「reference bit」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The display controller 4 converts codes of colors in the bit map to colors of RGB through palette reference schemes and schemes in the memory 41 for color palettes.例文帳に追加

ディスプレイコントローラ４は、パレット参照配列、カラーパレット用メモリ４１の配列を介して、ビットマップの色のコードをＲＧＢの色に変換する。 - 特許庁

The second inverting circuit includes an input terminal connected with the bit line of the reference cell array and an output terminal connected with another end of the second load element.例文帳に追加

第２反転回路は、前記基準セルアレイのビットラインに入力端が連結され、第２負荷素子の他端に出力端が連結される。 - 特許庁

When a first switching element is turned on, a potential of a connection part of the ferroelectric capacitor cell and the reference capacitor cell unit is added to the bit line 121.例文帳に追加

第１のスイッチング素子がオンすると、強誘電体キャパシタセルと基準キャパシタセルユニットの接続部の電位がビット線１２１に加算される。 - 特許庁

A first read current (I_RD00) that flows through the selected bit line in response to the first bias voltage is compared with a first reference current (I_00).例文帳に追加

第１バイアス電圧に応答してその選択されたビットラインに流れる第１読み取り電流（Ｉ_RD00）が第１基準電流（Ｉ_00）と比較される。 - 特許庁

A multiplexing circuit 3 time-division-bit-multiplexes the reference channel signal and another channel signal to send as a time division multiplex transmission signal.例文帳に追加

多重化回路３は基準チャネル信号と他のチャネル信号とを時分割ビット多重して時分割多重伝送信号として送出する。 - 特許庁

When the normalization values of all channels inside the reference time are required, presence/absence of a value in each the channel is expressed by each bit of a bitmap 109.例文帳に追加

また、基準時間内の全てのチャネルの正規化値が求められたら、チャネルごとの値の有無をｂｉｔｍａｐ１０９の各ビットで表す。 - 特許庁

The soft decision information calculating unit 250 calculates an LLR by bit from the I component and the Q component of each received symbol and the reference amplitude.例文帳に追加

軟判定情報算出部２５０は、受信シンボルのＩ成分及びＱ成分と基準振幅とからビットごとのＬＬＲを算出する。 - 特許庁

Data of the capacitor 112 is rewritten in the bit line BL1 after amplification, data of the capacitor 122 is rewritten in a reference potential setting circuit 150.例文帳に追加

キャパシタ１１２は増幅後のビット線ＢＬ１に再書き込みされ、キャパシタ１２２は、参照電位設定回路１５０に再書き込みされる。 - 特許庁

A 2-bit counter 1 generates address signals A0 and A1, which responds to the reference clock of frequency 4 times a cycle of a frequency fa to transit.例文帳に追加

２ビットカウンタ１は、周波数ｆａの４倍の周期を有する基準クロックに応答して遷移するアドレス信号Ａ０，Ａ１を生成する。 - 特許庁

The optical system divides the light into information light including information indicated by the bit pattern and reference light having the same wavelength as that of the information light.例文帳に追加

光学系は、光を、ビットパターンで示される情報を含む情報光と、情報光と同一波長である参照光とに分割する。 - 特許庁

To increase the speed to measure the cell signal volume distribution by shortening the external reference voltage charging time on the bit lines in the test mode.例文帳に追加

テストモードにおいて、外部リファレンス電圧のビット線への充電時間を短縮することにより、セル信号量分布測定を高速化する。 - 特許庁

A measurement circuit 202 includes a reference current generator 212, the memory cell 114, a bit line precharge circuit 218, and comparison/latch circuits 220, 222.例文帳に追加

測定回路２０２は、基準電流発生器２１２と、メモリセル１１４と、ビット線プリチャージ回路２１８と、比較／ラッチ回路２２０、２２２とを含む。 - 特許庁

Memory states of a multi-bit memory cell are demarcated, by generating read-out reference signals having levels that constitute boundaries of the memory state.例文帳に追加

記憶状態の境界を構成するレベルの読出し基準信号を発生することにより、複数ビットメモリセルの記憶状態を分界する。 - 特許庁

A motion vector information generating section 40 detects local motion vector LMV for each block from the low bit reference image and the low bit comparison image and calculates reliability RVT of the detected local motion vector LMV.例文帳に追加

動きベクトル情報生成部４０は、低ビット基準画像と低ビット参照画像からブロック単位のローカル動きベクトルＬＭＶを検出して、検出したローカル動きベクトルＬＭＶの信頼度ＲＶＴを算出する。 - 特許庁

The (i)-th color component gamma correcting circuit generates (j)-bit converted gradation data so that one of the 2^j kinds of reference voltages to which the (ki)-bit gradation data are allocated is a data voltage.例文帳に追加

第ｉの色成分用ガンマ補正回路が、ｋｉビットの階調データが割り当てられた前記２^ｊ種類の基準電圧のいずれかがデータ電圧となるように、ｊビットの前記変換後階調データを生成する。 - 特許庁

To improve accuracy of bit line reference voltage to read and write data in a memory capacitor MC in a memory in which a differential sense amplifier SA is connected to a pair of bit lines, for example, a ferroelectric memory to read and write data in a memory capacitor MC.例文帳に追加

メモリキャパシタＭＣにおけるデータの読み書きのため、差動型センスアンプＳＡがビット線対と接続されているメモリたとえば強誘電体メモリにおいて、ビット線参照電圧の精度を高める。 - 特許庁

A sense amplifier circuit compares the reference current to a drain current generated by a non-volatile memory bit cell as sweeping gate voltages are applied to the non-volatile memory bit cell until a transitioning gate voltage is identified.例文帳に追加

センスアンプ回路は、遷移ゲート電圧が識別されるまで不揮発性メモリビットセルに掃引ゲート電圧が印加されるとき、前記基準電流を前記不揮発性メモリビットセルによって生成されるドレイン電流と比較する。 - 特許庁

A video bit rate in a VOBU (video object unit) is obtained from a video stream subjected to variable bit rate compression for each VOBU, and reference time information (SCR) to be captured in an input buffer and a decoding time stamp/presentation time stamp (DTS/PTS) are calculated on the basis of the bit rate.例文帳に追加

ＶＯＢＵ毎に可変ビットレート圧縮された映像ストリームに対して、ＶＯＢＵ内の映像ビットレートを求め、これをもとに、入力バッファに取り込むべき基準時刻情報（ＳＣＲ）と、復号開始及び表示時刻情報（ＤＴＳ／ＰＴＳ）を算出する。 - 特許庁

The thermal printer converts monochromatic data of one bit per one dot received from a host computer into 8-bit data through bit rate conversion processing, develops a dot pattern on a memory, and compares a 9-dot matrix pattern including 8 dots surrounding each dot of outline with a plurality of reference dot patterns.例文帳に追加

サーマルプリンタは、ホストコンピュータから受信した1ドットあたり1ビットの白黒データをビットレート変換処理により8ビットデータに変換するとともにメモリ上にドットパターンを展開し、アウトラインの各ドットを中心としてその周囲8ドットを含む9ドットマトリックスパターンを複数の参照ドットパターンと比較する。 - 特許庁

In a bit weighting current source circuit 43, during reference current write operation, reference current IREF[2] from a reference current line 40 is guided so as to pass through an n-type TFT 48, and a gate voltage at that time is held at a capacitor 49.例文帳に追加

ビット重み付け電流源回路４３において、基準電流書込み動作時には、基準電流線４０からの基準電流ＩＲＥＦ［２］がｎ型ＴＦＴ４８を通過するように導かれ、そのときのゲート電圧がキャパシタ４９に保持される。 - 特許庁

Also, when data verification is performed in data rewriting processing, reference voltage generated by a reference voltage generating section 15 is compared with voltage of bit lines BL1-BLn and a read-out reference line RL, data of the memory cell and the dummy cell are read out.例文帳に追加

また、データ書き換え処理においてデータ照合を行なう場合には、参照電圧生成部１５が生成する参照電圧と、ビット線ＢＬ１〜ビット線ＢＬｎおよび読み出し参照線ＲＬの電圧が比較されて、メモリセルおよびダミーセルのデータが読み出される。 - 特許庁

When the accumulated differential value is larger than the reference differential value D_n-1, a stuffing bit is added to the m-th picture frame of a processing object by a code amount obtained by subtracting the reference differential value D_n-1 from the accumulated differential value.例文帳に追加

累積差分値が基準差分値Ｄ_ｎ−１より大きい場合には、累積差分値から基準差分値Ｄ_ｎ−１を減算した符号量だけ、処理対象のｍ番目のピクチャフレームにスタッフィングビットが付加される。 - 特許庁

Palette numbers and schemes of respective values of RGB are stored in the memory 31 for color palettes, and codes of colors in the bit map and palette reference schemes for referring to palette numbers are stored in the memory 3 for palette reference schemes.例文帳に追加

カラーパレット用メモリ４１には、パレット番号とＲＧＢの各値の配列が記憶され、パレット参照配列用メモリ３には、ビットマップの色のコードとパレット番号を参照するパレット参照配列を記憶している。 - 特許庁

At this time, the size of the reference window is determined so that the product of a bit depth in the half tone processing and the number of pixels in the reference window reaches a minimum value exceeding the gradation number of the restored multi-valued image.例文帳に追加

このとき、参照ウィンドウのサイズは、中間調処理におけるビット深度と該参照ウィンドウ内の画素数との積が、復元後の多値画像の階調数を超える最小の値となるように決定されている。 - 特許庁

It compares the discharge potentials of the bit lines with the predetermined reference value in the comparator 105, and counts the discharge periods where the discharge potential is larger than the reference value in the counter 106 based on the output data from the comparator 105.例文帳に追加

比較器１０５でビット線の放電電位と所定の基準値とを比較し、比較器１０５からの出力に基づいて、放電電位が基準値よりも大きい放電期間をカウンタ１０６でカウントする。 - 特許庁

The lower N bit of the output of the equipment 22 is outputted as differential data corresponding to the subtracted value obtained by subtracting the reference pixel from the pixel to be processed.例文帳に追加

この演算器２２の出力の下位Ｎビットが、処理対象画素から参照画素を減算した減算値に相当する差分データとして出力される。 - 特許庁

The encoded bit string generation part 102 encodes information indicating reference dependency between the plurality of slices as one of the parameters related to the encoding.例文帳に追加

符号化ビット列生成部１０２は、符号化に関するパラメータの一つとして、複数のスライス間の参照依存関係を示す情報を符号化する。 - 特許庁

In absence of a CAM or RAM bit error, the reference parity bits from the RAM and the parity bits generated from the masked query data will match.例文帳に追加

ＣＡＭまたはＲＡＭにビットエラーがない場合、ＲＡＭからの参照パリティビットおよびマスクされた照会データから生成されるパリティビットが整合する。 - 特許庁

If, for example, when a data 243 '11110011' is taken out in a normal state 22, remaining bit stream being '1100', a record number 243 on the table 22 is made reference to.例文帳に追加

例えば、余りのビット列が「1100」である通常状態２２においてデータ２４３「11110011」を取り出した場合、テーブル２２のレコード２４３番を参照する。 - 特許庁

In the period of the data access, the reference bit line BLr of nonselection state is precharged to a ground potential in accordance with a reset signal RST of H level.例文帳に追加

上記のアクセス期間において、非選択状態の参照ビット線ＢＬｒは、Ｈレベルのリセット信号ＲＳＴに応じて接地電位にプリチャージされる。 - 特許庁

To prevent degradation in channel measurement accuracy in controlling the transmission instruction of reference signals for channel measurement to a physical down link control channel by one bit.例文帳に追加

物理下りリンク制御チャネルにチャネル測定用の参照信号の送信指示を１ビットで制御することにおけるチャネル測定精度の劣化を防止する。 - 特許庁

After that, via a verify column selection circuit VCS, the bit line of the selected column is connected to a verify circuit 4 to compare the voltage with a reference voltage VREF.例文帳に追加

この後、ベリファイ列選択回路（ＶＣＳ）を介して、ベリファイ回路（４）に選択列のビット線を接続して基準電圧（ＶＲＥＦ）と比較する。 - 特許庁

Thus, bit line currents simultaneously flow in a memory cell array MCA and a reference memory cell array RMCA and a high speed sensing operation is conducted.例文帳に追加

そのため、メモリセルアレイＭＣＡとリファレンスメモリセルアレイＲＭＣＡとにおいて同時にビット線電流が流れ、高速なセンス動作を行なうことが可能となる。 - 特許庁

Afterwards, a small voltage step is applied from a reference voltage Vc2 through C2, and a count value when inverting the comparator again is held in a latch circuit 116 for low-order bit.例文帳に追加

その後、C2を介して小さな電圧ステップを参照電圧Vc2より与え再び比較器が反転するときのカウント値を下位ビット用のラッチ回路116の保持する。 - 特許庁

According to the timing pulse generator, the period of reference pulse signals RS generated from an encoder signal is counted by an up-counter 71, and the counted value is latched by a 16-bit latch circuit.例文帳に追加

エンコーダ信号から生成された基準パルス信号ＲＳの周期をアップカウンタ７１で計数し、その値を１６ビットのラッチ回路でラッチする。 - 特許庁

The SSA 31 outputs a reference level of 11/10 to a main bit line GBLN4 by balancing potentials of dummy cells connected to both dummy word lines.例文帳に追加

ＳＳＡ３１は両ダミーワード線に接続されたダミーセルの電位をバランスさせて１１／１０のリファレンスレベルを主ビット線ＧＢＬＮ４に出力する。 - 特許庁

An elapsed time in a timing when the reference documents pass through a prescribed position until the bit interval is measured is employed for the position information.例文帳に追加

ここで位置情報として、基準帳票が所定の位置を通過したタイミングからビット間隔が測定されるまでの経過時間が用いられる。 - 特許庁

A sense amplifier 7A compares a potential of a bit line BL to which a variable cell resistance Rcell is connected, with a reference potential VREF to read a logic of information.例文帳に追加

センスアンプ７Ａは、前記可変セル抵抗Ｒｃｅｌｌが接続されたビット線ＢＬの電位を参照電位ＶＲＥＦと比較し、情報の論理を読み出す。 - 特許庁

Average values of bit line potential at the time of read of a desired plurality of cells in a high resistance state are obtained previously, and they are stored in a reference voltage generator 62.例文帳に追加

予め高抵抗状態での所望の複数のセルの読み出し時のビット線電位の平均値を求め、参照電圧発生器６２に記憶しておく。 - 特許庁

A dot pattern of 1 bit/dot print data is compared with a plurality of reference dot patterns for each m×n dot matrix in order to detect a dot to be interpolated.例文帳に追加

１ドットあたり１ビットの印刷データによるドットパターンをm×nドットマトリックス毎に複数の参照ドットパターンと比較して補間対象ドットを検出する。 - 特許庁

The reference bit verification signal responses to activation of the first counting signal in a first mode, and responses to activation of the second counting signal.例文帳に追加

基準ビット確認信号は、第１モードでは第１カウンティング信号の活性に応答し、第２モードでは第２カウンティング信号の活性に応答する。 - 特許庁

To provide a reference fail bit verification circuit in which a time required for data erasing operation can be shortened and a nonvolatile semiconductor memory device including the same.例文帳に追加

データ消去動作にかかる時間を短縮させうる基準フェイルビット確認回路及びこれを含む不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

It reads the data actually stored in the anti-fuse elements depending on which of the bit lines first becomes lower than the reference potential.例文帳に追加

どちらのビット線の電位が先に参照電位よりも低くなったかによって、アンチヒューズ素子に実際に記憶されているデータを読み出す構成とされている。 - 特許庁

The transitioning gate voltage and the reference current are stored in memory as current-voltage characteristic information for the non-volatile memory bit cell.例文帳に追加

前記遷移ゲート電圧および前記基準電流を前記不揮発性メモリビットセルに対する電流−電圧特性情報としてメモリに格納する。 - 特許庁

At this time, a reference signal generating circuit 4 has a 12-bit counter 41 and a look-up table 42 converting the output of the counter and when the circuit 4 applies a reference signal for managing time lengths of the driving signals to the driver device 5, the circuit 4 makes the reference signal have the nonlinearity.例文帳に追加

ここで、基準信号発生回路４は、１２ビットカウンタ４１とその出力を変換するルックアップテーブル４２とを有し、前記駆動信号の時間長を管理するための基準信号を与える場合、前記基準信号に非直線性を持たせて与えている。 - 特許庁