「p process」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

In the cooler 12, the pellets P are exposed to the liquefied natural gas and cooled, and the dropped pellets P are transported to a next process from a pellet recovery pipe 22 on the bottom by a pellet discharge means 23.例文帳に追加

この冷却器12内でペレットＰは液化天然ガスに曝されて冷却され、落下したペレットＰは底部のペレット回収管22からペレット排出手段23により次工程へ給送される。 - 特許庁

To obtain lower resistance of a p-type contact layer, and to obtain a current constriction structure without applying a ridge-like process to the p-type semiconductor layer in a semiconductor laser element.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層の低抵抗化を図れるようにすると共に半導体レーザ素子においてはｐ型半導体層にリッジ状の加工を施すことなく電流狭窄構造を実現できるようにする。 - 特許庁

In a process adopting the shallow trench isolation, small dummy patterns 2 are formed inside a p-well 3 and an n-well 4, and large dummy pattern patterns 1 are formed outside the p-well 3 and the n-well 4.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーションを採用するプロセスで、Ｐウェル３とＮウェル４の内側にはダミーパターン小２を形成し、Ｐウェル３とＮウェル４の外側には大きなダミーパターン大１を形成する。 - 特許庁

Therefore, the carry-out operation of the substrate can be started after the exposure process on the substrate P ends and before the substrate stage 20a is positioned at a substrate exchange position for the exchange of the substrate P.例文帳に追加

このため、基板Ｐに対する露光処理が終了した後、基板Ｐの交換のために基板ステージ２０ａを基板交換位置に位置させる前に基板Ｐの搬出動作を開始することができる。 - 特許庁

The process gas is supplied to a plasma generation region P to form a layer G formed of a gas flow locally high in pressure between the inside surface 21a of the discharge tube and the plasma generation region P.例文帳に追加

放電管の内壁２１ａとプラズマ発生領域Ｐとの間に、局所的に圧力が高いガス流からなる層Ｇが形成されるように、プラズマ発生領域Ｐにプロセスガスを供給する。 - 特許庁

Thereby, the foaming of the liquid constituent in the paint P is prevented in advance, even if the paint P is heated at a somewhat steep temperature rise rate in the successive main drying process.例文帳に追加

これにより、その後の本乾燥工程においてある程度急峻な温度上昇率で塗料Ｐを加熱しても塗料Ｐ内部の液体成分が発泡してしまうのを未然に防止する。 - 特許庁

An accelerated voltage is generated between an ion source and a sample P, and ion beam B released from the ion source are focused and irradiated on a given processing position P3 to process the surface of the sample P.例文帳に追加

イオン源と試料Ｐとの間に加速電圧を生じさせ、イオン源から放出されるイオンビームＢを集束し所定の加工位置Ｐ３に照射させて、試料Ｐの表面を加工する。 - 特許庁

In the process for fabricating a photoelectric conversion element, a p-layer constituting the photoelectric conversion element having a pin junction is formed by depositing a first p-layer 7 having a film thickness of 5 nm or less and added with impurities uniformly, and then depositing a second p-layer 8 on the first p-layer 7 by gas decomposition containing no p-type impurity.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光電変換素子を構成するｐ層を、５ｎｍ以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第１ｐ層７を成膜し、該第１ｐ層７上にｐ型不純物を含まないガス分解によって第２ｐ層８を成膜することにより形成する光電変換素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

If the roll paper P runs out in the middle of the execution of recording (Yes in step S5), a roll paper discharge process A is carried out (step S6).例文帳に追加

記録実行途中においてロール紙Ｐが無くなった時は（ステップＳ５でＹｅｓ）、ロール紙排紙処理Ａを実行する（ステップＳ６）。 - 特許庁

The die 12 is vibrated for increasing the density distribution of the mixed powder P toward the lower side in the direction of gravity by the density control process.例文帳に追加

密度制御工程により、ダイ１２に振動を付与して混合粉末Ｐの密度分布を重力方向下側ほど高める。 - 特許庁

To manufacture a transistor with a simple process and form a p-type or n-type region regardless of the kind of semiconductor.例文帳に追加

簡単な工程でトランジスタを製造すると共に、半導体の種類によらずｐ型またはｎ型領域を形成できるようにする。 - 特許庁

The p-type and n-type thermoelectric elements are respectively adhered to the contacts on the first and second heat sinks by flip-chip soldering process.例文帳に追加

ｐ型およびｎ型熱電素子は、フリップチップ・ハンダ・プロセスによって、それぞれ第１および第２の熱シンク上のコンタクトに接着される。 - 特許庁

A shot blasting process is applied to the sliding face S2 of an iron plate body P, and the fine uneven parts are formed on the sliding face S2.例文帳に追加

鉄製のプレート本体Ｐの摺動面Ｓ２にショットブラスト加工を施して、その摺動面Ｓ２に微細な凹凸を形成する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a ridge type semiconductor laser in which a p-type electrode can be formed accurately on the upper surface of a ridge structure.例文帳に追加

リッジ構造の上表面上にｐ型電極を正確に形成できるリッジ型半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the depth of ion implantation is controlled, thus creating the regions of n and p channels in the same process.例文帳に追加

このとき、イオン注入深さを制御することにより、ｎチャネル及びｐチャネルの領域を同一プロセスで作り分けることが可能である。 - 特許庁

In the first rotation process, the first coil wire bundle 50 is relatively rotated with the second coil wire bundle 60, with an engaging part P as a fulcrum.例文帳に追加

第１回転工程は、係合部Ｐを支点として第１コイル線材束５０を第２コイル線材束６０と相対回転させる。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device which includes a p-channel MOSFET having an appropriate threshold voltage, even where an advanced microfabrication process is used.例文帳に追加

微細化が進んだ場合であっても、適切なしきい値電圧を有するｐチャネルＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置を製造する。 - 特許庁

The length of time period for which the cleaning process is executed (cleaning time period) is determined based on the color of an image formed on the paper sheet P.例文帳に追加

クリーニング処理が実行される時間（クリーニング時間）の長さは、用紙Ｐに形成される画像の色に基づいて決定される。 - 特許庁

A latest P-value correction factor is calculated based upon browsing state data, including the number of times of browsing and the degree of process attention of an analysis result list picture showing analysis results associated with product IDs, specified by a user, by the process IDs, and a P-value correction factor.例文帳に追加

ユーザーにより指定された製品ＩＤに係る分析結果を工程ＩＤ毎に表す分析結果一覧画面の閲覧回数および工程注目度を含む閲覧状況データ並びにＰ値補正ファクタに基づいて最新のＰ値補正ファクタを算出する。 - 特許庁

To provide a light emitting element array which lowers the possibility of wiring failure, improves the reliability and simplifies the process by forming p-side electrode pads, p-side wirings, p-side electrodes, n-side electrode pads and n-side wirings in the same step, using the same material.例文帳に追加

配線不良の可能性を小さくし、信頼性を向上させるとともに、ｐ側電極パッド、ｐ側配線およびｐ側電極、並びに、ｎ側電極パッドおよびｎ側配線を同一材料、同一工程で形成し、工程を簡略化することができる発光素子アレイを提供する - 特許庁

An image reading device Z which includes a first scanner 1 that reads front side information of a manuscript P and a second scanner 2 that reads back side information of the manuscript P, has a recognition means for recognizing a mark inscribed on the back side of the manuscript P read by the second scanner 2 and determining a content of a process.例文帳に追加

原稿Ｐの表面情報を読み取る第一スキャナ１と、原稿Ｐの裏面情報を読み取る第二スキャナ２と、を備えた画像読取装置Ｚにおいて、第二スキャナ２で読み取られた原稿Ｐの裏面に記されたマークを認識して処理内容を決定する認識手段を設けた。 - 特許庁

To provide a p-type diffusion layer forming composition capable of forming a p-type diffusion layer without causing an internal stress in a silicon substrate and a warpage of the substrate, in a manufacturing process of a solar cell element using the silicon substrate, a method for manufacturing the p-type diffusion layer, and a method for manufacturing the solar cell element.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成するｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。 - 特許庁

The probe method consists of three processes, one in which the electrode pad P of a wafer W is subjected to a reduction process using a foaming gas, another in which the electrode pad P and a probe 144 are put in contact, and a third in which the electrode pad P and the probe 144 are put in electric continuity using fritting phenomenon.例文帳に追加

本発明のプローブ方法は、フォーミングガスを用いてウエハＷの電極パッドＰを還元処理する工程と、電極パッドＰとプローブ１４４を接触させる工程と、フリッティング現象を利用して電極パッドＰとプローブ１４４を電気的に導通させる工程とを備えている。 - 特許庁

When the polyphenylene sulfide is produced by polymerizing an alkali metal sulfide and p-dichlorobenzene in N-methyl-2-pyrolidone, the unreacted p-dichlorobenzene recovered as an unreacted substance during the production of polyphenylene sulfide is used for p-dichlorobenzene in the process for producing polyphenylene sulfide.例文帳に追加

Ｎ−メチル−２−ピロリドン中でアルカリ金属硫化物とｐ−ジクロロベンゼンとの重合反応を行いポリフェニレンスルフィドを製造する際に、ｐ−ジクロロベンゼンとしてポリフェニレンスルフィド製造時に未反応物として回収した未反応ｐ−ジクロロベンゼンを用いるポリフェニレンスルフィドの製造方法。 - 特許庁

The method is provided with a process of pasting a mask 22 on a substrate P having a wiring pattern, and a process of eliminating one part of the writing pattern via an opening 22a of the mask 22 to form a resistor element.例文帳に追加

配線パターンを有する基板Ｐに対してマスク２２を貼着する工程と、マスク２２の開口部２２ａを介して配線パターンの一部を除去して抵抗素子を形成する工程とを備える。 - 特許庁

In the deposit removal process, deposits P generated in a first growth process S1 are removed by performing mirror polishing, for example, on chamfered parts 10C of the silicon single crystal substrate 10.例文帳に追加

この堆積物除去工程では、シリコン単結晶基板１０の面取り部１０ｃを、例えば鏡面研磨することによって、第一の成長工程Ｓ１で生じた堆積物Ｐを除去する。 - 特許庁

The parts X and Y to be stretched of the hollow molded member are preliminarily made thicker than another part in the molding process of the parison P by opening the mold by the predetermined quantity in the filling process.例文帳に追加

充填工程において成形型を所定量開くことにより中空成形体が延伸される部分Ｘ，Ｙを、パリソＰの成形工程において、予め他の部分よりも厚肉化しておく。 - 特許庁

To eliminate a mask for doping from a manufacturing process, without complicating the manufacturing process in a manufacturing method of a semiconductor device having a P-channel transistor and a N-channel transistor on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上にＰチャネル型トランジスタ及びＮチャネル型トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、作製工程を複雑にせずに、ドーピング用マスクを作製工程からなくす。 - 特許庁

The method includes an application process of applying the droplets of the prescribed color to each of the plurality of pixel parts, and a removal process of removing the upper part Pa of a partition wall P sectioning the pixel parts adjacent to each other in a prescribed direction.例文帳に追加

複数の画素部のそれぞれに所定色の液滴を塗布する塗布工程と、所定方向で隣り合う画素部を区画する隔壁Ｐの上部Ｐａを除去する除去工程とを有する。 - 特許庁

The parts X and Y of the hollow molding to be extended by opening the mold by the prescribed amount in the filling process, is preliminarily reinforced in the parison P molding process, to be stronger than other parts.例文帳に追加

充填工程において成形型を所定量開くことにより中空成形体が延伸される部分Ｘ，Ｙを、パリソＰの成形工程において、予め他の部分よりも強化しておく。 - 特許庁

The method for preventing dirt is to simultaneously use (A) a piperidine-1-oxyl compound and (B) 2, 6-di-tert-butyl-4-methylphenol and/or p-tert-butyl catechol in the presence of oxygen in the production process, the purification process, the recovery process, the storing process or the transport process for producing the diene compound and derivatives of the same.例文帳に追加

ジエン化合物及びその誘導体の製造工程、精製工程、回収工程、貯蔵工程あるいは輸送工程において、酸素存在下、特定の（Ａ）ピペリジン−１−オキシル化合物と（Ｂ）２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールおよび／又はｐ−ｔｅｒｔ−ブチルカテコールを同時に用いることを特徴とする汚れ防止方法。 - 特許庁

In the substrate processing method comprising a process wherein the liquid immersion region AR2 of a liquid LQ is formed on a substrate P and exposure light EL is used to irradiate the substrate P through the liquid LQ on the liquid immersion region AR2 to expose the substrate P, a contact time period wherein the substrate P contacts with the liquid LQ of the liquid immersion region AR2 is controlled.例文帳に追加

液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を基板Ｐ上に形成し、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱを介して基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射して基板Ｐを露光する工程を含む基板処理方法において、基板Ｐが液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱと接触している接液時間を管理する。 - 特許庁

Then, nano-columns 6 uniform in height are formed through a rotation polishing process using a silicon CMP technique (Figure 1 (b)), a p-type GaN substrate 7 is laminated on the p-type GaN nano-columns 5 and pasted together by heating/pressing (Figure 1 (c)).例文帳に追加

次に、シリコンＣＭＰ技術を用いて回転研磨を行い、均一な高さのナノコラム６を形成し（図１（ｂ））、ｐ型ＧａＮナノコラム５上に、ｐ型ＧａＮ基板７を積層し、加熱・加圧して貼合わせる（図１（ｃ））。 - 特許庁

An LDD region 17 and a p-type pocket region 15 in an n-type FET and an LDD region 11 and an n-type pocket region 8 in a p-type FET are formed into the lithographic process.例文帳に追加

ｎ型ＦＥＴ領域内のＬＤＤ領域１７及びｐ型ポケット領域１５と、ｐ型ＦＥＴ領域内のＬＤＤ領域１１及びｎ型ポケット領域８とを、１回のリソグラフィ工程で形成する。 - 特許庁

Thereby, since the need of mechanically shifting the paper sheets P in the ejection part, and the need of executing a process of rotating the image at 90° is obviated, the paper sheets P can be sorted with a simple structure relative to a conventional method.例文帳に追加

これにより、排出部で用紙Ｐを機械的にずらす必要がなく、また、画像を９０度回転させる処理をする必要もないので、従来の方式に比べ、簡易な構成で用紙Ｐを仕分けることができる。 - 特許庁

A printer includes the skew correcting device 15 for correcting a position of the sheet P in a process of being deflectively deformed by allowing the tip of the sheet P carried in response to the rotational movement of a carrier roller 27 to abut on a register roller 29.例文帳に追加

プリンターは、搬送ローラー２７の回動に伴って搬送されるシートＰの先端をレジストローラー２９に当接させて撓み変形させる過程でシートＰの位置補正を行うスキュー補正装置１５を備える。 - 特許庁

The online formation meter 15 is placed in a traveling region of paper Web P before completing scrolled paper S in a process after predryer 4, so as to capture the formation state of the paper Web P and to supply the formation data to a controlling means 16.例文帳に追加

プレドライヤ４以降の工程であって巻取紙Ｓに完成する前の紙匹Ｐの走行域にオンライン地合計15を設置し、紙匹Ｐの地合の状態を捕捉し、地合データを制御手段16に提供する。 - 特許庁

In a luminance adjustment process, this game machine measures a game period P, or a period determined that the game is continuously played, and determines whether the game period P becomes longer than a prescribed time X or not (S25).例文帳に追加

本遊技機の輝度調整処理では、遊技が連続して行われたと判断される期間である遊技期間Ｐを計測し、この遊技期間Ｐが所定時間Ｘよりも長くなったか否かを判断する（Ｓ２５）。 - 特許庁

To provide a semiconductor device to which a highly reliable high withstanding voltage p-channel type transistor is formed without increase in the number of process or cost.例文帳に追加

工程数やコストを増加させることなく、信頼性の高い高耐圧ｐチャネル型トランジスタが形成された半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an inexpensive p-type ZnO semiconductor film that is manufactured at low temperature by a simple process and has excellent characteristics.例文帳に追加

低温で簡単な工程で製造された優秀な特性を有する低価のｐ型ＺｎＯ半導体膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Projections 13a and 13b for opening and closing laser shutters of process cartridges P and E are made different in position in a lengthwise position perpendicular to the paper surface of the illustration.例文帳に追加

プロセスカートリッジＰ，Ｅのレーザーシャッターを開閉するための突起１３ａ，１３ｂの図の紙面に直交する長手方向の位置を変える。 - 特許庁

Control is carried out so that the whole paper P is fed out to an image process section 10 by rotational drive of a registration roller 43 and a transporting roller 42a.例文帳に追加

レジストローラ４３と、搬送ローラ４２ａとの回転駆動により、用紙Ｐ全体を画像プロセス部１０へ送り出すような制御を行う。 - 特許庁

As a result, even when an interference wave p is reached in the process of making the handset 3 away from the connector 2 (state B), the communication is not affected by the interference wave.例文帳に追加

この結果、子機３が接続装置２から遠ざかる過程で（状態Ｂ）妨害波ｐが届いても、これに影響されることがなくなる。 - 特許庁

Further, the rail-side guide magnets 21 and 23 are arranged at a border part between a conveyance space T and a process space P to remove particles.例文帳に追加

また、レール側ガイドマグネット２１，２３を、搬送空間Ｔとプロセス空間Ｐとの境界部分に配置することでパーティクルの除去を行う。 - 特許庁

In an NMOS forming region 10A, a channel stopper layer 14A is formed in a P-type well 11A by a first ion implantation process.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域１０Ａにおいて、第１イオン注入工程により、Ｐ型ウエル１１Ａの中に、チャネルストッパ層１４Ａを形成する。 - 特許庁