「plating rate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To easily execute the control of plating conditions such as a plating rate, plating film thickness, the smoothening and homogenizing of the surface of a plating film or the like without requiring large electrolyzing equipment.例文帳に追加

大型電解設備を必要とせず、めっき速度、めっき膜厚、めっき膜表面の平滑化と均質化などのめっき条件の制御を容易に行う。 - 特許庁

To improve a working accuracy and a positional accuracy of a power feeding pin to contribute to efficiently automate one series of processes of hanging material to be treated on a plating rack, a plating the material and removal the material from the plating rack and to reduce the incidence rate of non-plating portion.例文帳に追加

給電ピンの加工精度と位置精度を向上させ、めっき引掛け、めっき及びめっき外しの一連の工程を効率良く自動化することに寄与すると共に、めっき未着部分の発生率を低減することを目的とする。 - 特許庁

To provide a plating apparatus where the flow rate of a plating liquid flowing through a plating tank can be increased, and the plating liquid can be caused to flow in parallel to the plane of a substrate and also in one direction.例文帳に追加

めっき槽に流れるめっき液の流れの速度を速くすると共に、めっき液を基板の平面と平行に且つ一方向に流すことが可能なめっき装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

On the surface of the nickel plating layer, a plurality of Au-Ag plating layers having different rate of Ag is formed such that the rate of Ag increases from the basic material side toward the surface side thus forming a multilayer Au-Ag plating layer.例文帳に追加

そして、該ニッケルめっき層の表面に、Ａｇの割合が異なる複数のＡｕ−Ａｇめっき層を、基材側から表面側にかけてＡｇの割合が増加するように積層し、多層Ａｕ−Ａｇめっき層を形成する。 - 特許庁

To provide nickel plating solution which produces an acceptable nickel deposit over an extended period of time at a high plating rate.例文帳に追加

長期間にわたりかつ高いめっき速度で、良好なニッケル析出を生成する、ニッケルめっき溶液を提供すること。 - 特許庁

To obtain an electroless plating method which is capable of making a deposition rate of plating films uniform in necessary positions.例文帳に追加

必要な位置におけるメッキ膜の成膜速度を均一にすることができる無電解メッキ方法を得る。 - 特許庁

To provide an alkaline electrogalvanizing bath giving a high plating deposition rate and excellent leveling properties and to provide a plating method.例文帳に追加

早いめっき析出速度と優れたレベリング性を与えるアルカリ性電気亜鉛めっき浴およびめっき方法を提供する。 - 特許庁

In the stage where the electroless plating liquid is fed, the formation of the plating film is not performed, or, even if it is performed, the film forming rate therein is low.例文帳に追加

無電解メッキ液を供給した段階ではメッキ膜の形成が行われないか、行われてもその膜形成の速度が小さい。 - 特許庁

A flow rate control valve 29 is opened to supply ozone to the plating bath 10 and to dissolve the zone in the plating liquid 12.例文帳に追加

さらに、流量制御弁２９を開いてメッキ浴１０にオゾンを供給し、メッキ液１２にオゾンを溶解する。 - 特許庁

At the electroless nickel plating step, such an electroless nickel plating condition that the deposition rate of nickel is low is adopted.例文帳に追加

そして、無電解ニッケルめっき工程では、ニッケルの沈着速度が遅い無電解ニッケルめっき条件を採用する。 - 特許庁

Since a main body of basic acid is changed into hypophosphorous acid in place of organic sulfonic acid or the like, the high plating rate and effective thick plating can be realized.例文帳に追加

有機スルホン酸などに代えて、ベース酸の主体を次亜リン酸に切り替えるため、メッキ速度が速く、効果的な厚付けメッキができる。 - 特許庁

To provide an apparatus for electroplating a steel strip, which is capable of increasing the flow rate of a plating solution flowing on the surface of the steel strip, almost uniformalizing the flow rate of the plating solution in the width direction and increasing the processing rate of the plating compared with the conventional art, with a simple structure.例文帳に追加

簡単な構成で、鋼帯の表面を流れるめっき液の流速を速くできると共に、めっき液の流速を鋼帯の幅方向にわたって略均一にでき、めっきの処理速度を従来よりも上昇できる鋼帯の電気めっき装置を提供する。 - 特許庁

To provide an anode material for solder plating, which stabilizes a dissolution rate in a short time.例文帳に追加

短時間で溶解速度が安定化するはんだめっき用アノード材を提供する。 - 特許庁

The grooves 21 can exhaust the bubbles from plating solution 4 in the cup 2 and can reduce the variation of the flow rate of the plating solution 4 to the periphery wall of the plating cup 2.例文帳に追加

そして、これらの溝２１の存在により、カップ２内のメッキ液４中の気泡を速やかに排出することができ、またカップ２の周壁部に向かうメッキ液４の流れのばらつきを軽減することができる。 - 特許庁

To provide a plating liquid which keeps a gold deposition rate of 0.9 μm or more per hour, preferably 1.0 μm or more, is superior in stability as the plating liquid, and enables continuous adequate electroless gold plating for a long period.例文帳に追加

１時間当たり０．９μｍ以上、好ましくは１．０μｍ以上の金析出速度を維持し且つめっき液として安定性に優れ、長期間に亘り連続して良好な無電解金めっきが可能なめっき液を提供する。 - 特許庁

To accelerate the plating rate in a contact plating method and to improve the plating efficiency by remarkably increasing the contact area between an object to be plated functioning as a cathode and a metal functioning as an anode.例文帳に追加

接触鍍金法において、カソードとして機能する被鍍金物と、アノードとして機能する金属の接触面積を飛躍的に増大させて鍍金速度を早め、鍍金効率を向上させる。 - 特許庁

In addition, a jet pipe 43 for supplying the plating liquid is arranged in a center of the plating liquid tank to control a flow rate of the plating liquid with a control device which is not illustrated.例文帳に追加

また、メッキ液槽の中心にはメッキ液を供給しメッキ液のな噴出管４３が配設されており、図示しない制御装置によりメッキ液の流量を調節できるようになっている。 - 特許庁

Bubbles attached to a surface to be plated of the wafer W are surely removed by means of supplying a flow rate of q1 which is bigger than that in a plating period, while the wafer W is located in the plating position (V) lower than the liquid level of the plating liquid.例文帳に追加

ウエハＷをメッキ液の液面より低いメッキ位置（Ｖ）に位置させるとともにメッキ形成時よりも大きい流量ｑ１を供給することによりウエハＷの被メッキ面に付着した泡を確実に除去する。 - 特許庁

On the production, when the plating bath does not contain Ti or the like, preferably, cooling is performed at a cooling rate of ≥15°C/sec till the plating film is perfectly solidified after the plating.例文帳に追加

製造時はめっき浴がＴi などを含有しない場合は、めっき後めっき皮膜が完全凝固するまで１５℃／秒以上の冷却速度で冷却するのがよい。 - 特許庁

To provide a plating method where the dissolution of a plating seed film is suppressed, and also, the improvement of a plating rate can be realized by a simple means upon electroplating.例文帳に追加

めっき方法に関し、電解めっきを実施するに際し、めっきシード膜の溶解を抑止し、且つ、めっきレートの向上を簡単な手段で実現できるようにする。 - 特許庁

Fine obstacles 7 used for making a plating rate uniform are provided between an anode 3 and a cathode 4 mounted with a semiconductor wafer 1, which are arranged in the plating tank 2 of a plating device.例文帳に追加

めっき装置のめっき槽２内に配置された陽極３及び半導体ウェーハ１が搭載された陰極４間にめっき速度の不均一性を低減するために微細な障害物７を設ける。 - 特許庁

To provide a horizontal type fluid support plating device in which the flow of a plating solution in an electrolytic cell is made uniform, the deposition of sludge in the electrolytic cell is prevented even when a plating solution producing a large quantity of the sludge is used and the deterioration of plating quality due to the effect of the flow rate is prevented.例文帳に追加

電解槽のめっき液の流れを均一にし、スラッジ発生の多い電解液を使用する場合でも、電解槽内のスラッジ堆積を防止し、流速の影響を受けて、めっき品質の低下を生じさせない水平型流体支持めっき装置を提供する。 - 特許庁

The thickness of the plating layer is detected during the plating growth by whether or not the reflected light is detected by the detector, and hence the plating growth on a check wafer to previously obtain the growth rate and a stage for measuring the thickness of the plating layer are omitted.例文帳に追加

メッキ層の厚みを光検出器による反射光検出の有無でメッキ成長中に判定できるようにしたので，あらかじめ成長レートを求めるためのチェック用ウエハのメッキ成長やメッキ層の厚み測定等の工程を省略することが可能である。 - 特許庁

The ceramic electronic component includes a component body 2 whose ceramic surface has a high-growth plating region 11 made of barium titanate ceramics, for example, indicating a relatively high plating growth rate and a low-growth plating region 12 made of calcium zirconate ceramics, for example, indicating a relatively low plating growth rate.例文帳に追加

部品本体２が与えるセラミック面が、たとえばチタン酸バリウム系セラミックからなるもので比較的高いめっき成長力を示す高めっき成長領域１１と、たとえばジルコン酸カルシウム系セラミックからなるもので比較的低いめっき成長力を示す低めっき成長領域１２とを有するようにする。 - 特許庁

To provide a plating rack and a plating device capable of suppressing fluctuations of plating thickness on the surface of a planar body to be plated by uniformizing liquid flow caused by aeration in a plating tank and suppressing rate fluctuations of liquid flow around the planar body to be plated even when collectively plating a plurality of planar bodies to be plated.例文帳に追加

複数の板状被めっき体を一括してめっきする場合でも、めっき槽内のエアレーションによる液流を整流し、板状被めっき体周辺の液流の速度ばらつきを抑制することにより、板状被めっき体表面のめっき厚みのばらつきを抑制可能なめっきラック及びめっき方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolytic tin plating solution containing no complexing agent, extremely small in coupling rate in electrolytic tin plating, particularly using a barrel method and having excellent solder wettability and a plating method.例文帳に追加

本発明は、錯化剤を含有せず、電気錫めっきを行う場合、特にバレルめっき法を用いて電気錫めっきを行う場合にカップリングレートが極めて小さく、かつはんだぬれ性の良好なめっき液及びめっき方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the plating method of the printed circuit board, when electroless plating is performed on the printed circuit board immersed in the plating liquid while vibrating the printed circuit board, bubbling is also applied from below the printed circuit board by varying the flow rate.例文帳に追加

本発明は、めっき液に浸漬した前記プリント配線板に振動を与えながら無電解めっきする際に、合わせて流量に強弱をもたせたバブリングを前記プリント配線板の下方から加えることを特徴とするプリント配線板のめっき方法を提供することである。 - 特許庁

To manufacture a P-containing high-strength hot-dip galvanized steel sheet by promoting the alloying rate without using any aqueous solution coating apparatus nor pre-plating apparatus, and without performing any complicated atmosphere control during annealing before the plating, while a P-containing high-strength steel sheet is used as a plating original sheet.例文帳に追加

Ｐ含有高強度鋼板をめっき原板とし、水溶液塗布設備やプレめっき設備を用いず、めっき前焼鈍時に複雑な雰囲気制御を行わずに合金化速度を促進して、Ｐ含有高強度合金化溶融亜鉛めっき鋼板を製造する。 - 特許庁

When the Sn-component is resupplied, the special Sn-alloy plating treatment apparatus 20 is used, and electroplating is carried out while controlling the flow rate of an inert gas being blown into the plating solution in response to the measured value by a dissolved oxygen densitometer 41 for measuring the concentration of dissolved oxygen in the Sn-alloy plating solution 21.例文帳に追加

このＳｎ成分を補給するに際して、専用のＳｎ合金めっき処理装置２０を用い、Ｓｎ合金めっき液２１中の溶存酸素濃度を測定する溶存酸素濃度計４１の測定値に応じてめっき液中に吹き込む不活性ガス流量を制御して電解めっきを行う。 - 特許庁

The plating film has the plating resistance film in which the rate of change in the specific resistance after heating at 200°C is reduced by ≥10% as compared with before the heating, wherein the specific resistance of the plating resistance film before the heating is ≥5,000 μΩcm.例文帳に追加

２００℃で加熱後の比抵抗の変化率が、加熱前に比べて１０％以上低下しないめっき抵抗被膜を有する抵抗素子とし、さらには加熱前のめっき抵抗皮膜の比抵抗が５０００μΩｃｍ以上である抵抗素子とする。 - 特許庁

A plating tank is made possible to be blocked from the outside air, and the gas passing through the plating liquid is collected and introduced again into the plating tank together with a fresh gas, thereby suppressing the components from being vapourized while keeping the total flow rate of the gas and also reducing the use consumption of the gas.例文帳に追加

めっき槽を外気から遮断可能とし、めっき液を通した気体を回収して新鮮な気体とともにめっき槽内に再度導入することにより、全体の気体の流量は保ったままで成分の揮発を抑えるとともに気体の使用量を削減する。 - 特許庁

To provide a dispersive plating method capable of realizing the uniform eutectic of the dispersant of sufficient amount in order to give the function in a plating film, having high rate of utilization of the dispersant and high plating speed, and capable of controlling the eutectic ratio of the dispersant and the eutectic mode of the dispersant particles.例文帳に追加

めっき皮膜中に機能を付与させるために十分な量の分散材を均一に共析させることが可能であり、分散材の利用率が高く、めっき速度が速く、分散材の共析率や分散材粒子の共析形態をコントロールすることが可能な分散めっき法を提供する - 特許庁

To provide a reaction promotor for an electroless copper plating bath capable of easily providing an electroless copper plating bath combining a precipitation rate and bath stability.例文帳に追加

析出速度と浴安定性を兼ね備えた無電解銅めっき浴を簡便に提供することのできる無電解銅めっき浴用反応促進剤を提供すること。 - 特許庁

To provide an electroless copper plating solution which is safe in operation, and has an excellent precipitation rate, and excellent solution stability, and to provide an electroless copper plating method using the same.例文帳に追加

作業上安全であり、析出速度及び液安定性に優れた無電解銅めっき液、およびこれを用いた無電解銅めっき方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an electroless conversion gold-plating method which can form a uniformly gold-plated film at a constant deposition rate for a long term and greatly prolong the renewal time of a gold-plating solution.例文帳に追加

長期間に亘って安定な析出速度で均一な金めっき皮膜を形成でき、金めっき液の更新期間を大きく延長することが可能な置換型無電解金めっき方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electroless plating solution small in influence on semiconductor characteristics and also causing no problems in the health care of the operator while controlling the plating rate or to provide a method for forming wiring using an electroplating stage using the same.例文帳に追加

めっき速度を制御しつつ、半導体特性への影響が少なく、かつ作業者の健康管理上も問題が無いような無電解めっき液、あるいはこれを用いた無電解めっき工程を用いた配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plating device where the passivation of an anode electrode can be prevented, and the reduction of current efficiency and the reduction of the film deposition rate in a plating film can be prevented; and to provide a method for producing a semiconductor device.例文帳に追加

アノード電極の不動態化を防止することができ、電流効率の低下およびめっき皮膜の成膜速度の低下を防止することができるめっき装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing semiconductor device that includes a unit for uniformizing the jetting direction of a plating solution and also increasing a flow rate (pressure) of the plating solution from a jetting nozzle without imposing a load on a pump.例文帳に追加

めっき液噴流方向を均一化すると共に、ポンプに負荷を掛けることなく噴射ノズルからのめっき液流量（圧力）を増加させる手段を備えた半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the movement capacity of ions in the direction of the wafer becomes small compared with that around the jetting of the plating liq. as the electric field is small at the center of the jetting of the plating liq. at a high flow rate.例文帳に追加

よって、流量の大きいめっき液噴流中心では電界が小さいために、イオンのウエハ方向における移動能力が、めっき液噴流周辺と比較して減少する。 - 特許庁

To provide an electrolytic hard gold-plating liquid having a high deposition rate, for forming a gold-plated film of which the contact resistance is not reduced even after a heat treatment such as a reflow treatment, and to provide a plating method.例文帳に追加

析出速度が速く、リフロー処理等の加熱処理を行ってもめっき皮膜の接触抵抗が低下しない金めっき皮膜を形成することができる電解硬質金めっき液及びめっき方法を提供する。 - 特許庁

In the method, tin-zinc alloy electroplating is performed under the conditions where the temperature of a plating liquid is 30 to 90°C, the stirring rate of the plating liquid is 5 to 300 m/min, and cathode current density is 5 to 200 A/dm^2.例文帳に追加

本発明は、めっき液温度：３０〜９０℃、めっき液の攪拌速度：５〜３００ｍ／ｍｉｎ及び陰極電流密度：５〜２００Ａ／ｄｍ^2の条件下で錫−亜鉛合金電気めっきを行う方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, the cooling rate down to 250°C of the steel sheet pulled up from a hot dip Zn-Al-based alloy plating bath is held at 1 to 15°C/second when the steel sheet is pulled up from the plating bath and is cooled.例文帳に追加

その製造方法では、鋼板を溶融Ｚｎ−Ａｌ系合金めっき浴に浸漬した後、該めっき浴から引き上げて冷却するに際し、めっき浴から引き上げられた鋼板の２５０℃までの冷却速度を１〜１５℃／秒とする。 - 特許庁

To more uniformly improve the substrate processing rate of etching, plating, etc., applied onto a substrate surface, e.g. easily and quickly form a plating film of a more uniform thickness.例文帳に追加

基板表面で起きるエッチングやめっき等の基板処理速度をより均一に向上させ、例えばめっきにあっては、より均一な膜厚のめっき膜を容易かつ迅速に形成できるようにする。 - 特許庁

[wherein CRpre is a pre-AJC set cooling rate (°C/sec); LS is a line speed (mpm); Si% is the Si concentration (mass%) in a plating bath; and Ca% is the Ca concentration (mass%) in the plating bath].例文帳に追加

0.9×CRpre≦CR≦1.1×CRpre・・・（A）ここに、CRpre=ｆ(Si%、Ca%）＝4.9×10^-3×LS×（659.05e−0.0096Si%＋500Ca%-577）CRpre：プレAJC設定冷却速度（℃/sec）LS：ラインスピード（mpm）Si%：めっき浴中Si濃度（質量%）Ca%：めっき浴中Ca濃度（質量%） - 特許庁

To provide an electroless gold plating solution giving the high precipitation rate of gold, and having excellent stability even in neutral conditions and at low temperatures.例文帳に追加

中性且つ低温でも、金の析出速度が高く、安定性も優れた無電解金めっき液を提供すること。 - 特許庁