「p process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A recording head 31 of a recording section 12 is driven in parallel with the resetting process without waiting for completion of the resetting process, and a printing in an amount of one scanning is made on the sheet of paper P.例文帳に追加

そのリセット処理の終了を待つことなく、リセット処理と並行して、記録部１２の記録ヘッド３１が駆動され、用紙Ｐに１走査分の印字が行われる。 - 特許庁

In the second process, the correction value A is determined so that a size WP in the direction P approaches a target value W0 in the spot region S specified in the first process.例文帳に追加

第２過程においては、第１過程にて特定したスポット領域ＳにおいてＰ方向の寸法ＷPが目標値Ｗ0に近づくように補正値Ａを決定する。 - 特許庁

To obtain a trench MOSFET where the depth of a P-body is changed on the same substrate as a CMOS by using a process of good controllability without increasing the process excessively.例文帳に追加

多大な工程増にならず、かつ、制御性の良い工程をもちいて、Ｐ−ボディの深さを変えたトレンチＭＯＳＦＥＴをＣＭＯＳと同一基板上に実現する。 - 特許庁

In the baking process, by baking the acid-treated mixture M1(P), the chemical thermal storage medium composite 1 is obtained.例文帳に追加

焼成工程においては、酸処理混合物Ｍ１（Ｐ）を焼成することにより化学蓄熱材複合物１を得る。 - 特許庁

To solve such a problem that a threshold increases when a p channel FET which uses a high dielectric constant gate dielectric film is formed by a gate first process.例文帳に追加

高誘電率ゲート誘電膜を用いるｐチャネルFETをゲート先作りプロセスにより形成すると閾値が大きくなる。 - 特許庁

A MIS region is formed to part of a p-Si layer 2, and a MOSFET is formed by applying an ordinary silicon process to the MIS region.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ層２の一部をＭＩＳ領域とし、そこに通常のシリコンプロセスによりＭＯＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁

In this process, a region inside the outer edge of the conducting electrode 2 is caused to contact with the p-n junction 17.例文帳に追加

このとき、通電電極２を、該通電電極２の外縁よりも内部で、ｐ−ｎ接合部１７と接触させる。 - 特許庁

Further, a GaP window layer 22 is grown on a p cover layer 20 during an epitaxial process at a temperature of 840 to 860°C.例文帳に追加

ｐカバー層２０の上にはさらに、８４０〜８６０℃でのエピアキシャルプロセス中にＧａＰ窓層２２が成長される。 - 特許庁

The screen printing (P) can be applied to the metallic board after a press process without any special measure.例文帳に追加

そのため、特別の対策を講じることなくても、プレス工程後の金属板にスクリーン印刷(Ｐ)を施すことが可能となる。 - 特許庁

(1) Protruding members (bolts 11) protruded from the surface parts of vertical members (columns P) are provided in a protruding member attaching process.例文帳に追加

（１）鉛直部材（柱Ｐ）の表面部から突出する突出部材（ボルト１１）を設ける突出部材付設工程。 - 特許庁

A word line driver is provided for accessing a DRAM cell including a p-channel transistor 101 based on a conventional logic process.例文帳に追加

慣用のロジックプロセスによるｐチャネルトランジスタ１０１を含むＤＲＡＭセルにアクセスするためのワード線ドライバを提供する。 - 特許庁

SECONDARY p-PHENYLENEDIAMINE HAVING CARBOXY GROUP, DYE COMPOSITION USING THE SAME, PROCESS FOR PREPARING THE SAME AND USE THEREOF例文帳に追加

カルボキシル基を含有する第二ｐ−フェニレンジアミン類、これらを用いた染料組成物、その製造方法および使用 - 特許庁

The positioning process S1 determines a position P for disposing the common mode choke coil 1 on a substrate 100.例文帳に追加

位置決定過程Ｓ１は、コモンモードチョークコイル１を基板１００に配置する位置Ｐを決定するための過程である。 - 特許庁

The terminal control section 100 then periodically executes a peripheral base station measuring process P, controls the 1x receiving signal processing section 120a, and searches for a peripheral base station corresponding to the 1x system.例文帳に追加

そして、端末制御部１００は、定期的に周辺基地局測定プロセスPを実行し、1x受信信号処理部１２０ａを制御して、1x方式に対応する周辺基地局を探索する。 - 特許庁

In the identifying process, the bill P to be identified placed on the bill placing surface 2 is directly seen to relieve the customer who has presented the bill P to be identified.例文帳に追加

さらに、識別動作中においても紙幣載置面２に載せた識別対象の紙幣Ｐを直接に目視できるので、識別対象の紙幣Ｐを差し出した顧客の安心感も得られる。 - 特許庁

Subsequently, the P-type organic semiconductor layer 7 is formed on the whole surface and the resist 20 is dissolved in an alkaline developer solution and then the P-type organic semiconductor layer is patterned by means of lift off process.例文帳に追加

次いで、Ｐ型有機半導体層７が全面に形成された後、アルカリ現像液によってレジスト２０が溶解させられ、Ｐ型有機半導体層７がリフトオフによりパターン化される。 - 特許庁

ORTHO- AND/OR META-SUBSTITUTED N-ALKYLHYDROXYLATED SECONDARY P-PHENYLENEDIAMINE, COMPOSITION FOR DYEING KERATIN FIBER CONTAINING p-PHENYLENEDIAMINE, PROCESS FOR USING THE COMPOSITION AND USE THEREOF例文帳に追加

オルト−及び／又はメタ−置換Ｎ−アルキルヒドロキシル化第二パラ−フェニレンジアミン、前記パラ−フェニレンジアミンを含むケラチン繊維染色用組成物、前記組成物の使用方法及びそれらの使用 - 特許庁

An anion exchange membrane 5 may be used as a diaphragm P, and chloride ions contained in the wastewater in the cathode side treatment process may be moved to the anode side 3 and reduced.例文帳に追加

前記隔膜Pとしてアニオン交換膜５を用い、陰極側処理工程で排水中に含有される塩化物イオンを陽極側３へと移動させて低減するようにしてもよい。 - 特許庁

Consequently, a phenomenon in a reaction process developing soot from fuel such as "delay of soot generation" can be accurately simulated by using a reaction model defining reaction process generating soot from fuel as two steps of reaction process generating the precursor P from the fuel and reaction process generating the soot from the precursor P.例文帳に追加

このように、燃料からＳｏｏｔが発生する反応過程を、燃料から前駆物質Ｐが発生する反応過程と、前駆物質ＰからＳｏｏｔが発生する反応過程の２段階とする反応モデルを用いることで、燃料からＳｏｏｔが発生する反応過程における「Ｓｏｏｔ発生の遅れ」等の現象を精度良く模擬できる。 - 特許庁

The solar cell is formed by combining two or more processes of a process for roughening the surface of silicon having p-type conductivity and n-type conductivity, a process for forming openings having polygon shapes, and a process for forming a porous layer.例文帳に追加

ｐ型及びｎ型を有するシリコンの表面を粗化する工程と、多角形を有する孔を作成する工程と多孔質層を形成する工程とを２工程以上を組み合わせて作成された太陽電池。 - 特許庁

In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板１１の上部にＰ型チャネル拡散層１２を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a substrate for MOSFET comprises: a substrate preparation process for preparing substrates; and a p-type well formation process for forming a p-type well made of a semiconductor containing Mg, namely a p-type-conductivity impurity, and a transition metal Ti on the substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ用基板の製造方法は、基板が準備される基板準備工程と、当該基板上に、導電型がｐ型である不純物としてのＭｇを含むとともに、遷移金属としてのＴｉを含有する半導体からなるｐ型ウェルが形成されるｐ型ウェル形成工程とを備えている。 - 特許庁

A first region 3A near a process chamber P is a flange part 1f made of raw material excellent in vacuum characteristic and accordingly a vacuum condition of the process chamber P can be effectively maintained since the first region 3A prevents passing of outgas.例文帳に追加

プロセス室Ｐに近接する第１の領域３Ａを真空特性に優れた素材から形成したフランジ部１ｆとしているので、かかる第１の領域３Ａがアウトガスの通過を阻止するためプロセス室Ｐの真空状態を効果的に維持できる。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus allowing a user to replace a process cartridge P without any trouble by keeping LED head array type exposure equipment away from a photosensitive drum in an image forming apparatus main body when attaching/detaching the process cartridge P.例文帳に追加

プロセスカートリッジＰを着脱する際、ＬＥＤヘッドアレイ方式の露光装置を、画像形成装置本体内部において、感光ドラムから遠ざけることで、プロセスカートリッジを支障なく交換することができる画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

A heavily doped p-type compound semiconductor thin film is grown epitaxially by a mixing process for controlling complex reaction of an organic metal material in epitaxial growth of a compound semiconductor thin film multilayer wafer including PN heterojunction, and a heating process.例文帳に追加

PNヘテロ接合を含む化合物半導体薄膜積層ウエハの結晶成長における有機金属材料の鎖体反応を制御する混合工程と、加熱工程により高濃度のpタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる。 - 特許庁

Since the heat insulation material feeding process S9 and the gas force feed process S11 are alternately repeatedly performed until the pearlite P is filled in the heat insulation space S, not only the pearlite P of an upper layer of the heat insulation space S but also the pearlite P of a lower layer of the heat insulation space S can be sufficiently compacted, and the pearlite P can be efficiently filled in the heat insulation space S.例文帳に追加

また、断熱空間ＳにパーライトＰが充填されるまでの間に、断熱材給送工程Ｓ９と気体圧送工程Ｓ１１とを交互に繰り返して行うので、断熱空間Ｓの上層のパーライトＰのみでなく、断熱空間Ｓの下層のパーライトＰまでも十分に圧密することができ、断熱空間ＳにパーライトＰを効率良く充填することができる。 - 特許庁

The forming method of p-type group III nitride semiconductor regions has a process for forming group III nitride semiconductor regions 45, 47 having p-type dopants added thereto, and has a process for so projecting a neutron beam 53 on the group III nitride semiconductor regions 45, 47 having p-type dopants added thereto as to desorb hydrogen 55 and as to form activated p-type dopants 57.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法は、ｐ型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域４５、４７を形成する工程と、ｐ型ドーパントが添加されたIII族窒化物半導体領域４５、４７に中性子線５３を照射して水素５５を脱離させ、活性化されたｐ型ドーパント５７を形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A solder alloy containing 60 to 100 mass ppm P is fed to an Sn-Ag based or Sn-Ag-Cu based solder alloy for replenishing a solder bath against the reduction of a P content in the solder bath occurring in the process of the working of a jet, and the P content is retained.例文帳に追加

噴流稼働中に見られるはんだ浴内のＰ含有量の減少に対して、はんだ浴補充用にSn−Ag系またはSn−Ag−Cu系はんだ合金にＰ60〜100 質量ppm含有するはんだ合金を供給してＰ含有量の維持を図る。 - 特許庁

When a roll paper feed button 3 is pressed (Yes in step S1), a paper feed process is carried out and the roll paper P is supplied (step S2).例文帳に追加

ロール紙給紙ボタン３が押されていれば（ステップＳ１でＹｅｓ）、給紙処理を実行しロール紙Ｐを給紙する（ステップＳ２）。 - 特許庁

In this process, the intermediate medium P recovering cold temperature of the LNG is liquefied to cool the freezing medium R to a predetermined temperature.例文帳に追加

このとき、ＬＮＧの冷熱を回収した中間媒体Ｐは液化して冷凍冷媒Ｒを所定温度まで冷却する。 - 特許庁

This enables the pocket regions 15, 8 and the LDD regions 17, 11 of the n-type FET and the p-type FET to be formed in a single process.例文帳に追加

このためｎ型、ｐ型ＦＥＴのポケット領域１５、８及びＬＤＤ１７、１１を１回の工程で形成できる。 - 特許庁

In a first transfer process, a toner carried on an image carrier 30a is transferred onto transfer paper P at a transfer part 47a.例文帳に追加

１回目の転写工程では、像担持体３０ａに担持されたトナーが転写部４７ａにおいて転写紙Ｐに転写される。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device having a structure which does not require process of p-type semiconductor for confinement of current.例文帳に追加

電流の閉じ込めのためにｐ型半導体の加工を必要としない構造を有する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The film pattern forming method is a process of forming a film pattern through locating the functional liquid on a gate insulating film 28 (functional film) provided on a substrate P.例文帳に追加

基板Ｐに設けられたゲート絶縁膜２８（機能膜）上に機能液を配置して膜パターンを形成する方法である。 - 特許庁

The selected nozzle moving mechanism 51 moves the selected nozzle 21s which is selected arbitrarily out of the plurality of nozzles 21 to a process position P.例文帳に追加

選択ノズル移動機構５１は、複数のノズル２１から任意に選択される選択ノズル２１ｓを、処理位置Ｐに移動させる。 - 特許庁

To form a first P type well region at a deep part of a substrate without being affected by the high temperature treatment of epitaxial growth process.例文帳に追加

エピタキシャル成長工程の高温処理の影響を受けることなく基板深部の第１Ｐ型ウエル領域を形成する。 - 特許庁

A diffusion control layer 24 is provided to a part of an aperture 28 of a diffusing mask 26 in a process of form p-n junction with diffusion.例文帳に追加

拡散によりpn接合を形成する工程で、拡散マスク２６の開口部２８の一部に、拡散制御層２４を設ける。 - 特許庁

When parking load higher than a predetermined value is generated during stop, a fail safe process inhibiting change to the parking range P is executed.例文帳に追加

停車時に所定値以上のパーキング荷重が発生すると、パーキングレンジＰへの変更を禁止するフェールセーフ処理を実行する。 - 特許庁

To provide a simple configuration of the body 100A of an image forming apparatus employing a side orientation system and using an LED as a light source of an exposure means, the configuration ensuring the alignment accuracy between a process cartridge P and the body 100A and between the process cartridge P and an LED unit 6, and also achieving usability in inserting and removing the process cartridge.例文帳に追加

露光手段の光源としてＬＥＤが使用されるサイドオリエントの画像形成装置において、プロセスカートリッジＰと本体１００Ａ、プロセスカートリッジＰとＬＥＤユニット６の位置決め精度を保証し、かつ、プロセスカートリッジ挿抜のユーザビリティ性を両立できる簡潔な本体構成を提供する。 - 特許庁

In a side oriented configuration, an electrophotographic image forming apparatus comprises a guide means 51 between a first casing part 7 and a second casing part 9 of a process cartridge P for improving usability of process cartridge loading.例文帳に追加

サイドオリエント構成において、プロセスカートリッジ装着のユーザビリティー性向上のため、プロセスカートリッジＰの第一の筐体部７と第二の筐体部９の間にガイド手段５１を設ける。 - 特許庁

Further, within one cycle time of a forming press process, the resin formed part P parted by one cycle of the forming press process is taken out.例文帳に追加

そして、成形プレス工程Ｂの１サイクルタイム内に、分断プレス工程Ｃの１サイクル及び分断プレス工程Ｃの１サイクルにて分断された樹脂成型品Ｐの取り出しが行われるようにした。 - 特許庁

This method for manufacturing a color filter has: an application process of applying the liquefied object to a plurality of pixel parts P of a substrate W; and a drying/baking process of drying and baking the liquefied object applied to the pixel parts.例文帳に追加

基板Ｗの複数の画素部Ｐに液状体を塗布する塗布工程と、画素部に塗布した液状体を乾燥・焼成する乾燥・焼成工程とを有する。 - 特許庁

A region V where a photosensitive material P pulled up from a developing liquid passes is filled with a foamed process liquid prepared by foaming the process liquid with a non-oxidative gas.例文帳に追加

現像処理液から引き上げられた感光材料Ｐの通過領域Ｖに、処理液を非酸化性の気体によって泡状化した発泡処理液が充填された構成とした。 - 特許庁

In this manufacturing method of a light source bulb, drying of a paint P for a shading film applied to the circumferential surface 18a of a shroud tube 18 is carried out in two processes: a preliminary drying process (b) and a main drying process (c).例文帳に追加

シュラウドチューブ１８の外周面１８ａに塗布された遮光膜用の塗料Ｐの乾燥を、仮乾燥工程（ｂ）および本乾燥工程（ｃ）の２工程で行う。 - 特許庁

A peak P becomes a boundary and in the rising process of the ball, the mark is changed in a first color in an expanding direction and in the falling process of the ball, the mark is changed in a second color in a reducing direction.例文帳に追加

ピークＰを境に、ボールの上昇過程ではマークは第一色にて拡大方向に変更され、ボールの下降過程ではマークは第二色にて縮小方向に変更される。 - 特許庁