁

When a speed monitoring part 24 judges that the speed exceeds are reference speed value or a steering angle monitoring part 26 judges that the steering angle is not less than a reference steering angle value, with the READY memory part 44 set to the automatic switching mode, the automatic switching mode of the READY memory part 44 is forcibly cancelled.例文帳に追加

ＲＥＡＤＹメモリ部４４が自動切換モードとなっている状態で、且つ、車速監視部２４で車速が基準車速値を超えたと判断されたときまたは操舵角監視部２６で操舵角が基準操舵角値以上と判断されたときに、ＲＥＡＤＹメモリ部４４の自動切換モードを強制的に解除する。 - 特許庁

For an inputted job, priority of application is decided and according to the decision result, the storage area 159A of a memory, in which all data of the job can be stored or a storage area 159B of the memory 159 in which only a specific amount less than all the data of the job can be stored, is selected to store the data.例文帳に追加

入力されたジョブについて、アプリケーションの優先度を判別し、その判別結果に応じて、ジョブの全データが記憶可能なメモリ１５９の記憶領域１５９Ａとジョブの全データより少ない所定量のみが記憶可能なメモリ１５９の記憶領域１５９Ｂのいずれかを選択して記憶させる。 - 特許庁

When the remaining capacity is less than the set value, the disk device 7 generates a vacant region on the recording region by overwriting and recording the compressed signal from the buffer memory 13 onto the recording region and the compressed signal from the buffer memory 6 is recorded on the remaining recording regions and the vacant region.例文帳に追加

ディスク装置７は、残量が設定値未満である場合に、バッファメモリ１３からの圧縮信号を記録領域に上書きして記録することで記録領域に空き領域を生成し、バッファメモリ６からの圧縮信号を記録領域のうちの残り領域および前記空き領域に記録する。 - 特許庁

The communication memory is provided with a memory having a number of bytes not less than that of a maximum data width possible to be accessed simultaneously by the control means, a calculating means 40 for stored receiving data to calculate stored transmitting and receiving data by byte and a storage means 4d for read access data width to store the number of bytes of data to be accessed simultaneously by the control means.例文帳に追加

制御手段が同時にアクセス可能な最大データ幅のバイト数以上のメモリと、蓄積された送受信データをバイト単位で計数する蓄積受信データ計数手段４０と、制御手段が同時にアクセスするデータのバイト数を記憶する読み出しアクセスデータ幅記憶手段４ｄとを備えた。 - 特許庁

The registration point data where the frequency set for the destination in the past is the destination frequency or more (step S50), and the registration point data selected in a condition less than the extraction condition by the user (step S90) are output, out of the stored registration point data, to a memory card as an export data to be written into the memory card (step S110).例文帳に追加

記憶された登録地データのうち、過去に目的地に設定された回数が抽出条件とした目的地回数以上である登録地データや（ステップＳ５０）、抽出条件未満でユーザに選択された登録地データを（ステップＳ９０）、エクスポートデータとしてメモリカードへ出力し、メモリカードに書き込む（ステップＳ１１０）。 - 特許庁

On the other hand, the CPU 15 allows the image processing section 6 to generate a simple image of which the number of pixels is less than that of the basic image from the photographed image or the basic image and allows an image recording section 14-2 to record the simple image in a flash memory 14.例文帳に追加

その一方で、ＣＰＵ１５は、撮影画像若しくは基本画像からその画素数が基本画像よりも少ない簡易画像を画像処理部６に作成させ、フラッシュメモリ１４内の画像記録部１４−２に記録させる。 - 特許庁

Further, a control circuit 15 displays a transmitted small image, stores the small image in the memory 14, and displays the stored small image again to make power consumption less than that when the same small image is displayed each time it is transmitted.例文帳に追加

また、制御回路１５が、送信された小画像を表示し、メモリ１４に記憶させ、記憶させた小画像を再び表示することで、同じ小画像を送信の度に表示する場合よりも消費電力を低くすることができる。 - 特許庁

At the time of memory test, and signal less quantity bits caused by the coupling noise at the time of amplifying adjacent bit lines are efficiently worsened by the starting sense amplifiers of an odd number column and sense amplifiers of an even number column with time delay.例文帳に追加

そして、メモリテスト時において、奇数列のセンスアンプと偶数列のセンスアンプとをある時間遅延させて起動させることにより、隣接するビット線の増幅時のカップリングノイズによる信号少量ビットを効率よく不良化させる。 - 特許庁

To obtain an HD signal (second information signal) having less transmission distortion without storing myriad numbers of coefficient data Wi in a memory, irrespective of the type of transmission distortion contained in an SD signal (first information signal).例文帳に追加

ＳＤ信号（第１の情報信号）に含まれる伝送歪みがどのようなものであっても、莫大な数の係数データＷｉをメモリに格納しておくことなく、伝送歪みの少ないＨＤ信号（第２の情報信号）を得る。 - 特許庁

Conditions for a following storage state heating process are set so as to make the total sum of stress of each data pattern as equal to each other as possible, whereby a ferroelectric memory can be less reformed through all storage state heating process.例文帳に追加

データパタンごとのストレスの総和ができるだけ等しくなるよう次記憶状態加熱工程の条件を設定することにより、記憶状態加熱工程全体を通じて、強誘電体メモリの「くせ付け」を少なくすることができる。 - 特許庁

In step 1003, the host CPU calculates free space in an NAND-type flash memory and, if the free space is determined to be equal to or less than a preset threshold value in step S1004, then a restoration program is executed in step S1005.例文帳に追加

ステップＳ１００３で、ホストCPUは、NAND型フラッシュメモリの空き容量を算出し、ステップＳ１００４で空き容量が予め設定された閾値以下であると判定された場合、ステップＳ１００５で、修復プログラムが実行される。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor memory device includes: a silicon nitride film 20 formed on a side face of the variable resistive film or phase change film 17; and a silicon oxide film 21 formed on a side face of the diode and having a charge trap less than that in the silicon nitride film 20.例文帳に追加

さらに、可変抵抗膜または相変化膜１７の側面に形成されたシリコン窒化膜２０と、前記ダイオードの側面に形成され、シリコン窒化膜２０より電荷トラップが少ないシリコン酸化膜２１とを備える。 - 特許庁

When the voltage value of the external power supply discriminated by the external power supply voltage determining circuit 2 is a threshold value or less, a control circuit 1 changes a charge time by a charge pump 31 and controls operation for memory cells.例文帳に追加

制御回路１は、外部電源電圧判定回路２によって判定された外部電源の電圧値がしきい値以下の場合に、チャージポンプ３１による充電時間を変更してメモリセルに対するオペレーションを制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device wherein a cross point-type FeRAM includes a ferroelectric capacitor which is less likely to have damages, and which can use interconnections made of a low-melting point material and has little deterioration in characteristics; and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

クロスポイント型のＦｅＲＡＭにおいてダメージの入り難い強誘電体キャパシタを有し、低融点材料の配線の使用が可能な特性劣化の少ない半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A CPU 51 limits the operation of a television reception part 20 and allows a mobile telephone wireless communication part 21 to operate, when the voltage of the battery 13 is less than a threshold (threshold for operation control) stored in a memory part 6.例文帳に追加

ＣＰＵ５１は、電池１３の電圧が、メモリ部６に格納されているしきい値（動作制御用しきい値）未満の場合に、テレビ受像部２０の動作を制限し、かつ、携帯電話無線通信部２１の動作を許容する。 - 特許庁

When the remaining capacity of the memory part is less than a predetermined capacity and it is determined in step S4 by the control part that CPI(Capability and Preference Information) information is not updated, in a step S5, the CPI information is updated and operation in the steps S1-S5 is continued.例文帳に追加

メモリ部の残存容量が予め定めた容量を下回った場合、ステップＳ４で制御部がＣＰＩ情報が既に更新されていなければ、ステップＳ５でＣＰＩ情報を更新し、ステップＳ１〜Ｓ５の動作を継続する。 - 特許庁

The control unit 94 stores the print job in the memory unit 40 without allowing the printing unit 2 to execute the print job, until a given condition is established, when the determination unit 93 determines that the environmental temperature is less than the threshold.例文帳に追加

制御部９４は、判定部９３により環境温度がしきい値未満であると判定された場合は、所定の条件が成立するまで、印刷部２に印刷ジョブを実行させずに当該印刷ジョブを記憶部４０に記憶する。 - 特許庁

The ferroelectric random-access memory of the present invention has a ferroelectric capacitor formed by laminating a lower electrode, a PZT film and an upper electrode including SrRuO_3, and the PZT film includes pinholes at densities of less than or equal to about 17 holes/μm^2.例文帳に追加

本発明の強誘電体ランダムアクセスメモリ装置は、下部電極と、PZT膜と、SrRuO_3を含む上部電極の積層により形成された強誘電体キャパシタを有し、PZT膜は、約１７個／μｍ^２以下の密度のピンホールを含む。 - 特許庁