「order-n method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To realize a demodulation circuit and a demodulation method for controlling the amplification degree of an AGC in order that the optimum C/N value near the best C/N value can be always secured in the whole AGC voltage region.例文帳に追加

ＡＧＣ電圧全域において最良のＣ／Ｎ値付近の最適なＣ／Ｎ値を常に確保するようにＡＧＣの増幅度の制御を行う復調回路及び復調方法を実現すること。 - 特許庁

In a sorting method of the present invention, top (m) pieces of data of the all-order set consisting of (n) pieces of data are rearranged in the decending or ascending order (first sorting step S1).例文帳に追加

本発明のソーティング方法では、ｎ個のデータから構成された全順序集合の上位からｍ個のデータに対して、降順又は昇順の並べ替えを行う（第１のソーティングステップＳ１）。 - 特許庁

This manufacturing method is for manufacturing a semiconductor device into a structure, wherein trench element isolation regions 2, n-type well regions 3 and p-type well regions 4 are formed in the order in the upper part of an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上部にトレンチ素子分離領域２、ｎ型ウェル領域３およびｐ型ウェル領域４を順次形成する。 - 特許庁

Thereafter, by an MOCVD method, on the buffer layers 5, an N-type clad layer 6, an MQW active layer 7 and a P-type clad layer 8 are formed, in this order.例文帳に追加

その後、ＭＯＣＶＤ法により、バッファ層５上に、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８がこの順に形成される。 - 特許庁

This method for displaying the image repeats n-times of displaying of the sub-field array of sub-frames obtained by dividing one frame by (n) (n is an integer), and a sub-field for displaying a low-order bit is added to at least one of the sub-frames.例文帳に追加

この目的を達成するため本発明の画像表示方法は、1フレームを１／ｎ（ｎは整数）したサブフレームのサブフィールド配列がｎ回繰り返して表示されるとともに、そのうちの少なくとも１つのサブフレームに下位ビットを表示するサブフィールドが付加された構成のサブフィールド配列である。 - 特許庁

The method divides an amino acid residue sequence of a protein to be predicted into fragments of a length n (n=5-9), computes a standard deviation of an energy value based on multidimensional mean force field potential in different three-dimensional structures of the sequence fragment of each fragment, and predicts that three-dimensional structure folding proceeds in descending order of the standard deviation value.例文帳に追加

構造予測対象タンパク質のアミノ酸残基配列を、ながさn（n=５〜９）の断片に分け、各断片の配列断片がさまざまな立体構造をとった場合の多次元平均力場ポテンシャルに基づくエネルギー値の標準偏差を求め、この標準偏差の値が大きい順に立体構造の折り畳みが進行すると予測する。 - 特許庁

A silicon carbide semiconductor is formed, wherein an n^- drift region 2, a p-base region 3 and an n^+ source region 4 are laminated in this order by an epitaxial growth method on a semiconductor substrate 1 containing a plane orientation of a front surface as a (000-1) plane.例文帳に追加

おもて面の面方位を（０００−１）面とする半導体基板１上に、エピタキシャル成長法によってｎ^-ドリフト領域２、ｐベース領域３およびｎ^+ソース領域４をこの順に積層した炭化珪素半導体を形成する。 - 特許庁

To provide a method efficiently recovering N-methyl-2-pyrrolidone by general facilities and enabling miniaturization and cost reduction of distillation facilities of after-process in order to industrially recover N-methyl-2-pyrrolidone from slurry in polyarylene sulfide production.例文帳に追加

ポリアリーレンスルフィド製造におけるスラリーからＮ−メチル−２−ピロリドンを工業的に回収する上で、一般的な設備で効率良く回収し、抽出設備、また後工程の蒸留設備の小型化とコスト低減を可能化する方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, a deposition process S2 for depositing the silicon thin film, including a crystal structure on the substrate, is performed by a plasma CVD method using higher-order silane-based gas expressed by Si_nH_2n+2 (n=2, 3...) and hydrogen gas for deposition gas.例文帳に追加

Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスと水素ガスとを成膜ガスに用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する成膜工程Ｓ２を行う。 - 特許庁

The method for stabilizing an antibody comprises adding a tripeptide (β-Ala-Orn-Orn) having a peptide bond in the order of β-alanine, ornithine and ornithine from an N terminal to the medium of an antibody or a composition containing an antibody.例文帳に追加

Ｎ末端からβ-アラニン、オルニチン、オルニチンの順でペプチド結合したトリペプチド（β-Ａｌａ−Ｏｒｎ−Ｏｒｎ）を、抗体もしくは抗体を含む組成物の媒体に含有させることで、安定となる。 - 特許庁

To provide a method of estimating rolling characteristics of a material for civil engineering works, i.e. for estimating an N-ρ_d line representing the relationship between a rolling frequency N and dry density ρ_d in order to reasonably reset a necessary rolling frequency in a simple manner even if the quality of a banking material is changed during the execution of the work.例文帳に追加

施工中に盛土材の品質が変化しても、簡易な方法で必要転圧回数を合理的に再設定できるよう、転圧回数Ｎと乾燥密度ρ_ｄとの関係を示すＮ−ρ_ｄ線を推定できる、施工用材料の転圧特性の推定方法を提供すること。 - 特許庁

A clustering method is the method for displaying an N-dimensional to two- or three-dimensional mapping of items to be clustered, where N is greater than three, the mapping having mapping parameters for the N-dimensions, and automatically adjusting at least some mapping parameters in order to improve a measure of distinctness of one or more groups of items in the two- or three-dimensional mapping.例文帳に追加

本発明のクラスタリング方法は、クラスタ化されることになっているアイテムのＮ次元から２次元または３次元への写像を表示し、Ｎは３より大きく、写像は、Ｎ次元に関する写像変数を有し、２次元写像または３次元写像におけるアイテムの１つまたは複数のグループの明確さの尺度を改善するために、少なくともいくつかの写像変数を自動的に調整する、ことを含む。 - 特許庁

To provide a method of removing the image aberration of the axis of an electron optical system, in which the image aberration of a first, second, third, and n-th dimensional order axis are removed, and a method of removing the image aberration of the electron optical system provided with a hexapole field.例文帳に追加

電子光学系の軸上の像の収差を除去する方法であって、１次、２次、３次およびｎ次の軸上の像収差を除去する、および六極子フィールドを備えた電子光学系の像収差の除去をすることを課題とする。 - 特許庁

In a nucleation process as a previous process, a nucleation process S1 for generating a crystalline nucleus on the substrate is performed by a reactant thermal CVD method or the plasma CVD method using higher-order silane-based gas represented by Si_nH_2n+2 (n=2, 3...) and germanium halide gas for deposition gas.例文帳に追加

また前工程として、前記核生成工程では、Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスとハロゲン化ゲルマニウムガスとを成膜ガスに用いた反応性熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって基板上に結晶核を生成するための核生成工程Ｓ１を行う。 - 特許庁

This method is characterized by the respect that in order to reduce the deformation of a part 1, the surface 5 to which the shot-peening is to be applied, is rotated at least N=5 turns in front of an opening part 13 of an enclosure 10 of shot-peening during the shot-peening.例文帳に追加

このような方法は、ショットピーニングされる表面５が、部品１の変形を小さくするために、ショットピーニング中にショットピーニングのエンクロージャ１０の開口部１３の前で少なくともＮ＝５回転するという点が特徴である。 - 特許庁

To provide a probe dissolving solution and immobilization method of nucleic acid probe capable of uniformly performing the immobilization of a nucleic acid probe in order to realize a precise analysis with high S/N ratio by forming an uniform spot in the immobilization of the nucleic acid probe.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比が高く精度の良い解析を実現するために、核酸プローブの基板への固定に際し、均一なスポットを形成し、核酸プローブの固定化を均一に行い得るプローブ溶解液および核酸プローブ固定化方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a hierarchical structure preparation method capable of efficiently preparing/displaying the entire hierarchical structure in an order from a highest level based on a master/slave relation table among respective stations in a communication system constituted of one master station B and N slave stations.例文帳に追加

１つの親局Ｂ、Ｎ個の子局で構成される通信システムにおいて、各局間の親子関係テーブルをもとに全体の階層構造を最上位レベルから順に効率よく作成・表示できる階層構造作成方法を提供する。 - 特許庁

A multidimensional correlation determination means 120 uses a Lagrange relaxation method to solve an (N+1)-order allocation problem as a repetition of two-dimensional allocation problems from the track candidate matrix and cost arrays, thus extracting an optimum track combination.例文帳に追加

多次元相関決定手段１２０は、航跡候補行列とコスト配列とからＬａｇｒａｎｇｅ緩和法を用いて、Ｎ＋１次元割当問題を２次元割当問題の繰り返しとして解くことにより、最適航跡組み合わせを抽出する。 - 特許庁

The channel configuration method includes a step where time frames sectioned at an interval of a prescribed time are provided to a communication channel having n-sets of subcarriers and a step where a prescribed number of the subcarriers is selected from n-sets of the subcarriers and the common control channel signal and the common pilot signal are periodically inserted to each time frame of the selected subcarriers in order to solve the tasks above.例文帳に追加

ｎ個のサブキャリアの通信チャネルに所定時間毎に区切られた時間フレームを設ける段階と、ｎ個のサブキャリアから所定数個のサブキャリアを選択し、選択されたサブキャリアの時間フレーム毎に共通制御チャネル信号及び共通パイロット信号を周期的に挿入する段階とを有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

Disclosed are the nitride semiconductor light-emitting element including a reflective layer 105 made of a dielectric, a transparent conductive layer 106, a p-type nitride semiconductor layer 109, a light-emitting layer 110, and an n-type nitride semiconductor layer 111 in this order; and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

誘電体からなる反射層１０５、透明導電層１０６、ｐ型窒化物半導体層１０９、発光層１１０およびｎ型窒化物半導体層１１１をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a high dielectric constant film 106, and a fist cap film 107 and a hard mask 108, made of aluminum are formed in order on a semiconductor substrate 101 having a p-type semiconductor region 10A and an n-type semiconductor region 10B.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ｐ型半導体領域１０Ａ及びｎ型半導体領域１０Ｂを有する半導体基板１０１の上に、高誘電率膜１０６、アルミニウムからなる第１のキャップ膜１０７及びハードマスク１０８を順次形成する。 - 特許庁

To provide a method for dehydrohalogenation in order to prepare a fluoropropene represented by formula: CF_3CY=CX_NH_P {wherein, X and Y are each independently hydrogen or halogen selected from the group consisting of fluorine, chlorine, bromine and iodine; and N and P are each independently an integer equal to 0, 1 or 2, provided that (N+P)=2} from the corresponding halopropane.例文帳に追加

式：ＣＦ_３ＣＹ＝ＣＸ_ＮＨ_Ｐ（式中、Ｘ及びＹは、独立に、水素であるか、又はフッ素、塩素、臭素及びヨウ素から成る群より選択されるハロゲンであり；そしてＮ及びＰは、独立に、（Ｎ＋Ｐ）＝２という条件下で０，１又は２に等しい整数である）で表されるフルオロプロペンを、対応するハロプロパンから調製するための脱ハロゲン化水素法を提供する。 - 特許庁

There are disclosed a nitride semiconductor light-emitting element including a substrate for growth of a sapphire substrate on which unevenness processing is performed, an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type nitride semiconductor layer, a transparent conductive layer and a reflection layer of a dielectric in this order, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

表面に凹凸加工が施されたサファイア基板からなる成長用基板、ｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層、透明導電層および誘電体からなる反射層をこの順で含む窒化物半導体発光素子およびその製造方法である。 - 特許庁

A stripe pattern A_k having a sine wave shape indispensable for three-dimensional shape measurement utilizing a phase shift method, and a space code pattern C_k for deciding a fringe order n of the stripe pattern A_k by coding a space are projected onto the measuring object simultaneously as a projection pattern P_k and imaged.例文帳に追加

位相シフト法を利用した３次元形状計測において必須となる正弦波状の縞パターンＡ_kと、空間をコード化して縞パターンＡ_kの縞次数ｎを確定するための空間コードパターンＣ_kとを投影パターンＰ_kとして被計測物に同時に投影して撮像する。 - 特許庁

To provide a method and device for digital contents copyright management which automatically generate copyright and circulate it to generate a copyright and its royalty on primary, secondary, ..., and n-order changes and a storage medium storing a digital contents copyright management program.例文帳に追加

コピーライトを自動生成して、流通させることにより、デジタルコンテンツの１次、２次、…、ｎ次の改変に対して、著作権やそのロイヤリティを発生させることが可能なデジタルコンテンツコピーライト管理方法及び装置及びデジタルコンテンツコピーライト管理プログラムを格納した記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The cosmetic treating method includes the application of the cosmetic composition in order to improve a sun-protecting factor in the composition, and at least one N- acylamino acid ester is used in an antisun composition containing 1,3,5-triazine derivative.例文帳に追加

本発明は、本組成物の太陽保護因子を改良するために、化粧組成物を適用することを含む化粧処置方法に関し、かつ１，３，５−トリアジン誘導体を含む日焼け止め組成物において、少なくとも一つのＮ−アシルアミノ酸エステルを使用することにも関する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic measurement method and an apparatus therefor, for carrying out such a high S/N ratio measurement that noise caused by bottom echo is reduced in order to lessen a variation depending on a flaw detection direction, for a short time without mechanically scanning omnidirectionally, in an omnidirectional flaw detection through 360° by using a matrix array sensor.例文帳に追加

マトリクスアレイセンサによる３６０度の全方位欠陥検出において、全方位において機械走査することなく、底面エコーが原因となるノイズを軽減した、探傷方向に依存するムラが少ない高ＳＮ比の測定を短時間で実施することができる超音波測定方法及び装置を提供することにある。 - 特許庁

In the manufacturing method of connector terminals, 2N pieces (provided N=1, 2, 3, ...) of rod-shape terminals (21-26) having different total lengths in the order are formed by press punching from a sheet of belt-shape sheet metal W.例文帳に追加

全長が順番に異なる２Ｎ（但し、Ｎ＝１、２、３、・・・）本の棒状の端子（２１〜２６）を、１枚の帯状の板金Ｗからプレス打ち抜きにより成形する際に、板金上にその両側縁に沿って第１キャリア１１と第２キャリア１２を配置し、それらの間を架橋する複数の棒体Ａ１〜Ａ３を、その長さ方向が板金の長手方向Ｘに直交するように配列する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor storage device includes steps of: forming a silicon diode by sequentially depositing p-type silicon and n-type silicon in order; forming pillars by selectively removing the silicon diode; arranging a solution including perhydrosilazane polymer at peripheries of the pillars; and forming a silicon oxide film by heating the solution.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法において、ｐ形シリコン及びｎ形シリコンを順次堆積させることにより、シリコンダイオードを形成する工程と、前記シリコンダイオードを選択的に除去してピラーを形成する工程と、前記ピラーの周囲に過水素化シラザン重合体を含む溶液を配置する工程と、前記溶液を加熱することにより、シリコン酸化膜を形成する工程と、を実施する。 - 特許庁

This method generates copyright condition data, which consists of additional data and charging data which prescribes the royalty generated for change, and copyright history data specifying primary, secondary, ..., and n-order copyrights (S1) and generates a change license user condition statement, where copyright condition data and copyright history data are incorporated, for changed digital contents (S2) and circulates this statement.例文帳に追加

本発明は、付加データと改変する際に発生するロイヤリティを規定した課金データとからなる著作権条件データと、１次、２次、…、ｎ次著作権が明記された著作権履歴データとを生成し、改変デジタルコンテンツに対して、前記著作権条件データと前記著作権履歴データを組み込んだ前記改変ライセンス使用条件書を生成して流通させる。 - 特許庁