「p process」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A P type impurity concentration distribution having a steep slope in the depth direction is formed by forming a P type substrate region 3 becoming a channel region by ion implantation after a process for forming a gate insulating film 4 on the wall face of a trench T.例文帳に追加

トレンチＴの壁面上にゲート絶縁膜４を形成する工程よりも後に、チャネル領域となるＰ型基板領域３をイオン注入法により形成することによって、深さ方向に急峻な勾配を有するＰ型不純物濃度分布を形成する。 - 特許庁

Then, after a p-type InP block layer 7 and an n-type InP block layer 8 are formed on both the sides of a ridge 6, the n-type InP block layer 8 formed on the (111) B surface of the p-type InP block layer 7 is removed by a second dry etching process.例文帳に追加

次に、リッジ部６の両側に、ｐ型ＩｎＰブロック層７およびｎ型ＩｎＰブロック層８を形成した後、ｐ型ＩｎＰブロック層７の（１１１）Ｂ面の上に形成されたｎ型ＩｎＰブロック層８を第２のドライエッチングによって除去する。 - 特許庁

When the mounting leg part 30 is pressed into the groove 50 of the inner panel P after covering the surface of the inner panel P with cloth C, the locking part 40 presses the end part of the cloth C and bites on the cloth C to lock the cloth C securely without necessitating a special part and a special process.例文帳に追加

内側パネルＰ表面をクロスＣで覆った後、取付脚部３０を内側パネルＰの溝５０に押込むと、係止部４０がクロスＣ端部を押圧してクロスＣに食込むので、格別の部品、工程を要することなく、クロスＣは確実に係止される。 - 特許庁

According to a normal manufacturing process for double diffused MOSFET, p-base region 2, a p+ contact region 3, an n+ source region 4, a gate electrode layer 5, and a source electrode 15 are provided on the surface layer of an n-type semiconductor base body to form a surface MOSFET.例文帳に追加

通常の２重拡散ＭＯＳＦＥＴの製造工程に従い、ｎ型半導体基体の表面層に、ｐベース領域２とｐ^+コンタクト領域３とｎ^+ソース領域４とゲート電極層５とソース電極１５を設けて表面ＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

The image forming apparatus 1 is provided with: a plurality of image forming units which have process cartridges 4 and which are arranged so as to be freely attachable to/detachable from the image forming apparatus; and a paper transporting device 6 which carries recording paper P to transport the recording paper P along the plurality of image forming units.例文帳に追加

画像形成装置１は、プロセスカートリッジ４を有し、画像形成装置に着脱自在に配設された複数の画像形成ユニットと、記録用紙Ｐを担持し、複数の画像形成ユニットに沿って搬送する用紙搬送装置６とを備えている。 - 特許庁

Moreover, a high concentration region 16 is formed with higher accuracy because the lattice-to-lattice silicon in the silicon substrate 13 is reduced to control the redistribution of impurity when high temperature heat process is conducted before the process to implant such p-type impurity.例文帳に追加

また、このｐ型不純物を注入する工程の前に高温で熱処理を行うことで、シリコン基板１３内の格子間シリコンが低減して不純物の再分布が抑制されるので、高濃度領域１６が精度良く形成される。 - 特許庁

Furthermore, the processing station further includes a transfer section 10, which discharges the substrate P held by one holding table 14a out of the plurality of holding tables, after a mounting process is finished by the head section 24 and then supplies it to a processing station 5 for the next process.例文帳に追加

更に、複数の保持台のうち一の保持台１４ａに保持された基板Ｐを、ヘッド部２４による実装処理が終了した後に排出して、次の処理を行う処理ステーション５に供給する搬送部１０と、を設けている。 - 特許庁

The method includes a first process for injecting N-type impurities in a dicing portion in a P-type semiconductor region, at the rear face of the semiconductor wafer; a second process for forming the first layer over the entire rear face of the semiconductor wafer; and a third process for forming the second layer, on the rear face of the first layer by a wet plating method.例文帳に追加

この方法は、半導体ウェハの裏面のＰ型の半導体領域のダイシング部に、Ｎ型の不純物を注入する第１工程と、半導体ウェハの裏面全体に第１層を形成する第２工程と、湿式めっき法によって第１層の裏面に第２層を形成する第３工程とを含んでいる。 - 特許庁

Not only the data path part 15 can be controlled in high speed by FSM 14, but also the data path part 15 can be controlled by a program of P command in a different process from the process set in FSM 14, and then system LSI which can flexibly change VU 1 process can be provided.例文帳に追加

ＦＳＭ１４によりデータパス部１５を高速で制御できると共に、Ｐ命令によりプログラムでデータパス部１５をＦＳＭ１４に設定されている処理手順と異なる手順で制御することも可能となり、ＶＵ１の処理も柔軟に変更することができるシステムＬＳＩを提供することができる。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device is provided with the process of forming the amorphous silicon on a gate insulating film, the process of introducing acceptor impurities to be the acceptors and crystal growth suppression impurities suppressing the growth of the crystal to the amorphous silicon and the process of crystallizing the amorphous silicon and forming p-type polycrystalline silicon.例文帳に追加

前記ゲート絶縁膜上にアモルファスシリコンを形成する工程と、前記アモルファスシリコンに、アクセプタとなるアクセプタ化不純物と、結晶粒の成長を抑制する結晶成長抑制不純物を導入する工程と、前記アモルファスシリコンを結晶化させ、前記ｐ型多結晶シリコンを形成する工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the buried channel-type transistor by using a P-type silicon carbide substrate comprises a process for forming a buried channel area and a source/drain area, a process for forming a gate insulating film, and a process for exposing the gate insulating film to the atmosphere of not less than 500°C, which includes steam.例文帳に追加

Ｐ型の炭化珪素基板を用いた埋め込みチャネル型トランジスタの製造方法において、埋めこみチャンネル領域、および、ソース・ドレイン領域を形成する工程と、その後、ゲート絶縁膜を形成する工程と、その後に該ゲート絶縁膜を、水蒸気を含んだ５００℃以上の雰囲気に晒す工程とを含む。 - 特許庁

The waterproof treatment method adopts a first molding process in which positioning portions 91, 92 are formed at the prescribed position from the joint portion j, and a second molding process in which, after the first molding process, a joint portion j is positioned based on the position criteria of the positioning portion 91, 92 and further the surrounding of the joint portion j is coated by resin p.例文帳に追加

ジョイント部ｊから所定の位置に位置決め部９１，９２を形成する第１のモールド工程と、該第１のモールド工程の後、位置決め部９１，９２を基準としてジョイント部ｊを位置決めし、該ジョイント部ｊの周囲をさらに樹脂ｐで被覆する第２のモールド工程とを有する方法を採用した。 - 特許庁

A low voltage driven n-channel transistor LV-N-LVt of a low threshold value type is formed directly on a p-type silicon substrate 1 without forming a well, and a process is reduced by integrating the ion injection process for the threshold value adjustment with the ion injection process for the threshold value adjustment of other transistor.例文帳に追加

低閾値型の低電圧駆動ＮチャンネルトランジスタＬＶ−Ｎ−ＬＶｔをウェルを形成せず、直接Ｐ型のシリコン基板１に形成するようにし、閾値調整のためのイオン注入工程を他のトランジスタの閾値調整のためのイオン注入工程と統合させることで工程の短縮を図る。 - 特許庁

The manufacturing method includes: a process for forming a first electrode film 1 on a base, for example; a process for forming a second oxide film 4 having p-type semiconductivity on the first electrode film 1; a process for forming an oxygen defective first oxide film 3 on the second oxide film 4, and a process for forming a second electrode film 2 on the first oxide film.例文帳に追加

製造方法は、例えば、基材上に第１電極膜１を形成する工程と、第１電極膜１上に、Ｐ型半導性を有する第２酸化物膜４を形成する工程と、第２酸化物膜上４に、酸素欠損型の第１酸化物膜３を形成する工程と、第１酸化物膜上に第２電極膜２を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of preventing an increase in the resistance of a contact formed of a metallic film in a p+ impurity region during a following high temperature process and a manufacture thereof.例文帳に追加

後続高温工程時ｐ＋不純物領域に金属膜で形成されたコンタクトの抵抗の増加が防止できる半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The anti-diffusion region 22 is provided to have a thickness not smaller than a diffusion distance of the P type impurity from the collector region 11 toward the buffer region 12 in an element formation process.例文帳に追加

拡散防止領域２２は、素子形成プロセスにおいてコレクタ領域１１からバッファ領域１２側へＰ型不純物が拡散する距離以上の厚みで設けられている。 - 特許庁

An auxiliary pump P2 of a high vacuum pump P1 for reducing pressure inside a process chamber P is used as an air exhaust pump for operating the differential exhaust seal 44 to provide a low cost configuration.例文帳に追加

差動排気シール４４を動作させるための排気ポンプとして、プロセス室Ｐを減圧する高真空ポンプＰ１の補助ポンプＰ２を用いているので、より低コストな構成が提供される。 - 特許庁

During the growth of the compound semiconductor thin film, when the amount of the p-type impurities implanted into the compound semiconductor thin film is increased, the proper heat treatment temperature is lowered in an activating process.例文帳に追加

また、化合物半導体薄膜の成長時、化合物半導体薄膜に注入されたｐ型不純物の量が増加すると、活性化工程の適正熱処理温度が低くなる。 - 特許庁

An accommodating member 20 is detachably provided below the process cartridge 15, in order to form an accommodating chamber 19 used for accommodating paper powder p scraped by the scraping member 17.例文帳に追加

プロセスカートリッジ１５の下部に収容部材２０を着脱可能に設け、紙粉掻き取り部材１７により掻き落とされた紙粉ｐを収容する収容室１９を形成する。 - 特許庁

A filling start process 100 is provided, in which the tip of the filling nozzle 1 is brought down close to the bottom in the container Q and filling of the liquid P starts, preventing generation of a bubble and a droplet.例文帳に追加

充填ノズル１の先端を容器Ｑ内の底部近傍まで下げて泡や飛沫の発生を防止しながら液体Ｐの充填を開始する充填開始工程１００を設ける。 - 特許庁

The exhaust unit 100 positively sucks the air warmed by heat generation of a process cartridge 13 through the slit 118 when paper P exists in the vicinity of a photoreceptor drum 34.例文帳に追加

感光体ドラム３４近傍に用紙Ｐが存在する場合、排紙ユニット１００は、プロセスカートリッジ１３の発熱により温められた空気を、スリット１１８を通して積極的に吸気する。 - 特許庁

To form silicon oxide films with different thicknesses on a p-type diffusion region and an n-type diffusion region formed on the same silicon layer without need of a complicated process.例文帳に追加

複雑なプロセスを必要とせずに、同一のシリコン層に形成されたｐ型拡散領域およびｎ型拡散領域に、それぞれ異なる膜厚でシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

Even when a foreign substance P remains in a manufacturing process, and water invades, overall oxidization on the CrSi film 22 is prevented at the slit 23 to prolong the time until it reaches a broken state.例文帳に追加

製造工程で異物Ｐが残存して水分が浸入しても、ＣｒＳｉ膜２２の全体の酸化をスリット２３で止められ、断線状態に至るまでの時間を長くすることができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, the channel stopper 18 is provided relatively widely adjacent to the outer peripheral p-type region 17 formed unavoidably in a manufacturing process at the outer peripheral edge of a semiconductor substrate 19.例文帳に追加

半導体基板１９の外周縁には、製造工程で不可避的に形成される外周Ｐ型領域１７に隣接してチャネルストッパ１８が比較的広く設けられている。 - 特許庁

During the polishing process, at least part of acetyl cellulose on the side of the polishing plane P is deacetylated by the slurry, while forming a surface layer 1a.例文帳に追加

研磨加工中に、研磨シート１に含有されたアセチルセルロースのうち少なくとも研磨面Ｐ側のアセチルセルロースの一部がスラリにより脱アセチル化され表面層１ａが形成される。 - 特許庁

The NiSi film 42 is formed on gate electrodes 12, 22 and source-drain regions 14, 24 of both a p-MOS transistor 10 and an n-MOS transistor 20 (silicide film forming process).例文帳に追加

Ｐ−ＭＯＳトランジスタ１０およびＮ−ＭＯＳトランジスタ２０双方のゲート電極１２，２２およびソース・ドレイン領域１４，２４上にＮｉＳｉ膜４２を形成する（シリサイド膜形成工程）。 - 特許庁

To provide a high-yield light-emitting element which prevents an electrode from peeling during process, obtains excellent p-type electrode contact characteristics and has highly reliable element characteristics.例文帳に追加

工程中の電極剥がれを防止するとともに、良好なｐ電極コンタクト特性を得ることができ、素子特性の信頼性に優れた高歩留の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Then, the paste P put on the plate is printed on a substrate H by moving a squeegee SQ on the plate in the direction opposite to the above direction (printing process).例文帳に追加

その後、上記製版上でスキージＳＱを前記一方向と反対方向に移動させることで同製版の上にコートされたペーストＰが基板Ｈに印刷される（印刷工程）。 - 特許庁

(p) Lung or skin cancer due to jobs in the processes to manufacture or refine metals using ores containing arsenic or those in inorganic arsenic compounds in manufacturing process 例文帳に追加

１６　砒素を含有する鉱石を原料として金属の製錬若しくは精錬を行う工程又は無機砒素化合物を製造する工程における業務による肺がん又は皮膚がん - 日本法令外国語訳データベースシステム

Since the gypsum board 10 is patterned by the plate die P in a process in which the chemical reaction of a gypsum dihydrate contained in the slurry is not in full progress, a desired profoundly irregular pattern 13 is obtained.例文帳に追加

石膏ボード１０はスラリー中の二水石膏の反応が十分に進行しない過程において板状型Ｐでもって型押しされるので所望の深い凹凸模様が得られる。 - 特許庁

In the process where the slide members 13 are gathered in a circle about the axis L, the coils P mounted on the slide members 13 are engaged and united together.例文帳に追加

このようにしてスライド部材１３が軸線Ｌを中心とする円周上に集合する過程で、スライド部材１３に取り付けたコイルＰが相互に噛み合って一体化される。 - 特許庁

Accordingly, a large gap of a bottom part of a trench 6 can be secured from the bottom part of the p-type deep layer 10 , and a large process window can be secured in forming the trench 6.例文帳に追加

したがって、ｐ型ディープ層１０の底部からトレンチ６の底部のギャップを大きくとることが可能になり、トレンチ６を形成する際のプロセスウィンドウを大きく取ることが可能となる。 - 特許庁

These compensation signals depend on the quality index of a manufacturing process and the operation temperature of P type and N type transistors of an integrated circuit and also can compensate variation from prescribed value of quantity to be controlled.例文帳に追加

これらの補償信号は、集積回路のＰ型及びＮ型トランジスターの製造プロセスの質指標と動作温度に依存し、かつ、被制御量の所望値からの偏差を補償できる。 - 特許庁

Thereby, in an injection process of the nematic liquid crystal 41, a pretilt angle θ1 of a liquid crystal molecule 41a is inclined toward the direction P of injection of the nematic liquid crystal 41.例文帳に追加

これにより、ネマティック液晶４１の注入過程で液晶分子４１ａのプレティルト角θ１がネマティック液晶４１の注入方向Ｐに向かって傾斜するようになる。 - 特許庁

In a process of manufacturing a ceramic base 2 for mounting a crystal vibrator, the baked ceramic base 2 having almost entire surface metallized M is plated P with a nickel and gold on the metallized surface.例文帳に追加

水晶振動子のセラミックベース２の製造工程として、表面の略全面がメタライズＭされた焼成後のセラミックベース２に対し、メタライズ表面にニッケルメッキ及び金メッキＰを施す。 - 特許庁

Normal process treatment is conducted to a bulk wafer 300 of FZ which contains phosphorus, is n-type, and has high specific resistance to form a p-anode layer 301 and an anode electrode 302 on one surface.例文帳に追加

リンを含むｎ型で高比抵抗のＦＺのバルクウェハ３００にて通常のプロセス処理を行い、一方の表面にｐアノード層３０１、アノード電極３０２を形成する。 - 特許庁

In this case, in at least the final process of embedding, the mixed gas of silicon source gas and halide gas is used as gas supplied for forming the p-type epitaxial film 23.例文帳に追加

この際、少なくとも埋め込みの最終工程において、ｐ型のエピタキシャル膜２３の成膜のために供給するガスとして、シリコンソースガスとハロゲン化物ガスとの混合ガスを用いる。 - 特許庁

A gas processing facility 13 is provided in a process of sending exhaust gas G generated by combusting or pyrolyzing a combustible material P under pressurization to a gas turbine driven by the exhaust gas G.例文帳に追加

加圧下において可燃物Ｐを燃焼又は熱分解した際に発生した排ガスＧを、この排ガスＧによって駆動するガスタービン１４に送る過程に、ガス処理設備１３を設ける。 - 特許庁

Then, an analysis model is p in an analysis model preparation stage 2, and a heat transfer analysis is executed in a welding part heat transfer analysis stage 3 by limiting it to a welding process in the vicinity of the surface layer.例文帳に追加

次に、解析モデル作成段階２では解析モデルを作成し、溶接部伝熱解析段階３において表層付近の溶接過程に限定して伝熱解析を行う。 - 特許庁

The electrode stretches on the protective film 6, so that a P-N junction is not shorted in the forming process of an electrode which is arranged biasedly on the element surface such as the case of a blue LED.例文帳に追加

電極は、保護膜６上に延在するため、青色ＬＥＤのように素子面上偏った配置をとる電極でも作成過程でＰＮ接合間ショートが起きない。 - 特許庁

In a state where a multiple optical axis photoelectric sensor does not execute a detection process, the optical receiver transmits a command P and the projector receiving it transmits a response command Q.例文帳に追加

多光軸光電センサで検出処理を実行していない状態下において、受光器からコマンドＰを送信し、これを受信した投光器から応答用のコマンドＱを送信する。 - 特許庁

A remote diagnostic signal is inputted from the managing device 15 to a remote operation control means 19, and a photosensitive drum 1 and respective process units are operated to form a test pattern on a recording material P.例文帳に追加

管理装置１５から遠隔診断信号を遠隔動作制御手段１９に入力して感光ドラム１、各プロセス機器を動作させて記録材Ｐ上にテストパターンを形成させる。 - 特許庁

An in-line film thickness measuring unit M measures the film thickness of a wafer before and after execution of dry etching, and calculates a dry etching time of the process chamber P by setting the measured value as a parameter.例文帳に追加

インライン膜厚測定ユニットＭは、ドライエッチング実行時点の前後においてウェーハの膜厚を測定し、この測定値をパラメータとしてプロセスチャンバーＰのドライエッチング時間を算出する。 - 特許庁

An image classifying means 10 classifies an image P depending on an image data of a breast, according to the distribution state of the mammary gland, and a detection means 20 detects the tumor shadow in the classified image P at every distribution state of the mammary gland by a prescribed abnormal shadow detecting process.例文帳に追加

画像分類手段10が、乳房の画像データＰに基づいて画像Ｐを乳腺の分布形態により分類し、検出手段20が、分類された画像Ｐ中の腫瘤陰影を乳腺の分布形態ごとに定められた所定の異常陰影検出処理により検出する。 - 特許庁

When the image of the disk player 300 or the game machine 200 is P-in-P displayed as a child screen image under this condition, the full-size image data is subjected to a scaling process such as thinning in the disk player 300 or the game machine 200, to generate a child screen image data of predetermined size.例文帳に追加

この状態で、ディスクプレーヤ３００あるいはゲーム機２００の画像を子画面画像としてＰｉｎ Ｐ表示する場合、ディスクプレーヤ３００あるいはゲーム機２００では、フルサイズの画像データに間引き等のスケーリング処理が施されて所定サイズの子画面画像データが生成される。 - 特許庁