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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > potential fieldに関連した英語例文

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potential fieldの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 428



例文

To prevent resistance change affected by noise and electric field applied from the outside, which is caused when an electric potential is kept floating when the resistance of a polysilicon resistor depends on the electric potential of aluminum applied to the upper side as in a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置では、ポリシリコン抵抗の抵抗値が上側に被せられるアルミの電位に依存性を持つ場合、その電位をフローティング電位にしておくことは外部から加わるノイズや電界に影響して抵抗値を変化させてしまうことになる。 - 特許庁

The potential control means 19 forms a potential difference (electric field) between the ink jet recording head 16, and the recording paper P and the supporting member 17 when the recording paper P is not transported, preventing ink droplets from forming mist to float.例文帳に追加

また、電位制御手段19は記録用紙Pが搬送されていないときは、インクジェット記録ヘッド16と記録用紙P及び支持部材17の間に電位差(電界)を形成し、インク滴がミストとなって浮遊することを防止する。 - 特許庁

In the ink jet printer 1 as a serial type printer, a potential control means 19 makes the ink jet recording head 16, a recording paper P and a supporting member 17 the same potential when the recording paper P is transported, thereby forming an electric field absent state.例文帳に追加

シリアル型プリンターであるインクジェットプリンター1において、記録用紙Pが搬送されているときは、電位制御手段19がインクジェット記録ヘッド16、記録用紙P、支持部材17、のこれらを同電位とし、無電界状態を形成する。 - 特許庁

Based on the information from the objective-lens control means 21, a control device 22 supplies a potential control means 18 with a potential signal Va for positioning a diffraction image field in the position of a diffraction diaphragm 9, irrespective of changes in the image magnification by the control of the objective-lens control means 21.例文帳に追加

また、制御装置22は対物レンズ制御手段21からの情報に基づき、対物レンズ制御手段21の制御による像倍率変化に拘わらず、回折絞り9の位置に回折像面を位置させるための電位信号Vaを前記電位制御手段18に送る。 - 特許庁

例文

The current limit means 22 controls the potential Vn1 of the first node N1 to reduce a current Idr flowing through the first insulated gate field effect transistor 13 when the potential difference ΔV between the voltage input terminal 11 and the voltage output terminal 12 is larger than a reference value.例文帳に追加

電流制限手段22は、電圧入力端子11と電圧出力端子12間の電位差ΔVが基準値より大きいときに、第1絶縁ゲート電界効果トランジスタ13に流れる電流Idrを低減するように第1ノードN1の電位Vn1を制御する。 - 特許庁


例文

When a liquid crystal device 1 is driven, a longitudinal electric field Ev is generated in a region between pixel electrodes 9a1 and 9a2, that is, a non-aperture region along a layer thickness direction of a liquid crystal layer 50 according to difference between potential of a first part 85p1 and potential of a counter electrode 21.例文帳に追加

液晶装置1の駆動時には、第1部分85p1の電位及び対向電極21の電位の差に応じて、液晶層50の層厚方向に沿って画素電極9a1及び画素電極9a2間の領域、即ち非開口領域において縦電界Evが生じる。 - 特許庁

The electric field is applied to the region outside the image region, on the inner surface of a face plate by forming a peripheral electrode 5 in a region outside the image region, on the inner surface of a face plate 1, and applying high electric potential not lower than electric potential applied to an accelerating electrode, to the peripheral electrode 5.例文帳に追加

画像領域12の外側の領域への電界の印加は、フェースプレート1の内面上かつ画像領域外の領域に周辺電極5を形成し、周辺電極5に対して加速電極へ印加する電位以上の高電位を印加することによって行う。 - 特許庁

In this DRAM, an n+ type drain region 7d of a field transistor 7 included in an internal protection circuit 9 is replaced by p+ type drain region 7d', and a bias potential V1 larger than a power supply potential VCC is applied to an n type well region NW below the p+ type drain region 7d'.例文帳に追加

このDRAMでは、内部保護回路9に含まれるフィールドトランジスタ7のn+ 型ドレイン領域7dをp+ 型ドレイン領域7d′で置換し、p+ 型ドレイン領域7d′の下のn型ウェル領域NWに電源電位VCC以上のバイアス電位V1を印加する。 - 特許庁

A part 106 for judging the suitability in terms of technical potential and a part 108 for judging the suitability in terms of profitability each refers to the diagnosis results input in entry columns in the table 22 and judges the technical potential and profitability of conservation tillage of rice in the requested field X.例文帳に追加

技術的可能性適否判断部106及び収益性適否判断部108が、それぞれ、圃場プロファイル表22の項目別診断結果記入欄を参照して、依頼圃場Xにおける稲の不耕起直播栽培の技術的可能性、収益性に関する判断をする。 - 特許庁

例文

Thereafter, turning on or off the discharge lamp is controlled so that the difference between the potential of the surface of the photoreceptor entering the nip between the charging roll and the photoreceptor and the potential of the charging roll is decreased and also the direction of an electric field between the charging roll and the photoreceptor entering the nip between the charging roll and the photoreceptor is changed.例文帳に追加

そしてその後、帯電ロールとのニップ部に突入する時点での感光体の表面電位と帯電ロールの電位との差が減少し、また、帯電ロールとのニップ部に突入する時点での感光体と帯電ロールとの間の電界の向きが変わるように、除電ランプのオン、オフを制御する。 - 特許庁

例文

Due to the potential control unit 1, a carrier is injected to a carrier injector 3 by a carrier injection means such as ohmic contact, so as to cancel potential difference that is generated when electric field gradient is given by the spin-orbit interaction space gradient generator 4.例文帳に追加

この電位制御部1を備えることにより、オーミックコンタクトなどのキャリア注入手段によってキャリア注入部3にキャリアを注入し、スピン軌道相互作用空間勾配生成部4により電場勾配を与えたときに発生する電位差を打ち消す。 - 特許庁

Electrons released by the electric field concentrated to a conductor-insulator connection part are moved on the surface of the space retainer 1 toward the anode substrate, as shown by the actual line arrow, by a high potential applied to the anode substrate or a high potential induced on the surface of the space retainer 1.例文帳に追加

導電体−絶縁体接続部に集中する電界により放出された電子は、陽極基板に印加されている高電位や間隔保持体1の表面に誘起されている高電位により、間隔保持体1の表面を、陽極基板に向かって、実線矢印に示すように移動する。 - 特許庁

Thanks to such a structure of transfer electrode, an electric field is applied to deepen a channel potential in the CCD channel area adjacent to the interface than the center of the CCD channel area, which suppresses an acting to shallow the channel potential of the CCD channel area adjacent to the joint boundary.例文帳に追加

この転送電極構造により、CCDチャネル領域中央よりも境界近傍のCCDチャネル領域においてチャネル電位を深めるように電界が掛かり、接合界面近傍のCCDチャネル領域のチャネル電位を浅くしようとする作用を抑える。 - 特許庁

The surface potential sensor S comprises: a sensor part for outputting the detection signal corresponding to electric field intensity between a detection electrode and a measurement object; and a CPU 110 for detecting the surface potential of the measurement object based on the level of the detection signal.例文帳に追加

表面電位センサSは、検知電極と測定対象物との間に生じる電界の強度に応じた検出信号を出力するセンサ部と、センサ部から出力される検出信号のレベルに基づいて測定対象物の表面電位を検出するCPU110とを備えている。 - 特許庁

To obtain an insulated gate N-channel field effect type transistor having high breakdown voltage and a high ESD endurance strength without increasing a process and a circuit, and the body potential of an element can be set freely without recourse to semiconductor substrate potential in a BiCMOS integrated circuit.例文帳に追加

BiCMOS集積回路において、工程や回路面積を増加させずに、高耐圧と高ESD耐量を有し、素子のBody電位を半導体基板電位によらず自由に設定できる絶縁ゲートNチャネル電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

Since the dielectric layers 14 are interposed between transparent resistor layers 5 and the liquid crystal layer 7, potential distributions on the surfaces of transparent resistors donot have a direct influence upon the inside of the liquid crystal layer 7, and the potential distributions are dulled to form an electric field in the liquid crystal layer 7.例文帳に追加

透明抵抗体層5と液晶層7との間に誘電体層14を挟むことで、透明抵抗体表面の電位分布が直接液晶層7内に影響せず、電位分布が鈍って液晶層7内に電界を形成する。 - 特許庁

To provide an estimation method of conductivity or a dielectric constant capable of estimating directly the conductivity or the dielectric constant only from measured data of an electric potential or an electric field in a concerned domain without generating an electric potential distribution artificially by an external voltage or a current source.例文帳に追加

外部電圧又は電流源により人工的に電位分布を生じさせることなく、また、関心領域内の電位又は電界の測定データのみから誘電率又は導電率を直接的に推定できる誘電率又は導電率推定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a near-field light detection method and a device therefor having excellent spatial resolution and detection sensitivity of a near field, measuring a space distribution of near-field light by examining an electric potential distribution of surface plasmon excited by the near-field light by a Kelvin force microscope having spatial resolution of an atom to a nanometer order.例文帳に追加

本発明は、原子〜ナノメートルの空間分解能を持つケルビンフォース顕微鏡により、このこの近接場光により励起される表面プラズモンの電位分布を調べることにより、近接場光の空間分布を計測するものであり、空間分解能と近接場の検出感度に優れる近接場光検出方法およびその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The tip an emitter 5 is constituted so as to extend from the low-potential electrode 2 toward a gate 4 is located near the outer wall of the gate 4, and the direction of electric field formed between the low-potential electrode 2 and gate 4 is set nearly parallel to that formed between the low- potential electrode 2 and the anode 6.例文帳に追加

低電位電極2からゲート4方向に向かって延びるように形成されたエミッタ5の先端が、ゲート4の外壁の近傍に位置するように構成し、低電位電極2とゲート4との間に形成される電界の方向と、低電位電極2とアノード6との間に形成される電界の方向とを略平行とする。 - 特許庁

When a distance between the nozzle plate 262 and a part absorbing ink in the absorbent member 236 becomes short, an electric field strength produced by a potential difference V_0 turns not too much greater since a fluctuation in the electric field strength produced by the potential difference between the nozzle plate 262 and an electrode 310 can be made smaller.例文帳に追加

ノズルプレート262と電極310との間に生じる電位差により発生する電界の強度の変動を小さくすることができるので、ノズルプレート262と吸収部材236におけるインクを吸収している部分との距離が短くなった場合に、電位差V_0によって生じる電界の強度が大きくなり過ぎない。 - 特許庁

In this near-field light detection method and the device thereof, by vibrating an electroconductive probe applied with a voltage wherein a DC and an AC are superimposed, and detecting and conrolling an electrostatic force between electric potential of the probe and electric potential of a dielectric surface, the near-field light generated when irradiating the dielectric surface with an electromagnetic wave is detected.例文帳に追加

本発明による近接場光検出方法およびその装置は、直流と交流の重畳する電圧が印加された導電性探針を振動させ、該探針電位と誘電体表面電位の間の静電気力を検知・制御することにより、誘電体表面に電磁波を照射したときに発生する近接場光を検出することを特徴とする。 - 特許庁

The refrigeration and freeze control system contains electrode modules 100a, 100b containing oppositely placed anode and cathode and an electric field applying module 200 to apply electric potential to the anode and the cathode to form an electric field having two or more frequency ranges between the anode and the cathode and control the frequency range of the electric potential applied to the electrodes.例文帳に追加

冷凍および冷蔵制御システムにおいて、対面する陽極と陰極を含む電極モジュール100a、100bと、前記陽極と前記陰極に電圧を印加して前記陽極と前記陰極の間に2つ以上の周波数範囲を有する電界を形成し、前記印加される電圧の周波数範囲を制御する電界印加モジュール200とを含む。 - 特許庁

The receiver 13 has a coil 2 for detecting a magnetic field yielded by passing the AC current through the piping 19 and uses the magnetic field detected by the coil as a reference signal in the synchronous detection of the potential difference signal.例文帳に追加

前記受信器13は、前記交流電流を配管19に通電することによって生じる磁場を検出するためのコイル2を具備し、当該コイル2によって検出した磁場信号を前記同期検波における参照信号として用いることを特徴とする。 - 特許庁

A field-effect transistor 13 of a normally-on type is used as the switching element, constituting a step-down chopper circuit, and the on-state of the field-effect transistor 13 is turned off, by utilizing a ground-G side negative potential generated by a load voltage.例文帳に追加

降圧チョッパ回路を構成するスイッチング素子としてノーマリーオンタイプの電界効果トランジスタ13が用い、この電界効果トランジスタ13のオン状態を負荷電圧によるグランドG側の負電位を利用してオフする。 - 特許庁

The scanning sequence of scanning lines in an address period is inverted every field or sub-field to suppress the occurrence of abnormal discharging due to the unbalance of a stray potential which is caused by asymmetrical discharging in an address operation, and thus a PDP of high definition and high picture quality is realized.例文帳に追加

アドレス期間における走査線を走査する順序を、フィールド毎あるいはサブフィールド毎に反転させることによって、アドレス動作における非対称放電に起因する浮遊電位のアンバランスによる異常放電の発生を抑制し、高精細で非常に高画質なPDPを実現する。 - 特許庁

In an electrooptical apparatus 1, a driving method is performed to set opposite electrode potential Com to be a value which is previously shifted for the portion of the correction voltage of a first phenomenon (field-through), and also adjust the ratio of first and second field period lengths in the period length for the portion of one frame in response to the value of a designation value Q.例文帳に追加

電気光学装置1は、対向電極電位Comを第1の現象(フィールドスルー)の補正電圧分あらかじめシフトした値に設定するとともに、1フレームの期間長における第1および第2フィールドの期間長の割合を、指定値Qの値に応じて調整する駆動方法を行う。 - 特許庁

The current-carrying control section supplies to the magnetic field detecting section one of two current-carrying control signals of different non-current-carrying time and period of the magnetic field detecting section, in response to the potential level of the period control signal supplied from the current-carrying period control section.例文帳に追加

通電制御部は、通電周期制御部から供給された周期制御信号の電位レベルに応じて、磁界検出部が通電しない期間及び周期がそれぞれ異なる2つの通電制御信号の内の一方を磁界検出部に供給する。 - 特許庁

In this liquid crystal display device, liquid crystal is driven by a strong electric field and a uniform transverse electric field in the initial period in one frame and it is driven by uniform transverse electric fields in the latter period in the frame by arranging third electrodes different from a common electrode and a pixel electrode and by changing electric potential of these third electrodes in the frame.例文帳に追加

共通電極及び画素電極とは異なる第3の電極を配置し、この第3の電極の電位を1フレーム周期内で変化させ、1フレーム周期内の初期には強電界と均一横電界により液晶を駆動し、1フレームの後期では均一横電界で液晶を駆動する。 - 特許庁

To provide an insulated double gate field-effect transistor capable of decreasing an increase in drain leakage current when the insulated double gate field-effect transistor is turned off in a state wherein a high potential is applied to the drain, and suppressing a decrease in on current due to an increase in drain parasitic resistance.例文帳に追加

高電位がドレインに印加された状態で二重絶縁ゲート電界効果トランジスタをオフ状態とするときのドレイン漏れ電流の増加を軽減し、かつソース、ドレイン寄生抵抗の増加によるオン電流低下が抑制できる二重絶縁ゲート電界効果トランジスタを提供する - 特許庁

When high-frequency plasma is generated in the plasma chamber, an electric field (magnetic field) is produced in the plasma chamber to generate electromotive force at a conductor part in the plasma chamber, and a high-frequency current flows because of a potential difference of the electromotive force.例文帳に追加

高周波プラズマがプラズマチャンバー内に生成されると、プラズマチャンバー内には電界(磁界)が生じて、プラズマチャンバー内の導体部分には起電力が発生し、この起電力の電位差により高周波電流が流れる。 - 特許庁

In the method for evaluating the reliability of a nonvolatile semiconductor storage device, a first electric field Eox 1 of a tunnel film 4 in the case that a potential difference Vcg 0 between first gate substrates is applied during the time of the first time T1 is calculated in such a manner that the electric field polarity of the tunnel film 4 turns to a first polarity.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の信頼性評価方法は、トンネル膜4の電界極性が第1の極性になるように、第1の時間T1の間、第1のゲート基板間電位差Vcg0を与えた場合におけるトンネル膜4の第1の電界Eox1を算出する。 - 特許庁

This potential therapy apparatus which is provided with a counter electrode disposed in the upper part of the head part of a subject and a foot mount electrode, is further provided with a field shielding part for shielding an electric field applied to the specific portion of the human body and controls the induction current generated in the specific portion of the human body.例文帳に追加

被治療者の頭部上方に配設された対向電極と、足載台電極とを備える電位治療装置において、人体の特定の部位にかかる電界を遮蔽するための電界遮蔽部材3を備え、人体の特定の部位に生じる誘導電流を制御する。 - 特許庁

Since the mechanism 1 for restricting frost forming in the cooling surface is formed into the described structure, an electric field is formed in the cooling space by the electrical potential generating device and an energy field is formed, and water molecules become positively charged to prevent frost to be formed.例文帳に追加

この冷却面の着霜抑制機構1は前記のように構成したので、電位発生装置により冷却空間に電界が形成されてエネルギーの場ができ水分子などが電荷を帯び活性化することにより霜が付き難くなる。 - 特許庁

This configuration makes it possible to attract an electric field of a portion surrounded by the source electrode 21 of the second drain plug 33 by a source potential and to somewhat suppress an electric field from the surrounded portion to the "boundary between the portion below the gate electrode 11 and the drain region 5".例文帳に追加

このような構成であれば、第2ドレインプラグ33のソース電極21によって包囲された部分の電界はソース電位に引き付けられ、包囲された部分から「ゲート電極11下とドレイン領域5との境界部分」への電界がある程度抑えられる。 - 特許庁

Thereby, the voltage between the gate G and drain D of the field-effect transistor Q1 becomes the same AC potential, therefore no current is generated through the stray capacitance, and the input impedance of the field-effect transistor Q1 can be made high in the same way as the case that the feedback capacitor is used.例文帳に追加

これにより、電界効果トランジスタQ1のゲートGとドレインDとの電位が交流的に同一になり、この間の浮遊容量を通じての電流が生じず、帰還コンデンサを用いていた場合と同様にして、電界効果トランジスタQ1の入力インピーダンスが高められる。 - 特許庁

The drive part divides an image signal indicating one image corresponding to two-line jump scanning and three field divisions, and sequentially supplies the image signal for each field as a signal potential Vsig of the same polarity as a plurality of signal lines SIG1-n (signal line drive).例文帳に追加

駆動部は、2ライン飛び越し走査と3つのフィールド分割に対応して、1画像を表す画像信号を分け、この画像信号を、複数の信号線SIG1〜nに対し同じ極性の信号電位Vsigとしてフィールドごとに順次、供給する(信号線駆動)。 - 特許庁

Thereby, when a potential difference is imparted between first and second electrodes 23, 24, an electric field of which the electric flux line passing through the electro-optical member 22 is shown to be bent so as to protrude to the optical axis L side is generated, and a spread angle of the laser beam is varied by the action of the electric field.例文帳に追加

これにより、第1及び第2電極23,24間に電位差が与えられると、電気光学部材22を通過する電気力線が光軸L側に突出するように湾曲して示される電界が発生し、その電界の作用によりレーザ光の拡がり角度が可変される。 - 特許庁

Therefore, a powerful electric field is formed near the corner section between the side face region 13 and second surface region 12 and, the same time, a local powerful electric field is formed in a channel region due to the potential difference between the floating gate 4 and control gate 6.例文帳に追加

このため、段差側面領域13と第2表面領域12との間のコーナー部分近傍に強い電界が形成されるとともに、浮遊ゲート4と制御ゲート6との間の電位差によってチャネル領域中に局所的に強い電界が形成される。 - 特許庁

When impressing the voltage between the surface electrode 7 and the lower electrode 12 with the surface electrode 7 as the high electric potential side, the electron captured by a trap 9 in the strong electric field drift layer 6 is emitted outside the strong electric field drift layer 6 by energy from the driving power source Va being an emitting means.例文帳に追加

表面電極7と下部電極12との間に表面電極7を高電位側として電圧を印加した時に強電界ドリフト層6中のトラップ9に捕獲された電子を放出手段たる駆動電源Vaからのエネルギにより強電界ドリフト層6外へ放出させる。 - 特許庁

The detector circuit is connected to a common connection point, thereby to detect a high frequency signal which has been output from the drain terminal of the field effect transistor 131 and to apply detection voltage with the potential at the common connection point as reference to the gate terminals of the field effect transistors 131, 132.例文帳に追加

検波回路は共通接続点に接続され、電界効果トランジスタ131のドレイン端子から出力された高周波信号を検波し、共通接続点の電位を基準とした検波電圧を電界効果トランジスタ131、132のゲート端子に印加する。 - 特許庁

The magnetic field detecting part 20 is a magnetoelectric transducer (Hall element), and when a control current Ic is passed between two terminals 22a, 22c facing each other and a magnetic field with magnetic flux density B is vertically applied to a sensitive face S, a potential difference (Hall output voltage) Vh is generated between output terminals 22c, 22d facing each other.例文帳に追加

磁界検出部20は、磁電変換素子(ホール素子)であり、制御電流Icを対向する2端子22a,22c間に流し、外部から磁束密度Bの磁界を受感面Sに垂直に作用させた場合、対向する出力端子22c,22d間に電位差(ホール出力電圧)Vhが発生する。 - 特許庁

In field emission, electron waves near the Fermi energy are reflected at the potential barrier but penetrate with an exponential decrease of their amplitude ψ into the barrier. 例文帳に追加

電界放出では、フェルミエネルギー近くの電子波はポテンシャル障壁で反射されるが、電子波の振幅ψの指数関数的な減少を伴いながら障壁の中に浸透する。 - 科学技術論文動詞集

An electrostatic type electron lens 8 is constituted of three electrodes as shown in a diagram and both sides electrodes are operated as a ground potential while an electrostatic field is generated by impressing a high voltage on the central electrode.例文帳に追加

静電型電子レンズ8は、図に示すように3つの電極からなり、両側の電極が接地電位とされ、中央の電極に高電圧を印加することにより静電場を発生させる。 - 特許庁

To provide a cold cathode field electron emission element having sufficiently low threshold potential, and an electron emission part constituted with a carbon thin film having graphite structure.例文帳に追加

十分に低い閾値電位を有し、グラファイト構造を有する炭素薄膜から構成された電子放出部を備えた冷陰極電界電子放出素子を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal molecules 51 are driven by an electric field having a component parallel to the glass substrate 11, which results from a potential difference between the common electrode 18 and the pixel electrode 16.例文帳に追加

液晶分子51は、共通電極18と画素電極16との間の電位差に起因して生じた、ガラス基板11に平行な成分を有する電界により駆動される。 - 特許庁

An electric field formed by the potential of the data line 210 of the data layer appears on the surface of the image formation plate 400 because an electrostatic shielding effect is eliminated under the electrostatic slit 120.例文帳に追加

静電スリット120下は静電遮蔽効果がなくそのデータ層のデータ線210の電位により形成された電場が作像プレート400の表面に現れる。 - 特許庁

When driving the PDP display device, voltage is applied to data electrodes in time with the initialization period or the erase period in an arbitrary sub-field to keep wall charged by reducing the potential difference between the data electrodes and the scanning electrodes.例文帳に追加

PDP表示装置の駆動時において、任意のサブフィールド中の初期化期間または消去期間に合わせて、データ電極に電圧印加を行い、スキャン電極との電位差を抑制して、壁電荷を温存する。 - 特許庁

By this constitution, excited electrons are emitted by the presence of the catalyst 9 in the electric field to lower the oxidation-reduction potential of the aqueous liquid 19.例文帳に追加

上記構成により、触媒9が上記電界内に存在することにより、励起電子が発せられ水系液体19の酸化還元電位が低下する。 - 特許庁

The absolute value of the potential of the electrostatic latent image section on the surface of a photoreceptor drum can therefore be increased and the electric field intensity between the developing roller and the electrostatic latent image section can be lowered.例文帳に追加

そのため、感光体ドラム表面の静電潜像部の電位の絶対値を上昇させることができ、現像ローラと静電潜像部との間の電界強度を低下させることができる。 - 特許庁

例文

The voltages divided down by the first ramp potential electrodes formed by high-resistance transparent conductive films are impressed to stripe electrodes, to add the electric field having a straight gradient to a liquid crystal layer.例文帳に追加

高抵抗透明導電膜によって形成した第1の傾斜電位電極によって分圧した電圧をストライプ電極に印加することで液晶層に直線勾配を持った電界を加える。 - 特許庁

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