「pattern beam」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

An ion beam is applied to a wafer that is coated with resist via a transmission-type unmagnified mask having the same size as a pattern to be exposed to light for collective pattern transfer in a simple configuration.例文帳に追加

露光するパタンと等倍のサイズを有する透過型等倍マスクを介して、レジストがコートされたウェハにイオンビームが照射され、一括してパタン転写できる簡単な構成となっている。 - 特許庁

To provide a pattern dimension measuring method for accurately measuring the shrinkage quantity of a pattern to be shrunken and original dimension values before the shrinkage, and to provide a charged particle beam device.例文帳に追加

本発明は、シュリンクするパターンのシュリンク量、シュリンク前のもとの寸法値を正確に測定するパターン寸法測定方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。 - 特許庁

As a result, the low beam light distribution pattern most suitable for low speed driving of the automobile and the high speed light distribution pattern most suitable for high speed driving of the automobile can be certainly obtained.例文帳に追加

この結果、自動車の低速走行に最適なすれ違い用配光パターンと、自動車の高速走行に最適な高速走行用配光パターンとを確実に得ることができる。 - 特許庁

To provide a method and system for electron beam lithography, by which a photomask can be fabricated with the same accuracy as that of the conventional methods by preventing an increase the writing time of a pattern with an OPC pattern.例文帳に追加

ＯＰＣ付パタンでの描画時間の増加を防ぎ、従来の方法と同等な精度でフォトマスクを作製可能な電子ビーム描画方法および描画装置を実現する。 - 特許庁

A pattern smaller than four times as large as the amount of fading of a charged particle beam used in a primary exposure process is extracted from the design patterns, and a pattern shape correction for correcting a proximity effect is calculated.例文帳に追加

この設計パターンの内、一次露光を行う際の荷電粒子ビームのボケ量の４倍より小さいパターンを抽出し、近接効果補正のためのパターン形状補正を計算する。 - 特許庁

The second optical system 40 includes an optical unit 42 to form a cut-off line for the low-beam pattern, and optical units 44, 46, 48 to form a horizontal pattern for the same.例文帳に追加

第２の光学系４０を構成する光学ユニット４２にはすれ違いビームパターンのカットオフラインを形成し、光学ユニット４４，４６，４８はすれ違いビームパターンの水平パターンを形成する。 - 特許庁

As to the electrodes, photo-resists of negative type are formed on the piezoelectrics, pattern electrodes are formed via the photo-resists and predetermined outer edges of the pattern electrodes are removed by the laser beam.例文帳に追加

複数条の電極は、圧電体にネガ型のフォトレジストを形成し、このフォトレジストを介して、パターン電極を形成し、次にこれらのパターン電極の所定の外縁をレーザにより除去する。 - 特許庁

The movable shade 34 interrupts part of the light of the bulb 28 at the forward movement position to form a standard low-beam light distribution pattern.例文帳に追加

移動シェード３４は、進出位置においてバルブ２８の光の一部を遮って標準ロービーム用配光パターンを形成する。 - 特許庁

To precisely measure the shape of a pattern being a measuring object by minimizing an influence of electron beam irradiation, on the occasion of remeasurement.例文帳に追加

再計測に際して電子線照射による影響を最小限にし、計測対象パターンの形状を正確に計測する。 - 特許庁

To provide an exposure dose determination method for drawing a pattern using an electron beam drawing device, and to provide an exposure device.例文帳に追加

電子ビーム描画装置を利用してパターンを描画するための露光線量決定方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

A pattern formation area A is opened by molding working to manufacture a supporting reinforcing body 10 with a beam 10a.例文帳に追加

例えば成形加工により、パターン形成領域Ａを開口し、梁１０ａをもつ形状の支持補強体１０を作製する。 - 特許庁

To provide an electron beam transfer aligner which has a long life at low cost, by enabling the transfer exposure of a fine pattern of 0.1 μm or under.例文帳に追加

0.1 μm 以下の微細パターンの転写露光を可能とし、低コストで長寿命の電子線転写露光装置の提供。 - 特許庁

In development simulation process of this resist pattern forming method, a substrate after electron beam lithography is developed using a developer under the predetermined development condition.例文帳に追加

現像工程では、電子線描画後の基板を現像液を用いて予め定められた前記の現像条件で現像する。 - 特許庁

(2) Concerning a beam pattern by the initial value, a center constraint point and four area end constraint points around a service area are selected.例文帳に追加

２）この初期値によるビームパターンについて、中心拘束点と、サービスエリアの周り４点のエリア端拘束点を選択する。 - 特許庁

To provide a method capable of aligning a repeated pattern even without setting a marker point for alignment in a laser beam machining device.例文帳に追加

レーザ加工装置において、アライメント用のマーカー点を設定せずとも繰り返しパターンをアライメントできる方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, its light intensity distribution can be changed while maintaining the clear cut-off line of the light distribution pattern for low beam.例文帳に追加

そしてこれにより、ロービーム用配光パターンの鮮明なカットオフラインを維持した上で、その光度分布を変化させるようにする。 - 特許庁

A method for correcting proximity effects is used for correcting proximity effects, which occurs at the formation of a pattern on a wafer 3 by electron beam exposure.例文帳に追加

本方法は、電子線露光によりウエハ３上にパターン形成する際に生じる近接効果を補正する方法である。 - 特許庁

A processing means extracts a plurality of luminance points 10a added to the cable 10 by the pattern beam 43 as featured points.例文帳に追加

処理手段は、パターン光４３によりケーブル１０に付加された複数の輝点１０ａを特徴点として抽出する。 - 特許庁

To perform high-accuracy patterning on a pattern transfer mask, through which a charged particle beam is transmitted by preventing the adhesion of particles to the mask.例文帳に追加

荷電粒子線を透過させるパターン転写用マスクに、パーティクルが付着することを抑止して、精度の高いパターニングを行う。 - 特許庁

The light emitting diode device is adapted to be capable of shielding or filtering light to provide a high-gradient edge or region within the beam pattern.例文帳に追加

ビームパターン内に高勾配縁又は領域を作るように、光を遮蔽又は濾光することのできる発光ダイオード装置。 - 特許庁

To suppress a length measuring error by difference of a shrink amount by scanning of an electron beam in each pattern.例文帳に追加

本発明の目的は、電子線の走査によるシュリンク量がパターンごとに異なることによる測長誤差を抑制することにある。 - 特許庁

To provide a multi-charged particle writing system capable of measuring a current of each electron beam accurately and capable of exposing a desired pattern.例文帳に追加

各電子ビームの電流を正確に測定でき、所望パターンを露光できるマルチ荷電粒子線描画装置を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR APPROXIMATING EID FUNCTION IN CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE APPARATUS, METHOD FOR CORRECTING APPROXIMATION EFFECT AND METHOD FOR DECIDING RETICLE PATTERN例文帳に追加

荷電粒子線露光装置におけるＥＩＤ関数の近似方法、近接効果補正方法、及びレチクルパターンの決定方法 - 特許庁

To provide an apparatus for forming a layout pattern which can reduce the number of characters on an aperture and reduce the frequency of irradiation with a beam.例文帳に追加

アパーチャ上のキャラクタ数の低減とビームの照射回数の低減が可能なレイアウトパターンの作成装置を提供する。 - 特許庁

A charged particle beam is irradiated to a semiconductor device being an analysis target by a first irradiation pattern so as to inject charges.例文帳に追加

解析対象の半導体装置に対し、第１の照射パターンで、荷電粒子ビームを照射して、電荷を注入する。 - 特許庁

The main reflection surface 2U reflects light L1 emitted from the semiconductor-type light source 5U to irradiate a light distribution pattern LP for low beam.例文帳に追加

主反射面２Ｕは、半導体型光源５Ｕからの光Ｌ１を反射させてロービーム用配光パターンＬＰを照射する。 - 特許庁

To provide a pattern forming material excellent in resolution and mask coverage dependency and useful in microfabrication using an electron beam or far-ultraviolet radiation.例文帳に追加

解像性とマスク被覆率依存性に優れ電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用なパターン形成材料。 - 特許庁

The multiplicity is determined based on an amount of irradiation with a charged particle beam needed for the lithography and position precision needed for the each pattern.例文帳に追加

多重度は、描画に必要な荷電粒子ビームの照射量と、各パターンに要求される位置精度とから決定できる。 - 特許庁

To make a drawing pattern highly accurate and to improve the throughput of a batch transfer system of electron-beam direct drawing technology.例文帳に追加

電子線直接描画技術の一括転写方式における描画パターンの高精度化およびスループットの向上を図る。 - 特許庁

A focus value is calculated by utilizing the fact that shrinkage of a resist pattern caused by irradiation with an electron beam varies depending on the focus value.例文帳に追加

電子線照射によるレジストパターンのシュリンク量がフォーカス値に依存して変動することを利用してフォーカス値を求める。 - 特許庁

The beam is reflected by a collimator mirror 6 and made incident on a mask M having a stripe pattern formed therein held on a mask stage MS.例文帳に追加

この光はコリメータミラー６で反射され、マスクステージＭＳに保持されたストライプパターンが形成されたマスクＭに入射する。 - 特許庁

PROTECTIVE FILM FORMING MATERIAL FOR RESIST LAYER USED FOR ELECTRON BEAM OR EUV LITHOGRAPHY, LAMINATED BODY, AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN例文帳に追加

電子線又はＥＵＶリソグラフィーに用いられるレジスト層用の保護膜形成用材料、積層体、およびレジストパターン形成方法 - 特許庁

To provide a laser beam dull-machining apparatus and a machining method with which a high precise projecting pattern is formed on the surface of a roll for rolling metal.例文帳に追加

金属圧延ロール表面に高精度な凸パターンを形成するレーザダル加工装置及び加工方法を提供すること。 - 特許庁

A lithography equipment comprises an array MLA of elements, capable of being individually controlled, which provides a projection beam having a pattern in its crosssection.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、その断面にパターンを有する投影ビームを付与する個別に制御可能な要素のアレイＭＬＡを有する。 - 特許庁

This equipment for charged particle beam reduction transfer reduces and projects and transfers a pattern on a mask, on a sensitive substrate.例文帳に追加

本荷電粒子線縮小転写装置は、マスク上のパターンを感応基板上に縮小投影して転写する装置である。 - 特許庁

Since an ideal low beam light distribution pattern can be obtained in a sing unit, an assembling work can be done easily and the unit can be made smaller.例文帳に追加

１つで理想的なロービーム配光パターンが得られるため、設置作業が容易で且つ装置の小型化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a pattern formation apparatus capable of irradiating flying droplets with a laser beam without impairing landing precision of droplets.例文帳に追加

液滴の着弾精度を損なうことなく、飛行中の液滴にレーザ光を照射可能なパターン形成装置を提供する - 特許庁

And a laser beam is radiated through the transferred phase modulation pattern to write a grating on the core of the optical fiber (S160).例文帳に追加

そして転写された位相変調パターンを通してレーザを照射して光ファイバのコア部分にグレーティングを書き込む（Ｓ１６０）。 - 特許庁

An auxiliary array provides a wider beam aperture capable of defining a null in the radiation pattern of the main array to be narrower.例文帳に追加

補助アレーは、主アレーの放射パターンの中のナルをより狭く規定することが可能なより広いビーム・アパーチャを提供する。 - 特許庁

To provide a resist laminate suitable for use in lithography using a low accelerated electron beam and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

低加速電子線を用いたリソグラフィーに好適に用いられるレジスト積層体およびパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent occurrence of a loss in the quantity of light and occurrence of disturbance in the far field pattern without causing any vignetting in the laser beam.例文帳に追加

レーザ光にケラレを生じさせず、光量損失の発生とファーフィールドパターンにおける擾乱の発生とを防止できること。 - 特許庁

To provide a means for verifying whether pattern data in an electron beam lithographic device are composed appropriately on a photomask.例文帳に追加

電子線描画装置におけるパターンデータがフォトマスク上で正しく構成されているかを検証する手段を提供する。 - 特許庁

To ensure a high precision low beam passing light distribution pattern even without requiring high precision tolerance of a solenoid.例文帳に追加

ソレノイドに対して高精度の公差を要求しなくとも、高精度のすれ違い用の配光パターンが得られることを目的とする。 - 特許庁

To make the shape observation and dimension inspection of very fine pattern possible in an electron beam inspection device of a scanning electron microscope for example.例文帳に追加

走査形電子顕微鏡などの電子ビーム検査装置において、微細なパターンの形状観察や寸法検査を可能とする。 - 特許庁

To provide a laser beam irradiation apparatus capable of easily changing the dimension of a rectangular irradiation pattern or the distance between irradiation patterns.例文帳に追加

矩形の照射パターンの寸法や照射パターン同士の間隔を容易に変更可能なレーザビーム照射装置を提供する。 - 特許庁