「p process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a p-type diffusion layer formation composition capable of forming a p-type diffusion layer and a back electrode while suppressing occurrences of internal stress in a silicon substrate and substrate warpage, in a manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a solar cell formed by using the p-type diffusion layer formation composition.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りの発生を抑制しつつｐ型拡散層および裏面電極を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、および、これを用いて形成された太陽電池セルの提供を提供する。 - 特許庁

Further, the semiconductor device manufacturing method comprises a process of injecting a p-type impurity into the semiconductor layer by using the oxide film on the surface of the n-type semiconductor region as a mask to selectively form a p-type semiconductor region having a p-type impurity concentration higher than that of the semiconductor layer on the semiconductor layer.例文帳に追加

また、半導体装置の製造方法は、ｎ形半導体領域の表面上の酸化膜をマスクにして、半導体層にｐ形不純物を注入し、半導体層に半導体層よりもｐ形不純物濃度が高いｐ形半導体領域を選択的に形成する工程を有する。 - 特許庁

Also, this chip manufacturing method comprises a process for forming a grinding groove GM in the wafer W by the dicing blade 21, a process for forming a scribing groove in the wafer W by a scribing cutter 51, and a process for emitting a laser beam L to the wafer W to form the reformation area P inside.例文帳に追加

また、チップ製造方法は、ウエーハにダイシングブレード２１で研削溝ＧＭを入れる工程、又はスクライビングカッタ５１でスクライビング溝を入れる工程と、ウエーハＷにレーザー光Ｌを入射して内部に改質領域Ｐを形成する工程とを併合した構成とした。 - 特許庁

In the second process, the magnet 3 is arranged in a part supposed to have the possibility of generating a void P, and is laterally and vertically moved so that the cement 1 is completely filled in a branch-shaped filling passage 20 easily generating the void P.例文帳に追加

そして、第２工程において、磁石３を、空隙Ｐが発生するおそれがあると思われる部位に配置し、左右又は上下などに移動させることで、空隙Ｐが発生し易い枝状充填路２０等にセメント１を完全に充填させる。 - 特許庁

In the same contaminant ions introducing process, a p-type semiconductor region 10 and a p-type field limiting ring 11 are collectively formed in a gate line area GLA while integrating them so as to be in contact with a groove 5, in which a gate lead out electrode 8 is formed.例文帳に追加

同一の不純物イオン導入工程にて、ゲート配線領域ＧＬＡでｐ^−型半導体領域１０およびｐ^−型フィールドリミッティングリング１１をゲート引き出し電極８の形成された溝５と接するように一括して、形成する。 - 特許庁

The tablets P are dispersed in a direction orthogonal to a carrying direction in a process in which the tables P are carried from the upstream side to the downstream side by the article dispersion unit 41 and are uniformly distributed to each carrying groove 22a and 23a of the chute 21 for carrying.例文帳に追加

なおこのとき、錠剤Ｐは、物品分散ユニット４１にて上流側から下流側へ搬送される過程で搬送方向に直交する方向に分散され、搬送用シュート２１の各搬送溝２２ａ，２３ａに均等に分配される。 - 特許庁

This method comprises the following process: Pseudomonas fluorescens 127 stain (Pseudomonas fluorescens N127, FERM P-17745) is cultured in a culture medium containing 4-phenoxy-n-butyric acid represented by formula (2) (n represents an integer number ≤10.), and poly-3-hydorxy-n-butyric acid produced by culturing the above 127 strain and represented by formula (1) is extracted.例文帳に追加

シュードモナス・フルオレッセンス Ｎ１２７株（Pseudomonasfluorescens N127、FERM P-17745）を、下記式（２）で表される４−フェノキシ−ｎ−酪酸を含む培地で培養し、該Ｎ１２７株の培養により生産されたポリ−３−ヒドロキシ−４−フェノキシ−ｎ−酪酸を抽出する。 - 特許庁

Amplitude values P of a vibration generated from a screw thread rolling device are subtotaled relative to each prescribed divided section, and a waveform abnormality is detected from the ratio between the subtotal value Ps and a total value Pt of the amplitude values P in one-time screw thread rolling process.例文帳に追加

ねじ山転造装置から発生する振動の振幅値Ｐを所定分割区間毎に小計し、これら小計値Ｐｓと１回のねじ山転造工程中の振幅値Ｐの合計値Ｐｔとの比から波形異常を検出する。 - 特許庁

In the same impurity ion introduction process, a p^- type semiconductor region 10 and a p^- type field limiting ring 11 are formed collectively in a gate wiring region GLA to contact a groove 5 with a gate extraction electrode 8 formed therein.例文帳に追加

同一の不純物イオン導入工程にて、ゲート配線領域ＧＬＡでｐ^−型半導体領域１０およびｐ^−型フィールドリミッティングリング１１をゲート引き出し電極８の形成された溝５と接するように一括して、形成する。 - 特許庁

A collector layer 12 composed of n-type gallium nitride, a base layer 13 composed of p-type silicon germanium, and an emitter layer 14 composed of n-type gallium nitride are successively formed on a semiconductor substrate 11 composed of p-type silicon according to selective growth process.例文帳に追加

ｐ型シリコンからなる半導体基板１１上には、ｎ型窒化ガリウムからなるコレクタ層１２、ｐ型シリコンゲルマニウムからなるベース層１３、及びｎ型窒化ガリウムからなるエミッタ層１４が、選択成長法により順次形成されている。 - 特許庁

The P-type impurity regions 9 are diffused by a thermal treatment carried out in an after process, an element isolating P-type impurity region 9a obtained by diffusion is diffused up to a point just under the side wall oxide film 7 at most, so that a channel is hardly narrowed.例文帳に追加

このＰ型不純物領域９は、後工程の熱処理により拡散するが、得られた素子分離用Ｐ型不純物領域９ａは高々サイドウォール酸化膜７の直下まで拡散するにすぎず、チャネル幅が狭くなるようなことはない。 - 特許庁

Thus, even if the pipe material (p) expands thermally during the brazing process, the amount of thermal expansion is absorbed by the gap δ, relaxing the thermal stress that follows the thermal expansion of pipe material (p), to suppress the deformation of both header tanks 225 and 226.例文帳に追加

これにより、ろう付け工程時にパイプ材ｐが熱膨張しても隙間δにて熱膨張分を吸収できるので、パイプ材ｐの熱膨張に伴う熱応力を緩和でき、両ヘッダタンク２２５、２２６の変形を抑制することができる。 - 特許庁

It is possible to carry out printing process for three pages at high speed by carrying out printing process for three pages by allocating one page each respectively to each of the printer engines 1a, 1b, 1c in parallel and discharging the printed paper sheets P in series.例文帳に追加

各プリンタエンジン１ａ、１ｂ、１ｃにそれぞれ１ページずつ処理を割り当てて３ページ分のプリント処理を並行して行い、プリント済みの用紙Ｐを直列に排紙することにより、３ページ分のプリント処理を高速に実施できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device incorporating a p-channel junction type FET and a protective element that can be formed by the same process and includes a pn junction, while forming a junction type FET by a simple manufacture process.例文帳に追加

接合型ＦＥＴを簡単な製造工程で形成しながら、そのｐチャネル接合型ＦＥＴと同じ工程で形成することができｐｎ接合を含む保護素子とを内蔵する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A practical form of a process of forming a lowresistivity III-V element nitride (e.g. GaN) p-type layer is that hydrogen supply sources (typically, NH_3) in an epitaxial growth chamber are all eliminated in a cooling process after growth.例文帳に追加

低抵抗率のIII−Ｖ族窒化物（例えば、ＧａＮ）ｐ型層を形成するプロセスの１つの実施形態が、成長後の冷却プロセスの間に、エピタキシャル成長チャンバ内の水素の全ての供給源（典型的には、ＮＨ_3）を取り除く。 - 特許庁

An image forming device 1 of the present invention includes an exterior housing 60 for housing an image process unit 10, and a fixing unit 30 for fixing a toner image on a recording material P on which the toner image has been transferred in the image process unit 10.例文帳に追加

本願発明の画像形成装置１は、画像プロセス部１０を収容する外装ハウジング６０と、前記画像プロセス部１０にてトナー像が転写された記録材Ｐに前記トナー像を定着させる定着部３０とを備える。 - 特許庁

A series of processes for carrying out the marking on the side surface P_1 of the running paper sheet P with the ink 10 are divided into a process for transferring the ink on the marking disk 1 and a process for transferring the ink from the disk 1 on the side surface P_1 of the paper sheet.例文帳に追加

走行する紙Ｐの側面Ｐ_１にインク１０によりマーキングを付す一連の工程を、マーキングディスク１にインクを転写する工程と、該ディスク１から紙の側面Ｐ_１にインクを転移する工程に区分する。 - 特許庁

According to this system (surface mounter Z3, solder printer Z2 and mounting line L), information (information about substrate inspection before printing) about inspection of a substrate P which has been executed before printing is utilized in a printing process and a mounting process.例文帳に追加

本発明（表面実装機Ｚ３、半田印刷装置Ｚ２、実装ラインＬ）によれば、印刷前に実施した基板Ｐの検査情報（印刷前基板検査情報）を印刷過程、実装過程において活用することとした。 - 特許庁

A control system controls the stencil printing apparatus so that a printing paper P be transferred to a second print cylinder 6, when the apparatus is in a simple color printing process mode using only the second plate cylinder 6.例文帳に追加

第二版胴６のみを利用した単色印刷処理モードである場合には、制御系が、印刷用紙Ｐが第二版胴６まで搬送されるように制御する。 - 特許庁

During the molding process, a molten resin is injected into a molding cavity (C1) constituted of the parting line (P) of the slide mold (10) and the recessed part 21 of the movable mold (20).例文帳に追加

１次成形時は、スライド金型（１０）のパーティングライン（Ｐ）と可動金型（２０）の凹部２１とで構成される１次成形用のキャビティ（Ｃ１）に溶融樹脂を射出する。 - 特許庁

A difference (ΔLp) between the first process difference and the second difference is calculated, and the obtained difference is used to correct a P gate portion extracted from design data.例文帳に追加

次に、第１の加工差と第２の加工差との差分（ΔＬｐ）を算出し、算出した差分を用いて、設計データから抽出したＰ型ゲート部を補正する。 - 特許庁

A chamfering process is carried out to position the center P in the thickness direction of the peripheral edge of a wafer W at the center M of the grinding groove 110 of an outer periphery grinding wheel 108 constantly.例文帳に追加

ウェーハＷの周縁の厚さ方向の中心Ｐが、常に外周研削砥石１０８の研削溝１１０の中央Ｍに位置するように面取り加工する。 - 特許庁

In the heating/cooling device with a substrate G mounted, a palette P mounted with the substrate G is raised at a specified speed in a heating process chamber 38 by a belt driving mechanism of an elevator.例文帳に追加

基板Ｇを載置した状態で、昇降装置のベルト駆動機構によって、基板Ｇを載置したパレットＰは、加熱処理室３８内を所定速度で上昇していく。 - 特許庁

In the photographic processing apparatus, a photosensitive material P is developed by a developing liquid which is charged in a developing process tank 5c so as to be in a foamed or atomized state.例文帳に追加

感光材料Ｐが現像処理槽５ｃ内に充填された泡状化または霧化された現像処理液によって現像処理される写真処理装置とした。 - 特許庁

In the method for manufacturing the railroad vehicle structure, projecting pieces 21, 22, 23 with an end of a butted part P extending are provided on an outer plate in a welding process.例文帳に追加

この鉄道車両構体の製造方法では、接合工程において、突き合わせ部分Ｐの端部を延長させる突出片２１，２２，２３を外板に設けている。 - 特許庁

For example, a semi-insulative i-layer 2 is formed on an n-type semiconductor substrate 1 by an epitaxial growth process, and a p-type region 3 is formed on the i-layer 2.例文帳に追加

たとえばｎ形半導体基板１上に半絶縁性のｉ層２がエピタキシャル成長されており、そのｉ層２にｐ形領域３が形成されている。 - 特許庁

The process for forming a thin film pattern comprises a step for forming a liquid repellent film F on a substrate P, and a step for placing a functional liquid L in a region A sectioned by the liquid repellent film F.例文帳に追加

基板Ｐ上に撥液性膜Ｆを形成する工程と、撥液性膜Ｆによって区画された領域Ａに機能液Ｌを配置する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a boosting circuit for a P-type semiconductor substrate which is manufactured by a low-cost semiconductor manufacturing process, is subjected to less substrate bias effect, and has high boosting efficiency.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板において、低コストの半導体製造プロセスを用いて、基板バイアス効果の影響が少なく、昇圧効率の良い昇圧回路を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a p-type semiconductor layer formed of laminated films of nanoink, which are easily formed through a printing process.例文帳に追加

本発明は、印刷プロセスによって容易に製膜されるナノインクの積層膜から形成されるｐ型半導体層の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a process for manufacturing a field effect transistor composed of a group III nitride semiconductor, an n-type GaN layer 2 and a p-type GaN layer 3 are formed on a substrate 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタの製造工程において、まず、基板１２の上にｎ型ＧａＮ層２およびｐ型ＧａＮ層３が形成される。 - 特許庁

According to this production process, the formation of the by-product is restricted, when the number of alkyl groups is one, a para(p-) oriented alkyl benzenesulfonate is easily produced with high selectivity.例文帳に追加

この製造方法によれば、副生成物の生成が抑制され、アルキル基が一つの場合、パラ（ｐ−）配位のアルキルベンゼンスルホン化物を高い選択性で容易に製造できる。 - 特許庁

To lower the resistance of a p-type electrode of a III nitride semiconductor element, which was very high in prior art, by improving it from the viewpoint of optimization of the manufacturing process.例文帳に追加

従来、非常に高抵抗であったＩＩＩ族窒化物系半導体素子のｐ型電極に関して、製造プロセスの最適化の観点から改良・低抵抗化を図る。 - 特許庁

The developing device is constituted to execute the developing process by injecting a developer from plural blow-off ports 34 in a blow-off chamber 22 on the emulsion surface of a horizontally transported sheet of paper P.例文帳に追加

吹出しチャンバー２２の複数の吹出口３４から現像液が水平搬送されるペーパーＰの乳剤面へ噴射され現像処理されるようになっている。 - 特許庁

The p-type impurity region 4a is formed by the same manufacturing process for a low breakdown voltage well 4, which is formed in a low breakdown voltage transistor LT forming region.例文帳に追加

このｐ型不純物領域４ａは低耐圧系トランジスタＬＴの形成領域に形成される低耐圧ウェル４と同一の製造工程で形成されたものである。 - 特許庁

When maintenance is requested during the print process, position of the recording sheet P being carried by the carry rollers 5 and 6 is detected and the processing content is varied based on the detection results.例文帳に追加

印字工程中のメンテナンス要求に対し、搬送ローラ５，６により搬送される記録用紙Ｐの位置を検知し、それに基づいて、処理内容を変化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has improved characteristics of both a p-type MIS transistor and an n-type MIS transistor without employing a dual metal gate process.例文帳に追加

デュアルメタルゲートプロセスを用いることなく、ｐ型ＭＩＳトランジスタ及びｎ型ＭＩＳトランジスタ双方の特性を向上した半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide an electrode exhibiting a low contact resistance to a p-type III nitride based compound semiconductor, and a process for producing an electrode decreasing the contact resistance.例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体に対し、接触抵抗の小さな電極及び接触抵抗を低下させる電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, with catalyst particles 6a, formed in an activation process as nucleus, a Cu layer 6b and an Ni-P alloy layer 6c are formed, in the order, by nonelectrolytic plating.例文帳に追加

さらに、活性化処理により形成される触媒粒子６ａを核として、無電解めっきにより、Ｃｕ層６ｂ及びＮｉ−Ｐ合金層６ｃを順に形成する。 - 特許庁

ORTHO- AND/OR META-SUBSTITUTED N-ALKYLYAMINO SECONDARY p-PHENYLENEDIAMINE, COMPOSITION FOR DYEING KERATIN FIBER AND CONTAINING THE COMPOUND, PROCESS FOR USING THE COMPOSITION, AND USE OF THE COMPOSITION例文帳に追加

オルト−及び／又はメタ−置換Ｎ−アルキルアミノ第二パラ−フェニレンジアミン、該化合物を含むケラチン繊維染色用組成物、該組成物を使用する方法及びその使用 - 特許庁

When the process unit P is not mounted, the switch part 40 is not moved to the operation position, and even when the side face cover 35 is closed, the switch part does not turn on.例文帳に追加

プロセスユニットＰが装着されていないと、スイッチ部４０は作動位置に移動せず側面カバー３５が閉鎖されてもスイッチ部４０はオン状態とならない。 - 特許庁

This Gemini type fluorine-based surfactant having the azobenzene backbone as the spacer is obtained by comprising a first process of diazotizing p-aminophenol, then a second process of performing a coupling reaction to synthesize OH-azo, a third process of synthesizing Br-azo by 1,2-dibromoethane, further a fourth process of synthesizing DN-azo by dimethylamine and finally a fifth process of introducing a fluorinated carbon chain.例文帳に追加

ｐ−アミノフェノールをジアゾ化する第１工程、次いで、カップリング反応を行い、ＯＨ−ａｚｏを合成する第２工程、１，２−ジブロモエタンによりＢｒ−ａｚｏを合成する第３工程、さらに、ジメチルアミンによりＤＮ−ａｚｏを合成する第４工程、最後に、フッ化炭素鎖を導入する第５工程からなることにより、アゾベンゼン骨格をスペーサーとするＧｅｍｉｎｉ型フッ素系界面活性剤を実現した。 - 特許庁

In the division method of a nitride semiconductor wafer, having a process for cleaving the nitride semiconductor wafer for obtaining a nitride semiconductor element 1, where a p electrode 10 is laminated on a nitride semiconductor layer 3, the p electrode 10 is pressed down to the nitride semiconductor layer 3 by an electrode hold-down film 51, before the process of cleaving the nitride semiconductor wafer.例文帳に追加

窒化物半導体層３上にｐ電極１０を積層してなる窒化物半導体素子１を得るための窒化物半導体ウエハを劈開する工程を備えた窒化物半導体ウエハの分割方法において、窒化物半導体ウエハを劈開する工程の前に、ｐ電極１０を電極押込膜５１で窒化物半導体層３に押さえ込む。 - 特許庁

The wafer W is diced through a first dicing process of making laser light L incident on a top surface side WA of the wafer W to form a reformed region P at the top surface side WA and a second dicing process of turning over the wafer W and making the laser light L at the reverse surface side WB to form a reformed region P at the reverse surface side WB.例文帳に追加

ウェーハＷの表面側ＷＡからレーザー光Ｌを入射して表面側ＷＡへ改質領域Ｐを形成する第１ダイシング工程と、ウェーハＷを反転させて裏面側ＷＢよりレーザー光Ｌを入射し裏面側ＷＢへ改質領域Ｐを形成する第２ダイシング工程とによりウェーハＷのダイシングを行う。 - 特許庁

The method for coating a steel work includes a coating process for coating the surface of the work 3 with the coating material P by the electrostatic induction and a high-frequency induction heating process in which the coated work 3 is subjected to the high-frequency action to heat the coating material P from the inside to coagulate/dry it.例文帳に追加

また本発明の鋼製ワークの塗装方法は鋼製ワーク３の表面に粉体塗料Ｐを静電誘導作用により塗布する塗料塗布工程と、粉体塗料Ｐが塗布された鋼製ワーク３に高周波を作用させ、内側から粉体塗料Ｐを加熱し、凝固、乾燥させる高周波誘導加熱工程とを備えている - 特許庁

To provide a p type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of a p type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the p type diffusion layer area-selectively while suppressing internal stress and warpage of each substrate without significantly lowering the life time in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、ライフタイムを大きく低下させずに、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを抑制しつつ、部位選択的にｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁