「pattern beam」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electron beam exposure apparatus for applying electron beam scanning onto a wafer to detect a positioning mark and determining a proper scanning condition of the electron beam for generating a pattern of elements in the vicinity of the positioning mark with high accuracy.例文帳に追加

電子ビームをウエハ上で走査し、位置合わせマークを検出する電子線露光装置において、位置合わせマーク近傍の素子のパターンを高精度に作成するための電子ビームの適切な走査条件を決定する電子線露光装置を得ること。 - 特許庁

The repair mechanism 20 includes a beam irradiator for irradiating the repair site of the wiring pattern with a convergence ion beam and a local vacuum mirror cylinder connected to the to top end of the beam irradiator, and locally made vacuum by covering an object to be checked.例文帳に追加

リペア機構部２０は、集束イオンビームを形成し配線パターンの補修部位に照射するビーム照射部と、ビーム照射部の先端部に接続され、検査対象物を覆って局部的に真空とする局部的真空鏡筒を有する。 - 特許庁

The lithographic apparatus includes an illumination system for supplying a beam of radiation, a patterning system serving unit to impart the beam of radiation with a pattern in its cross-section, a substrate table for supporting a substrate, and a projection system for projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、放射線ビームを供給する照明系、放射線ビーム断面にパターンを与えるパターン付与装置、基板を支持する基板テーブル、およびパターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影系を含む。 - 特許庁

The illumination optical system is provided with a means (forming openings 4, 8 and forming deflectors 6, 7) to form a beam smaller than the beam to illuminate the small area of regular pattern, and an opening for detecting a mark of the reticle 10 is illuminated with a small beam L4.例文帳に追加

照明光学系に、通常のパターン小領域を照明するビームよりも小さいビームを成形する手段（成形開口４、８及び成形偏向器６、７）を備え、小ビームＬ４でレチクルのマーク検出用開口を照明する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam exposure device that can always maintain a high-quality exposure pattern by inspecting the irradiating angle distribution of a particle source in advance, and to provide a charged particle beam forming mask and a method of inspecting a charged particle beam used for the exposure device.例文帳に追加

粒子源の放射角分布を事前に検査し常に高品質な露光パターンを維持することが可能な荷電粒子線露光装置と、これに用いる荷電粒子線成形マスク、および荷電粒子線検査方法を提供する。 - 特許庁

This electron beam transfer equipment is provided with an illumination optical system which illuminates a reticle 12 having a pattern to be transferred on a wafer 16 with electron beam, and a projection optical system which projects an electron beam which passes the reticle 12 and is patterned and forms an image on the wafer 16.例文帳に追加

本装置は、ウエハ１６に転写するパターンを有するレチクル１２を電子ビームで照明する照明光学系と、レチクル１２を通過してパターン化された電子ビームをウエハ１６上に投影結像させる投影光学系を備える。 - 特許庁

A method for manufacturing a conductive pattern-formed substrate of the present invention includes: a conductive pattern formation step of irradiating a transparent conductive layer provided on an insulation substrate with a pulse-form laser beam in a predetermined pattern to form an insulation portion and forming at least a conductive pattern; and a re-irradiation step of re-irradiating a part of the insulation portion with the pulse-form laser beam.例文帳に追加

本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、絶縁基板上に設けられた透明導電層にパルス状レーザ光を所定パターンで照射することにより絶縁部を形成して、少なくとも導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記絶縁部の一部にパルス状レーザ光を再照射する再照射工程とを有する。 - 特許庁

A 1st registration detecting pattern is formed only with a beam for a 2nd line of a 1st laser diode using the BD sensor to decide write-start timing, and a 2nd registration detecting pattern is formed only with a beam for the 2nd line of a 2nd laser diode which does not use the BD sensor.例文帳に追加

ＢＤセンサを用いて書き出しタイミングを決定する第１のレーザダイオードの、第２ライン用ビームのみで第１のレジスト検知用パターンを形成し、ＢＤセンサを用いない第２のレーザダイオードの、第２ライン用ビームのみで第２のレジスト検知用パターンを形成する。 - 特許庁

Positions of the shade 6 and light shielding member 7 of the integrated structure are switched to first and second positions by the switching device 8 and a light distribution pattern LP for low beam and a light distribution pattern HP for high beam are switched to irradiate a front of a vehicle.例文帳に追加

切替装置８により、一体構造のシェード６および遮光部材７を第１位置と第２位置とに切替位置させることにより、ロービーム用配光パターンＬＰとハイビーム用配光パターンＨＰとを切り替えて車両の前方に照射することができる。 - 特許庁

A photoresist 17 is coated on the substrate, the photoresist 17 is exposed by a laser beam 15 of an electron beam 21 to record a signal, a pattern is formed by developing the photoresist 17 so as to be dry-etched using the pattern as a mask, and the stamper is manufactured by removing the photoresist 17 by ashing.例文帳に追加

この基板にフォトレジスト１７を塗布し、レーザ光１５または電子ビーム２１で露光して信号を記録し、現像してパターンを形成し、このパターンをマスクにしてドライエッチングを行い、アッシングによりフォトレジスト１７を除去してスタンパを作製する。 - 特許庁

During high-beam irradiation, a direct light from the light source 22a injected into the first additional reflector 36L is reflected diagonally to the lower right and then reflected frontward from the second additional reflector 40R to form an additional distribution pattern in a central region of a high-beam distribution pattern.例文帳に追加

ハイビーム照射時、第１付加リフレクタ３６Ｌに入射した光源２２ａからの直射光を、右斜め下方へ反射させた後、第２付加リフレクタ４０Ｒで前方へ反射させ、ハイビーム配光パターンの中心領域に付加配光パターンを形成する。 - 特許庁

A drawing pattern is divided in a data conversion processing circuit 14 based on drawing data, a cross sectional contour of electron beam is formed rectangular in accordance with a drawing pattern after division and the formed rectangular electron beam is projected to a desired position of a drawing material.例文帳に追加

描画データに基づいてデータ変換処理回路１４において描画パターンを分割し、電子ビームの断面形状を分割後の描画図形に応じて矩形に成形し、成形された矩形状の電子ビームを被描画材料の所望位置に投射する。 - 特許庁

To provide a method of forming a fine pattern having the width and the diameter of the pattern of ≤100 nm and an excellent uniformity (uniformity in surface) in an ultra-fine manufacturing process using a high energy light beam of which the wavelength is 200 nm or smaller or an electron beam.例文帳に追加

波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光または電子線を用いた極微細加工プロセスにおいて、パターン幅や径が１００ｎｍ以下でユニフォーミティー（面内均一性）などの点においても優れる微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resist pattern forming method in which stored energy distribution in a resist film is generated in electron beam lithography while taking influence of front scatter and back scatter of electron beam scatter into consideration, and the energy distribution is applied to optimization of exposure conditions and a pattern size.例文帳に追加

電子線リソグラフィにおいて、電子線散乱による前方散乱と後方散乱の影響を考慮したレジスト膜中の蓄積エネルギー分布を作成し、露光条件やパターンサイズの最適化に適用し、レジストパターンを形成する方法を提供する。 - 特許庁

At least part of a region exposed to an electron beam on a second resist film in forming a second resist pattern is located at a region corresponding to a position interposed between regions of a first resist film exposed to the electron beam in forming a first resist pattern.例文帳に追加

本発明は、第２レジストパターンの形成にあたり第２レジスト膜に電子線が露光される部位の少なくとも一部は、第１レジストパターンの形成にあたり第１レジスト膜に電子線が露光された部位同士に挟まれた位置に対応する部位に配置されている。 - 特許庁

To provide a laser beam piercing device capable of displaying a plurality of laser beam irradiation regions decided by the parameter inputted by an operator as an irradiation pattern and displaying the evaluation result of piercing by the irradiation pattern.例文帳に追加

オペレータが入力したパラメータにより決定される複数のレーザ照射領域の表示を、照射パターンとして表示させると共に、この照射パターンで加工した場合の評価結果をも表示させることのできるレーザ穴あけ加工装置を提供すること。 - 特許庁

To provide the pattern drawing method and an apparatus for charged particle beam lithography system, capable of accurately performing proximity effect corrections on the peripheral portion of patterns, regarding the pattern drawing method and the apparatus for the charged particle beam lithography system.例文帳に追加

本発明は荷電粒子ビーム描画装置のパターン描画方法及び装置に関し、パターンの周縁部分の近接効果補正を正確に行なうことができる荷電粒子ビーム描画装置のパターン描画方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To quickly adapt a light intensity distribution pattern and emission angles of an emission beam to immediately cope with a vehicle driving condition in a headlight for a vehicle housing a lamp unit emitting forward a beam of a prescribed light intensity pattern inside of a lamp body.例文帳に追加

ランプボディの内部に所定の配光パターンで前方へビーム照射を行う灯具ユニットが収容されてなる車両用前照灯において、車両走行状況に即応した配光パターンおよび照射角度でビーム照射を行えるようにする。 - 特許庁

Thereby, brightness of a hot zone of a light distribution pattern for a low beam is remarkably increased as compared with the case where the light distribution pattern for a low beam is formed only by light reflected from a reflector 16, and the highest luminance position thereof is positioned and set in the vicinity of a cutoff line.例文帳に追加

これにより、ロービーム用配光パターンのホットゾーンの明るさを、リフレクタ１６からの反射光のみによりロービーム用配光パターンを形成するようにした場合に比して大幅に増大させ、その最高光度位置をカットオフライン近傍に位置設定する。 - 特許庁

To provide an electron beam drawing device and a method which are maintenance-free and capable of forming an optional pattern by each shot and drawing it on a specimen at a high speed without providing a stencil on which a cell pattern is previously formed in the optical path of an electron beam.例文帳に追加

予めセルパターン形成されたステンシルを電子ビームの光路中に設置することなく、任意のビームパターンをショットの都度に成形して、高速にメンテナンスフリーで試料上に描画することが可能な電子ビーム描画装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

The stage driving unit for a charged beam drawing device uses the charge beam drawing device for forming a circuit pattern of a semiconductor device on the surface of the substrate and positions a stage where the substrate is installed when forming a circuit pattern.例文帳に追加

本発明は，従来の問題に対処し、粒子線ビーム描画装置などにおいて基板上にパターンを描画するにあたり，ステージの振動低減による位置決め精度の向上を図ることにより、基板のパターン描画位置精度を向上させるようにしたものである。 - 特許庁

This interferometer 10 includes a beamsplitter 32 for splitting a source beam into a test beam 40 and the reference beam 42, an imaging device 24 for detecting an interference pattern, a mirror 38 for reflecting the test beam toward the imaging device, a micromirror 44 for reflecting a portion of the reference beam toward the imaging device and a focusing mechanism 34 for focusing the reference beam on the micromirror.例文帳に追加

干渉計１０は、ソースビーム１４を試験ビーム４０及び基準ビーム４２に分割するビームスプリッタ３２と、干渉パターンを検出する結像デバイス２４と、前記試験ビームを結像デバイスの方向に反射するミラー３８と、前記基準ビームの部分を前記結像デバイスの方向に反射するマイクロミラー４４と、及び、前記基準ビームを前記マイクロミラーに集光する集光機構３４と、を含む。 - 特許庁

To provide a method for creating writing data for electron beam exposure and electron beam writing, and a method for manufacturing a photo mask, an X-ray mask, and a mask for charged beam projection aligning for creating a mask pattern exactly same as a designed value with an existing low accelerating voltage electron beam writing system by a variable shaped method.例文帳に追加

既存の低加速電圧の可変成形法の電子線描画装置を用いて、設計値通りのマスクパターンを作成するための、電子線露光用描画データの作成方法、電子線描画方法及びフォトマスク、X線マスク及び荷電ビーム投影露光用マスク作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a drawing method with higher accuracy by correcting, by an irradiation time, an influence on a pattern dimension due to beam leakage and a foot of a beam profile (including a foot of an energy accumulated in a resist) in relation to a drawing method of an electron beam drawing device and to the electron beam drawing device.例文帳に追加

本発明は電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置に関し、ビーム漏れとビームプロファイルのすそ野（レジスト中に蓄積するエネルギーのすそ野を含む）によるパターン寸法への影響を照射時間で補正することにより、より高精度の描画方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The optical intensity distribution of the laser beam is obtained from a differential waveform of an RF signal obtained from a pit-land pattern consisting pits and lands having a prescribed length longer than the diameter of the beam spot formed by the laser beam on the optical disk rotary driven with a constant linear velocity and an effective spot diameter of the laser beam is obtained based on the optical intensity distribution.例文帳に追加

線速一定で回転駆動される光ディスク上にレーザビームが形成するビームスポット径よりも長い所定長のピットおよびランドからなるピット−ランドパターンから得たＲＦ信号の微分波形からレーザビームの光強度分布を求め、この光強度分布に基づきこのレーザビームの有効スポット径を求める。 - 特許庁

Since the electron beam shielding region 11 adheres tightly to the pattern formation layer 2 by the effect of the minute adhesiveness of the minute adhesive layer 14, the electron beam does not enter the region that shields the electron beam from an oblique direction even if an inexpensive general-purpose electron beam irradiation device is used, thereby allowing very fine and high-resolution patterning.例文帳に追加

微粘着層１４の微粘着効果により、パターン形成層２に電子線遮蔽領域１１が密着するので、汎用型の安価な電子線照射装置を使用しても、電子線を遮蔽する領域に電子線が斜め方向から入射することがなく、高精細、高解像度のパターニングが期待できる。 - 特許庁

A resist pattern formation method forms a resist pattern 2, forms a protection film 3 for protecting the resist from ozone ashing on the resist pattern, irradiates the resist pattern with electron beam 4 via the protection film in an atmosphere in which oxygen exists like in the air, and then forms the resist pattern where dry etching resistance is improved by removing the protection film.例文帳に追加

レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 - 特許庁

This pattern printed transparent sheet is printed with a regular transparent pattern 3 on a surface of a transparent substrate 2, ink constituting the transparent pattern 3 contains a material reflecting a nonvisible light beam, and a transparent layer 9 has the thickness almost same as that of the transparent pattern 3, or the thickness covering the transparent pattern 3, on the transparent substrate 2.例文帳に追加

本発明のパターン印刷透明シートは、透明基板２の表面に規則性を有する透明な透明パターン３が印刷されてなり、透明パターン３を構成するインキが非可視光線を反射する材料を含み、透明基板２上に、透明パターン３とほぼ同じ厚さ、又は透明パターン３を覆う厚さで透明化層９が形成されてなるものである。 - 特許庁

The device further has a support constructed to support a patterning device, the patterning device can give a pattern to a cross-section of an illuminating radiation beam to form a patternized radiation beam.例文帳に追加

装置はさらに、パターニングデバイスを支持するように構築された支持体を有し、パターニングデバイスは、パターン形成した放射線ビームを形成するために、照明放射線ビームの断面にパターンを与えることができる。 - 特許庁

A lithography equipment has a lighting system for providing a radical projection beam and a support structure for supporting pattern-forming equipment for giving patterns to the cross-section surface of the projection beam.例文帳に追加

本発明のリソグラフィ装置は、放射の投影ビームを提供するための照明系、及び投影ビームの断面にパターンを与えるパターン形成装置を支持するための支持構造体を有する。 - 特許庁

Thereafter, the quality of the particle source is determined by discriminating whether each beam from the auxiliary holes is projected with uniform intensity by comparing beam profiles obtained by performing X- and Y-direction scanning by using a cross pattern.例文帳に追加

しかる後、クロスパターンを用いたＸＹ方向走査によるビームプロファイルを比較して、補助孔からの各ビーム強度が均一照射しているか否を判断し、粒子源の良否を判定する。 - 特許庁

A high-current electron beam 19 is radiated only at one time or several times of short time duration onto the wafer 9 to be inspected to form an electron beam image before the electric potentials of the circuit pattern materials change.例文帳に追加

被検査基板９に対して、高速に大電流の電子線１９を１回あるいは数回のみ照射して回路パターンの部材の電位が変動する前に電子線画像を形成する。 - 特許庁

The light source causes light to irradiate on the light beam surface plate through a transmission hole 23 formed in the lid 20 of the concrete cask and the camera photographs a fringe pattern, produced on the beam surface plate by the light illumination.例文帳に追加

光源は、コンクリートキャスクの蓋体２０に形成された透孔２３を通して、光線定盤に光を照射し、カメラは、光の照射により光線定盤に生じた縞模様を撮像する。 - 特許庁

The patterning device can give a pattern to the section of an radiation beam to form a patterned radiation beam, and the support has a support clamp structured to clamp the patterning device onto the support.例文帳に追加

パターニングデバイスはパターン化された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを与えることができ、支持体はパターニングデバイスを支持体にクランプするように構成された支持クランプを含む。 - 特許庁

The measuring unit 23 emits a measuring laser beam to a hologram element 13, receives the measuring laser beam diffracted by the hologram element 13, and thus measures optical characteristics of a hologram pattern 18.例文帳に追加

測定ユニット２３は、ホログラム素子１３に測定用レーザ光を出射し、ホログラム素子１３によって回折された測定用レーザ光を受光して、ホログラムパターン１８の光学特性を測定する。 - 特許庁

To provide an electrically charged particle beam drawing method and an electrically charged particle beam drawing device that draw a desired pattern by performing correction processing with an amount of irradiation corresponding to a film thickness of a resist film.例文帳に追加

レジスト膜の膜厚に応じた照射量の補正処理を行い、所望のパターンを描画することのできる荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

To automatically form an interference pattern of an electron beam having an optimal clear condition without depending on a human operation, and to perform a phase measurement at a stable condition by an electron beam holography method.例文帳に追加

人的操作に依存することなく自動的に最適な条件の明瞭な電子線の干渉縞を形成し、安定した条件で例えば電子線ホログラフィー法による位相計測を行う。 - 特許庁

To provide a photolithographic system which can rapidly inspect the patterns formed by a light beam, such as a laser beam, on a body to be pattern formed, such as a glass dry plate or a base material for printed circuit boards.例文帳に追加

ガラス乾板やプリント基板用の基材などの被描画体上にレーザ光などの光ビームによって描画されたパターンを、短時間で検査することができる描画装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vehicle headlamp with a simple structure which can form an optimum light distribution pattern for each of a passing beam and a driving beam.例文帳に追加

本発明は、簡単な構成により、すれ違いビーム時及び走行ビーム時にそれぞれ最適な配光パターンを形成することができるようにした車両前照灯を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electron beam deflector and an electron beam aligner in which crosstalk can be reduced among a plurality of deflectors for deflecting a plurality of electron beams respectively and a wafer can be exposed with a pattern accurately.例文帳に追加

複数の電子ビームをそれぞれ偏向する複数の偏向器間のクロストークを低減し、ウェハにパターンを精度よく露光することができる電子ビーム偏向装置及び電子ビーム露光装置を提供する。 - 特許庁

The electron beam exposing stencil mask manufacturing method is for manufacturing the electron beam exposing stencil mask composed of a membrane having a stencil pattern and a grid-like silicon strut part for supporting the membrane.例文帳に追加

本発明に係る電子線露光用ステンシルマスクの作製方法は、ステンシルパタンを有するメンブレンとそれを支持する格子状のシリコン支柱部からなる電子線露光用ステンシルマスクを作製する方法である。 - 特許庁

Set values 51 to 56 of laser beam quantities are measured by a potential sensor 3 for the patch pattern images formed on a photoreceptor 1 at the laser beam quantities for potential measurement and are calculated in accordance with the measured potential.例文帳に追加

レーザ光量設定値５１〜５６は、電位測定用のレーザ光量で感光体１上に形成したパッチパターン像の電位を電位センサ３で測定し、その測定電位に基づいて算出する。 - 特許庁

The laser beam flux is partitioned by the phase shift part 20 to shift the phase in a superposing manner on the slit 40, and uniform machining without any interference pattern is performed by suppressing the interference of the unified laser beam flux.例文帳に追加

位相シフト部２０で光束を分割して位相をシフトさせ、スリット４０上で重ね合わせて均一化した光束の干渉を抑えて干渉パターンのない均一な加工を行うことができる。 - 特許庁

The laser marking system S is provided with: marking pattern inputting apparatuses 10 and 20 for inputting a marking pattern to be marked on a work; a personal computer 30; and a laser marker 40 by which the work is irradiated with a laser beam and dot-marking of the marking pattern is performed.例文帳に追加

本発明のレーザマーキング装置Ｓは、ワークにマーキングするマーキングパターンを入力するためのマーキングパターン入力装置１０，２０と、パソコン３０と、ワークにレーザ光を照射してマーキングパターンをドットマーキングするレーザマーカー４０と、を備えている。 - 特許庁

This exposure device prints a pattern which is same as a pattern of a photomask or an inverted pattern by irradiating an unexposed photomask member 3 with a beam 10 from a light source 11 for exposure via the photomask 1 and, therein, the light source for exposure is constituted of a flat luminescence device.例文帳に追加

フォトマスク1 を介して未露光フォトマスク部材3 に露光用光源11からの光10を照射してフォトマスクのパターンと同じかまたは反転したパターンを焼付ける露光装置において、露光用光源を平面発光装置で構成した。 - 特許庁