「plating process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

This multiple tank type inline plating device 20 comprises a plurality of the rotary drums 21(1)-27(1) connected to each other in such a way that a workpiece W after passing through a cleaning process is carried in the rotary drum 25(1) for plating while it is immersed in a plating solution tank 25(2) to be plated.例文帳に追加

多槽式インラインメッキ処理装置２０は、複数台の回転ドラム２１（１）〜２７（１）が連結された構成であり、洗浄工程を経た後のワークＷがメッキ処理用の回転ドラム２５（１）内を搬送される間にメッキ液槽２５（２）に浸漬されメッキ処理が施される。 - 特許庁

In this heating process, (1) water in the plating 38 is vaporized and coefficient of friction of the connector female screw 27 and the main body side male screw 29 is increased, (2) the plating 38 creeps to increase contact area of the connector female screw 27 and the main body side male screw 29, and (3) the plating 38 is diffused and adheres.例文帳に追加

この加熱工程により、（１）メッキ３８中の水分が蒸発してコネクタ雌ネジ２７と本体側雄ネジ２９の摩擦係数がアップし、（２）メッキ３８がクリープしてコネクタ雌ネジ２７と本体側雄ネジ２９の接触面積が増大し、（３）メッキ３８が拡散して凝着する。 - 特許庁

Further, in the process of performing the plating, the relation between the rotating conditions in the plating treatment chamber 1 and the weight of each stirring media 5 is decided in such a manner that each stirring media 5 have the kinetic energy of ≥0.015 J.例文帳に追加

また、めっきを行う工程において、個々の撹拌メディア５が、０．０１５Ｊ以上の運動エネルギーを有するように、めっき処理室１の回転条件と、個々の撹拌メディア５の重量の関係を定める。 - 特許庁

A slit 4b is intermittently formed on a welding line Lw of an upper plating steel plate by a laser beam as a preliminary process, when laser-welding through the welding line Lw of overlapped plating steel plates 4 and 5.例文帳に追加

重ね合わせためっき鋼板４，５の溶接線Ｌｗ上をレーザ溶接する際の前工程として、上側のめっき鋼板４の溶接線Ｌｗ上に、レーザ光を用いてスリット４ｂを断続的に形成する。 - 特許庁

The production process of the Ni plated sheet comprises a step for undergoing a mesh fabric obtained by braiding metallic fibers to the Ni plating and a step for holding the mesh fabric undergone the Ni plating under a specified temperature for a specified time.例文帳に追加

当該Niメッキシートの製造工程において、金属繊維を編組してメッシュ織物に対してNiメッキを施す工程と、Niメッキ後の前記メッシュ織物を所定の温度下において所定時間保持する工程とを設ける。 - 特許庁

To provide a partial solder plating method for plastic which is extremely simple, has versatility without degrading corrosion resistance performance and does not require special facilities by improving a cap mounting process in order to eliminate stripping of plating.例文帳に追加

めっき剥離を解消するするため、キャップ装着工程を改良し、耐食性能を低下させず非常に簡単で汎用性があり、特殊な設備も必要としないプラスチックへの部分めっき方法を提供する。 - 特許庁

After the catalyst-formation treatment process, an electroless plating treatment step of forming an electroless-plated metal thin film by electroless plating on the surface of a resin material precipitated by the catalytic metal is performed.例文帳に追加

また、この製造方法は、触媒化処理工程の後に、触媒金属が析出した樹脂材料子の表面に、無電解メッキにより無電解メッキ金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an electronic device which includes a plating film forming process for preferentially burying a plating film in the recess of a substrate by an electroplating processing in a state where a surface is made almost flat.例文帳に追加

電解めっき処理により基材の凹部にめっき膜を優先的にかつ表面が略平坦化された状態で埋め込むことが可能なめっき膜形成工程を含む電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an additive and a film deposition method in which copper plating is preferentially progressed in grooves with the width of ≤1 μm or holes with the diameter of ≤1 μm to prevent the generation of voids, in a copper plating process in a semiconductor.例文帳に追加

半導体における銅めっきプロセスにおいて、幅１μｍ以下の溝もしくは直径１μｍ以下のホール内で優先的に銅めっきを進行させボイドが生じない添加剤及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

The package substrate has a shape in which bottomed-holes having a plurality of shapes are formed and the interlayer connections are made in a plurality of layer, and also has a structure that the connections are made after a conductive process with only a single process of plating or with thick nonelectrolyte plating or with conductive paste.例文帳に追加

複数形状を有する非貫通孔の形状で、少なくとも、その層間接続方法が多段と成る形状を有し、且つその接続方法が導電化後、一回のめっき、或いは、厚付け無電解めっきや導電ペーストにより接続された構造を有するパッケージ基板。 - 特許庁

In order to locate the recess on the side of the metal wiring layer, after the current density of an intermediate process is made lower than a current density of before/after process to form a plating layer of a fine metal crystal when depositing the metal wiring layer by plating, the recess can be obtained by carrying out an etching treatment.例文帳に追加

金属配線層の側面に窪みを設けるには、金属配線層をメッキにより析出させるに際して、中間工程の電流密度を前後の工程の電流密度よりも低くして微細金属結晶のメッキ層とした後、エッチング処理を行うことにより得られる。 - 特許庁

The method of manufacturing the metal filter includes: an opening forming process of forming a large number of filter openings (opening parts 3a) on a metal film (metal foil 2) to be a filter material; and a plating process of applying metal plating to the metal film on which the large number of filter openings are formed and narrowing the respective filter openings.例文帳に追加

フィルタ素材となる金属フィルム（金属箔２）に多数のフィルタ開口（開口部３ａ）を形成する開口形成工程と、多数のフィルタ開口を形成した金属フィルムに、金属めっきを施して各フィルタ開口を狭窄化するめっき工程と、を備えたものである。 - 特許庁

Since the power-collecting line can be formed by an application process for forming a photoresist agent layer P1, a plating process for forming the power-collecting line 3, and a separation process for separating the remaining photoresist agent layer P1, the formation of the power-collecting line 3 can be executed by a simple process and work.例文帳に追加

フォトレジスト剤層Ｐ１を形成する塗布工程、集電線３を形成するめっき工程及び残ったフォトレジスト剤層Ｐ１をはく離するはく離工程により形成可能となることから、集電線３の形成を極めて簡便な工程及び作業で行うことができる。 - 特許庁

The manufacturing method of an electronic device includes: (a) a process of forming a Cu layer by plating above a base substrate; (b) a process of cleaning the surface of the Cu layer with an alkali cleaning chemical solution to which an organic acid is added; and (c) after the process (b) a process of chemical mechanical polishing of the Cu layer.例文帳に追加

電子装置の製造方法は、（ａ）下地基板上方に、めっきによりＣｕ層を形成する工程と、（ｂ）Ｃｕ層の表面を、有機酸が添加されたアルカリ性の洗浄薬液により洗浄する工程と、（ｃ）工程（ｂ）の後、Ｃｕ層を化学機械研磨する工程とを有する。 - 特許庁

In a step 12, a plurality of wafers of each lot are subjected to atmospheric pressure plasma treatment 121, one lot at a time, during transfer processing toward plating process.例文帳に追加

ステップ１２では複数のロット毎のウェハをメッキ処理工程に向けて搬送する搬送処理中に大気圧プラズマ処理１２１を経る。 - 特許庁

A plating solution jetted to the inside of an internal treating tank 43 is applied on the surface layer of tape 57 in the process of passing through the inside of the internal treating tank 43.例文帳に追加

内部処理槽４３内に噴出されたメッキ液は、内部処理槽４３内を通過中のテープ５７の表面層に当てられる。 - 特許庁

Necessary conductivity is ensured by the carbon itself, so that an additional process such as plating to increase the conductivity is not needed.例文帳に追加

又、カーボン自体によって必要な導電性が確保されることから、導電性の向上を図るための、めっき等の付加的処理が不要である。 - 特許庁

With such constitution, the solder wettability is improved, and a strong and a stable soldered joints can be easily attained without any solder plating process.例文帳に追加

これにより、半田濡れ性が改善され、半田めっき処理を行わなくとも、強固にかつ安定して容易に半田接合することができる。 - 特許庁

To provide an effective method of manufacturing a substrate and an electronic component which is excellent in electrical reliability without executing an electroless plating process or the like.例文帳に追加

無電解めっき等の工程を行うことなく、電気的信頼性が高く、効率的な基板及び電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tin-plated copper wire wherein the manufacturing process is not complicated and a conducting body does not soften even if a tin plating using a hot dipping is made.例文帳に追加

製造工程を煩雑化させることなく、溶融めっきで錫めっきしても導体が軟化しない錫めっき銅線を提供する。 - 特許庁

A second conductor pattern 4 made of a metal thin film is provided to the surface of a flat plate portion 31 of the housing 3 by plating process.例文帳に追加

前記ハウジング３の平板部３１の表面には、金属薄膜で構成された第２導体パターン４がメッキ処理によって設けられている。 - 特許庁

The Cu plating is carried out on this groove, and the flattening process (CMP) is carried out to form the upper layer coil 22, then the subject two layers coil is completed.例文帳に追加

この溝にＣｕめっきを行い、平坦化処理（ＣＭＰ）を行いと上層コイル２２が形成でき、本発明の２層コイルができる。 - 特許庁

Successively, a surface of the conductive plating film in the wiring region is covered with one layer of a resist thin film by carrying out a lithography process on the substrate.例文帳に追加

続いて該基板に対してリソグラフィー工程を実行して配線領域の導電性めっき膜表面を一層のレジスト薄膜で覆う。 - 特許庁

The core material is manufactured by a method including a process of nickel-plating a first core material 11 containing impurities 12 dissolving at a positive electrode potential.例文帳に追加

正極電位で溶解する不純物１２を含む第１の芯材１１をニッケルメッキする工程を含む方法で芯材を製造する。 - 特許庁

When binuclear phthalocyanine is used, catalyst poisoning by cyanogen is not caused unlike mononuclear phthalocyanine and even waste water from a plating process can stably be treated.例文帳に追加

また双核フタロシアニンを使えば、単核フタロシアニンのようにシアンによる触媒毒が見られず、メッキ排水等でも安定して処理ができる。 - 特許庁

To provide an arc ion plating apparatus where over temperature rise or abnormal discharge is hardly caused in the substrate upon bombardment, and process controllability is enhanced.例文帳に追加

ボンバードの際に、基材に過昇温や異常放電が生じ難く、ひいてはプロセス制御性の良好なアークイオンプレーティング装置を提供する。 - 特許庁

On the base board the metal electrode is formed directly by vacuum evaporation process, PVD, CVD, MOCVD method such as sputtering, or by plating.例文帳に追加

金属電極は、真空蒸着法、スパッタリング等のＰＶＤ、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、メッキなどの方法で、絶縁基板上に直接形成される。 - 特許庁

To simplify a process by eliminating a process, wherein an insulating layer is roughened by potassium permanganate or chromic acid in order to enhance the adhesion of an interlaminar insulating resin and copper plating, usually performed heretofore when a printed wiring board for a package is produced and to avoid the use of a heavy metal.例文帳に追加

パッケージ用配線板を製造するに際し、層間絶縁樹脂と銅メッキの密着性を上げるために通常は絶縁層を過マンガン酸カリやクロム酸等で粗化するプロセスを経る。 - 特許庁

In the manufacturing process of the mirror unit 10, a metal plate having the flat part 12, the supporting part 14 and the mirror part 16 is prepared by a thin film process such as plating, then the metal plate is folded as shown in the figure.例文帳に追加

ミラーユニット１０を製作する際には、平坦部１２、支持部１４及びミラー部１６を有する金属板をメッキ処理等の薄膜プロセスにより形成した後、金属板を図示のように折り曲げる。 - 特許庁

It further implements a plating process of forming a plated layer on the surface of an internal pattern wiring with an electroplating process using the sealing member 5 as a conductive path to supply electric charges to the internal pattern wiring.例文帳に追加

また、内部パターン配線に電荷を供給するための導電路としてシール材５を用いて、内部パターン配線の表面に電気めっき法によりめっき層を形成するめっき工程を実施する。 - 特許庁

A method of forming a copper wiring layer is characterized in that the method comprises a process of forming a pattern of a copper seed layer on a substrate and a process of forming a copper wiring layer on the pattern of the copper seed layer by means of electroless plating.例文帳に追加

基板上に銅シード層のパターンを形成する工程、及び前記銅シード層のパターン上に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing process of the mirror unit 10, a metal plate having the flat part 12, the supporting part 14 and the mirror part 16 is formed by a thin film process such as plating, then the metal plate is folded as shown in the figure.例文帳に追加

ミラーユニット１０を製作する際には、平坦部１２、支持部１４及びミラー部１６を有する金属板をメッキ処理等の薄膜プロセスにより形成した後、金属板を図示のように折り曲げる。 - 特許庁

To provide a primer composition for electroless plating capable of forming a plating film superior in adhesion on a non-conductive base material with a smooth surface by an electroless plating without lowering its smoothness, without applying a roughening process to the surface of the base material or adding a process for giving roughness by further providing a receiving layer on the surface of the base material.例文帳に追加

基材表面への粗化工程を省略したり、又、基材表面へ更に受容層を設けて粗さを付与する工程を追加せずに、平滑な表面の非導電性基材に、その平滑性を低下させることなく、基材への密着性に優れためっき膜を無電解めっきによって形成することが可能な無電解めっき用プライマー組成物を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes at least (a) a process of preparing a transparent substrate metal-plated by electrolytic plating by providing a conductance treating layer to an other surface of the transparent substrate, and (b) a process of forming the metal plating of the metal plating transparent substrate and the conductance treating layer thereof to be mesh-like by a photolithography method, therein an adhesives layer is not contained.例文帳に追加

少なくとも（ａ）前記透明基材の一方の面へ、導電処理層を施して電解メッキによる金属メッキされた透明基材を準備する工程と、（ｂ）該金属メッキ透明基材の金属メッキ層及び導電処理層を、フォトリソグラフィー法でメッシュ状とする工程とを含む製造方法、及び、該製造方法で製造され、接着剤層を含まないことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the low-temperature calcination ceramic substrate comprises a process for forming a conductive pattern on the surface of the low-temperature calcination ceramic substrate, a process for calcining the low-temperature calcination ceramic substrate, and a process for applying plating on the conductive pattern while blasting treatment is applied on the surface of the low-temperature calcination ceramic substrate forming the conductor pattern before the plating process.例文帳に追加

低温焼成セラミック基板の表面に導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、該低温焼成セラミック基板を焼成する焼成工程と、前記導体パターンに対しめっきを行うめっき工程とを含む低温焼成セラミック基板の製造方法であって、めっき工程の前に、導体パターンを形成した低温焼成セラミック基板の表面に対しブラスト処理を施す。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device, the quantity of thallium to be added to a plating solution 21 is detected by monitoring the applied voltage to the plating solution 21 during the process of forming gold bump electrode by a gold electroplating technology using a non-cyanide based plating solution to restrain the plating defect such as abnormal deposition of gold due to the decrease of the concentration of thallium to be added.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造方法において、非シアン系メッキ液を用いた電解金メッキ技術によって金バンプ電極を形成する工程中、メッキ液２１への印加電圧をモニターすることにより、メッキ液２１へのタリウムの添加量を検出して、タリウム添加濃度の減少による異常析出等のメッキ不良の発生を抑止する。 - 特許庁

The method for producing a structure comprising a process where a plating material is filled into pores 14 of a porous layer 13 includes: a stage where a member having a porous layer is prepared on a substrate 11 via a base film 12 electrochemically nobler than the plating material; and a stage where the plating material is filled into the pores of the porous layer by a displcement plating method.例文帳に追加

多孔質層１３の孔１４内へめっき物を充填する工程を有する構造体の製造方法であって、基板上１に、めっき物よりも電気化学的に貴な下地膜１２を介して多孔質層を有する部材を用意する工程、置換めっき法により、該多孔質層の孔内へめっき物を充填する工程を有する構造体の製造方法。 - 特許庁

To make a plating deposition speed for wiring uniform on the entire surface of a wafer, and at the same time to prevent voids and defects from occurring inside the wiring in a semiconductor device-manufacturing process for manufacturing copper wiring by the electric plating method.例文帳に追加

銅配線を電気めっき法により製造する半導体装置製造プロセスにおいて、配線のためのめっき成膜速度をウエハ全面にて均一にし、かつ配線の内部にボイドや欠陥が発生するのを防止する。 - 特許庁

To provide a plated steel sheet for hot stamp in which an Al-plated steel sheet is alloyed to its surface by avoiding phenomenon of peeling-off of plating in a process of Al-Fe alloying of an Al-plating layer of the Al-plated steel sheet, and to provide a method of producing the same.例文帳に追加

Ａｌめっき鋼板のＡｌめっき層をＡｌ−Ｆｅ合金化する過程で、めっきが剥離する現象を回避して表面まで合金化させたホットスタンプ用めっき鋼板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

In the method of manufacturing the wiring substrate K, acrylic dry-film members 22, 23 are applied on nonelectrolytic copper-plating layers 20, 21 after a nonelectrolytic copper-plating process.例文帳に追加

本発明の配線基板Ｋの製造方法では、無電解銅めっき工程の後、無電解銅めっき層２０，２１上にアクリル系ドライフィルム材２２，２３を貼着した後、露光及び現像を行って、所定パターンのめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming simply and in high reproducibility a conductive metal film which can be substituted for various plating films for various uses in an electronic component material field having process accuracy and reliability comparable to a plating film.例文帳に追加

電子材料分野において、各種用途に利用される種々のメッキ膜と代替可能な、メッキ膜に匹敵する加工精度と信頼性を有する導電性金属皮膜を簡便に、高い再現性で形成する方法の提供。 - 特許庁

To provide a highly practical method for metallizing a plastic surface where, in a metallizing process for a chromium-free plastic surface, plating can be applied so as to sufficiently adhered to the plastic surface, and furthermore, plating is not deposited on a fixture.例文帳に追加

クロムフリーのプラスチック表面の金属化プロセスにおいて、プラスチック表面に十分に密着しためっきをすることができ、しかも、治具にめっき析出しない、実用性の高いプラスチック表面の金属化方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor device where a plurality of metal films composed of a laminated structure are formed on a semiconductor substrate by an electroless plating process, in which the number of plating tanks located under a light shielding environment can be reduced.例文帳に追加

半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently reducing metallic impurities accumulated in the 3-valent chromium plating bath and having adverse effect on plating performance in an inexpensive process with a simple operation without deteriorating the productivity.例文帳に追加

３価クロムめっき浴に蓄積しためっき性能に悪影響を及ぼす金属不純物について、コスト的に有利な方法で、生産性を低下させることなく、簡単な操作によって、効率良く低減できる方法を提供する。 - 特許庁

In the plating process, the bump 6 is formed in a state in which the protruding bump resist 5a has been formed at the center of the opening, so that air is prevented from spreading through all the bump 6 by the tension of a plating solution, and a non-plated area occurs only partially.例文帳に追加

めっき工程で、央部に凸状のバンプレジスト５ａを形成した状態でバンプ６を形成するため、めっき液の張力によりエアがバンプ６全体に拡がらず、未めっき部分が一部分しか発生しない。 - 特許庁