「potential field」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable to perform surely latch of complementary signals having minute potential difference even when threshold voltage of a pair of field effect transistors being a driving element are unbalanced, with respect to a latch type sense amplifier incorporated and used in a semiconductor device requiring a circuit for amplifying a complementary signal having minute potential difference.例文帳に追加

微小電位差の相補信号を増幅するための回路を必要とする半導体装置に搭載して使用されるラッチ型センスアンプに関し、駆動素子をなす一対の電界効果トランジスタのスレッショルド電圧にアンバランスがある場合であっても、微小電圧差の相補信号のラッチを確実に行うことができるようにする。 - 特許庁

Respective first electrode 333 is electrically connected to a potential imparting part 336, the voltage applied to the first electrode 333 by the potential imparting part 336 is controlled; thereby the generation of electric field between each of the first electrodes 333 and a second electrode 335 is controlled; and the diffraction efficiency in the periodically polarization-reversed structure is modulated by each first electrode 333.例文帳に追加

各第１電極３３３は電位付与部３３６と電気的に接続されており、電位付与部３３６が第１電極３３３に印加する電圧を制御して第１電極３３３の各々と第２電極３３５間での電界発生を制御し、第１電極３３３ごとに周期分極反転構造内での回折効率を変調する。 - 特許庁

While the surface of channels of a field effect transistor is being scanned by a probe, the surface potential of the channels and potentials by trap charge just beneath the probe at each point are measured through potential measurement using an atomic force microscope, and the local mobility is calculated from the measured potentials, and further the distribution of mobility is obtained based on the mobilities calculated at each point.例文帳に追加

探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 - 特許庁

A first diode and a second diode are connected to the hopping field generation means, the first diode having an anode on the low potential side of the first power source and having a cathode on the output end side of the normal phase pulse voltage generation circuit, and the second diode having an anode on the low potential side of the first power source and having a cathode on the output end side of the reversed phase pulse voltage generation circuit.例文帳に追加

また、ホッピング電界発生手段に第１の電源の低電位側をアノードとし正相用パルス電圧発生回路の出力端側をカソードとする第１のダイオード及び第１の電源の低電位側をアノードとし逆相用パルス電圧発生回路の出力端側をカソードとする第２のダイオードを接続した。 - 特許庁

In a one-field period, a video signal is written in respective pixels by a 1F inversion driving system having the same polarity with a signal line potential and in a horizontal blanking period wherein the video signal is not written in the respective pixels, a precharge gray signal having the same polarity with the signal line potential is supplied to respective pixel electrodes successively to a precharge black signal having the opposite polarity.例文帳に追加

１フィールド期間内において信号線電位の同極性となる１Ｆ反転駆動方式により映像信号を各画素に書込み、その際、各画素に対して映像信号が書き込まれない水平ブランキング期間内に、信号線電位と逆極性のプリチャージブラック信号に続いて、同極性のプリチャージグレー信号を各画素電極に供給する。 - 特許庁

Rise and fall of light control driving signal from a light control circuit 4 is made dull, and the light control driving signal inputted into a gate of field-effect transistors T5, T6, T7, T8 lift a gate potential by a potential lifting circuit 5 so as not to completely fall in a low level even if it moves from the high level to the low level.例文帳に追加

調光回路４からの調光駆動信号の立上り及び立下りは鈍らせており、電解効果トランジスタＴ５，Ｔ６，Ｔ７，Ｔ８のゲートに入力される調光駆動信号は、ハイレベルからローレベルに移っても完全にローレベルに落ちないように電位持上げ回路５によってゲート電位を持ち上げている。 - 特許庁

The voltage regulator 3 of a controller for a generator is equipped with potential divider resistors 307-309 connected between the terminals 201 and 202 of a rectifying circuit 2, a voltage comparator 306 for comparing divided potential voltage with the reference voltage, and a switch element 302 for intermitting the field current of the AC generator 1.例文帳に追加

交流発電機用制御装置の電圧調整器(3)は、整流回路(2)の端子(201, 202)間に接続された分圧抵抗(307〜309)と、分圧抵抗(307〜309)により発生する分圧電圧と基準電圧とを比較する電圧比較器(306)と、電圧比較器(306)の出力により、交流発電機(1)の界磁電流を断続制御するスイッチ素子(302)とを備えている。 - 特許庁

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5.例文帳に追加

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。 - 特許庁

An electric field generation device applies voltage VA_+ to the electrodes 403A contributing to display driving so that the potential difference between the electrodes 403 contributing to display driving and the electrodes 404B not contributing thereto is smaller than a potential difference at the time when the particles start moving, and also applies voltage VB_- to the electrodes 404B not contributing to display driving.例文帳に追加

電界発生装置は、表示駆動に寄与する電極４０３Ａと表示駆動に寄与しない電極４０４Ｂとの間の電位差が、粒子が移動開始するときの電位差よりも小さくなるように表示駆動に寄与する電極４０３Ａに電圧Ｖ_A+を印加すると共に表示駆動に寄与しない電極４０４Ｂに電圧Ｖ_B-を印加する。 - 特許庁

Preferably, a potential having a polarity reverse to a charge polarity of the display medium is applied to the substrate, the electrode for generating the electric field is formed in a mesh shape, or the substrate is disposed on a supporting plate and voltage is applied between the supporting plate and the substrate to apply a potential having a polarity reverse to the charge polarity of the display medium to the substrate.例文帳に追加

好ましくは、表示媒体の帯電極性に対して逆の極性の電位を基板に与えるか、電界発生用電極を網状の電極とするか、支持板上に基板を配置し、支持板と基板との間に電圧を印加することで、表示媒体の帯電極性に対して逆の極性の電位を基板に与える。 - 特許庁

In the case of standby, in order that the output ϕ2 of the first function circuit cell 13 may be in a high potential state and the output ϕ3 of the second function circuit cell 14 may be in a low potential state, the first and second insulated gate field-effect transistors M1 and M2 are driven to suppress through current flowing through the other function circuit cell.例文帳に追加

スタンバイ時に、第１機能回路セル１３の出力φ２が高電位状態となり、第２機能回路セル１４の出力φ３が低電位状態となるように、第１および第２絶縁ゲート電界効果トランジスタＭ１、Ｍ２を駆動し、他方の機能回路セルに流れる貫通電流を抑制する。 - 特許庁

To provide an analyzing method of charge distribution as well as analyzing method of potential distribution which accurately analyzes charge distribution and potential distribution at a material to which charged particle beam or electromagnetic wave is projected, and analyzing method of electromagnetic field, charged particle optical system, designing method for it, and charged particle beam device.例文帳に追加

荷電粒子線または電磁波が照射された物質における電荷分布およびポテンシャル分布を正確に解析できる電荷分布の解析方法、および、ポテンシャル分布の解析方法、それらを用いた電磁場解析方法、荷電粒子光学系の設計方法、荷電粒子光学系、および荷電粒子線装置を提供すること。 - 特許庁

In addition, if the reasons for choosing their fields of business are compared (Fig. 1-2-22), more respondents in industries with top entry rates than industries with bottom entry rates stated that "The field has growth potential" and they "Can start up with few funds." It seems from this that industries in which individuals can start up with few funds and in which future growth potential is expected, such as Internet-related services and nursing care services, will experience many entries.例文帳に追加

また、事業分野の選択理由について比較しても（第1-2-22図）、開業率上位の業種においては「成長性のある分野であるため」、「少ない資金で創業できるから」と回答した企業の割合が下位の業種に比較して高く、インターネット関連や介護サービスなど、個人が少額で開業でき、今後の成長性も見込まれる業種で開業が活発になっていると言えよう。 - 経済産業省

The first to third electric field forming means 4, 5a, and 5b form a difference in alternating potential in a direction of transferring toner from the toner supplying roller 23 to the both of the developing rollers 21a and 21b and form an electric field for developing a latent image part by transferring the toner transferred on both of the developing rollers 21a and 21b on an electrostatic latent image support 1.例文帳に追加

第１〜第３電界形成手段４、５ａ、５ｂは、トナー供給ローラ２３から両現像ローラ２１ａ、２１ｂへトナーを転移させる方向の交番電位差を形成し、また両現像ローラ２１ａ、２１ｂ上に転移したトナーを静電潜像担持体１上に転移させて潜像部を現像するための電界を形成する。 - 特許庁

This method for forming the thin film comprises controlling tracks of the positive ions and electrons in plasma, and controlling quantity and energy of each the incident positive ions and electrons onto a substrate by operating an electrode consisting of a conductor or a semiconductor to which a positive or negative electric field or a ground potential can be applied, or by operating a mechanism which uses a magnetic field, or the like.例文帳に追加

正または負の電場もしくは、アース電位をかけることができる導体または半導体からなる電極を操作する方法、あるいは、磁場を用いた機構を操作する方法等により、プラズマ中の正イオンおよび電子の軌道を制御し、基板に入射する正イオンおよび電子の、それぞれの量およびエネルギーを制御して成膜する。 - 特許庁

An aging time is provided when a DC potential difference between a supply roller and the developing roller is eliminated or reduced before image formation and the movement of toner in a magnetic brush is activated to electrify the toner by not only applying an AC electric field or an alternating electric field to the developing roller but also operating an agitating member and both rollers.例文帳に追加

画像形成前に前記供給ローラと現像ローラ間の直流電位差を無くすか小さくし、前記現像ローラに交流電界、または交番電界をかけると共に前記撹拌部材と両ローラを動作させ、磁気ブラシ中のトナーの動きを活発にして帯電させるエージング時間を設けた。 - 特許庁

To provide a corrosion environment assessment method in a radiation exposure field which enables more accurate assessments of corrosion potential there than ever, and to provide a corrosion mitigation method in the radiation exposure field which makes it possible to mitigate corrosion there more greatly than ever.例文帳に追加

従来に比べてより正確に放射線場における腐食電位を評価することのできる放射線照射場における腐食環境評価方法を提供するとともに、従来に比べてより放射線照射場における腐食を緩和することのできる放射線照射場における腐食緩和方法を提供する。 - 特許庁

By finding a complex coefficient for updating the electromagnetic field from the frequency of light made incident to the analysis area, the complex index of refraction corresponding to the incident light frequency of the metal and the conductivity of the metal to the DC potential, the electromagnetic field is analyzed in a system containing the metal with high accuracy and high reliability.例文帳に追加

電磁場の更新をするための複素数係数を、解析領域への入射光周波数と、金属の入射光周波数に対応する複素屈折率と、金属の直流電位に対する導電率とから求めることで、金属を含む系での電磁場解析が高精度高信頼性をもって行われるようになる。 - 特許庁

A controller part 22 of this surface potential sensor 20 samples a detection signal outputted from a sensor part 21, and stores the first representative value acquired by measuring an electric field in a domain Z of a frame 11 when a work W does not exist, and the second representative value acquired by measuring the electric field when the work W exists.例文帳に追加

表面電位センサ２０のコントローラ部２２は、センサ部２１から出力される検出信号をサンプリングしてワークＷが存在しないとき、つまりフレーム１１の領域Ｚにおける電界を測定した第１代表値と、ワークＷが存在するときの電界を測定した第２代表値とを記憶する。 - 特許庁

To discharge an action potential from neurocyte by flipping (changing a direction of) a charged particle (proton) in a cerebral nerve cell by an RF wave (electromagnetic wave) to generate a voltage and a current with a magnetic field generated by motion of the charged particle in the neurocyte, paying attention to that the charged particle placed in an electrostatic magnetic field behaves as a small precessing magnet.例文帳に追加

静磁場に置かれた荷電粒子が歳差運動する小さな磁石のように振る舞うことに注目し、脳神経細胞にある荷電粒子（プロトン）をＲＦ波（電磁波）でフリップ（向きを変えること）することで、神経細胞内の荷電粒子の運動が発生する磁場により電圧と電流を生じさせ、それにより神経細胞から活動電位を放出させる。 - 特許庁

An n^+-type impurity region 52 is formed in an n^--type semiconductor layer 2 in a high potential island region 201 partitioned by a p-type impurity region 3, and first field plate 55a-55e and a plurality of second field plates are formed in multiplex above the n^--type semiconductor layer 2 between the n^+-type impurity region 52 and the p-type impurity region 3.例文帳に追加

ｐ不純物領域３で区分された高電位島領域２０１内のｎ^-半導体層２にはｎ^+不純物領域５２が形成されており、ｎ^+不純物領域５２とｐ不純物領域３との間のｎ^-半導体層２の上方には第１フィールドプレート５５ａ〜５５ｅと複数の第２フィールドプレートとが多重に形成されている。 - 特許庁

Hole injection is controlled by the tunneling capable of controlling with impression field strength, injection of the electron of a conduction band is regulated by a potential barrier by the junction and the contact, and current limitation is carried out by controlling the injection volume in the impressed field, so that current limitation with little power loss is realized, and high luminous efficiency is realized.例文帳に追加

正孔注入は印加電界強度で制御可能なトンネリングにより制御され、また、伝導帯の電子の注入は接合や接触での電位障壁により制限され、その注入量が印加電界で制御されることによって、電流制限がされ、電力損失の少ない電流制限が実現され、高い発光効率が実現される。 - 特許庁

By this structure, an electromagnetic field is formed in the closed space and, by setting of the parallel resistor and the series resistor, adjustment of strength and weakness of the potential and electromagnetic field is possible, which can give displacement in the ion balance in the air existing in the closed space, and can promote uneven distribution of the negative ion, thereby maintaining the air suitably.例文帳に追加

この構成により、密閉空間に電磁場が形成され、並列抵抗器及び直列抵抗器の設定により電位・電磁場の強弱調節が可能で、密閉空間に存在する空気中のイオンバランスに変位を与え、あるいはマイナスイオンの偏在を促進させることができ、空気を好適に保つことができる。 - 特許庁

The ion beam source comprises a metallic enclosure provided with cathodes, magnetic gaps, a magnetic field generating means for generating a magnetic field in the enclosure, reactive gas introducing means for introducing reactive gas into the enclosure, and anodes each arranged in the vicinity of the magnetic gap; wherein the cathodes are electrically insulated from ground potential.例文帳に追加

金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソードを接地電位から電気的に絶縁したことを特徴とする。 - 特許庁

The Pch insulation gate type field effect transistor PT1 is provided between a high-potential side power supply VDD, and the Nch insulation gate type field effect transistor NT1, is turned on, when the test enable signal Test Enable has been disabled and sets an SO port to a "High" level.例文帳に追加

Ｐｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタＰＴ１は高電位側電源ＶＤＤとＮｃｈ絶縁ゲート型電界効果トランジスタＮＴ１の出力側の間に設けられ、テストイネーブル信号Ｔｅｓｔ Ｅｎａｂｌｅがディセーブル状態のときにオンし、ＳＯポートを“Ｈｉｇｈ”レベルに設定する。 - 特許庁

Cooperation has the potential to further maximize the benefits of these actions and address spillovers, in particular by increasing confidence in financial stability, minimizing distortions to the market and maintaining a level playing field, supporting developing countries and emerging market economies, while defending taxpayers' interests. 例文帳に追加

協力は、これらの措置の利点を最大化するための潜在力を持ち、効果的に対応することにより、納税者の利益を守りつつ、特に、金融の安定に対する信認を増し、市場の歪みを最小化し、同等な競争条件を維持し、開発途上国や新興市場国の経済を支援している。 - 財務省

Thereby, an electric field which is circular and oblique to the normal of a substrate is formed between the alignment controlling electrode 150 and the pixel electrode 120 within the pixel region when potential difference is formed between the pixel electrode 120 and the counter electrode 203.例文帳に追加

これにより、画素電極１２０と対向電極２０３との間に電位差を形成した際に、画素領域内において、配向制御電極１５０と画素電極１２０との間で基板の法線に対して傾いた円弧状の電界が形成される。 - 特許庁

The Schottky metal/semiconductor barrier is formed on the emitter electrode and electrically coupled to the extractor electrode such that, when an electric potential is placed between the emitter electrode and the extractor electrode, an electron is emitted from the surface of an exposed semiconductor layer into the electric field.例文帳に追加

ショットキー金属−半導体障壁は、放出電極と抽出電極との間に電位がかけられるときに、半導体層の露出された表面から電子の電界放出が生成されるように、放出電極上に形成され、かつ抽出電極に電気的に接続される。 - 特許庁

A source of the second field effect transistor 32 is connected to a ground potential as a reference voltage to be turned on/off by a second input signal Srpwm supplied from a second level shifter 28 to its gate.例文帳に追加

第２電界効果型トランジスタ３２は、そのソースが基準電圧としてのグランド電位に接続され、第２レベルシフタ２８からゲートに供給される第２入力信号Ｓｒｐｗｍによってオン・オフ動作するように構成されている。 - 特許庁

In this ion beam device, cations generated in an ionization chamber 5 with energy of at most several eV do not pass through an ion suppressing electrode 12 by an electric field E2 formed between the ionization chamber 5 and the ion suppressing electrode 12 controlled at a potential of some ten V to the ionization chamber 5.例文帳に追加

イオン化室５で生成された高々数ｅＶのエネルギーの陽イオンは、イオン化室５とそのイオン化室５に対して数１０Ｖの電位に制御されたイオン抑制電極１２間に形成される前記電場Ｅ_2により、イオン抑制電極１２を通過することはない。 - 特許庁

The small-sized ion pump is provided with two electrically charged plates (308, 310), manufactured by known manufacturing technique of microchip parted at a fixed distance, the potential difference applied between the electrically charged plates, in order to generate a vertical direction electric field to ionize gas molecules.例文帳に追加

小型イオンポンプは、周知のマイクロチップ製造技術によって製造された、一定距離だけ分離した２つの帯電板(308,310)を備えており、気体分子をイオン化する垂直方向の電界を生成するために、それらの帯電板に電位差が与えられる。 - 特許庁

A processing gas is introduced into the vacuum chamber 10, plasma is generated by an electric field between the RF electrode 30 and the grounding electrode 12, and the translucent member 22 charged to a negative auto-bias potential Vf is cleaned by ions in the plasma.例文帳に追加

真空処理室１０内に処理用ガスが導入され、ＲＦ電極３０及び接地電極１２間の電界によってプラズマを生成し、負の自己バイアス電位Ｖｆに帯電された透光性部材２２をプラズマ中のイオンによりスパッタしてクリーニングする。 - 特許庁

Accordingly, since electron energy potential of the quantum dot 13 which emits the carrier by absorbing the light may be varied in accordance with the electric field applied to a pair of first electrodes 16, 17, the wavelength of the detected light can also be varied.例文帳に追加

このようにすると、第１の一対の電極１６、１７に印加された電界に応じ、光を吸収してキャリアを放出する量子ドット１３の電子エネルギポテンシャルを変更できるので、検知する光の波長を変更できる。 - 特許庁

One end of the coaxial wave body structure is formed so that plasma free in the air-fuel mixture can be generated from an ignition pin 12 projected from a field structure rushed into the combustion chamber at a generated voltage potential or a wave body structure.例文帳に追加

同軸的な導波体構造の一端は、発生する電圧ポテンシャルで、燃焼室内に突入する電界構造ひいては空気燃料混合物内にて自由なプラズマが導波構造から突出する点火ピン（１２）において発生可能であるように構成されている。 - 特許庁

A second metal substrate 32 of the same electric potential as the collector electrode is disposed at a symmetric position, viewed from the electric circuit pattern 31 connected to the collector electrode, of the first metal substrate 4 of a ground electrode, to relax the maximum electric field for improved insulating capability.例文帳に追加

コレクタ電極に接続された電気回路パターン３１から見て、接地電極である第１の金属基板４の対称位置に、コレクタ電極と同電位の第２の金属基板３２を配置することにより、最大電界が緩和されて、絶縁能力が向上する。 - 特許庁

To impart shielding effects to an electromagnetic field generated in a thunder current flowing in a building structure and to prevent indoor equipment from being greatly influenced by a potential difference generated between upper and lower floor slabs caused by a thunder current.例文帳に追加

建物構造体に流れる雷電流によって発生する電磁界に対する遮蔽効果を持たせることと、雷電流により上下階のスラブ間に生じる電位差により室内の機器に大きな影響を与えないようにすることを課題とする。 - 特許庁

When the cantilever 104 of the conductor element is arranged at the contactless position, the contact 102 and the cantilever 104 of the conductor element are constituted so as to maintain an electric field having a magnitude exceeding 320 Vμm-1 between them and/or a potential difference of about 330 V or more.例文帳に追加

導体素子の片持ち梁１０４が非接触位置に配置されたとき、接点１０２および導体素子の片持ち梁１０４は、それらの間で３２０Ｖμｍ−１を超える大きさを有する、および／または約３３０Ｖ以上の電位差のある電界を維持するように構成される。 - 特許庁

For controlling the potential of a neutral point N of a three-phase field winding provided in the motor 30 and a current flowing in the neutral point N to proper values, a converter 34 is connected between a positive-electrode terminal of the secondary battery 10 and the neutral point N.例文帳に追加

モータ３０が備える３相界磁巻線の中性点Ｎの電位、および中性点Ｎに流れる電流を適切な値に制御するため、二次電池１０の正極端子と中性点Ｎとの間にはコンバータ３４が接続される。 - 特許庁

A tabular member 104 is brought into the intermediate potential; an electric field is generated across the OFF-side electrodes 105a, 105b; electrostatic attractive force is generated between the electrodes 105a, 105b and the tabular member 104; and the tabular member 104 is slantingly displaced on OFF side.例文帳に追加

板状部材１０４は中間の電位となり、ＯＦＦ側の電極１０５ａ，１０５ｂに対して電界が発生し、電極１０５ａ、１０５ｂと板状部材１０４の間で静電引力が発生し、板状部材１０４はＯＦＦ側に傾斜変位する。 - 特許庁

The transmission part 1 of the data communications equipment consists of a serial data generation circuit 2, an output field-effect transistor 3 and output terminal TXD, and the output terminal TXD is connected to a serial data bus 5 connected to a high potential power supply VDD via resistance R.例文帳に追加

データ通信装置の送信部１は、シリアルデータ発生回路２と、出力電界効果トランジスタ３と、出力端子ＴＸＤとから構成され、出力端子ＴＸＤは、抵抗Ｒを介して高電位電源ＶＤＤに接続されたシリアルデータバス５に接続されている。 - 特許庁

To provide an AGC circuit capable of enlarging the change quantity of a gain in respect to the variable quantity of an AGC voltage by preventing a source potential from being lowered even when the drain current of a dual gate type field effect transistor(FET) provided in the AGC circuit is changed.例文帳に追加

ＡＧＣ回路の有するデュアルゲート型電界効果トランジスタにおけるドレイン電流が変化しても、これに伴ってソース電位の低下が生じないようにすることによって、ＡＧＣ電圧の可変量に対する利得の変化量を大きくできるようにＡＧＣ回路を提供する。 - 特許庁

A conductive region 15 is provided between the collector electrode 10 and the gate electrode 8 closest to it to a position deeper than the pn junction surface of a base region 4 and a drift region 3, potential is made to float and it is turned to a field plate.例文帳に追加

コレクタ電極１０とこれに最も近いゲート電極８との間に、ベース領域４とドリフト領域３とのＰＮ接合面よりも深い位置まで、導電性領域１５を設け、その電位をフローティングにしてフィールドプレートとする。 - 特許庁

A voltage applied to the grid wire 44C is changed by a control part 60 in accordance with the potential of the photoreceptor drum 28 entering a charging area of the scorotron charger 44 so that an electric field between the photoreceptor drum 28 and the grid wire 44C is ≤500V/mm.例文帳に追加

ここで、グリッドワイヤ４４Ｃに印加される電圧は、スコロトロン帯電器４４による帯電領域に進入した感光体ドラム２８の電位に応じて感光体ドラム２８とグリッドワイヤ４４Ｃとの間の電界が５００Ｖ／ｍｍ以下となるように、制御部６０によって変化させられる。 - 特許庁

When an ink droplet 15 for spare discharge discharged from the nozzle orifice 12 is deviated by the deviated electric field 85 and reaches the orifice electrode and ink receptacle 11, a potential charged in the ink droplets for spare discharge 15 is discharged, and electric current is generated.例文帳に追加

ノズル孔１２から吐出された予備吐出用インク滴１５が偏向電界８５により偏向されてオリフィス電極兼インク受け１１に着弾すると、予備吐出用インク滴１５に帯電していた電荷が放出され、電流が発生する。 - 特許庁

The potential change of the surface of the inclusion compound 21 due to the formation of the complex of the target ions and the inclusion compound 21 is detected as a change in the gate voltage of the field-effect transistor 10 and the target ions are approximately quantified using a Nernst equation.例文帳に追加

標的イオンと包接化合物２１との錯形成による包接化合物２１表面の電位変化を電界効果型トランジスタ１０のゲート電圧の変化として検出し、標的イオンをネルンスト式を用いて近似的に定量する。 - 特許庁