「positive film」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In an organic thin film solar cell comprising a positive electrode and a negative electrode; a first organic compound disposed between the positive electrode and the negative electrode and having coloring matter capable of absorbing light; and an organic thin film layer composed of a mixture of at least two kinds of second organic compound having electron acceptance, the organic thin film layer includes inorganic nanoparticles 105.例文帳に追加

正極および負極と、前記正極と負極との間に配置され、光を吸収できる色素を有する第１の有機化合物と電子受容性を有する第２の有機化合物の少なくとも２種類の混合物からなる有機薄膜層とを備える有機薄膜太陽電池において、前記有機薄膜層に無機ナノ粒子を含有することを特徴とする有機薄膜太陽電池。 - 特許庁

This electrode body manufacturing device 30 comprises winding means for rotating a core on which a positive electrode material film 2, a first separator 6, a negative electrode material film 4 and a second separator 8 are wound, X-ray irradiating means 12a for irradiating the positive electrode material film 2 with a X-ray, and measuring means 12b for measuring the dosage of the transmitted X-ray.例文帳に追加

電極体製造装置３０は、捲芯１０を回転して正極活物質膜２と第１セパレータ６と負極活物質膜４と第２セパレータ８を捲回する捲回手段と、正極活物質膜２にＸ線を照射するＸ線照射手段１２ａと、その透過Ｘ線量を測定する測定手段１２ｂを備える。 - 特許庁

The positive electrode active material is beta-type nickel oxy hydroxide, on which a coating film layer is formed, and gamma type nickel oxy hedroxide is contained in the coating film layer.例文帳に追加

正極活物質は、被膜層が形成されたベータ型オキシ水酸化ニッケルであって、ガンマ型オキシ水酸化コバルトが被膜層に含まれている。 - 特許庁

To provide a retardation film having zero wavelength dispersibility and uniform in-plane retardation value, and to provide a multilayer optical film having positive wavelength dispersibility.例文帳に追加

零（０）の波長分散性を有し、面内位相差の値が均一な位相差フィルム及び正（＋)の波長分散性を有する積層光学フィルムを提供する。 - 特許庁

The positive photoresist composition contains a polymer resin for forming a photoresist film, a photosensitive compound which varies the solubility of the photoresist film by exposure and 3-methoxybutyl acetate and 4-butyrolactone as solvents.例文帳に追加

フォトレジスト膜を形成するための高分子樹脂、露光によってフォトレジスト膜の溶解度を変化させる感光性化合物及び溶媒として３−メトキシブチルアセテート及び４−ブチロラクトンを含む。 - 特許庁

The positive electrode 3 for the lithium battery includes a thin film by a vapor deposition method as the main constituting part, and the thin film includes a complex oxide containing lithium and manganese, and carbon.例文帳に追加

本発明のリチウム電池用正極３は、気相成長法による薄膜を主構成部とし、該薄膜が、リチウムおよびマンガンを含む複合酸化物と、カーボンとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

POLYIMIDE PRECURSOR COPOLYMER, VARNISH CONTAINING THE SAME, POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, POLYIMIDE COPOLYMER, SEMICONDUCTOR ELEMENT PROTECTIVE FILM CONTAINING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING FINE PATTERN OF POLYIMIDE COPOLYMER CONTAINING FILM例文帳に追加

ポリイミド前駆体共重合体、それを含むワニスおよびポジ型感光性樹脂組成物、ポリイミド共重合体、それを含む半導体素子の保護膜、ポリイミド共重合体含有膜の微細パターンの製造方法 - 特許庁

The positive electrode 100 includes a p-type amorphous silicon film 5, a reverse-surface electrode 7, and a current collection electrode 9 formed in order on the i-type amorphous silicon film 3.例文帳に追加

正極１００は、ｉ型非晶質シリコン膜３上に順に形成されたｐ型非晶質シリコン膜５、裏面電極７および集電極９を含む。 - 特許庁

The resin film is a stretched optical resin film containing at least one of additive having negative intrinsic birefringence and at least one of additive having positive intrinsic birefringence.例文帳に追加

負の固有複屈折性を有する添加剤を少なくとも１種と、正の固有複屈折性を有する添加剤を少なくとも１種とを含有することを特徴とする延伸光学樹脂フィルム。 - 特許庁

A cellulose acylate film having positive birefringence is heat-treated at ≥210°C during transportation to make the retardation value in the film thickness direction negative.例文帳に追加

正の複屈折性を示すセルロースアシレートフィルムを搬送しながら２１０℃以上で熱処理して膜厚方向のレターデーション値を負の値にする。 - 特許庁

To provide an optical film showing positive wavelength dependency across the entire wavelength region from 400 nm to 800 nm and capable of imparting specified retardation to transmitted light in the above wavelength region with a single sheet of the film.例文帳に追加

４００〜８００ｎｍの波長領域全てにおいて正の波長依存性を示し、１枚で前記波長範囲において透過光に特定の位相差を与えることができる光学用フィルムを提供する。 - 特許庁

After laminating the metal film 2 on the n-type compound semiconductor substrate 6, the metal film 2 is anodically oxidized by applying a positive voltage to the compound semiconductor substrate 6.例文帳に追加

ｎ型の化合物半導体基板６に金属膜２を積層した後に、化合物半導体基板６に正電圧を印加して金属膜２を陽極酸化する。 - 特許庁

To use a conventional data drive circuit outputting a positive voltage programming signal without raising power consumption in a pixel circuit using an inorganic oxide film thin film transistor in which threshold voltage performing OFF-operation is negative voltage.例文帳に追加

オフ動作する閾値電圧が負電圧である無機酸化膜薄膜トランジスタを用いた画素回路において、消費電力を上昇させることなく、従来の正電圧のプログラム信号を出力するデータ駆動回路を使用する。 - 特許庁

The values d31(+) and d31(-) are respectively piezoelectric constants of the piezoelectric film measured when an upper electrode and a lower electrode are formed respectively on the piezoelectric film and a positive voltage and a negative voltage are applied to the upper electrode.例文帳に追加

なお、ｄ３１（＋）およびｄ３１（−）は、それぞれ圧電膜に上部および下部電極を形成して上部電極に正電圧および負電圧を印加した時に測定される圧電膜の圧電定数である。 - 特許庁

To provide an enveloper which performs proper processing of a negative film as well as a positive film even when being independently used without connection to another external device.例文帳に追加

他の外部機器に接続されることなく単独で用いられる場合でも、ネガフィルムおよびポジフィルムのいずれに対しても適正に処理を行うことができるエンベロッパを提供する。 - 特許庁

The positive electrode 2 is used for the organic electroluminescence element, and it is the transparent electrode for organic electroluminescence elements which consists of a metal thin film and an organic metal oxide thin film.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられる陽極電極２であって、金属薄膜と有機金属酸化物薄膜とからなる有機エレクトロルミネッセンス素子用透明電極である。 - 特許庁

The GaN-based LED chip 30 comprises a transparent element substrate 31, an epitaxial film 32 of a GaN-based semiconductor formed on the element substrate 31, and a positive electrode and a negative electrode formed on the epitaxial film 32.例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤチップ３０は、透明な素子基板３１と、素子基板３１上に形成されたＧａＮ系半導体のエピタキシャル膜３２と、エピタキシャル膜３２上に形成された正電極および負電極とを有している。 - 特許庁

Additionally, the resist film 12 having lower exposure sensitivity near the interface to the semiconductor substrate than that of other sections, such as an image-reversible positive resist, is adopted as the resist film 12.例文帳に追加

また、レジスト膜１２として、半導体基板との界面近傍の露光感度が他の部分よりも低いもの（例えばイメージリバーサル可能なポジレジスト）を採用する。 - 特許庁

A positive type resist 1 is applied so that space on the lower layer reflection prevention film 2 and the lower layer reflection prevention film 2 in the via hole 9 is buried.例文帳に追加

次に、下層反射防止膜２上及びビアホール９内における下層反射防止膜２上の空間を埋めるようにポジ型のレジスト１を塗布する。 - 特許庁

The positive electrode 100 includes, orderly on the reverse surface of the n-type single crystal silicon substrate 1, a side i-type amorphous silicon film 5, a p-type amorphous silicon film 7, a reverse surface electrode 9 and a collector electrode 11.例文帳に追加

正極１００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成された側ｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン膜７、裏面電極９および集電極１１を含む。 - 特許庁

This organic EL panel is provided with: an antireflection film 5 between a positive electrode 2 formed of a transparent conductive film of the organic EL element 10 formed on a transparent substrate 1, and the transparent substrate 1.例文帳に追加

透明基材１上に形成された有機ＥＬ素子１０の透明導電膜よりなる陽極２と透明基材１との間に反射防止膜５を設けた有機ＥＬパネル。 - 特許庁

The dielectric constant of the first high permittivity insulation film 81 has a trend of positive characteristics at temperature from -55°C to 150°C and the dielectric constant of the second high permittivity insulation film 82 has a trend of negative characteristics.例文帳に追加

第１高誘電率絶縁膜８１における−５５°Ｃ〜１５０°Ｃでの比誘電率が、正特性の傾向を持ち、第２高誘電率絶縁膜８２の比誘電率が、負特性の傾向を持つ。 - 特許庁

After pattern exposure is carried out, by irradiating the resist film 11 made of positive chemical amplification type resist with an energy beam via a photomask, the resist film 11 is heated.例文帳に追加

ポジ型の化学増幅型レジストからなるレジスト膜１１にフォトマスクを介してエネルギービームを照射してパターン露光を行なった後、レジスト膜１１を加熱する。 - 特許庁

To enhance operability of film photographing operation by enabling immediate display of an image of negative film on an LCD monitor by converting the image into a positive image at high speed.例文帳に追加

ネガフィルムの画像をポジ画像に高速変換してＬＣＤモニタに即座に表示できるようにし、フィルム撮影操作の操作性の向上を図る。 - 特許庁

A resist film 102 including a positive-type chemical amplification resist is formed on a substrate 101 and a light absorbing film 103 including a fluorine polymer that is dissolved in alkali and which has an aromatic ring is formed thereon.例文帳に追加

基板１０１の上にポジ型化学増幅レジストからなるレジスト膜１０２を形成し、その上にアルカリ可溶で芳香環を有するフッ素ポリマーを含む光吸収膜１０３を形成する。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive insulating resin composition of which the coating film is excellent in flowability when thermocompression-bonded, and capable of forming a cured film of satisfactory adhesiveness and tightness.例文帳に追加

その塗膜が熱圧着時の流動性に優れ、接着性および密着性の良好な硬化膜を形成することのできるポジ型感光性絶縁樹脂組成物の提供。 - 特許庁

A positive resist is then applied to cover the surface of the silicon oxide film deposited on the surface of the SOI substrate, and the bottom of the trench and only the resist applied to the silicon oxide film is removed by exposure and development.例文帳に追加

次にＳＯＩ基板表面のシリコン酸化膜の表面及び前記トレンチの底部が覆われるようにポジ型レジストを塗布し、シリコン酸化膜上に塗布したレジストのみを露光、現像して除去する。 - 特許庁

When a maximum effective value GD2 of the histogram of G or a maximum effective value BD2 of the histogram of B is relatively large, it is discriminated that the film is a positive film.例文帳に追加

Ｇのヒストグラムの最大有効値ＧＤ２、あるいはＢのヒストグラムの最大有効値ＢＤ２が相対的に大きいとき、フィルムはポジフィルムであると判別する。 - 特許庁

The ratio of the thickness t1 of the PP made film 7a and the thickness t2 of the film 7b made of PP against the thickness t3 of the positive electrode conductive terminal 3, the negative conductive terminal 4 is 0.15 and more.例文帳に追加

正極通電端子３、負極通電端子４の厚さｔ３に対する、ＰＰ製フィルム７ａの厚さｔ１とＰＰ製フィルム７ｂの厚さｔ２との和の比が０．１５以上とされている。 - 特許庁

A conductive film 15 made of carbon and resin is formed and crimped on an aluminum base material 13 with a positive electrode oxide film 14 formed on the surface.例文帳に追加

表面に陽極酸化被膜１４が形成されたアルミニウム基材１３に、カーボンと樹脂からなる導電性被膜１５を形成し、圧着させる。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive resin composition having high sensitivity, high contrast and superior resolution even under thick film conditions including >10 μm initial film thickness.例文帳に追加

初期膜厚が１０μｍを越える厚膜条件下においても高感度、高コントラストであり、かつ優れた解像性を示すポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The flexographic printing plate has a protective film on a UV sensitive emulsion layer and a positive or negative image is printed on the protective film.例文帳に追加

ＵＶ感光乳剤層上に保護フィルムを有するフレキソ印刷用刷版であって、ポジ画像あるいはネガ画像を該保護フィルム上に印刷することを特徴としてなる。 - 特許庁

To provide a pattern forming method using a positive resist composition suitable for multiple exposures, ensuring that in the multiple exposure process of performing exposure a plurality of times on the same resist film, the pattern is reduced in the film loss.例文帳に追加

同一のレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターンの膜減りを抑えられる、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

In at lease either of the positive and negative lead terminals 16 and 17, welding strength to the first laminate film 12 is set lower than that to the second laminate film 13.例文帳に追加

正極及び負極リード端子１６，１７の少なくとも一方においては、第１のラミネートフィルム１２との溶着強度が、第２のラミネートフィルム１３との溶着強度よりも弱くなっている。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition useful as the recording layer of a positive planographic printing plate precursor, excellent in film forming property and film strength and giving an exposed area rapidly soluble in an aqueous alkali solution when exposed with IR.例文帳に追加

ポジ型平版印刷版原版の記録層として有用な、皮膜形成性および皮膜強度に優れ、且つ、赤外線の露光により、露光部がアルカリ水溶液に速やかに溶解する感光性組成物を提供する。 - 特許庁

In this case, the phosphoric acid film desirably does not contain metallic elements by positive addition other than inevitable metallic elements intruded from the plating film.例文帳に追加

この場合、リン酸皮膜が“めっき皮膜から混入する不可避的な金属元素”以外の積極添加による金属元素を含有していないことが望ましい。 - 特許庁

To provide a film which is prepared by using a relatively small amount of a polymer while still maintaining desirable properties of transporting positive charges; a polymeric light-emitting diode device prepared from the film; and a method for producing the polymer.例文帳に追加

正電荷を輸送する望ましい特性を維持しつつ、比較的に少量のポリマーを用いて調整されるフィルム、該フィルムから調整されたポリマー発光ダイオードデバイス及び該ポリマーの製造方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer structure body 12 has such multilayer as a first charged film 13 having positive electric charge and a second charged film 14 having negative electric charge stacked alternately, in this order, on one surface 11a of the body 11.例文帳に追加

多層構造体１２は、被処理体１１の一面（被成膜面）１１ａに、正の電荷をもつ第一の帯電膜１３、負の電荷をもつ第二の帯電膜１４の順に交互に重ねて配した多層構造を成す。 - 特許庁

On the reverse surface of the n-type single-crystal silicon substrate 1, an i-type amorphous silicon film 3 is formed and on the i-type amorphous silicon film 3, a positive electrode 100 and a negative electrode 200 are formed.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜３が形成されており、ｉ型非晶質シリコン膜３上に正極１００および負極２００が形成されている。 - 特許庁

Afterwards, on a light emitting layer composed of the positive hole transportation layer 103 and the organic EL layer 104, a silver-magnesium alloy is film-formed by a vapor deposition method so that the film-thickness is 100 nm, and the upper electrode 105 which is a negative electrode is formed.例文帳に追加

その後、正孔輸送層１０３及び有機ＥＬ層１０４からなる発光層の上に、蒸着法により銀−マグネシウム合金を膜厚が１００ｎｍになるように成膜して、負極である上電極１０５を形成する。 - 特許庁

Then, the control means performs following control according to a signal for selecting one of the plurality of light sources in accordance with the sort of the original such as a positive film or a negative film.例文帳に追加

そして、上記制御手段はポジフィルムまたはネガフィルムなど原稿の種別に応じて上記複数の光源の１つを選択する信号で次の各制御を実行する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition having good adhesiveness during development and after heat treatment even in the case of a film thickness of ≤0.5 μm after heat treatment, and capable of forming a resin film having satisfactory breakdown voltage after heat treatment.例文帳に追加

熱処理後の膜厚が０．５μｍ以下であっても、現像時および熱処理後に良好な接着性を有し、かつ熱処理後に良好な絶縁破壊電圧を有する樹脂膜を形成することができるポジ型感光性樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition capable of forming a pattern having high resolution and high normalized remaining film thickness even when the film thickness increases and obtaining a high sensitivity.例文帳に追加

膜厚が厚くなっても高解像度で高残膜率のパターンを得ることができ、かつ高感度が得られるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photoresist coating liquid capable of forming a coating film having a uniform thickness all over a substrate and giving a coating film excellent in intrasurface uniformity and to provide a substrate for a display element using the coating liquid.例文帳に追加

基板全体にわたって均一な膜厚の塗膜形成が可能であり、面内均一性の優れた塗膜を与えるポジ型ホトレジスト塗布液、及びそれを用いた表示素子用基材を提供する - 特許庁

An oxide film as a film having positive charge is added to the surface of a semiconductor substrate having a gettering layer composed of oxygen-induced defects (BMD: Bulk Micro Defects) in the region in a semiconductor substrate different from a device active region.例文帳に追加

デバイス活性領域と異なる半導体基板内部の領域に、酸素起因欠陥（ＢＭＤ）よりなるゲッタリング層を有する半導体基板の表面に、正の電荷を有する膜である酸化膜を付加する。 - 特許庁