「reverse-bias」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

An insulating gate type element is formed on the semiconductor substrate, and an a collector layer functioning as a collector at IGBT operation and a cathode/anode layer functioning as a cathode or anode of a reflux diode at reverse bias are formed adjacently to each other on the backside of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板には、絶縁ゲート型の素子部が形成されており、半導体基板の裏面側には、ＩＧＢＴ動作時にコレクタとして機能するコレクタ層と、逆バイアス時に還流ダイオードのカソードもしくはアノードとして機能するカソード／アノード層が、互いに隣接して形成されている。 - 特許庁

When a voltage is applied to be a reverse bias, the second semiconductor layer 4 is thin enough for a depletion layer 7 formed on an interface between a Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 to extend in the thickness of the second semiconductor layer 4 to reach the first semiconductor layer 3.例文帳に追加

逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁

A black display period in which reverse bias voltage is applied between a gate electrode of the drive TFT and a source electrode is inserted in order to relax residual phenomenon, but the black insertion is performed for a fixed period by a command of a microcomputer 10 only when the prescribed conditions are fulfilled.例文帳に追加

残像現象を緩和するため、駆動ＴＦＴのゲート電極−ソース電極間に逆バイアス電圧をかける黒表示期間が挿入されるが、前記黒挿入は所定の条件が満たされたときのみ、マイコン１０の指令により一定期間行われる。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which includes a memory cell array comprising ReRAM cells, and which reduces a reverse bias current flowing into a non-selected cell, and whose breakdown voltage against a yield phenomenon is increased so that the device can be used at a high potential.例文帳に追加

非選択セルに流れる逆方向バイアスの電流を低減することができ、かつ降伏現象への耐圧を増加し高電位でも対応可能な、ＲｅＲＡＭセルから構成されたメモリセルアレイを有する半導体メモリ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a solar cell short circuit removing device, capable of rapidly removing a short circuit section and having a lax requirement specification for an electric power supply such as a range of reverse bias voltages required for the removal of the short circuit section, or capable of preventing the damage by a voltage applied in the removal.例文帳に追加

短絡部の除去を迅速に行うことができると共に、短絡部の除去に必要な逆バイアス電圧のレンジ等の電源に対する要求仕様が緩い太陽電池短絡部除去装置、若しくは、除去時に印加する電圧によるダメージを予防する太陽電池短絡部除去装置を提供する。 - 特許庁

The amplifier circuit is configured with photodiodes 11 to 15, operational amplifiers 21 to 25, feedback resistors 31 to 34, resistors output terminals 41 to 45, 51 to 55, reference voltage power supply terminals 56 and 57, a reverse bias voltage control circuit 61 and a parasitic capacitance detecting circuit 65.例文帳に追加

増幅回路は、フォトダイオード１１〜１５、演算増幅器２１〜２５、帰還抵抗３１〜３４、抵抗４１〜４５、出力端子５１〜５５、基準電圧電源端子５６、５７、逆バイアス電圧制御回路６１、寄生容量検出回路６５により構成される。 - 特許庁

When an operating current monitor signal SB indicates that operating currents satisfy a prescribed reference, and a leak monitor signal SA0 indicates that a reverse bias degree is increased, a charge pump circuit 3P in an active state performs control to deepen a board potential VBP for PMOS.例文帳に追加

動作電流モニタ信号ＳＢが動作電流が所定の基準を満足することを指示し、リークモニタ信号ＳＡ０が逆バイアス度合を高めることを指示する場合、活性状態のチャージポンプ回路３ＰによってＰＭＯＳ用基板電位ＶＢＰを深く引く制御が行われる。 - 特許庁

End face 5a of the central core 5 of an ignition coil 100 for internal combustion engine is enlarged toward an outer circumferential core 6, and a permanent magnet 8 for applying magnetic reverse bias to the core section 7 is arranged in the central region 5b of the enlarged end face 5a.例文帳に追加

内燃機関用点火コイル１００の中央鉄心５の端面５ａは、外周鉄心６に向けて拡幅され、その拡幅された端面５ａの中央領域５ｂに、鉄心部７に磁気逆バイアスをかける永久磁石８が配置されている。 - 特許庁

When a current flows to a self arc-distinguishing element S2 and the element is switched off, the current flows first to a high-speed diodes D1, however a reverse bias voltage is applied to D1 by a series resistor Ra1, so that the current of D1 for power increases, and the current of a diode PD1 for positive power increases gradually.例文帳に追加

自己消弧素子Ｓ２に電流が流れているとき、これをオフすると電流はまず高速ダイオードＤ１に流れるが、直列抵抗Ｒａ１によってＤ１に逆バイアス電圧が印加されるためＤ１の電流が減少し、正側電力用ダイオードＰＤ１の電流が増加していく。 - 特許庁

Therefore, even when the time constant of the counter electrode is larger than that of the scanning line in the unselected state, a leak current due to a reverse bias voltage can be reduced without temporarily turning on respective TFTs connected to the scanning line in the unselected state and the quality of a display image can be improved.例文帳に追加

従って、対向電極の時定数が非選択状態の走査線の時定数より大きくても、非選択状態にある走査線に接続された各ＴＦＴを一時的にオンするこなく、かつ逆バイアス電圧によるリーク電流を低減することができ、表示画像の品質を向上させることができる。 - 特許庁

An image carrier is rotated at least once or more during the non-image formation period in a state where a transfer bias is controlled so that an image carrier surface potential in a rotational direction upstream of cleaning means has a reverse polarity to a developer.例文帳に追加

非画像形成時において、クリーニング手段より回転方向上流側の像担持体表面電位が、現像剤と逆極性になるように、転写バイアスを制御した状態で、像担持体を少なくとも１回転以上回転させる。 - 特許庁

The source terminal of the pull-up MOS transistor is connected to the output terminal of the energy recovery circuit, and a bulk terminal of the pull-up MOS transistor is connected to a node which provides a reverse bias between the source terminal and the bulk terminal of the pull-up MOS transistor.例文帳に追加

前記プルアップＭＯＳトランジスタのソース端子は前記エネルギー回復回路の前記出力端子に接続され、前記プルアップＭＯＳトランジスタのバルク端子は前記プルアップＭＯＳトランジスタの前記ソース端子及び前記バルク端子間に逆バイアスを提供するノードに接続される。 - 特許庁

A current value which is charged to the element for lighting is suitably controlled from a non-scanning selection power supply (reverse bias power supply VM) transitionally at the beginning of lighting of the light emitting element according to decrease of the lighting ratio, and the shadowing is suppressed.例文帳に追加

点灯率の低下により発光素子の点灯初期において過渡的に非走査選択電源（逆バイアス電源ＶＭ）から、発光対象となる素子に充電される電流値が適宜制御され、シャドーイングの発生が抑制される。 - 特許庁

A bias voltage waveform superposed therein has an inherent period (the first period) applied once with a developing side potential and a reverse developing side potential, and a period (the second period) for increasing gradually a Vpp from an initial value up to the maximum value.例文帳に追加

このとき重畳するバイアス電圧波形は、現像側電位と逆現像側電位とが１回ずつ印加される本来の周期（第１の周期）と、Ｖｐｐを初期の値から最大となる値にまで徐々に増加させる周期（第２の周期）とを有する。 - 特許庁

A reverse bias voltage Vb which has a voltage value (0.8 to 1.0 V) between the source voltage Vs and the drain voltage Vd and turns on a diode formed by the n-type source region 8s, and a p-type body region 2 is applied to the body region 2.例文帳に追加

このときボディ領域２に対しては、ソース電圧Ｖｓとドレイン電圧Ｖｄの間の電圧値（０．８〜１．０Ｖ）を有し、Ｎ型のソース領域８ｓとＰ型のボディ領域２とにより形成されるダイオードをオンさせるバックバイアス電圧Ｖｂを印加する。 - 特許庁

The second semiconductor layer 4 is thin to the extent that a depletion layer 7 generated on the interface between the Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 is extended in the thickness direction of the second semiconductor layer 4, for reaching the first semiconductor layer 3 when voltage is applied to cause the reverse bias.例文帳に追加

逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁

Charge of reverse polarity to regular charge polarity of toner remaining on an intermediate transfer belt 4 after transfer by an electrostatic eliminating brush 40 is eliminated, a bias of the same polarity as the regular charge polarity of toner is applied to the intermediate transfer belt 4 by a non-contact electric field impressing plate 111.例文帳に追加

除電ブレード４０によって転写後に中間転写ベルト４に残留したトナーの正規帯電極性とは逆極性の電荷を除電した後に、非接触電界印加板１１１によってトナーの正規帯電極性と同極性のバイアス中間転写ベルト４に印加する。 - 特許庁

The diode polysilicon 15 is connected at the potential of a positive voltage of a power supply or at grounding potential so that, when the first stage of MOS transistor is operated, a reverse bias is applied to the diode or both ends of the diode have the same potential.例文帳に追加

ダイオード用ポリシリコン１５は初段ＭＯＳトランジスタの動作時に上記ダイオードに逆方向バイアスがかかるか上記ダイオードの両端が同電位になるように正電圧の電源電位又は接地電位に接続される。 - 特許庁

When a reverse bias is applied to the pin structure by electrostatic discharge, the maximum electric field at the pin junction J1 becomes smaller that the maximum electric field at a pn junction consisting of the p-type clad region 15 and the n-type buried layer 33.例文帳に追加

静電放電により、このｐｉｎ構造に逆バイアスが印加されるとき、ｐｉｎ接合Ｊ１における最大電界は、ｐ型クラッド領域１５及びｎ型埋め込み層３３からなるｐｎ接合における最大電界より小さくなる。 - 特許庁

The drain of a reverse bias applying transistor Tr4 is connected to an anode terminal of the EL element E1, and the gate and source of the transistor Tr4 are connected to gates of the erasure transistor Tr3 and write transistor Tr1 respectively.例文帳に追加

ＥＬ素子Ｅ１ の陽極端子には、逆バイアス印加トランジスタＴｒ４のドレインが接続されており、同トランジスタＴｒ４のゲートおよびソースは、それぞれ消去トランジスタＴｒ３および書き込みトランジスタＴｒ１のそれぞれゲートに接続されている。 - 特許庁

Since the metallic film 30 covers the P-N junction of the zap diode, the zap diode is short-circuited to the metallic film 39 provided on the P-N junction and becomes a resistor when a puncture or destruction occurs due to an impressed reverse bias voltage higher than a breakdown voltage.例文帳に追加

この金属膜３９でザップダイオードのＰＮ接合部を覆うことにより、降伏電圧以上の逆バイアス電圧の印加によって破裂破壊が起こっても、ザップダイオードがＰＮ接合部上の金属膜３９により短絡して抵抗となる構成とする。 - 特許庁

To semiconductor lasers 110', 110'' and 110''', the same sine wave from a sine wave power supply 122 is applied to an SA region in such a superimposed way on a reverse bias that the respective optical pulses are generated selectively to differ in the wavelengths (λ_1, λ_2 and λ_3) in respective external resonators 130', 130'' and 130'''.例文帳に追加

半導体レーザ１１０’，１１０’’，１１０’’’に対して、正弦波電源１２２からの同じ正弦波をＳＡ領域に、逆バイアスに重畳して印加し、外部共振器１３０’，１３０’’，１３０’’’で別々の波長（λ_１，λ_２，λ_３）の光パルスとなるように選択的に発生させている。 - 特許庁

At reverse bias, the junction is electrically connected to the electric field relaxing layer, by a field effect imparted to the drift layer between the junction and the electric field relaxing layer from the electrode via the insulating film so that the electric field concentration at the end of the junction is relaxed.例文帳に追加

逆バイアス時には、絶縁膜を介して電極から前記接合と電界緩和層の間のドリフト層に与えられる電界効果により接合と電界緩和層は電気的に接続され、接合の端部の電界集中が緩和される。 - 特許庁

Also, after the time (t7) when the transistor is turned off, the substrate potential VB is equalized to the source potential Vs, so that the reverse bias applied to the substrate is released; the absolute value of the threshold value voltage Vt is dropped as seen from the source potential Vs, and the actual value of the threshold value voltage Vt is increased (t8).例文帳に追加

また、トランジスタがターンオフした時点（ｔ７）より後で、基板電位ＶＢをソース電位Ｖｓと等しくすることで基板にかけた逆バイアスを解除し、ソース電位Ｖｓから見たしきい値電圧Ｖｔの絶対値を下降させ、しきい値電圧Ｖｔの実際の値を増大させる（ｔ８）。 - 特許庁

When a reverse bias is applied to the Schottky barrier diode 11, strength of an electric field near an edge of the Schottky junction 23 becomes low by overlap of an electric field from the first conductive portion 19a and an electric field from the second conductive portion 19b.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１に逆バイアスが印加される場合、第１の導電部１９ａからの電界と第２の導電部１９ｂからの電界との重ね合わせにより、ショットキ接合２３のエッジ付近の電界強度を小さくなる。 - 特許庁

The application of the reverse direction bias is performed by only changing a counter electrode and the increase in the breakdown strength of a TFT caused by a voltage rise of a gate signal line driving circuit that is the problem while greatly changing current supply lines and an increase in power consumption are suppressed.例文帳に追加

また、逆方向バイアスの印加は、対向電極のみを変化させることで行い、電流供給線を大きく変化させる際に問題となるゲート信号線駆動回路の電圧上昇によるＴＦＴの耐圧、消費電力の増大を抑えることが出来る。 - 特許庁

A forward current is injected into a gain region 101 by a DC current source, and a reverse bias voltage is applied to a saturable absorption region 102 from a DC voltage source, whereby the laser device 1 is put in a mode synchronous operation nearly on a f/m repetition frequency.例文帳に追加

レーザ素子１は、利得領域101に直流電流源によって順電流を注入し可飽和吸収領域102 に直流電圧源により逆バイアスを印加することで、約f/m の繰返し周波数でモード同期動作を行う。 - 特許庁

A Schottky diode comprises an n-type semiconductor substrate 1, a Schottky electrode 3, and a p-type diffusion layer 2 serving as a leakage restraining structure for restraining a leakage current by producing a barrier layer when a reverse bias voltage is applied to between the Schottky electrode 3 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードは、Ｎ型半導体基板１と、ショットキ電極３と、ショットキ電極３と半導体基板１との間に逆バイアス電圧が印加されたときに空乏層を生じさせることによりリーク電流を抑制するリーク抑制構造部としてのＰ型拡散層２とを備える。 - 特許庁

This voltage clamping means 10 acts to block the reverse bias voltage from being substantially boosted by the current from the anode drive lines through each parasitic capacitance of the EL elements, and acts to reduce the generation of horizontal cross talk phenomenon.例文帳に追加

この電圧クランプ手段１０は、ＥＬ素子の各寄生容量を通して陽極ドライブ線からの電流により、逆バイアス電圧を実質的に押し上げるのを阻止するように作用し、水平方向クロストーク現象が発生するのを低減するように作用する。 - 特許庁

To provide an optical coupling system and circuit constitution which can constantly be stable in receiving operation by suppressing the saturation operation of a photodetective element or a reception circuit with respect to large light input, and applying optimal reverse bias simultaneously all over a wide temperature range.例文帳に追加

大光入力に対して受光素子または受信回路の飽和動作を抑制し、また、同時に広い温度範囲にわたって最適な逆バイアスを印加することができ、常に安定した受信動作が可能な光結合系および回路構成の提供。 - 特許庁

Data lines are precharged to values differing with the polarities of a common potential before the common inversion to prevent the potentials of the data lines from being too high and low to turn on a pixel switching element or a large reverse bias from being applied.例文帳に追加

コモン反転前にデータ線をコモンの極性によって異なる値でプリチャージすることでデータ線の電位がコモン反転時に上下しすぎ、画素スイッチング素子がオンしてしまう、あるいは大きな逆バイアスがかかることを防止する。 - 特許庁

The reverse bias safe operation area measuring device 1 comprises: a power MOSFET 7; and a control voltage generation circuit 8 that generates a control voltage on the basis of a collector voltage of the measured IGBT 2 and applies the generated control voltage to a gate of the power MOSFET 7.例文帳に追加

逆バイアス安全動作領域測定装置１は、パワーＭＯＳＦＥＴ７と、被測定ＩＧＢＴ２のコレクタ電圧に基づいて制御電圧を生成してパワーＭＯＳＦＥＴ７のゲートに印加する制御電圧生成回路８とを備える。 - 特許庁

In concrete, an additional transistor Tr3 connected to the transistor Tr2 in parallel is complementarily driven to generate timing where the operations are not disturbed, and the reverse bias is applied to the transistor Tr2 in the generated timing.例文帳に追加

具体的には、トランジスタＴｒ２に並列接続した追加トランジスタＴｒ３を補完的に駆動して上記した動作の妨げとならないタイミングを作り出し、該作り出されたタイミングでトランジスタＴｒ２に逆バイアスを印加する。 - 特許庁

A depletion layer becomes large due to the pn-junction between the impurity-concentration regions, so that a variation in the width of the depletion layer by the control of the reverse bias voltage can be made large to increase a variation in electrostatic capacitance, thereby providing a large variable capacitance ratio.例文帳に追加

低不純物濃度同士のｐｎ接合により、空乏層が大きくなるので、逆バイアス電圧の制御による空乏層の幅の変化を大きくすることができ、これによって静電容量の変化が大きくなって、可変容量比が大きくなる。 - 特許庁

The period t1 from a timing of application of a reverse bias voltage to a non-scan line to a timing of supply of a constant current as a light emission driving current to a lighting line is controlled by the period control data, and as a result, the occurrence of shadowing is suppressed.例文帳に追加

前記期間制御データによって、非走査ラインに対する逆バイアス電圧の印加タイミングから、発光駆動電流としての定電流を点灯ラインに供給するまでの期間ｔ１が制御され、結果としてシャドーイングの発生が抑制される。 - 特許庁

In one control embodiment, the anode and cathode of the EL element E1 can be set at equal potential to each other and charges are discharged by changing over one switch first, in shifting the impression state of the reverse bias voltage to the supply state of the forward current.例文帳に追加

この発明にかかるの１つの制御形態においては、逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行する時に、一方のスイッチを先に切り換えることで、ＥＬ素子Ｅ１ のアノードおよびカソード間を同電位にして電荷を放電させる。 - 特許庁

A scan driver 3 successively scans scanning lines K1 to Km arrayed in the display panel in specified cycles to drive light emitting elements E11 to Enm corresponding to the scanning lines being scanned to illuminate, and applies a reverse bias voltage Vk to scanning lines in a non-scanning state.例文帳に追加

走査ドライバ３は、表示パネル１に配列された走査線Ｋ１ 〜Ｋｍ を所定の周期で順次走査して、走査状態の走査線に対応した発光素子Ｅ１１〜Ｅｎｍを点灯駆動させると共に、非走査状態の走査線には逆バイアス電圧Ｖｋ を供給するように作用する。 - 特許庁

A series circuit of the TFT 12 for driving and the element 14 is connected through switches S1 and S2 to a power source circuit to selected a state that a forward current is supplied to the light emitting element and a state that a reverse bias voltage is applied to the light emitting element.例文帳に追加

駆動用ＴＦＴ１２と発光素子１４の直列回路は、スイッチＳ１ ，Ｓ２ を介して電源回路に接続されており、発光素子に対して順方向電流を供給する状態、および発光素子に対して逆バイアス電圧が印加される状態が選択される。 - 特許庁

When a transfer resistance is measured, and it is a predetermined value or less (100, 102, and 108), a predetermined image is formed, a transfer part is controlled so as not to transfer the image (for example, voltage of a bias reverse to transfer is applied), and a toner image is supplied to a cleaning part (102-106).例文帳に追加

転写抵抗を測定して、予め決められた値以下の場合には（１００、１０２、１０８）、予め決められた画像を形成して転写しないように転写部を制御（例えば、転写と逆バイアスの電圧を印加）して、清掃部へトナー像を供給する（１０２〜１０６）。 - 特許庁

In addition, error light emission preventing control, in which the reverse bias voltage of a state in which levels are differed in a plurality of stages, in response to the positions of the cathode rays, is applied to the cathode rays B_1-B_64 in a non-scanning state by synchronizing with the light emission control is performed.例文帳に追加

また、この発光制御に同期して、非走査状態にある陰極線Ｂ_1〜Ｂ_64に対して、当該陰極線の位置に応じて複数段階にレベルを異ならせた状態の逆バイアス電圧を印加するという誤発光防止制御が行われる。 - 特許庁

Then, a candidate value is predetermined and stored (solid line) so that it may be a value as large as possible within an extent that it does not exceed the discharge start voltage concerning a potential difference (reverse contrast potential difference) between the average potential of developing bias and the potential at the non-exposure part of the photoreceptor for carrying an electrostatic latent image.例文帳に追加

そして、現像バイアスの平均電位と、静電潜像を担持する感光体の非露光部電位との電位差（逆コントラスト電位差）について、放電開始電圧を超えない範囲でできるだけ大きな値となるように、その候補値を予め定めて記憶しておく（実線）。 - 特許庁

Also, when the apparatus is in a reception state, the first transistor Q1 is turned on and the second transistor Q2 is turned off to apply a voltage of a reverse bias direction to the diode D1, and light irradiated on the diode D1 is outputted as a reception signal.例文帳に追加

また、受信状態のときは、第１トランジスタＱ１をオンするとともに、第２トランジスタＱ２をオフして発光ダイオードＤ１に逆バイアス方向の電圧を印加して、この発光ダイオードＤ１に照射された光を受信信号として出力する。 - 特許庁

Since reverse bias voltage is controlled according to the secular changes of the elements E1 to En, carriers generated when the forward voltage remaining in light-emitting layers of the elements E1 to En are applied can be removed effectively, and thereby the light-emitting lifetime of the elements E1 to En can be prolonged.例文帳に追加

逆バイアス電圧は、素子の経時変化に応じて制御されるので、素子の発光層に残留した順方向電圧印加時のキャリアを効果的に除去することができ、素子の発光寿命をより延命させることができる。 - 特許庁

In such a manner, cleaning defect is prevented by restraining the reverse charge of the residual toner as a result of the occurrence of a leak in minimizing the potential difference between bias voltage on a primary transfer roller 36 of the intermediate transfer body side and the non-image part potential on the photoreceptor drum 31 at a primary transfer part T1.例文帳に追加

これにより１次転写部Ｔ_1 での中間転写体側の１次転写ローラ３６のバイアス電圧と感光体ドラム３１上の非画像部電位との電位差を小さくしてリークの発生による残留トナーの逆帯電を防止し、クリーニング不良をなくした。 - 特許庁

Bias voltage waveform superposed at this time has an original cycle (first cycle) in which developing side potential and reverse developing side potential are applied by once, and a cycle (second cycle) in which Vpp is gradually increased from an initial value to a maximum value.例文帳に追加

このとき重畳するバイアス電圧波形は、現像側電位と逆現像側電位とが１回ずつ印加される本来の周期（第１の周期）と、Ｖｐｐを初期の値から最大となる値にまで徐々に増加させる周期（第２の周期）とを有する。 - 特許庁