「protective insulating～」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The electronic parts have the heat-resistant coating film or a heat-resistant insulating pattern as a surface protective layer or an interlayer insulating layer.例文帳に追加

前記の耐熱性塗膜または耐熱性絶縁パターンを表面保護層または層間絶縁層として有する電子部品。 - 特許庁

The protective layer 53 is made of insulating material which shows adhesive force in shearing smaller than that of the hardened insulating layer of the mold layer 45.例文帳に追加

保護層５３は、モールド部４５の硬化した絶縁樹脂の剪断接着強さよりも小さい剪断接着強さを示す絶縁材料により形成する。 - 特許庁

A protective insulating film 13 is formed on a semiconductor substrate 11 and a first resist pattern 51 opening the memory circuit 1A of the semiconductor substrate 11 is formed on the formed protective insulating film 13.例文帳に追加

半導体基板１１上に保護絶縁膜１３を形成し、形成した保護絶縁膜１３の上に、半導体基板１１の記憶回路部１Ａを開口する第１のレジストパターン５１を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor substrate with a protective film and an insulating film on the protective film which are formed thereon, the pattern of a mask for removing a part of the insulating film is formed through simulation.例文帳に追加

保護膜と、その保護膜上の絶縁膜とが形成された半導体基板において、その絶縁膜の一部を除去する絶縁膜除去用マスクのパターンをシミュレーションによって形成する。 - 特許庁

As the result, and stress caused by the deflection of the interlayer insulating film 2 is hardly imposed on the protective film 4 formed on the interlayer insulating film 2, so that fissures hardly occur in the protective film 4.例文帳に追加

その結果、例えば、層間絶縁膜２上に設けられた保護膜４に、該層間絶縁膜２の撓みに起因するストレス（荷重等）がかからなくなるので、その保護膜４に亀裂等が生じなくなる。 - 特許庁

A mask is formed on the insulating protective film, and the insulating protective film is selectively removed using this mask so that part of the lower layer metal film may be exposed.例文帳に追加

その絶縁性保護膜上にマスクを形成し、このマスクを用いて絶縁性保護膜を選択的に除去して下層金属膜の一部を露出させる。 - 特許庁

The insulating protective film 4a on the heating resistor and a flat part 4b of the insulating protective film outside of a region of the partial glaze layer 2 has a step difference t.例文帳に追加

発熱抵抗体上の絶縁性保護膜４ａと部分グレーズ層２の領域外の絶縁性保護膜の平坦部４ｂとが段差ｔを有する。 - 特許庁

A combined metal layer 10A and a protective film 15A are arranged on one surface side of an insulating layer 1; and a combined metal layer 10B and a protective film 15B are arranged on the other surface side of the insulating layer 1.例文帳に追加

絶縁層１の一面側に複合金属層１０Ａおよび保護フィルム１５Ａを配置し、絶縁層１の他面側に複合金属層１０Ｂおよび保護フィルム１５Ｂを配置する。 - 特許庁

In a capacitance element 10, a lower layer electrode 13, a protective insulating film 14, a capacitance insulating film 15 and an upper layer electrode 16 are arranged on a semiconductor substrate 11 whose upper surface is covered with a protective film 12.例文帳に追加

容量素子１０は、上面が保護膜１２で被覆された半導体基板１１上に、下層電極１３と、保護絶縁膜１４と、容量絶縁膜１５と、上層電極１６とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an optical submarine cable capable of eliminating the possibility of the presence of foreign matters such as dust between an electric insulating coating and a protective coating by executing the electric insulating coating and the protective coating on the same working line.例文帳に追加

電気絶縁被覆と保護被覆とを同じ加工ラインで行うことによって、電気絶縁被覆と保護被覆との間にごみのような異物が存在する可能性を排除できる、光海底ケーブルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, an electrode protective insulating film 9 is formed so as to cover the gate electrode 5, and the entire surface of a surface layer of the electrode protective insulating film 9 is washed with dilute fluorinated acid and is removed by etching.例文帳に追加

次に、ゲート電極５を覆うように電極保護絶縁膜９を形成し、この電極保護絶縁膜９の表層部の全面を希フッ酸により洗浄してエッチング除去する。 - 特許庁

Fastening force thereof is divided into a vector force to an insulating cover 9 and a vector force pressing ends of the protective pipes 14, and presses the ends of the insulating cover 9 and the protective pipes 14 with strong force in response to the respective vector forces.例文帳に追加

この締付力は絶縁被覆９に対するベクトルの力と保護筒１４の端部を押すベクトルの力に分けられ、それぞれのベクトルの力に対応して絶縁被覆９と保護筒１４の端部を強い力で押さえ付ける。 - 特許庁

Then, an insulating protective film 16 is formed on all the upside of the insulating resin layer 12, and an opening 17 is provided to the protective film 16 at a position corresponding to a flip chip connecting part 18a.例文帳に追加

この後、絶縁樹脂層１２の上面全体に、絶縁性の保護膜１６を形成した後、この保護膜１６のうちのフリップチップ接続部１８ａに対応する部分に開口部１７を形成する。 - 特許庁

When the protective cover 14 is formed only of an insulating material and the protective cover 14 is incorporated into a movable contact 5, a set of uneven parts is formed at positions separated from each other on the protective cover 14 and the moving contact 5 to fit them to each other.例文帳に追加

保護カバー１４を絶縁物のみで形成し、この保護カバー１４を可動接触子５に組み込む場合、保護カバー１４と可動接触子５とに凹凸部の組を離れた位置に設けてそれぞれ嵌合する。 - 特許庁

The center of the exposed surface of the conductive paste 5 is located at a level closer to the protective layer 2 and lower than the level of the outer surface of the protective layer 2 with respect to an interface between the insulating layer 1 and the protective layer 2.例文帳に追加

前記導電性ペースト５の露出面の中央部が、絶縁層１と保護層２の界面より保護層２側であって、かつ、保護層２の外表面より内側に位置する。 - 特許庁

There are formed an insulating film 6 formed on a rear face of a semiconductor substrate 2; and a protective layer 9 covered by a protective material at the end face of the semiconductor substrate 2 in the perpendicular direction so that each end face of the insulating film 6 and of a joint of this insulating film 6 and the semiconductor substrate 2 may not be at least exposed.例文帳に追加

半導体基板２の裏面に形成された絶縁膜６と、半導体基板２の厚さ方向の端面に、少なくとも絶縁膜６とこの絶縁膜６と半導体基板２との接合部のそれぞれの端面が露出しないように保護材により覆っている保護層９を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device in which a metal wiring layer arranged on the main surface of a semiconductor substrate via an interlaminar insulating film is covered with a protective insulating film, the side surface of the interlaminar insulating film is covered with the protective film in the chip end of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板主面上に層間絶縁膜を介して配置された金属配線層が保護絶縁膜によって被覆されている半導体装置において、半導体装置のチップの端部にて層間絶縁膜の側面を保護絶縁膜によって覆う。 - 特許庁

An insulating adhesive putty sheet 12 having a thickness required for the insulation of a wire connection part is used, an insulating protective film 14 is stuck to one surface of the insulating adhesive putty sheet 12, mold releasing paper 16 is stuck to the other surface, and cut lines 18 for inserting a testing pin are formed in the protective film 14.例文帳に追加

電線接続部の絶縁に必要な厚さを有する絶縁性粘着パテシート12を用い、この粘着パテシート12の一方の面に絶縁性保護フィルム14を張り付け、他方の面に離型紙16を張り付けると共に、保護フィルム14に試験用のピンを差し込むための切れ目18形成した。 - 特許庁

In the thermocouple 1, constituted to house a thermocouple wire in an insulating tube and house the insulating tube in a protective tube 4, a heat resistant buffering material 20 is provided on at least one outer peripheral face of the insulating tube or the protective tube 4.例文帳に追加

熱電対素線を絶縁管に収めると共に、当該絶縁管を保護管４に収めて構成された熱電対１であって、絶縁管または保護管４の少なくとも一方の外周面に、耐熱緩衝材２０を設けて構成されている。 - 特許庁

A flexible wiring board includes: an insulating substrate having a wiring pattern, including connector terminal patterns, formed on a principal surface; a conductive layer covering the connector terminal patterns; and an insulating protective layer covering a part of the wiring pattern; wherein through-holes are formed, between the connector patterns of the insulating substrate and in step portions formed of the insulating protective layer and insulating substrate.例文帳に追加

コネクタ端子パターンを含む配線パターンが主面に形成された絶縁性基板と、コネクタ端子パターンを覆う導電層と、配線パターンの一部を覆う絶縁性保護層とを備え、絶縁性基板のコネクタ端子パターン間であって、絶縁性保護層と絶縁基板とにより形成される段差部に貫通孔が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A flexible wiring board includes an insulating substrate provided with a wiring pattern including a connector terminal pattern formed on its main surface, a conductive layer covering the connector terminal pattern, and an insulating protective layer covering a part of the wiring pattern, wherein the insulating substrate has a through hole at a stepped part formed by the insulating protective layer and the insulating substrate between the connector terminals.例文帳に追加

コネクタ端子パターンを含む配線パターンが主面に形成される絶縁性基板と、前記コネクタ端子パターンを覆う導電層と、前記配線パターンの一部を覆う絶縁性保護層とを備え、 前記絶縁性基板は、前記コネクタ端子間で、前記絶縁性保護層と前記絶縁基板とにより形成される段差部に貫通孔を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a compact metal fixture integrated protective pipe which prevents water from permeating through between an insulating bushing and a pressing metal fixture, by directly transmitting a pressing force to an O-ring arranged on an insulating flange of the insulating bushing.例文帳に追加

コンパクトで、かつ絶縁ブッシングの絶縁フランジ側に配置されるＯリングに直接押圧力を伝達することで、絶縁ブッシングと押さえ金具間からの水の浸入の防止を図る。 - 特許庁

Then, after removing the protective insulating film 13, a first insulating film 15, a first conductor film 16 composed of polysilicon, and a lower capacity insulating film 17 which is an ONO film, are successively deposited on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

続いて、保護絶縁膜１３を除去した後、半導体基板１１上に第１の絶縁膜１５、ポリシリコンからなる第１の導体膜１６及びＯＮＯ膜である下部容量絶縁膜１７を順次堆積する。 - 特許庁

The internal cylinder 1 is made of a steel plate, the whole external surface la of the internal cylinder 1 is covered with the heat-insulating material 8, and a heat-insulating protective cover 20 is installed onto the surface of the heat-insulating material 8.例文帳に追加

内筒１は鋼板製で、内筒１の外面１ａ全体が断熱材８で被覆されており、断熱材８の表面には断熱保護カバー２０が取付けられている。 - 特許庁

Then, at the crossing parts of the gate lines 1 and the screen end common lines 5a, a two-layer structured interlayer insulating film consisting of a gate insulating film 10 and a protective insulating film 11 is formed between the gate lines 1 and the screen end common lines 5a.例文帳に追加

そして、ゲート線１と画面端共通線５ａとの交差部において、ゲート線１と画面端共通線５ａとの間に、ゲート絶縁膜１０と保護絶縁膜１１とからなる２層構造の層間絶縁膜が形成されている。 - 特許庁

The protective insulating film 10 covering the surface of the compound semiconductor region 2 is so formed as to have a two-layer structure of a first insulating film 11 and a second insulating film 12 whose properties are different from each other.例文帳に追加

化合物半導体領域２の表面を覆う保護絶縁膜１０を性質の異なる第１の絶縁膜１１と第２の絶縁膜１２との２層構造を有するように形成する。 - 特許庁

One surface of a protective layer 400 is adjacent to the other surface of the first insulating layer 32, the first insulating layer 32 is extended over the area AR1 adjacent to the nonmagnetic metal layer 343, and the other surface of the first insulating layer 32 is covered.例文帳に追加

保護層４００は、一面が第１の絶縁層３２の他面に隣接し、第１の絶縁層３２が非磁性金属層３４３と隣接する領域ＡＲ１を超えて、第１の絶縁層３２の他面を覆う。 - 特許庁

To improve environmental resistance, resource saving, energy saving, recyclability, and long-term reliability by using an effective insulating system material (an insulating protective sheet) in the electrical/electronic insulating system of a solar cell module.例文帳に追加

太陽電池モジュールの電気・電子絶縁システムにおいて効果的な絶縁システム材料（絶縁保護シート）の使用により、耐環境性、省資源、省エネルギー、リサイクル性、長期信頼性の向上を図る。 - 特許庁

In the shielding material 10 includes a flexible insulating layer 11, a protective layer 13 provided on an upper surface of the insulating layer 11, and an adhesive layer 14 provided on a lower surface of the insulating layer 11, carbon powder is dispersed to the insulating layer 11 for formation.例文帳に追加

可撓性の絶縁層１１と、絶縁層１１の上面に設ける保護層１３と、絶縁層１１の下面に設ける接着層１４とを備えるシールド材１０において、絶縁層１１にカーボン粉末を分散させて形成する。 - 特許庁

The first gate 210 includes a gate insulating film formed in a bottom surface in a first concave portion formed in the insulating film; a gate electrode formed over the gate insulating film in the first concave portion; and a protective insulating film 140 formed on the gate electrode in the first concave portion.例文帳に追加

第１のゲート２１０は、絶縁膜中に形成された第１の凹部内の底面に形成されたゲート絶縁膜、当該第１の凹部内のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極、および当該第１の凹部内のゲート電極上に形成された保護絶縁膜１４０を含む。 - 特許庁

Thus, the substrate body 2 is not slipped off from the insulating substrate material 10 by the insulating members 6 regardless of formation of the slots 13 and the substrate body 2 is separated from the insulating substrate material 10 after the side faces of the slots 13 are covered with the protective plated layers 5 and parts of the insulating members 6.例文帳に追加

従って、２つの長孔１３を形成しても、絶縁性部材６によって基板本体２が絶縁性基板材１０から脱落せず、２つの長孔１３の側面を保護メッキ層５と絶縁性部材６の一部とで覆った後に、基板本体２を絶縁性基板材１０から分離させることができる。 - 特許庁

A heat insulating protective member 189 is provided on the fin-like peripheral part of a vacuum heat insulating material 185, and the end of the vacuum heat insulating material 185 is placed in a groove-shaped holding part 188 having substantially the same width as the thickness of the vacuum heat insulating material 185, which is formed on the protruding portion inner surface of the frame member 184.例文帳に追加

また、真空断熱材１８５のヒレ状の周縁部に断熱性の保護部材１８９を設けてあり、真空断熱材１８５の端部が、枠材１８４の凸状部分の内面に形成された真空断熱材１８５の厚みと略同じ幅の溝状の保持部１８８に収納される。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal-insulating film-semiconductor (MIS) structure wherein the deuterium-element concentration is not smaller than 1×10^19/cm^-3 present near such films or layers formed in a semiconductor device as a semiconductor substrate, a gate insulating film, an interlayer insulating film, a wiring layer, and a protective insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10^19cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置。 - 特許庁

The storage electrode 7 of a capacitor 15 buried in a third interlayer insulating film 14 through the intermediary of a first interlayer insulating film 12 and a second interlayer insulating film is formed above the transistor 3, and a protective film 16 is formed on the third interlayer insulating film 16.例文帳に追加

トランジスタ３の上方には第１の層間絶縁膜１２、第２の層間絶縁膜１３を介して第３の層間絶縁膜１４の内部に埋め込まれた形のキャパシタ１５の蓄積電極７が形成され、第３の層間絶縁膜１４上に保護膜１６が形成されている。 - 特許庁

In this device, a first protective insulating film 106 is deposited on a first and second FETs formed on a semiconductor substrate 100, and a capacitor lower electrode 109, an capacitor insulating film 110A composed of an insulating metal oxide film; and a capacitor element comprising a capacitor upper electrode 111 is formed on the first protective insulating film 106.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成された第１及び第２の電界効果型トランジスタの上には第１の保護絶縁膜１０６が堆積されており、該第１の保護絶縁膜１０６の上には、容量下部電極１０９、絶縁性金属酸化膜からなる容量絶縁膜１１０Ａ及び容量上部電極１１１からなる容量素子が形成されている。 - 特許庁

To prevent damages in the formed state of lower electrodes when upper electrodes are formed without introducing a process of forming a protective insulating layer.例文帳に追加

上部電極を形成する際に、保護用絶縁層形成の工程導入をせずに、下部電極の形成状態の損傷を防止する。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 11, a first interlayer insulating film 22 is formed covering the semiconductor element 1 and protective diode 2.例文帳に追加

半導体基板１１の上には、半導体素子１及び保護ダイオード２を覆うように第１の層間絶縁膜２２が形成されている。 - 特許庁

After that, the dicarbonate solute brings a coated protective layer which can make contact with lithium, and has electrically insulating property while having ionic conductivity.例文帳に追加

その後、このジカーボネート溶質はリチウムと接触でき、その上に、電気的に絶縁性で、しかもイオン的に伝導性のある被膜保護層をもたらす。 - 特許庁

Consequently, a protective insulating film covering the capacitor upper electrode and the dielectric film therebelow is formed with a good coverage.例文帳に追加

これにより、キャパシタ上部電極とその下の誘電体膜を覆う保護絶縁膜をカバレッジ良く形成することができる。 - 特許庁

ALKALI-SOLUBLE RESIN, POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, PROTECTIVE FILM, INSULATING FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY BODY DEVICE USING THE CURED FILM例文帳に追加

アルカリ可溶性樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 - 特許庁

A protective film 9 is formed on the whole upper surface of the semiconductor film 8 composed of the intrinsic zinc oxide and an upper layer insulating film 12 is formed thereon.例文帳に追加

まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面全体に保護膜９を形成し、その上に上層絶縁膜１２を成膜する。 - 特許庁

POLYAMIDE RESIN, POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, PROTECTIVE FILM, INSULATING FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE USING SAME例文帳に追加

ポリアミド樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 - 特許庁

CLEANING LIQUID FOR POLYIMIDE PRECURSOR COMPOSITION AND SURFACE PROTECTIVE FILM USING THE SAME OR METHOD FOR FORMING INTERLAMINAR INSULATING FILM例文帳に追加

ポリイミド前駆体組成物用洗浄液およびそれを用いた表面保護膜または層間絶縁膜形成方法 - 特許庁

On the semiconductor substrate, a silicon nitride film 102 functioning as a surface protective film is formed through an interlayer insulating film 105b.例文帳に追加

半導体基板上には、層間絶縁膜１０５ｂを介して表面保護膜として機能するシリコン窒化膜１０２が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a semiconductor layer 14A is formed on the gate insulating film 13, followed by formation of a first protective film 15 on the semiconductor layer 14A.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１４Ａを形成したのち、半導体層１４Ａ上に第１保護膜１５を形成する。 - 特許庁