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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > metal chipsに関連した英語例文

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metal chipsの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 277



例文

Functional chips 106a and 106b having one or more bare chip IC's 108 on ceramic substrates 107 are mounted on a modular board 101, obtained by bonding together a multilayer glass epoxy substrate 103 having a metal layer 104 as circuit wiring and through holes 110 and a metal plate 102 so that the bare chip ICs 108 facing the through holes 110.例文帳に追加

セラミック基板107に少なくとも1つ以上のベアチップIC108を有する機能チップ106a、106bを実装し、これを回路配線としての金属層104及び貫通穴110を有する多層ガラスエポキシ基板103と金属板102とを張り合わせたモジュール基板101に、ベアチップIC108が貫通穴110と面するように実装する。 - 特許庁

A plurality of semiconductor chips 171 and 181 are bonded on the one surface of a conductor 20, a heat dissipating metal plate 30 is bonded on the other surface of the conductor 20 with a ceramic-containing insulating resin sheet 29, and the heat releasing metal plate 30 is brought into pressure contact with a cooler 22 through the intermediary of thermally conductive grease 19.例文帳に追加

複数の半導体チップ171、181を導体20の一方の面に接合し、前記導体20の他方の面にセラミックを含有した絶縁樹脂シート29で放熱用金属板30に接着し、前記放熱用金属板30を熱伝導グリース19を介して冷却器22に加圧接触する。 - 特許庁

To provide a reliable method and a device which enable design-keeping transition from an existing non-fin design structure to a functionally identical structure based on a technology of a double-gate fin-base field-effect transistor FinFET in a metal-oxide semiconductor MOS, a device of a complementary metal-oxide semiconductor CMOS, and designing chips of the semiconductors.例文帳に追加

金属酸化物半導体(MOS)、相補型金属酸化物半導体(CMOS)のデバイス、並びにそれらのチップ設計に於いて、既存の非フィン設計構造からFinFET(ダブル・ゲート・フィン・ベース電界トランジスタ)技術に基づく機能的に同一の構造に設計を維持したまま移行する事ができる信頼できる方法及び装置の提供。 - 特許庁

The method for forming the layered coating film having the metallic appearance includes processes of forming a coating film of a metallic coating material having 3 to 14% pigment mass concentration (PWC) of the glossy pigment produced by pulverizing a vapor deposition metal film into metal chips directly on the object or after a base coating film is formed, and then forming a clear overcoat layer on the metallic coating film.例文帳に追加

被塗物の上に直接又は下塗り塗膜層を形成した後に、蒸着金属膜を粉砕して金属片とした光輝性顔料の顔料質量濃度(PWC)が3〜14%である金属調塗料の塗膜層を形成し、形成した金属調塗膜層の上に、クリヤ上塗り塗膜層を形成する。 - 特許庁

例文

A metal foil for forming a reinforcing plate is overlaid by thermocompression bonding on an adhesive (adhesive layer 3) surface of a flexible circuit board 4 with adhesives and then etched to form openings matched with the positions of a mounted semiconductor chip group with the metal foil portions to be reinforcing parts left as a lattice on the peripheral area and gaps among mounted semiconductor chips, thus forming a lattice-like reinforcing plate 1.例文帳に追加

接着剤付きフレキシブル回路板4の接着剤(接着層3)面に、補強板を形成するための金属箔を熱圧着により貼り合わせた後、該金属箔をエッチングすることにより、搭載される半導体チップ群の位置に合わせて開口部を設け、外周部と搭載される半導体チップ同士の間隙部分に格子状に、補強部となる金属箔を残し、格子状の補強板1を形成する。 - 特許庁


例文

To provide a method for forming a spline of a sheet metal rotary member having a boss part, by which the thickness of a sheet metal is avoided from increasing more than necessary to attain weight reduction while ensuring the strength of the boss part, the spline forming time is shortened to enhance the manufacturing efficiency, and the occurrence of chips is eliminated to avoid adverse effect on the environment.例文帳に追加

板金の肉厚が必要以上に厚くなるのを避けてボス部の強度を確保して軽量化を達成し、スプラインの形成時間を短縮して製造能率を向上させ、かつ切削粉の発生をなくして環境への悪影響が回避できるボス部を有する板金製回転部材のスプラインの形成方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted by stacking semiconductor chips formed by integrating elements on semiconductor substrates in layers across inter-layer insulating films so that those semiconductor chips are mutually connected by connection plugs buried in through holes bored in the semiconductor substrates and bumps provided on the connection plugs; and the connection plugs and bumps are formed integrally of the same metal having a fusion point of400°C.例文帳に追加

半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、400℃以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a means of providing a chip for biosensors which joints two-piece structures and reducing the variations in dimensions in chips for biosensors that include a metal electrode having superior electrical conductivity and include two-piece structures that can be manufactured through injection molding.例文帳に追加

電導性良好な金属電極を含み、射出成形で作製することが可能な2分割した構造体からなるバイオセンサ用チップであって、酵素等の活性に悪影響を与えない条件で、これら2分割構造体を接合して、寸法ばらつきが低減されたバイオセンサ用チップを提供するための手段の提供。 - 特許庁

A shield cover 12 for covering semiconductor memory chips is set on the board and is connected to thereto via the reference potential connection patterns 15 and metal cover contacts 16.例文帳に追加

メモリモジュールのプリント基板11上に配置された高周波数の信号線上、及び/又は信号線の終端部の延長線上に基準電位接続パターン15を設けると共に、半導体メモリチップを覆うシールドカバー12を前記基板上に設けて、基準電位接続パターン15と金属カバーコンタクト部品16を介してシールドカバー12を接続する。 - 特許庁

例文

To provide a filter medium suitable for a filter medium for treating metal working chips generated by electric discharge machining or wire cutting working, which is light in weight and good in pleating process, and furthermore, good in filtering precision due to fine fibers contained in the filter medium, and also, long in filtering life because the cake layer of a substance to be filtered generated in filtering is easily released.例文帳に追加

軽量で襞折加工性のよい濾過材であり、さらには濾材に含まれる細い繊維により濾過精度がよく、また濾過によって生じる被濾過物のケーキ層の剥離性がよいために濾過ライフが長い、放電加工やワイヤーカット加工によって生じた金属の加工屑を処理する濾過材に好適な濾過材を提供すること。 - 特許庁

例文

An air passage 15 for blowing air with a specified pressure into the die hole 2 of a die 1 is provided to blow air having a specified pressure into the die hole 2 of the die 1 and extrudes a forging by the pressure of air blown and further, discharge outward metal chips generated in the forging work.例文帳に追加

ダイス1のダイス孔2に対して所定圧力のエアーを吹き込むエアー通路15を設け、このエアー通路15を通じてダイス1のダイス孔2に所定圧力のエアーを吹き込み、この吹き込まれたエアーの圧力により成形部品Wを押し出すとともに、鍛造時に生じる金属カスも外部へ排出させる。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a laminated wafer formation process wherein, after stacking a metal plate 6 on one face of a semiconductor wafer 12 via a solder sheet 5, these components are integrated into one by vacuum press to form a laminated wafer 7, and a dicing process of dicing the laminated wafer 7 into individual laminated chips 7a.例文帳に追加

半導体ウエハ12の一側面にはんだシート5を介して金属板6と積層させた後、減圧プレスにより一体化して積層体ウエハ7を形成する積層体ウエハ形成工程と、積層体ウエハ7をダイシングして個片の積層体チップ7aを形成するダイシング工程とを備えている。 - 特許庁

An active device chip 3, operating at a high-frequency band higher than the millimeter wave band among a plurality of active device chips 3 mounted on a circuit board 1 provided with a wiring 2, is shielded with an insulation resin layer 6 obtained by dispersing metal particles 8 having electromagnetic wave absorption effect in the operation frequency band of the active device chip 3.例文帳に追加

配線2を設けた回路基板1上に搭載した複数の能動素子チップ3の内のミリ波以上の高周波帯域で作動する能動素子チップ3を、前記能動素子チップ3の動作周波数帯域に電磁波吸収効果のある金属粒子8を分散させた絶縁樹脂層6によって封止する。 - 特許庁

To reduce the thickness size of a semiconductor device, having twice the capacity by superposing and fixing two center pad semiconductor chips on the rear surfaces on one side surface of a circuit board constituted, so that the difference in the lengths of drawing-around wirings between an external land and a finger is minimal; and connecting the fingers corresponding to respective center pads with metal wirings have high conductivity.例文帳に追加

この発明は、外部ランドとフインガ—間の引き回し配線の長さの差を最小に構成した配線基板の片面に、センターパッド半導体チップ2個を裏面同士を重ねて固定し、各々のセンターパッドと対応するフィンガーとの間の接続を導電率の高い金属線で行ない、容量が2倍で、半導体装置の厚み寸法を薄くすることである。 - 特許庁

This re-utilizing method for the play table waste comprises a crushing process for crushing the play the table waste composed mainly of metal, plastics and wood and a refining process for refining by charging the crushed chips obtained in the crushing process into a refining furnace 9 containing main components for refining as a refining auxiliary material.例文帳に追加

主に金属、プラスチックおよび木材から構成される遊技台廃棄物を破砕する破砕工程と、製錬用主原料を含有する製錬炉に、破砕工程で得られた破砕片を製錬用副原料として装入し製錬を行う製錬工程と、から構成される遊技台廃棄物の再利用方法が提供される。 - 特許庁

A protective layer forming device 18 includes: a protectant block 13 that is formed by compression molding and contains a fatty acid metal salt; a core material that chips protectant off of the protectant block 13 to supply the protectant to the surface of an image carrier 11; and a roller-shaped protectant supply member 14 that has a foam layer formed around the outer periphery of the core material.例文帳に追加

圧縮成型により形成され、脂肪酸金属塩を含有する保護剤ブロック13と、該保護剤ブロック13から保護剤を削り取り該保護剤を像担持体11表面に供給する、芯材と、該芯材の外周に形成された発泡体層とを有するローラ状の保護剤供給部材14とを有する保護層形成装置18。 - 特許庁

The method for recovering high-purity tantalum comprises steps of: dissolving tantalum scrap, such as tantalum chips, by means of hydrofluoric acid or mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid and removing an undissolved residue; adding a potassium-containing salt to precipitate a tantalum fluoride potassium crystal; and further subjecting this tantalum fluoride potassium crystal to sodium reduction to obtain metal tantalum powder.例文帳に追加

タンタル切粉等のタンタルスクラップをフッ化水素酸又はフッ化水素酸と硝酸との混酸で溶解し、未溶解残渣を除去した後、カリウム含有塩を添加しフッ化タンタルカリウム結晶を析出させ、さらにこのフッ化タンタルカリウム結晶をナトリウム還元して金属タンタル粉を得ることを特徴とする高純度タンタルの回収方法。 - 特許庁

In a method for blending and melting two or more kinds of metallic materials to obtain a desirable molten metal, the chips after being subjected to a heating and drying treatment, are contained as at least one kind of metallic material in two or more kinds of metallic materials, and melted while roughly keeping the temperature during the heating and drying treatment.例文帳に追加

2種以上の金属材料を溶解して所望の溶湯を得る配合溶解方法であり、2種以上の金属材料に、少なくとも1種の金属材料として加熱乾燥処理が施された切り粉が含まれ、その切り粉が、加熱乾燥処理時の温度を、概ね維持して溶解されることを特徴とする配合溶解方法の提供による。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition having a siloxane structure that is useful for manufacturing electric/electronic materials such as semiconductor devices and multilayer wiring boards, in particular, suitable as a buffer coating material of LSI chips and that is excellent in thick film property, low shrinkage and low stress and improved in adhesion strength with underlay metal wiring and in elongation, and to provide a film obtained by hardening the photosensitive resin.例文帳に追加

半導体デバイス、多層配線基板などの電気・電子材料の製造用として有用な、特にLSIチップのバッファコート材料として好適な厚膜、低収縮、低応力に優れると同時に、下地金属配線との密着力の改善及び伸度の改善されたシロキサン構造を有する感光性樹脂組成物、及び該感光性樹脂を硬化して得られた膜を得ることを目的とする。 - 特許庁

To obtain a long service life (wear resistance) and stable high cutting property of a grinding wheel used for precise cutting such as honing and superfinishing and polishing, and to provide a metal bonded grinding wheel having the long service life and stable high cutting property by discharging fine cut chips without generating clogging, even if using water-soluble oil excellent in cooling property, in particular.例文帳に追加

ホーニングや超仕上げ加工などの精密な切削・研磨加工に用いられる砥石の長寿命性(耐磨耗性)と安定した高切削性を得ることであり、特に冷却性に優れた水溶性油を使用しても目詰まりを起こさずに微細な切り屑を排出できることにより、長寿命性と安定した高切削性が得られるメタルボンド砥石とすることである。 - 特許庁

To provide an anti-slip material using elastomer chips as a material to provide desired unevenness to the surface of a handrail, having excellent draining power with respect to wetting, becoming a molded article having definite gaps so as to suppress the heat conductivity through the metal material of the handrail, effective as an anti-slip material having necessary gripping properties and easy to process.例文帳に追加

エラストマーチップを材料として、手すりの表面に所望の凹凸が設けられ、水濡れに対する優れた排水力を有し、かつ手すりの金属製材料を通しての熱伝導が抑えられるように一定の空隙を有する成形物になり、必要なグリップ性を備えた滑り防止材として有効でその加工も容易である滑り防止材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for preparing alkali cellulose comprises a contact step of bringing a pulp sheet having a pore volume of 1.0 ml/g or greater, or chips into which the pulp sheet has been converted, into contact with an alkali metal hydroxide solution to obtain an alkali cellulose reaction mixture, and a drain step of draining the alkali cellulose reaction mixture.例文帳に追加

細孔体積が1.0ml/g以上のシート状パルプをシート状のまま又はチップ状とし、アルカリ金属水酸化物溶液と接触させてアルカリセルロース反応混合物を得る接触工程と、上記アルカリセルロース反応混合物を脱液する脱液工程とを含んでなるアルカリセルロースの製造方法を提供する。 - 特許庁

While slurry is supplied to the conductor which is electrically connected through the pn junction, CMP is carried out (S101, 102), slurry and metal chips are removed (S103), an electrolyte is supplied (S104), and while the electrolyte sticks on the surface of a wafer, the wafer is detached from a wafer carrier (S105).例文帳に追加

pn接合を介して電気的に接続する導電体に対してスラリーを供給しつつCMP処理を行う(S101,102)、スラリー及び研磨屑を除去する(S103)、電解水を供給する(S104)、ウェハの表面に電解水が付着した状態で、ウェハをウェハキャリアから取り外す(S105)。 - 特許庁

When sealing a plurality of semiconductor chips mounted on an upper surface of a matrix substrate 1B with a resin 14, the resin 14 is divided into a plurality of blocks by using a metal mold including a plurality of cavities, whereby a warp of the matrix substrate 1B due to shrinkage or the like of the resin 14 after a mold process is suppressed.例文帳に追加

マトリクス基板1Bの上面に搭載した複数の半導体チップを樹脂14で封止する際、複数のキャビティを備えた金型を使用して樹脂14を複数のブロックに分割することにより、モールド工程後の樹脂14の収縮などによるマトリクス基板1Bの反りを抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device for electric power including a plurality of semiconductor devices 1781 is characterized in that a plurality of semiconductor chips 1781 are joined to one surface of a conductor 20 and the other surface of the conductor 20 is bonded to a radiating metal plate 30 which is equal in the coefficient of linear expansion to the conductor with an insulating resin sheet 29 having lower stiffness than the conductor.例文帳に追加

複数の電力用半導体素子1781を有する電力用半導体装置において、複数の半導体チップ1781を導体20の一方の面に接合し、前記導体20の他方の面が、前記導体に対し剛性の低い絶縁樹脂シート29で、前記導体と線膨張係数が同一の放熱用金属板30に接着されていることを特徴とする。 - 特許庁

Further, a small-chip-size power transistor used where power transistor chips with uniform characteristics are connected in parallel, characteristics per pair are equal to conventional characteristics, and at the same time current capacity is small, thus reducing the chip size and the thermal expansion dimensions in heating, thus extending the life of die-bonding solder due to metal fatigue.例文帳に追加

さらに、特性の揃ったパワートランジスタチップを並列接続して1対あたりの特性は従来の特性を維持しながら電流能力の小さい小チップサイズのパワートランジスタを使用することで、チップサイズを小さくでき、発熱時の熱膨張寸法を小さくできるため、金属疲労によるダイボン半田の延命が図れる。 - 特許庁

例文

A plurality of semiconductor chips comprising a semiconductor substrate on which at least one semiconductor element is formed, element electrodes formed on the semiconductor substrate and connected electrically with the semiconductor elements, and metal bumps 19 connected electrically with the element electrodes are formed on a semiconductor wafer 10, and the pitch of the metal bumps 19 is equalized in the X direction and the Y direction over the entire surface of the semiconductor wafer 10.例文帳に追加

少なくとも1つの半導体素子が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成されかつ半導体素子と電気的に接続された素子電極と、素子電極と電気的に接続された金属バンプ19とを備えた半導体チップが複数形成された半導体ウェハ10において、金属バンプ19のピッチを、半導体ウェハ10の全面にわたって、X方向およびY方向に等ピッチとなるように設定する。 - 特許庁

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