「potential field」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

By providing periodic conductive electrode patterns 21, 22... on the surface of the developer carrier 1 carrying the non-magnetic toner 15 through an insulating part and applying desired bias potential to the electrodes 21 and 22, electric field gradient is formed near the surface of the developer carrier 1, so that the toner 15 is stuck and fed onto the carrier 1 without needing a triboelectrification process.例文帳に追加

非磁性トナー１５を担持する現像剤担持体１の表面に、絶縁部を介して周期的な導電性電極パターン２１，２２…を設け、該電極２１，２２に所望のバイアス電位を与えることで、現像剤担持体１の表面近傍に電界勾配を発生せしめ、摩擦帯電させる工程なく、現像剤担持体１上に非磁性トナー１５を付着搬送させる。 - 特許庁

The building installed the magnetic field improving device equalize the potential of the interiors or human bodies in the building because a static electricity built up in the interiors or the human bodies present in the building caused by the dielectric action of the charcoal bed 2 placed indoors is induced and discharged outdoors from the discharge device 1 through the ground wire 3.例文帳に追加

この磁場改良装置を設置した建築物によれば、屋内に配置される敷炭２の誘電作用により建築物の屋内や屋内に居る人の体に帯電した静電気が誘導され、アース線３を介して放電装置１から屋外へ放電されることにより、建築物の屋内や人体の電位が等電位化される。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a semiconductor substrate, a gate insulating film formed on the semiconductor substrate, a protection insulating film formed on the semiconductor substrate, a gate electrode formed on the gate insulating film and the field plate electrode which is formed on the protection insulating film and has the same potential as the gate electrode.例文帳に追加

例えば、本発明に係る半導体装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と；前記半導体基板上に形成された保護絶縁膜と；前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と；前記保護絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極と同電位のフィールド・プレート電極とを備える。 - 特許庁

Breakdown voltage characteristics of the metal partition can be improved in efficiency and cost reduced in, noting the insulating film structure, material process and driving conditions of the metal partition, severing high and low electric-field regions from potential distribution at discharge, and forming a coated thickness of insulating film which corresponds to each region, by justifying the material and process conditions or laminating structure.例文帳に追加

本発明は、メタル隔壁の絶縁皮膜構造・材料プロセス、及び駆動条件に着目し、放電時のポテンシャル分布から高電界領域と低電界領域を切り分け、それぞれの領域に対応する絶縁皮膜の被膜厚さを材料・プロセス条件や積層構造の適正化により形成し、メタル隔壁の耐電圧特性を効率よく向上させ低コスト化することができる。 - 特許庁

Furthermore, potential at the periphery of a floating gate can be stabilized, a threshold voltage Vt can be stabilized, and writing operation is enabled without directly applying an electric field to a gate insulating film 8 on the control gate 4, so that deterioration of the gate insulating film 8 can also be restrained.例文帳に追加

さらに、フローティングゲート周囲の電位を安定させることができ、しきい値電圧Ｖｔを安定させることができると共に、コントロールゲート４の上のゲート絶縁膜８に直接電界を印加しなくても書き込み動作を行うことができるため、ゲート絶縁膜８の劣化を抑制することも可能である。 - 特許庁

An anode electrode 5 is maintained at a high positive potential against a cathode electrode 15, a gate voltage impressed on the cathode electrode 15 is controlled at a gate electrode 10 to impress an electric field on a cold-cathode electron emission source 16, and electron beams emitted from the cold-cathode electron emission source 16 is irradiated on the phosphor 6 to excite it and have it emit light.例文帳に追加

カソード電極１５に対してアノード電極５を正の高電位に維持し、ゲート電極１０でカソード電極１５に引加するゲート電圧を制御して冷陰極電子放出源１６に電界を印加し、冷陰極電子放出源１６から放出された電子線を蛍光体６に照射して蛍光体を６を励起・発光させる。 - 特許庁

When the back metal electrode film 7a (or, a side metal electrode film 7b) has an electric field of a potential applied thereon and higher than that of an epitaxial resistor 3, a hole-injection from the side of the back metal electrode film 7a (or, the side metal electrode film 7b) to the semi-insulating GaAs substrate 1 can be prevented.例文帳に追加

このような構造とすることにより、裏面金属電極膜７ａ（または側面金属電極膜７ｂ）がエピタキシャル抵抗部３より高電位となるような電界を印加する場合、裏面金属電極膜７ａ（または側面金属電極膜７ｂ）側から半絶縁性GaAs基板１へホール注入されるのを防止することができる。 - 特許庁

Output potential variation occurring instantaneously upon turning off the switch is suppressed and a penetration voltage can be brought substantially to zero when a switch comprising n-type and p-type field effect transistors is turned off by applying a voltage Vin-Vdd/2 to the back gate electrode, where Vin is the input voltage of the complementary switch circuit and Vdd is a power supply voltage.例文帳に追加

相補型スイッチ回路の入力電圧をＶｉｎとし、電源電圧をＶｄｄとした場合、Ｖｉｎ−Ｖｄｄ／２の電圧をこのバックゲート電極に印加することにより、スイッチが切れる瞬間に生じる出力電位変動を低減して、ｎ型とｐ型の電界効果トランジスタのスイッチのオフ時の突き抜け電圧をほぼ０にすることができる。 - 特許庁

Voltage drop Vdc generated between the two ends of field-effect transistors Tr11 and Tr12 interposed in series in the charging/discharging path of the secondary battery B11 and controlling the charging and discharging is measured with a differential amplifier 13, and the case temperature Tc of each transistor is measured with a temperature sensor 21, and the drain-source potential difference Vgs of the transistor is detected.例文帳に追加

二次電池Ｂ１１の充放電路に直列に介挿されて、その充放電を制御する電界効果トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２の両端間に発生する電圧降下Ｖｄｃを差動増幅器１３を用いて測定すると共に、各トランジスタのケース温度Ｔｃを温度センサ２１で測定し、更にトランジスタのドレイン・ソース間電位差Ｖｇｓを検出する。 - 特許庁

Since the vertical electric field formed between the conductive coating films 14 and 15 with the same potential as the source electrode 12, the drain electrode 13, and the gate electrode 6 is applied to ohmic contact regions 16 and 17 formed of the semiconductor thin film 8 and the ohmic contact layers 10 and 11, shifting is suppressed in Vg-Id characteristics to the minus side.例文帳に追加

半導体薄膜８と各オーミックコンタクト層１０、１１とによって形成されるオーミックコンタクト領域１６、１７には、ソース電極１２及びドレイン電極１３と同電位である各導電性被覆膜１４、１５とゲート電極６との間で形成される縦電界がかかることにより、Ｖｇ−Ｉｄ特性のマイナス側へのシフトを抑制することができる。 - 特許庁

In the case that resistance elements or MOSFET elements which are formed by single conduction type adjoin on a half-insulating substrate, a guard layer of the same or an inverse conduction type is formed between adjoining both of the elements, and variation of electrical property is restrained under impact of a generated electric field when potential difference generates.例文帳に追加

半絶縁性基板上に、単一の導電型で形成された抵抗素子または電界効果トランジスタ素子が隣接している場合、隣接する両素子間に同じまたは逆の導電型のガード層を形成し、電位差が生じた場合に発生する電界の影響による電気的特性の変動を抑制する。 - 特許庁

This defect analyzer is characterized in that the semiconductor integrated circuit is irradiated with an electromagnetic field by a probe, and fluctuation in electrical characteristics in the integrated circuit such as power supply current fluctuation is detected by an open gate or by activating gate potential, thereby detecting whether defects exist or not.例文帳に追加

半導体集積回路においてプローブにて電磁界を照射し、オープンゲートまたはゲート電位を活性化することで電源電流変動などの半導体集積回路内の電気的な特性変動を検出し、不良の有無を検出することを特徴とする半導体集積回路の不良解析装置である。 - 特許庁

By applying anticorrosion potential to the emitter electrode 116 in a state that this field emission type electron emission element 100 is immersed in the etching solution 160 having a dissolution ratio of the gate electrode 110 to an unnecessary electron emission material 118 is 1:10 or more, the dissolution of the emitter electrode 116 is suppressed, and the unnecessary electron emission material 118 is dissolved and removed.例文帳に追加

ゲート電極１１０と、不要な電子放出材料１１８との溶解比が１対１０以上のエッチング液１６０中に電界放出型電子放出素子１００を浸した状態で、エミッタ電極１１６に防食電位を印加することによって、エミッタ電極１１６の溶解を抑制するとともに、不要な電子放出材料１１８を溶解し、除去する。 - 特許庁

In an initialization period of at least one subfield in one field period, a first gently rising ramp waveform voltage is generated in a scan electrode, and at the end of a sustain period, a second ramp waveform voltage steeper than the first ramp waveform voltage is generated in the scan electrode, and a sustain electrode is at floating potential.例文帳に追加

１フィールド期間の少なくとも１つのサブフィールドの初期化期間においては走査電極に緩やかに上昇する第１の傾斜波形電圧を発生させ、維持期間の最後においては、走査電極に第１の傾斜波形電圧よりも急峻な第２の傾斜波形電圧を発生させるとともに、維持電極を浮遊電位とする。 - 特許庁

This potential sensor has: the detection electrode 102 for measuring voltage of a measurement target by a change of an induced electric amount; capacitance modulation means 103-107 modulating coupling capacitance between the measurement target and the detection electrode 102 by use of the electrostatic force; and a meas 108 for electrically shielding the reaching of the electric field caused by the electrostatic force to the detection electrode 102.例文帳に追加

電位センサは、誘起される電気量の変化によって測定対象の電圧を測定するための検知電極102と、静電力を用いて測定対象と検知電極102間の結合容量を変調する容量変調手段103−107と、静電力に起因する電場が検知電極102に届くのを電気的にシールドするための手段108を有する。 - 特許庁

The liquid crystal display includes a liquid crystal modulating element 200 having a liquid crystal layer 204 between first and second electrodes 201 and 202, and control means 213, 407 which controls the electric potential difference applied between the first and second electrodes, such that an electric field which is inverted between positive and negative is applied to the liquid crystal layer.例文帳に追加

液晶表示装置は、第１の電極２０１と第２の電極２０２との間に液晶層２０４が配置された液晶変調素子２００と、液晶層に正負が反転する電界が印加されるように第１及び第２の電極間に与える電位差を制御する制御手段２１３，４０７とを有する。 - 特許庁

The first zooming lens 6a has a plurality of electrodes, of which a prescribed electrode is made thick and is supplied with a positive voltage to form a space 10, having zero electric field intensity and high positive potential between the first zooming lens 6a and the second zooming lens 6b; and in the zooming range, a crossover C2 by the first zooming lens 6a is formed in the space 10.例文帳に追加

第１のズームレンズ６ａは複数の電極を備え、複数の電極のうちの所定の電極を厚くし、該電極に正電圧を印加することによって、第１のズームレンズ６ａと第２のズームレンズ６ｂとの間に、電場強度ゼロ且つ高い正電位を持つ空間１０を形成し、ズーム範囲内で第１のズームレンズ６ａによるクロスオーバーＣ２を空間１０に設ける。 - 特許庁

a leak current in channel flowing in a memory cell of an over erasing state of which the threshold voltage is low is suppressed in a self-adjustment way by connecting the resistor R1, in a memory cell being an object of batch rewriting, output voltage of a charge pump circuit supplying drain voltage of a high potential required for forming a high electric field region for generating sub-threshold CHE is secured.例文帳に追加

抵抗Ｒ１を接続することによって、しきい値電圧が低い過消去状態のメモリセルにおいて流れるチャネル性リーク電流が自己調整的に抑制され、一括した書戻し対象のメモリセルにおいて、サブスレッショルドＣＨＥを発生させるための高電界領域を形成するのに必要な高電位のドレイン電圧を供給するチャージポンプ回路の出力電圧が確保される。 - 特許庁

The method divides an amino acid residue sequence of a protein to be predicted into fragments of a length n (n=5-9), computes a standard deviation of an energy value based on multidimensional mean force field potential in different three-dimensional structures of the sequence fragment of each fragment, and predicts that three-dimensional structure folding proceeds in descending order of the standard deviation value.例文帳に追加

構造予測対象タンパク質のアミノ酸残基配列を、ながさn（n=５〜９）の断片に分け、各断片の配列断片がさまざまな立体構造をとった場合の多次元平均力場ポテンシャルに基づくエネルギー値の標準偏差を求め、この標準偏差の値が大きい順に立体構造の折り畳みが進行すると予測する。 - 特許庁

When an electric field is applied at starting to a lamp having a filament conductive film and the like, micro current flows along a tube wall in the axial direction of the lamp, potential distribution is generated in proportion to the resistance distribution in the tube wall, and an electric field proportional to the resistance distribution is generated on the inside of the lamp.例文帳に追加

管壁に放電路方向に抵抗を有する蛍光ランプと、この蛍光ランプに交流電圧を供給するバラスト回路とからなる放電灯点灯装置において、ランプの第１の電極近傍の単位長当りの抵抗値よりも第２の電極近傍の単位長当りの抵抗値の方が大きくなるように放電路方向に抵抗分布を持たせると共に、バラスト回路の出力電圧を正負非対称とし、かつ正より負の実効値が大となっている側の端子をランプの第２の電極側に接続する。 - 特許庁

This plasma treatment method comprises an arrangement process placing an electrode material layer to contact with an organic functional layer in a vacuum chamber formed between a pair of electrodes, a supply process supplying plasma process gas into the vacuum chamber, and an electric field setting process applying the main alternating voltage overlapped on the reference voltage to one of the electrodes in the vacuum chamber through a condenser and maintaining the other electrode at a reference potential.例文帳に追加

プラズマ処理方法は、１対の電極間に形成されている真空室内に有機機能層に接すべき電極材料層を置く配置工程と、該真空室内にプラズマプロセスガスを供給する供給工程と、該真空室において基準電圧に重畳された主交流電圧を該電極のうちの一方の電極にコンデンサを介して印加するとともに該電極のうち他方の電極を該基準電位に維持する電界設定工程と、を含む。 - 特許庁

Taking drugs of top ranking up to 100th in terms of sales value, for example, Japan is placed third place in term of number of items per origin country, which suggested that Japan has high ability in new drug development (Figure 3-2-1-44). Beside that, in the field of advance medical equipment, take equipment for heavy particle radiotherapy for example; there are 6 units of them in operation in the world. 3 of which is in operation in Japan. Many data on the cases of heavy particle radiotherapy53 is build-up in Japan (Figure3-2-1-45), which suggested that there are some sectors that Japan can lead the world greatly, also Japan has a potential power to play an active role globally.例文帳に追加

例えば、売上高上位医薬品100 品目における起源国品目数をみると、我が国は世界3 位にあり、高い新薬開発力を持っている（第3-2-1-44 図）ほか、高度医療機器の分野でも、例えば、がんの重粒子線治療53 機器では、稼働中の機器は世界で6 機あるうち、3 機が日本で稼働しており、重粒子線治療の症例の多くが日本に蓄積されているなど（第3-2-1-45 図）、日本が世界的に大きく先行する分野があり、国際的に飛躍できる潜在的な力を有する。 - 経済産業省

Fig. 2-5-22, on the other hand, shows the extent to which SMEs “draft management policy and business plans” and “quickly and appropriately disclose information.” More than 90% of SMEs that engage in research and development say they draft management policy and business plans, but a little less than 70% say they quickly and appropriately disclose information Financial institutions are aware that SMEs’ technology and business activities are growing increasingly sophisticated and complicated, but in addition to drafting business plans, SMEs need to work to proactively explain their business activities and the future potential of their business field and other elements to financial institutions to gain their understanding and form better business relations with them.例文帳に追加

他方、第2-5-22図は、中小企業における「経営方針・事業計画の作成状況」と「迅速かつ適切な情報開示の状況」について示したものであるが、研究開発に取り組む中小企業の9割が経営方針・事業計画の作成を行っているが、情報開示の実施の割合は7割弱に低下する。金融機関が中小企業の技術や事業内容が高度化・複雑化していると認識する中、中小企業は、事業計画を作成するとともに、自らの事業内容や将来の事業分野の見通しなどを積極的に金融機関に対して説明していくことにより、金融機関の理解を高め、金融機関との良好な取引関係を強化していくことが必要である。 - 経済産業省