「reverse-bias」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a driving-gear for an active matrix type light emitting display panel capable of effectively applying a reverse bias voltage through a TFT for driving to a light emitting element.例文帳に追加

発光素子に対して駆動用ＴＦＴを介して効果的に逆バイアス電圧を印加することができるアクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置を提供すること。 - 特許庁

Thus, the white noise signal 11a, having satisfactory frequency change in the high frequency band, can be obtained with a simple means with the selection of the Zener diode 11 and the selection of the reverse bias voltage Vb(G).例文帳に追加

ツェナーダイオード１１の選別と逆バイアス電圧Ｖｂ（Ｇ）の選定とによる簡便な手段で高い周波数帯域での良好な周波数変化をもつ白色雑音信号１１ａを得ることができる。 - 特許庁

The organic diode can reduce a leakage current sharply when a reverse bias is applied by arranging a carbon layer 5 between a heterojunction layer (mixture layer 3) and an electrode (anode 2) thereby reducing carrier injection from the electrode into an organic layer sharply.例文帳に追加

へテロ接合層（混合層３）と電極（陽極２）との間にカーボン層５を配置することにより電極から有機層へのキャリア注入を大幅に低減し、逆バイアス印加時の漏れ電流を大幅に改善することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a hetero semiconductor corner region 10, which is a current-concentration relief region that prevents a reverse bias current from concentrating at the convex corner, is arranged in a hetero semiconductor region 3.例文帳に追加

ヘテロ半導体領域３中に凸型の角部に逆バイアス電流が集中しないようにする電流集中緩和領域であるヘテロ半導体角部領域１０を配置する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solar cell module capable of improving by applying a reverse bias to each solar cell element immediately before the module is completed.例文帳に追加

モジュール完成直前に、各太陽電池素子への逆バイアス印加による良化処理が可能な太陽電池モジュールの製造方法をを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing avalanche current during reverse bias application from concentrating on near a gate electrode, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

逆バイアス印加時のアバランシェ電流がゲート電極付近に集中してしまうことを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the carrier is discharged, bias potential applied to a developing roll 16 is adjusted to transfer the carrier electrified to have a polarity reverse to toner to a photoreceptor 10.例文帳に追加

キャリア排出時には、現像ロール１６に印加するバイアス電位を調整することで、トナーとは逆極性に帯電したキャリアを感光体１０に転移させる。 - 特許庁

The avalanche photodiode (APD) 24 in an optical receiving circuit 10 is driven by a reverse bias voltage supplied from a DC/DC converter 12.例文帳に追加

光受信回路１０内のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）２４は、ＤＣ−ＤＣコンバータ１２から供給される逆バイアス電圧によって駆動される。 - 特許庁

In a first leak inspection process S4, a predetermined reverse bias voltage is impressed between a positive electrode and a negative electrode after an element formation process A1 for measuring a first leak current value.例文帳に追加

第１のリーク検査工程Ｓ４は、素子形成工程Ｓ１後に、陽極及び陰極からなる両電極間に所定の第１の逆バイアス電圧を印加し、第１の漏れ電流値を計測する。 - 特許庁

When the gate is off, a positive voltage is applied to the contact of the resistors 31 and 32, and the pn junction of the source 21 and the drain 22 and the well is turned to reverse bias.例文帳に追加

このゲートオフ時に、抵抗３１、３２の接点に正電圧を印加し、ソース２１及びドレイン２２とウェルとのＰＮ接合を逆バイアスとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which both high breakdown voltage and high current can be realized at the active element part while avoiding breakdown due to a reverse bias current.例文帳に追加

能動素子部の逆方向バイアス電流による破壊を回避すると共に、前記能動素子部の高耐圧化と大電流化を共に実現できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a driving circuit by which a reverse bias can be applied with a simple constitution to a power semiconductor by a pulse transformer with no intermediate terminal in a secondary winding.例文帳に追加

二次巻線に中間端子を持たないパルストランスにて、簡単な構成でパワー半導体に逆バイアスを印加できる駆動回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

Diodes 11, 12 are connected in series between terminals A1 and B1 so as to become a reverse bias in a normal state, and continuity states of a PNP 14 and an NPN 16 are controlled according to a voltage applied to the diode 11.例文帳に追加

正常状態時に逆バイアスとなるように、端子Ａ１，Ｂ１間に直列にダイオード１１，１２を接続し、このダイオード１１にかかる電圧によって、ＰＮＰ１４とＮＰＮ１６の導通状態を制御する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing device of a thin film photoelectric conversion module capable of performing reverse bias treatment on a plurality of serially-connected photoelectric conversion elements by a simple configuration in a short time.例文帳に追加

複数の直列接続された光電変換素子の逆バイアス処理を簡易な構成で短時間で行なうことが可能な薄膜光電変換モジュールの製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, the breakdown voltage is greater than 11.5 V, which is the maximum reverse bias voltage, and therefore the efficiency of the solar cell and the operation life thereof are improved with the absence of the breakdown phenomenon.例文帳に追加

したがって、ブレークダウン電圧が最大逆バイアス電圧である１１．５Ｖより大きいので、ブレークダウン現象が発生しなくて太陽電池の効率と寿命が向上する。 - 特許庁

The third semiconductor switch SW3 is connected in such a direction that a reverse bias is applied to a voltage generated in the second circuit 14 while the second semiconductor switch SW2 is turned on.例文帳に追加

この第３の半導体スイッチＳＷ３は、第２の半導体スイッチＳＷ２がオンとされている期間において、第２の回路１４に発生する電圧が逆バイアスとなる方向に接続されている。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor device includes a p^-layer as a withstand voltage layer using silicon carbide, and the portion, which is exposed on the surface, of the pn junction interface keeping a reverse bias voltage can be protected with a thermal oxidation film containing positive charges.例文帳に追加

また、炭化珪素を用いｐ^-層を耐圧層として含む半導体装置であって、逆バイアス電圧を保持するｐｎ接合界面が表面に出ている部分を正の電荷を含む熱酸化膜で保護する。 - 特許庁

Electrical contacts (508, 510, 512 and 514) are coupled to the imaging array, which supply a reverse electrical bias to the photodiodes and guard diode.例文帳に追加

フォトダイオード及び上記ガード・ダイオードに電気的逆バイアスを供給するための複数の電気コンタクト（５０８、５１０、５１２、５１４）が、撮像アレイに結合される。 - 特許庁

When a negative voltage (reverse bias) is applied to the gate electrode 103, a hole is induced in the poly-Si layer 107, but a drain current does not flow because the hole can not pass through the a-Si layer 108.例文帳に追加

ゲート電極１０３に負の電圧（逆バイアス）が印加された場合、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７には正孔が誘起されるが、この正孔はａ−Ｓｉ層１０８を通過することができないので、ドレイン電流は流れない。 - 特許庁

A boundary barrier between the layers 103 and 105 is reduced by the layer 104 during extinction when a reverse bias voltage is applied between the layers 102 and 103.例文帳に追加

ベース層１０３とコレクタ層１０２との間に逆バイアス電圧が印加される消光時には、傾斜組成層１０４によって、活性層１０５とベース層１０３との間の界面障壁が低下する。 - 特許庁

The switch control unit 80 operates to turn off the switch 88 in case that the voltage VBATT is on such a level that a reverse bias is applied to a voltage source 62.例文帳に追加

スイッチ制御ユニット８０は、電圧Ｖ_Ｂａｔｔの電圧が、電圧源６２に逆バイアスが掛かるレベルにある場合にはスイッチ８８をオフにするように動作する。 - 特許庁

To provide a display device in which by making a bias current, ample for insulating a short-circuited point, to flow in the reverse direction and applying a transistor with the use of amorphous silicon.例文帳に追加

短絡箇所を絶縁化するのに十分な逆方向のバイアス電流を流し、アモルファスシリコンを用いたトランジスタを適用することにより表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

By controlling the reverse bias across the PN junction between the source and the substrate, the pinch-off point of the inversion region is pulled back toward the source, thereby increasing the programming efficiency of the MOSFET.例文帳に追加

ソース−基板間のＰＮ接合の逆バイアスを制御することによって、反転領域のピンチオフ点がソースの方へ引き戻され、それによってＭＯＳＦＥＴのプログラミング効率を増大させる。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which can accurately perform second transfer even during a transition time without setting ahead the timing for starting the polarity reverse of a bias.例文帳に追加

バイアスの極性反転の開始タイミングを早めることなく、遷移時間中でも２次転写を的確に行うことができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dark dot repairing device and a dark dot repairing method capable of applying an enough reverse bias voltage appropriate to render a defective part of an organic luminescent element into a high-resistant or insulating part, to a pixel occurring a dark dot.例文帳に追加

滅点の生じた画素に対して、有機発光素子の欠陥部分を高抵抗化または絶縁化するのに適した大きさの逆バイアス電圧を印加することの可能な滅点修理装置および滅点修理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transmission/reception changeover switch that can minimize reception loss while maintaining transmission characteristics by adopting a configuration that can provide a sufficient reverse bias voltage to a diode in the case of reception.例文帳に追加

受信時におけるダイオードへ十分な逆バイアス電圧を与えることのできる構成とすることにより、送信の特性を保持したままで、受信の損失を少なくできる送受切替スイッチを提供する。 - 特許庁

If the transmission rate of the home-side device, sending the optical signal next, is L and the reception level is high, the reverse bias voltage, applied to the APD, is controlled to V_L.例文帳に追加

また、次に光信号を送ってくる宅側装置の伝送レートがＬで受信レベルが高であれば、ＡＰＤに印加する逆バイアス電圧をＶ_Ｌとする。 - 特許庁

When the absolute value of an applying voltage having a reverse bias polarity is set larger than the absolute value of a forward voltage, the residual carriers can migrate from the emission layer at a rate higher than the migration rate of carriers when light is emitted.例文帳に追加

また、逆バイアス極性による印加電圧の絶対値の大きさを、順方向電圧の絶対値の大きさよりも大きくしており、発光時のキャリア移動速度よりも速く残留キャリアを発光層から移動させることができる。 - 特許庁

To provide a backside electrode type solar cell capable of preventing a leak current when the reverse bias voltage is applied, and a method of manufacturing the backside electrode type solar cell.例文帳に追加

逆バイアス電圧がかかった際、リーク電流を抑えることが可能な裏面電極型太陽電池および裏面電極型太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a back electrode solar cell to which a prevention function of failure caused by reverse bias voltage can be easily added, and to provide a solar cell string and a solar cell module using the back electrode solar cell.例文帳に追加

逆バイアス電圧による故障の防止機能を容易に付加することができる裏面電極型太陽電池、その裏面電極型太陽電池を用いた太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュールを提供する。 - 特許庁

To properly achieve improvement of accuracy in suppression of an inflow current, improvement of reliability in detection of a control voltage related to a reverse bias generation control, with a simple configuration.例文帳に追加

流入電流の抑制の精度向上と、逆バイアス生成制御に係る制御電圧の検出における信頼性向上とを、簡易な構成によって好適に提供すること。 - 特許庁

When a rated voltage or higher is applied to a signal line 80 connected from the output side of a control board, a reverse bias is applied between the gate and the source; and a current flow between the drain and the source is cut off.例文帳に追加

制御ボードの出力側から繋がる信号線８０に、定格以上の電圧が印加される場合、ゲート及びソース間に逆バイアスがかかり、ドレイン及びソース間の電流の流れが遮断される。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion apparatus with an excellent optical response characteristic, which suppresses the fluctuation of a reverse bias voltage of a photoelectric conversion element, caused by a fluctuation in optical amount.例文帳に追加

光量変動による光電変換素子の逆バイアス電圧の変動を抑え、光応答特性の良い光電変換装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an ignition coil using a magnet for applying a reverse bias more efficiently, and simplifying the structure and production process.例文帳に追加

逆バイアスをかけるための磁石をより効果的に使用し且つ構造や生産工程の簡略化を可能とした点火コイルを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a transistor element and a rectifying element capable of reducing a leak current in reverse bias when a high voltage is applied and reducing a forward voltage drop Vf are integrally formed on a single substrate having the rectifying element.例文帳に追加

高電圧を印加した際に逆バイアスにおけるリーク電流が少なく、順方向電圧降下Ｖｆが低い整流素子を有する単一基板上にトランジスタ素子と整流素子を一体にした半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a PIN diode suppressing occurrence of thermal breakdown caused by concentration of currents onto a curved part of an anode region in application of reverse bias exceeding a breakdown voltage.例文帳に追加

降伏電圧を越える逆方向バイアス時にアノード領域の曲線部への電流集中によって、熱破壊が生じるのを抑制することができるＰＩＮダイオードを提供する。 - 特許庁

Since reverse bias is applied to the photodiode as the RF conversion part 23 by inputting the optical signal S_0 to the optical branch 21, the need of a power source for supplying power to the RF conversion part 23 is obviated.例文帳に追加

光分岐器２１に光信号Ｓ_０が入力することによりＲＦ変換部２３としてのフォトダイオードに逆バイアスが印加されるので、ＲＦ変換部２３に電力を供給するための電源が不要となる。 - 特許庁

Accordingly, reverse bias in the bit line contact is lowered to reduce a leak current in the bit contact, thereby reducing power consumption of the chip.例文帳に追加

これにより、ビット線コンタクト部の逆バイアスが小さくなるため、ビット線コンタクト部のリーク電流が低減され、低消費電力が実現される。 - 特許庁

A current flows in the defect portions if a reverse bias voltage is applied to the light emitting elements having the defect portions, and emission of light which occurs from the current is measured by using an emission microscope, specifying the position of the defect portions, and short-circuited portions can be repaired by applying a laser to the defect portions.例文帳に追加

この電流から生じる発光をエミッション顕微鏡により測定して欠陥部を特定し、欠陥部にレーザーを照射することによりショート箇所を修理するという発光装置の作製方法である。 - 特許庁

A reverse bias characteristic of a p-n junction is invalidated, so that a positive potential of the power source 6 is transmitted to a p-type impurity inlet region 4a having a defect 5 therein causing a junction failure such those, ending up in conduction of both.例文帳に追加

ｐｎ接合の逆バイアス特性を無効化し、両者を導通させてしまうような接合不良を引き起こす欠陥５が存在する個所のｐ型不純物導入領域４ａには電源６の正電位が伝わる。 - 特許庁

If the force fight occurs due to a bias error in a current sensor 8a, a current command I_C1 and the motor driving commands I_V1 are reverse in polarity, and a current command I_C2 and the motor driving commands I_V2 are the same in polarity.例文帳に追加

フォースファイトが電流センサ８ａのバイアス的誤差に起因するのであれば、電流コマンドI_C1とモータ駆動コマンドＩ_V1とは逆極性であり、電流コマンドI_C2とモータ駆動コマンドＩ_V2は同極性である。 - 特許庁

To realize a diode for suppressing energy loss at the time of an inverse restoring operation, and for hardly generating the vibration of an impressed voltage even when the value of an reverse bias voltage is large.例文帳に追加

逆回復動作時のエネルギー損失量を抑制し、かつ、逆バイアス電圧の値が大きい場合であっても印加電圧が振動しにくいダイオードを実現する。 - 特許庁

Thus, the gate and source of the switching transistors Tr1 and Tr2 in a deactivation state become reverse bias and they are surely cut off.例文帳に追加

これにより、非動作状態にあるスイッチングトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のゲート・ソース間が逆バイアスとなり、これらが確実にカットオフされる。 - 特許庁

Consequently, a junction leakage current can be suppressed when a reverse bias is applied via the interface level.例文帳に追加

丸め酸化膜を形成後、ＮＯ雰囲気中で８５０℃３０分程度のアニールを行う工程により、丸め酸化膜の界面準位がＮのドーピングによって低減されるため、リーク電流を抑えることができる。 - 特許庁

With a reverse bias, the current path narrowed with the depletion regions lies in a low-IR metal layer only.例文帳に追加

順バイアス時には低ＶＦ金属層を電流が流れ、逆バイアス時には、空乏領域によって狭められた電流経路が低ＩＲ金属層部分のみとなる。 - 特許庁