「potential field」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A conductor with an insulator formed on the surface is used as a probe for sampling a thin-piece test piece, and a potential difference is given between a conductive part as an electrode and the test piece by a direct current power source to form an electric field between the probe and the test piece.例文帳に追加

薄片試料採取用プローブとして、表面に絶縁体を形成した導電体を用い、導電部を電極として直流電源によって試料との間に電位差を付与することで、プローブと試料の間に電界を形成する。 - 特許庁

The potential to be applied to a scanning electrode or a maintaining electrode is displaced during a writing interval, the electric field of a discharge space that is lost by reduction of wall electric charge in the writing interval is compensated for and a stable writing discharge and the reduction in the data voltages are realized.例文帳に追加

書き込み期間中に走査電極または維持電極に印加する電位を変位させ、書き込み期間における壁電荷の減少によって失われた放電空間の電界を補償し、安定な書き込み放電とデータ電圧の低減を実現する。 - 特許庁

A distance detection device (3A) includes a measurement part (31) for measuring a potential difference between reception electrodes, and a determination part (34) for detecting a reception frequency from the measurement result in the measurement part (31) and determining a distance from an electric field generating source to the reception electrodes based on the reception frequency.例文帳に追加

本発明は、距離検出装置（３Ａ）であって、受信電極間の電位差を計測する計測部（３１）と、当該計測部（３１）での計測結果から受信周波数を検出し、その受信周波数に基づいて、電界発生源から受信電極までの距離を決定する決定部（３４）とを備えている。 - 特許庁

When interpolating a potential, an electric field or force acting on the grid point of the level L to the vicinity grid point of a level L-1 having a finer grid, whose order is one stage lower than the level L, the electric charge is distributed to the grid points in the wide range at the level L prior to the interpolation.例文帳に追加

また、レベルＬの格子点に作用するポテンシャル、電場または力を、レベルＬよりも一段階下位のより細かい格子を有するレベルＬ−１の近傍格子点に内挿補間する際に、この内挿補間に先立って、レベルＬにおけるより広い範囲の格子点に電荷を分配する。 - 特許庁

To reduce an effect onto a signal generated in a detection electrode affected by a noise resulting from a magnetic field, in a potential measuring instrument for modulating a coupling capacitance between a measuring object and the detection electrode by mechanical motion by a driving mechanism using magnetic force.例文帳に追加

磁力を用いる駆動機構による機械的運動で測定対象と検知電極間の結合容量を変調する電位測定装置において、磁場を原因とする雑音が、検知電極で発生する信号に与える影響を低減することである。 - 特許庁

In the high-frequency module, a channel layer for running a channel has a hetero junction made of at least two types of hetero materials, and an MMIC having a field effect transistor where the height of the potential barrier of the interface of the hetero material is less than 0.22 eV is mounted.例文帳に追加

本願発明は、キャリアを走行させるチャネル層が２種類以上の異種材料のヘテロ接合を有して構成され、かつ、該異種材料の界面のポテンシャル障壁の高さが、０.２２ｅＶ未満である電界効果トランジスタを有するＭＭＩＣを搭載した高周波用モジュールである。 - 特許庁

The electromagnetic field coupling between a power supply line 5 and a first layer distributed constant line 3 as well as a second layer distributed constant line 4 which comprise a required high-frequency characteristics in electromagnetic coupling is reduced by a through hole 8, to which the electric potential connecting ground patterns 6 and 7 are grounded.例文帳に追加

電磁界的に結合して所要の高周波特性を持つ第１層分布定数線路３及び第２層分布定数線路４と給電線路５の間の電磁界的結合が、グランドパターン６，７を接続する電位が接地されたスルーホール８によって低減される。 - 特許庁

The liquid crystal device is provided with pixel electrodes formed in each sub-pixel 4, a common electrode 26 laminated on the pixel electrodes through an insulating layer and having a plurality of slits 27 and liquid crystal to be driven by an electric field generated due to a potential difference between the pixel electrode and the common electrode 26.例文帳に追加

液晶装置は、サブ画素４ごとに形成された画素電極と、画素電極上に絶縁層を挟んで積層された、複数のスリット２７を有する共通電極２６と、画素電極と共通電極２６との間の電位差に起因して生じた電界により駆動される液晶とを備える。 - 特許庁

The deflector 19 includes an electrode d(d1-d4) which configures electrode pairs generating an electrical field for deflecting the charged particle beam and to which a potential is applied via lines, and a capacitor 50 having one end connected with the electrode d and the other grounded end.例文帳に追加

ここで、偏向器１９は、荷電粒子線を偏向する電界を生成する電極対を構成し、かつ、線を介して電位を与えられる電極ｄ（ｄ１〜ｄ４）と、電極ｄに一端が接続され、かつ、他端が接地されたコンデンサ５０とを含む。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device free from a white void in a display area near a gate terminal by blocking an electric field generated by a lead wiring line and preventing potential fluctuation in a counter substrate in an in-plane switching liquid crystal display device.例文帳に追加

面内応答型液晶表示装置において、引き出し配線から発生する電界を遮蔽し、対向基板の電位変動を防止することで、ゲート端子近傍の表示領域に白抜けを生じない液晶表示装置を得るものである。 - 特許庁

A capacitor 25 is provided that, when magnetizing, is connected between both ends of an armature coil 7 and charges potential so as to suppress the increase of a voltage between both ends of the armature coil 7 based on the induced electromotive force that occurs to the armature coil 7, affected by the magnetizing magnetic field.例文帳に追加

着磁の際において、電機子コイル７の両端間に接続され、着磁磁界の影響を受けて該電機子コイル７にて生じる誘導起電力に基づいた該電機子コイル７の両端間電圧の上昇を抑制すべく電荷を充電するコンデンサ２５が備えられる。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, an equivalent potential to that of the pixel electrode (2) and/or common electrode (4) is applied on a sub electrode (8) consisting of a transparent material so as to enhance the effective lateral electric field on the substrate generated from the pixel electrode (4) which determines the alignment of the liquid crystal (20).例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、液晶（２０）の配向を決定する画素電極（４）から発生される基板に対して実効的な横電界を強めるように、透明材料からなる補助電極（８）に画素電極（２）及び／若しくは共通電極（４）と等価な電位が印加される。 - 特許庁

To provide a technique for obtaining accurate energy spectral for obtaining a sharp electron image by suppressing the charging or potential strain on the surface of an insulator sample, caused when the insulator sample is observed in the field of an photoemission electron microscopic technique, and to provide a photoemission electron microscope that applies this technique.例文帳に追加

放射電子顕微鏡技術の分野において、絶縁物試料を観察した際に生じる試料表面の帯電や電位歪みを抑制し、鮮明な電子像を得て正確なエネルギースペクトルを得るための手法と、それを応用した放射電子顕微鏡の提供。 - 特許庁

When voltage is applied between the m-type regions 8a and the surface electrode 7 by placing the surface electrode 7 on the high-potential side, by the electric field acting on the drift parts 6a, electrons injected from the n-type regions 8a drift in the drift parts 6a and are emitted through the surface electrode 7.例文帳に追加

ｎ形領域８ａと表面電極７との間に表面電極７を高電位側として電圧を印加すると、ドリフト部６ａに作用する電界によりｎ形領域８ａから注入された電子がドリフト部６ａをドリフトし表面電極７を通して放出される。 - 特許庁

Further, the electric field intensity in the depletion layer is enhanced by putting a restriction on the width of the depletion layer through narrowing the thickness of the p-type epitaxial layer 142, in order to prevent the reduction of the response speed caused by the flattening of potential even when the high-intensity light beam is incident in the write period.例文帳に追加

さらに、書き込み時の大光量が入射しても、ポテンシャルのフラット化により応答速度が低下しないように、Ｐ型エピタキシャル層１４２の層厚を薄くして空乏層幅を制限し、空乏層内の電界強度を強める。 - 特許庁

As a result, the secondary electrons that are generated by their radiation of an electron beam EB to the sample are collected by a collector 9 where voltage of 300 V has been applied, and they are collected in the vicinity of a central opening of a collector throttling 17 by an electric field of the collector throttling 17 where higher voltage than the collector potential has been applied.例文帳に追加

この結果、試料への電子ビームＥＢの照射によって発生した２次電子は、３００Ｖが印加されたコレクタ９によって集められ、コレクタ電位より高い電圧が印加されたコレクタ絞り１７の電界により、絞り１７の中央の開口付近に集められる。 - 特許庁

The values Vsx and Vmgx are determined on the basis of the level of a gate insulating film electric field that does not cause FN electron injection which brings about a change in threshold voltage and the level of a potential barrier to a hole where a BTBT hot-hole injection does not occur.例文帳に追加

ＶｓｘおよびＶｍｇｘは、閾値電圧変化をもたらすＦＮ電子注入が起こらないゲート絶縁膜電界の大きさと、ＢＴＢＴホットホール注入が起こらないホールに対するポテンシャルバリアの大きさから決定する。 - 特許庁

For increasing the erasing speed, it is unnecessary that the potential difference Vsf between the source and a control gate is made high voltage, so that intensity of an electric field applied on a tunnel film 14 can be reduced when erasing operation is started, and damage to the tunnel film 14 can be prevented.例文帳に追加

また、消去スピードを向上させるためにソース−コントロールゲート間の電位差Ｖｓｆを高電圧にする必要がないため、消去動作開始時にトンネル膜１４にかかる電界強度を低減でき、トンネル膜１４にダメージが入ることを防止できる。 - 特許庁

The sensor cell comprises: a metal fine particle (20) for combining with the probe DNA (30) selectively reacting with a target DNA on a surface; an electric field transistor Tr2 where a number of metal fine particles (20) are combined on a gate insulating film (25); and the reference electrode (21) that becomes a potential reference.例文帳に追加

本発明のセンサセルは、ターゲットＤＮＡと選択的に反応するプローブＤＮＡ（３０）を表面に結合する金属微粒子（２０）と、ゲート絶縁膜（２５）上に金属微粒子（２０）が多数結合されてなる電界効果トランジスタＴｒ２と、電位基準となる参照電極（２１）とを備える。 - 特許庁

Since the high frequency potential of the shield case 3 of the oscillator 1 and that of the shield cover 5 of the set side become equal to each other through the tongue pieces 3a, an electromagnetic field is not generated between the shield case 3 and the shield cover 5, thereby ensuring the stable modulation precision.例文帳に追加

これにより、電圧制御発振器１のシールドケース３とセット側のシールドカバー５との高周波電位が舌片３ａを介して同一になるため、シールドケース３とシールドカバー５との間に電磁界は発生せず、安定した変調精度を確保することができる。 - 特許庁

In the liquid crystal element which uses molecule orientation effect by an irregular electric field distribution, at least one electrode (1st electrode 12) is given a potential gradient for a certain time when a voltage is applied between a 1st electrode 12 and a 2nd electrode 17 which face each other or varied.例文帳に追加

不均一な電界分布による分子配向効果を利用した液晶素子において、対向する第１の電極１２と第２の電極１７との間に電圧を印加するとき又は電圧を可変するときに、少なくとも一方の電極（第１の電極１２）に一定時間電位勾配を与えるようにしている。 - 特許庁

As a result, while the controllability of a gate electrode relative to the electric potential in a channel region is kept well, the intensity of electric field generated in the gate insulating film is relaxed, resulting in realizing a micro semiconductor device of high performance and reliability which has a high current driving performance.例文帳に追加

それ故、チャネル領域の電位に対するゲート電極の制御性は良好に保たれたままでゲート絶縁膜中に生ずる電場強度の緩和が図られ、その結果として高電流駆動能力且つ高信頼性の高性能微細半導体装置を実現する。 - 特許庁

To each pixel 100a of a solid-state imaging device 100, a shield line 7 held at a constant potential is formed at a side with a source line 6a of a pixel adjacent to the pixel in X direction to a first electrode 81a, a drain electrode 6c, and a drain of a field effect transistor 30.例文帳に追加

固体撮像装置１００の各画素１００ａには、第１電極８１ａ、ドレイン電極６ｃ、および電界効果型トランジスタ３０のドレインに対して、当該画素に対してＸ方向で隣接する画素のソース線６ａが位置する側に、定電位に保持されたシールド線７が形成されている。 - 特許庁

To solve the problems of a conventional fluid rate gyro wherein, since an electrode part and a detection part are arranged in a sensing channel, a drift is generated in fluid jet by a nonuniform electric field distribution resulting from a potential difference between the electrode part and the detection part, and the drift exerts an influence on detection of angular velocity.例文帳に追加

従来の流体レートジャイロは、電極部と検出部とをセンシング流路内に配置しているので、これら電極部と検出部との間の電位差に伴う非一様な電界分布によって流体ジェットに偏流が生じてしまい、この偏流が角速度の検出に影響を及ぼしてしまう。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device which is not influenced by the potential of scanning lines even when a region of forming photoelectric conversion elements is enlarged to improve photoelectric conversion characteristics and can unfailingly prevent the generation of an optical leakage current of a field effect transistor.例文帳に追加

光電変換素子の形成領域を広げて光電変換特性を向上した場合でも、走査線の電位の影響を受けることがなく、さらに、電界効果型トランジスタの光リーク電流の発生を確実に防止することのできる固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a backgate switching circuit capable of being suitably used for a system in which it is unclear as to which has higher potential among a source or a drain of a field effect transistor, and to provide a charge control apparatus using the same and an electronic device.例文帳に追加

本発明は、電界効果トランジスタのソース・ドレインいずれが高電位となるか不定であるシステムにも好適に用いることが可能なバックゲート切替回路、並びに、これを用いた充電制御装置及び電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The MISFET used for the RF module for the portable telephone suppresses the generation of a hot carrier by forming a field plate electrode 13 connected to a source potential on the side face of the drain 9 side of a gate electrode 6, and reduces a capacity (feedback capacity) between a gate and a drain.例文帳に追加

携帯電話用ＲＦモジュールに使用されるＭＩＳＦＥＴは、ゲート電極６のドレイン９側の側面に、ソース電位に接続されたフィールドプレート電極１３を形成することによって、ホットキャリアの発生を抑制すると共に、ゲート、ドレイン間容量（帰還容量）を低減する。 - 特許庁

The electric field relaxation region 7 is composed of a semiconductor region 2E that is a part of the first electrode region 2, a semiconductor region 3E that is a part of the second electrode region 3, and a semiconductor region 6E that is a part of the surface potential stabilization region 6.例文帳に追加

電界緩和領域７は第１電極領域２の一部である半導体領域２Ｅ、第２電極領域３の一部である半導体領域３Ｅ、表面電位安定化領域６の一部である半導体領域６Ｅから構築されている。 - 特許庁

And the first positive voltage +3 V is applied to a control gate connected to the word lines WL32-WL63, potential difference between the control gate (+3 V) and the channel layer (0 V) is made small, an electric field between a floating gate and the channel layer is reduced, and a substrate disturbance is relaxed.例文帳に追加

そうして、ワード線WL32〜WL63に接続された制御ゲートに第１の正電圧＋３Ｖが印加され、制御ゲート(＋３Ｖ)とチャネル層(０Ｖ)との電位差が小さくなって、フローティングゲートとチャネル層との間の電界を減少させ、基板ディスターブを緩和する。 - 特許庁

The image display device is provided integrally with: an image display plate which displays images by filling one or more kinds of particles between a transparent substrate and a counter substrate and making the particles fly and move by imparting an electric field to the particles from two kinds of electrodes different in potential; and a touch panel.例文帳に追加

透明基板および対向基板の間に、１種類以上の粒子を封入し、電位の異なる２種類の電極から該粒子に電界を与えて粒子を飛翔移動させ画像を表示する画像表示板と、タッチパネルが一体化されている画像表示装置。 - 特許庁

Pilot signal electric charges are injected to signal electric charges transferred in the vertical direction of a solid-state imaging device 11 twice per field at a different potential (by different injected electric charge amount) in the image pickup apparatus having a plurality of channels wherein an imaging area is divided into a plurality of divisions.例文帳に追加

撮像エリアが複数に分割された複数チャンネルの撮像装置において、固体撮像素子１１の垂直方向に転送される信号電荷中にパイロット信号電荷をフィールド当たり２回、異なる電位で（異なる注入電荷量で）注入する。 - 特許庁

In addition, the layer 14 intervenes between a wiring layer 16 or an interlayer dielectric 15 and the layer 12, to block off the wiring potential in the wiring layer 16 and an electric field effect with the charge in the interlayer dielectric 15.例文帳に追加

また、このショットキー接触金属層１４が、配線層１６や層間絶縁膜１５とｎ型ＧａＡｓ抵抗層１２との間に介在して、配線層１６の配線電位や層間絶縁膜１５中の電荷による電界効果を遮蔽している。 - 特許庁

Floating matters 2 such as mold, bacteria and virus floating in the air cross the magnetic field when the floating matters 2 pass through or are captured by the filter 1, thus potential difference generates on the floating matters 2 by action of electromagnetic induction, electric current flows, and cells are decomposed and eliminated.例文帳に追加

そして、空気中に浮遊するカビ・細菌・ウイルスなどの浮遊物２が、フィルター１を通過または捕集した際に磁場を横切ることにより、電磁誘導の作用により浮遊物２に電位差が生じ、電流が流れ、細胞を分解・除去する。 - 特許庁

To provide an electron gun for a cathode-ray tube that has improved in the voltage resistance property by making longer the surface distance between the electrodes in the insulating support member that fixes and supports a plurality of electrodes making potential difference and by weakening the electric field strength in the vicinity of triple contact point, and a cathode ray-tube.例文帳に追加

電位差を生ずる複数の電極を固定支持する絶縁支持部材における当該電極間の沿面距離を大きくすると共に、三重接点近傍での電界強度を弱めることによって、耐電圧特性を改善した陰極線管用電子銃及び陰極線管を提供する。 - 特許庁

In the method in which the strength of the bond between the biopolymer and a ligand is estimated, and in the parameter which is used for the method, van der Waals interaction energy is calculated by using a distance- dependent atomic-pair potential function to which the contribution of a hydrophobic effect is added in a force-field energy calculation method.例文帳に追加

力場エネルギー計算法において、疎水効果の寄与を加えた距離依存型原子対ポテンシャル関数のパラメータを用いてファンデルワールス相互作用エネルギーを計算することにより、生体高分子−リガンド間の結合の強さを予測する方法及び上記パラメータ。 - 特許庁

When a negative voltage is applied to the sample base 7 and the outer magnetic pole 5b by a power source 9, the sample base 7, the sample 6 and the outer magnetic pole 5b are set at the same potential; and the symmetry of an electric field with respect to the optical axis of an electron beam is kept even if the sample is tilted.例文帳に追加

試料台７と外側磁極５ｂに電源９により負電位が印加されると、試料台７及び試料６と外側磁極５ｂは同電位となり、試料を傾斜させても、電子線の光軸に対して電界の対称性が保たれる。 - 特許庁

In addition, nursing care services and silver human resources centers are sometimes categorized as "services related to business activities," and a high proportion of respondents gave the reason "Can contribute to society in this field," but we see that in the midst of demographic aging, respondents believe that fields contributing to society have growth potential.例文帳に追加

また、「事業活動関連サービス」の中に介護サービスやシルバー人材センターなどが含まれていることもあり、「社会に貢献できる分野であるため」との回答割合も高いが、少子高齢化が進む中、社会貢献分野に成長性があると判断していることが分かる。 - 経済産業省

TEAM Ecollabo was organized with 8 medium- and small-businesses of different type of businesses in Tokai region, such as an auto parts maker, a building material maker and a water service system company. It engages in product development in environment field, which seems to have a great business potential in the future.例文帳に追加

チームエコラボは、東海地域の自動車部品メーカー、建材メーカー、給排水設備会社など異業種の中小企業8社が集まって結成したものであり、今後のポテンシャルが高い環境分野での製品作りに取り組んでいる。 - 経済産業省

In a competitive environment where different countries strive to achieve global standards, MCC responded quickly to protect Japanese companies from suffering disadvantages, which could have incurred if a foreign company had gone ahead. MCC has successfully safeguarded the MEMS field where substantial future growth potential lies and where Japanese companies have technological advantages.例文帳に追加

各国が国際標準の獲得競争に注力する中、今後大きな市場の成長が見込まれ、我が国企業が技術的な優位性を持つMEMSのような分野において、国際標準を他国にリードされて不利益を被ることがないよう素早く対処したMMCの対応は評価できる。 - 経済産業省

Thus, overseas expansion of Japan's manufacturing industry through consultation in the field of software, which is expected to lead to the introduction of facilities and equipment for enhancing energy and resource conservation at local production sites and to the discovery of potential renewal demand, will be considered more and more important in the future.例文帳に追加

このように、我が国製造業のコンサルティング方式によるソフト面からの海外展開は、現地生産拠点における省エネ・省資源性の向上に資する設備や機器類の導入及び更新需要の発掘にもつながることから、今後益々その重要性が高まっていくものと考えられる。 - 経済産業省

While low costs and high potential growth rates work advantageously for the economy of developing countries industries of those countries have not grown enough when compared with those of developed countries. That may cause entry of foreign companies to those developing countries by green-field investment: direct investment with establishment of new plants and affiliates.例文帳に追加

一般的に、発展途上国はコストが低いことや潜在的な成長率が高い一方、先進国に比べて産業が充分に育っていないことが多いため、新規に工場や会社を設立する形での直接投資（グリーンフィールド投資）によって行われることが多いと考えられる。 - 経済産業省

The moment we do understand the geographical and historical character of globalization, put the process into its proper context, we do understand that there does not exist such a thing as a “level playing field”, as at the end of the day all places are individual, have different resources, different potential, different challenges to address, opportunities to seize.例文帳に追加

我々がグローバル化の地理的・歴史的な性格を16理解し、適切な文脈の中にあてはめるやいなや、公平な立場などというものは存在しないことがわかります。結局のところすべての土地は個別であり、独自の資源、可能性、課題、掴み取るべき機会があるからです。 - 厚生労働省

While valuation methodologies may vary depending on the proposed asset resolution program, it is critical that those methodologies are applied transparently, objectively, consistently and in a cooperative way, in order to promote a level playing field across countries and financial institutions, and to advance prudential objectives while limiting the exposure of the state to potential losses. 例文帳に追加

価格評価の方法論は資産処理計画案により異なるが、国や金融機関を越えて同等な競争条件を促進し、潜在的な損失へのエクスポージャーを限定しつつ、健全性目的を進めるためには、その方法は透明性が高く、客観的、一貫してかつ協力的に適用されることが重要である。 - 財務省

In this method of simulating a semiconductor device in which the semiconductor device having a two-or three-dimensional structure is divided into meshes and a physical equation, such as potential equation, carrier transportation equation, etc., is solved in each mesh, a drift current caused by an electric field and a diffusion current caused by a carrier density gradient are handled separately from each other.例文帳に追加

２次元構造または３次元構造の半導体デバイスをメッシュに分割し、各メッシュで電位方程式やキャリア輸送方程式等の物理方程式を解く、半導体デバイスシミュレーション方法において、電界に起因するドリフト電流と、キャリア密度勾配に起因する拡散電流とを、それぞれ別個に取り扱うことを特徴とする。 - 特許庁

When the electrodes 17a and 17c become a positive predetermined potential, an electric field is applied in the direction of plane of the piezoelectric actuator plate 6a, whereby the actuator unit 6 including the piezoelectric actuator plate 6a curves to expand upward because of an elongation difference in the direction of plane between the upper side where the electrodes 17a-17d are arranged and the lower side without the electrodes.例文帳に追加

電極１７ａ、１７ｃが正の所定電位となると圧電アクチュエータプレート６ａの面方向に電界が印加され、圧電アクチュエータプレート６ａを含むアクチュエータユニット６は電極１７ａ〜１７ｄが配置された上側と配置されていない下側との面方向への伸長差により上側に膨らむように湾曲する。 - 特許庁