「reticles」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An optical device unit 22 is provided with a reticle replacing mechanism 26 for arranging a specified reticle 31 or 32 among a plurality of reticles 31 and 32 held therein selectively at positions on the optical axis of laser light.例文帳に追加

光学系装置２２に、保持している複数のレチクル３１、３２の中から所定のレチクル３１、３２をレーザ光の光軸の位置に選択自在に配置するレチクル交換機構２６を設ける。 - 特許庁

The alignment between the substrate layer and the reticles are offset by a predetermined amount (235), the photoresist is subjected to a second exposure (240), and at least one of the photoresist lines printed by the first exposure is branched.例文帳に追加

基板層とレチクル間の整列を所定量だけオフセットして（２３５）、フォトレジストは２回目の露光がされ（２４０）、第１の露光によってプリントされたフォトレジストラインの少なくとも１つを分岐させる。 - 特許庁

Additionally, when the electron beam lithography is used, non-complimentary and complimentary reticles are selected for use so that the maximum throughput can be obtained while the required requirement accuracy and resolution are met, thus improving the productivity and the degree of integration of the semiconductor integrated circuit apparatus.例文帳に追加

また、電子線リソグラフィを使用する場合、非相補レチクルと相補レチクルとを、必要な要求精度、要求解像度を満たしながら、最大限のスループットが得られるように選択して使用する。 - 特許庁

To solve the problem, wherein conventional methods of manufacturing a semiconductor element invite high manufacturing cost related to a mask or reticles and failures in adjustment between photolithographic processes of a capacitor, an active region, a transistor and a bit line contact.例文帳に追加

従来の半導体素子の形成方法では、マスクまたはレチクルに関連する高製造コストを招き、コンデンサ、活動領域、トランジスタおよびビット線コンタクトのフォトリソグラフィープロセスの間で調整不良が生じる。 - 特許庁

To provide a capable of managing reticles appropriately, by calculating the priorities, of various reticle treatments subjected, on the basis of various kinds of information, a reticle management device, and a management program.例文帳に追加

各種の情報に基づいて、レチクルに施すべき各種の処理に対するレチクルの優先順位を算出でき、これにより、レチクルを適切に管理できるレチクル管理方法、管理装置及び管理プログラムの提供を課題とする。 - 特許庁

Consequently, a mask pattern can be formed by not preparing a plurality of reticles in which the cutting patterns CP_1-CP_5 are formed respectively, but using only a cutting reticle CR and a masking reticle MR integrating them.例文帳に追加

これにより、カッティングパターンＣＰ_１〜ＣＰ_５がそれぞれ形成された複数のレチクルを用意することなく、それらが統合されたカッティングレチクルＣＲとマスキングレチクルＭＲのみを用いてマスクパターンの形成が可能となる。 - 特許庁

When a first section between the first section and a second section which are adjacent to each other is exposed, mark regions of first and second reticles correspond to the scribe line where the first section and second section overlap with each other.例文帳に追加

相互に隣接する第１の区画と第２の区画のうち第１の区画を露光する時に、第１及び第２のレチクルの各々のマーク領域が第１の区画と第２の区画との重なったスクライブラインに対応する。 - 特許庁

In a reticle contraction correction model for describing contraction amounts of two reticles used in a double patterning method, parameters relating to contraction (reticle contraction correction parameters (a time constant and a saturation value)) are optimized.例文帳に追加

ダブルパターニング法において使用される２つのレチクルのそれぞれの伸縮量を記述するレチクル伸縮補正モデルについて、伸縮に係るパラメータ（レチクル伸縮補正パラメータ（時定数と飽和値））を最適化する。 - 特許庁

Thus, it becomes possible to curtail a formation-removal process of a mask pattern and the number of reticles in use, and the MOSFETs having the different operating voltage can be formed efficiently at a low cost with a constant performance being ensured.例文帳に追加

これにより、マスクパターンの形成・除去工程並びに使用するレチクル枚数の削減が可能になり、動作電圧が異なるＭＯＳＦＥＴを、一定の性能を確保しつつ、効率的に低コストで形成することが可能になる。 - 特許庁

An APC parameter value calculation apparatus 1 uses other types of reticles sorted into the same group to find the exposure parameter from the data in a lot processed in a close range by a semiconductor device manufacturing apparatus using a lithography process in a lot unit.例文帳に追加

ＡＰＣパラメータ値の算出装置１は、ロット単位でリソグラフィ工程を用いる半導体装置の製造装置にて、同一グループに分類された他品種のレチクルを用い、直近に処理されたロットのデータから露光パラメータを求める。 - 特許庁

The first and the second reticles are transferred to form first and second masks of electrode patterns including the slit patterns on the first and the second conductive films, respectively and etching is performed to form first and second transparent electrodes.例文帳に追加

第１及び第２レチクルをそれぞれ転写して、スリットパタンを含む電極パタンの第１及び第２マスクを第１及び第２導電膜上にそれぞれ形成し、エッチングを行って、第１及び第２透明電極を形成する。 - 特許庁

In this production control system, preparation of lots and members (reticles) and scheduling are controlled by aiming at a set of, for instance, an exposure process (anterior process) and an etching process (posterior process) within a plurality of processes and manufacturing devices of a line.例文帳に追加

本生産管理システムでは、ラインの複数の工程及び製造装置のうち例えば露光工程（先行工程）とエッチング工程（後行工程）の組を対象として、ロット及び部材（レチクル）の配膳及びスケジューリングを制御する。 - 特許庁

When performing the exposure of a plurality of shots on the upper face of a wafer, to which a photo-sensitized material is applied, by using a mask having a plurality of reticles of a circuit pattern, a reticle number for identifying the reticle is exposed together in an exposure process.例文帳に追加

露光工程において、感光材が塗布されたウエハの上面に、回路パターンのレチクルが複数設けられたマスクを用いて複数ショットの露光を行なう際に、レチクルを識別するレチクル番号を一緒に露光する。 - 特許庁

In the manufacturing method, tip parts of leads 16A-16D are photographed with a CCD camera so as to obtain an image; reticles 54A-54D are superimposed on the tip parts of the leads 16A-16D appearing in the image.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、リード１６Ａ−１６Ｄの先端部をＣＣＤカメラで撮影することにより画像を取得し、この画像に映し出されるリード１６Ａ−１６Ｄの先端部に、レクチル５４Ａ−５４Ｄを重畳している。 - 特許庁

The shooting device inspection tool 10 is constituted such that a light made incident to a cut surface 22, between a light reflected against a ball hit surface 112 and a light reflected against reticles 18, is bent in the light path by 90° by the cut surface 22 so as to outgo to the front of a game board 52.例文帳に追加

発射装置検査治具１０では、打球面１１２で反射された光と目盛１８で反射された光のうちで、カット面２２に入射する光が、カット面２２で９０°光路を曲げられて遊技盤５２の正面に出射する。 - 特許庁

Then a working reticle 34 is produced by reducing and transferring of the parent patterns of these two groups of the master reticles on the substrate by superposing the same while connecting screens by using an optical reduction stepper of 1/α reduction rate.例文帳に追加

これら２組のマスターレチクルの親パターンを、縮小倍率が１／α倍の光学式の縮小投影型露光装置を用いて、画面継ぎを行いながら基板上に重ね合わせて縮小転写することによってワーキングレチクル３４を製造する。 - 特許庁

(xvii) Equipment for the manufacture or test of semiconductor devices, integrated circuits or semiconductor materials, or masks or reticles for the manufacture of integrated circuits, that fall under any of the following, or the components and accessories thereof 例文帳に追加

十七　半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置若しくは試験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクルであって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A reticle class table in which reticles have been classified every variety of semiconductor chips is updatably held in a system, and in the reticle class table, a trial production flag, a mass production flag or a discontinuation flag can be put every reticle class as information on service conditions.例文帳に追加

レチクルを半導体チップの品種毎に系列化したレチクル系列表を書き換え可能にシステム内に保持し、かつ、レチクル系列表は、レチクル系列毎に使用状況情報として試作フラグ、量産フラグ又は廃版フラグを立てることができるようにする。 - 特許庁

To embody an image projection method which does not require original plates (reticles) for every image even in the case of projection of the reversal images of original images in addition to the original images, an image projection method, an exposure device, a process for producing a liquid crystal display panel, an image projector and an exposure device.例文帳に追加

オリジナルイメージに加えて、オリジナルイメージの反転イメージを投写する場合でも、イメージ毎の原盤（レチクル）を必要としないイメージ投写方法、イメージ投写方法、露光方法、液晶表示パネルの製造方法、イメージ投写装置および露光装置を実現することにある。 - 特許庁

Further, when the stage is moved from the exposure position to the exchanging position for exchanging the reticle, the moving distance in the scanning direction is shortened, regardless of the number of the reticles which can be placed on the stage in the scanning direction, so that enlargement of the aligner is also prevented from this respect.例文帳に追加

また、レチクル交換のために、ステージを露光位置から交換位置に移動させる際には、ステージ上に走査方向に沿って載置可能なレチクルの枚数にかかわらず、その走査方向の移動距離を短くすることができるので、この点からも装置の大型化は抑制される。 - 特許庁

Phase shift reticles Rps having test patterns PA1 to PA4 including a phase shifter for changing a phase of a transmitted illumination light are disposed on a surface of an object of the projection optical system 22 so as to be substantially perpendicular to an optical axis of the light from an illumination optical system 11.例文帳に追加

投影光学系２２の物体面に、透過する照明光の位相を変化させる位相シフト部が設けられたテストパターンＰＡ１〜ＰＡ４を有する位相シフトレチクルＲｐｓを、照明光学系１１からの照明光の光軸に対してほぼ直交するように配置する。 - 特許庁

Once in manufacturing, the CPC optimizes a scanner in accordance with specific patterns or reticles by leveraging wafer metrology techniques and feedback loop, and monitors and controls, among other things, overlay and/or CD uniformity (CDU) performance over time to continuously keep the system close to the baseline condition.例文帳に追加

製造に入ると、ＣＰＣはウェーハ計測技術及びフィードバックループを活用することで特定のパターン又はレチクルに合わせてスキャナを最適化し、とりわけ、時間経過と共にオーバレイ及び／又はＣＤの均一性（ＣＤＵ）性能をモニタ及び制御してシステムをベースライン条件近くに連続して維持する。 - 特許庁

Thus, when the electron sources 2 are driven from the right side in order, the subfields of the reticles 6 are illuminated from the left side in order due to the electron beam 3 emitted from the respective electron surfaces, resulting in permitting the same effect as in a case when a conventional electron beam exposure apparatus is used to deflect an electron beam by using a deflector and illuminate different subfields.例文帳に追加

よって、各電子源２を、順に右側から駆動すると、それらから放出される電子線３により、レチクル６のサブフィールドが順に左側から照明されることになり、従来の電子線露光装置で、偏向器により電子線を偏向し、異なるサブフィールドを照明していたのと同じ効果を奏する。 - 特許庁

Moreover, when selecting the lot of other reticles in a reticle group data base 12 by the lot data selection means 13, the exposure parameter is outputted by using the difference between the exposure parameter calculated from this lot and the lot from a reticle offset collection means 3 for calculating the difference between the average values for each reticle and its group.例文帳に追加

また、ロットデータ選択手段１３にて、レチクルグループデータベース１２内の他のレチクルのロット選択時、このロットから算出の露光パラメータと、レチクル毎とそのグループ毎の平均値の差分を算出するレチクルオフセット収集手段３から当該ロットとの差分を用いて露光パラメータを出力する。 - 特許庁

Therefore, when first and second resist layers having sensitivity to the first and second lights are formed on an object, an image of a composite pattern composed of a part where the first and second patterns are overlapped is formed on the first and second resist layers by irradiating the reticles R1 and R2 respectively with the first and second lights simultaneously as an illumination light.例文帳に追加

従って、物体上に第１の光、第２の光にそれぞれ感度を有する第１、第２のレジスト層が形成されている場合には、第１の光と第２の光とを同時にレチクルＲ１、Ｒ２にそれぞれ照明光として照射することにより、第１パターンと第２パターンとの重なり部から成る合成パターンの像が第１、第２のレジスト層に形成される。 - 特許庁

First and second electrode pattern data in facing regions including display units and data of mutually relatively aligned first and second slit patterns are superposed on each other respectively to prepare first and second reticles so that the slit patterns formed at respective substrates are alternately disposed in a slit width direction when completed substrates are disposed opposite to each other and viewed from the normal direction of the substrates.例文帳に追加

表示単位を含む対向領域の第１及び第２電極パタンデータと、相互に相対的に位置合わせされた第１及び第２スリットパタンのデータとをそれぞれ重ね合わせ、完成基板を対向配置し基板の法線方向から見たときに、各基板に形成されたスリットパタンがスリットの幅方向に交互に配置するものとされた第１及び第２レチクルを作製する。 - 特許庁