「reverse-bias」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the width of a depletion layer 6 is adjusted, by controlling reverse bias applied between the p-type region 2 and the n-type region 3 and a positive voltage applied to the gate electrode 5, thus making the capacitance value of the semiconductor variable capacitance capacitor changed.例文帳に追加

そして、Ｐ型領域２およびＮ型領域３間に加える逆バイアスと、ゲート電極５に加える正の電圧とを制御して空乏層６の幅を調節することで、半導体可変容量コンデンサの容量値を変化させる。 - 特許庁

In the pixel circuit 20, the switching transistor Q24 is turned on when the organic EL element 21 does not emit light, and a pixel electrode of the organic EL element 21 is electrically connected to a scanning line Y2 of a trailing stage to apply a reverse bias to the organic EL element 21.例文帳に追加

画素回路２０において、有機ＥＬ素子２１の非発光時に、スイッチングトランジスタＱ２４をオン状態にし、有機ＥＬ素子２１の画素電極を次段の走査線Ｙ２に導通させて該有機ＥＬ素子２１に逆バイアスを印加する。 - 特許庁

Simultaneously, when the support mechanism is elastically deformed by forming a dogleg, a reverse bias property such that reaction force against displacement increase is constant or reduced is brought to improve an operation service life when using the actuator.例文帳に追加

同時に，くの字型を形成することで支持機構が弾性変形する際には，変位増加に対する反力が一定か減少するような逆バイアス特性がもたらされることで，アクチュエータを用いた場合の動作寿命を向上させることができる。 - 特許庁

A diode 5 composed of an MISFET is provided between the source of the driver transistor and the board, and the diode is formed within the board and a reverse conductive type well 15, to which positive voltage not higher than the board bias voltage applied to the board through the diode is supplied.例文帳に追加

また、ドライバトランジスタのソースと基板間にＭＩＳＦＥＴで構成されたダイオード５が設けられ、ダイオードは基板と逆導電型のウェル１５内に形成されており、ウェル１５には、ダイオードを介して基板に印加される基板バイアス電圧以下の正の電圧が供給される。 - 特許庁

When the transfer material S has high resistance (for example, OHP paper), charge having a reverse polarity to toner is imparted to the OHP paper before transferring the toner image by a pre-transfer electrifying roller 12 in order to prevent transfer body bias in the image forming station on a downstream side from getting high.例文帳に追加

転写材Ｓが高抵抗（例えばＯＨＰ用紙）の場合、下流側の画像形成ステーションにおける転写体バイアスが高くなるのを防止するために、転写前帯電ローラ１２によってトナー像転写前のＯＨＰ用紙にトナーと逆極性の電荷を付与しておく。 - 特許庁

Before entering correction operation just after reverse bias operation, the sampling transistor T1 is switched on in a time band where the signal line WS is the reference potential Vofs, and the display executes initialization operation making a gate G of the drive transistor T2 the reference potential Vofs.例文帳に追加

逆バイアス動作の直後で補正動作に入る前に、信号線ＷＳが基準電位Ｖｏｆｓにある時間帯で、サンプリング用トランジスタＴ１をオンし駆動用トランジスタＴ２のゲートＧを基準電位Ｖｏｆｓにする初期化動作を行う。 - 特許庁

The microwave conversion device has a means for generating an optical signal which is subjected to signal strength modulation into half wave-rectified wave by the frequency of the microwave and a photodiode which outputs a microwave electric signal when reverse bias voltage is applied to it and the optical signal is input in it.例文帳に追加

光マイクロ波変換装置は、マイクロ波の周波数により半波整流波形に強度変調された光信号を発生する手段と、逆バイアス電圧が印加され、且つ上記光信号が入力されるとマイクロ波電気信号を出力するフォトダイオードと、を有する。 - 特許庁

In the pixel circuit 20, the switching transistor Q24 is turned on when the organic EL element 21 does not illuminate, and a pixel electrode of the organic EL element 21 is electrically connected to a scanning line Y2 of a trailing stage to apply a reverse bias to the organic EL element 21.例文帳に追加

画素回路２０において、有機ＥＬ素子２１の非発光時に、スイッチングトランジスタＱ２４をオン状態にし、有機ＥＬ素子２１の画素電極を次段の走査線Ｙ２に導通させて該有機ＥＬ素子２１に逆バイアスを印加する。 - 特許庁

It is desirable to print a message for the user of the image forming device on the pre-cut paper or control only transfer bias, while the pre-cut paper is made to pass, to be reverse to the polarity in the case of a normal printing condition in the image forming apparatus.例文帳に追加

この画像形成装置では、プレカット紙上に、当該画像形成装置を使用する者へのメッセージを印字したり、プレカット紙を通紙中の転写バイアスのみを、通常の印字条件の場合と逆の極性に制御したりすることが望ましい。 - 特許庁

The hydraulic power transmission provided with the lock-up clutch is configured so as to provide between a first plate engaging on a spline of inner peripheral surface of a clutch outer cylinder and a retaining plate a bias member which mutually urges them in reverse direction of circumferential direction.例文帳に追加

ロックアップクラッチを備えた流体伝動装置において、クラッチ外筒部内周面のスプラインに係合する第１プレート及びリテイニングプレートの間に、これらを互いに周方向逆方向に付勢する付勢部材を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A current transiently supplied from a non-scan selecting power supply (as a reverse bias power supply VM) to charge the objective element for light emission in a lighting initial stage of the light emitting element caused by decrease in the lighting rate is appropriately controlled to suppress generation of shadowing.例文帳に追加

点灯率の低下により発光素子の点灯初期において過渡的に非走査選択電源（逆バイアス電源ＶＭ）から、発光対象となる素子に充電される電流値が適宜制御され、シャドーイングの発生が抑制される。 - 特許庁

At the switching timing of one frame of an image signal, FETs Q2, Q3, Q5 are controlled so as to be turned on, so that the output voltage VH from the DC/DC converter 6 is applied to respective light-emitting elements E1 to En as reverse bias voltage.例文帳に追加

画像信号の１フレームの切り換えタイミングにおいて、ＦＥＴＱ２，Ｑ３，Ｑ５がオン状態に制御され、これによりＤＣ−ＤＣコンバータ６による出力電圧ＶＨは、各発光素子Ｅ１〜Ｅｎに対して逆バイアス電圧として印加される。 - 特許庁

To provide an electrophotographic seamless belt which is uniform in electrical characteristics, does not give rise to abnormal images, such as line image expulsion and white omission due to reverse transfer without depending on bias condition fluctuations of the apparatus, and can maintain stable high-quality images over a log period of time.例文帳に追加

電気特性が均一であり、かつ装置のバイアス条件変動によらず、線画像散りや逆転写による白抜け等の異常画像が発生することがない、長期に渡って安定した高品質画像を維持することができる電子写真用シームレスベルトの提供。 - 特許庁

Furthermore, in reading operation, a reverse bias voltage waveform with respect to the voltage waveform of reading pulses ϕB1, ϕB2..., ϕBn to be applied to the bottom gate terminal BG of the photosensor 10 is added immediately before or after the processing cycle of the image reading operation.例文帳に追加

また、読み出し動作において、ダブルゲート型フォトセンサ１０のボトムゲート端子ＢＧに印加される読み出しパルスφＢ１、φＢ２、…φＢｎの電圧波形に対する逆バイアス電圧波形を、上記画像読取動作の処理サイクルの直前、あるいは、直後に付加する。 - 特許庁

When no on-signal is given between control terminals 3 and 4 and the Q1-Q40 are not conductive, all capacitors C40-C1 are charged through the path of R40 →C40 → the source of the Q40 → the gate of the Q40 → ...R1 → C1 to apply a reverse bias voltage to each MOSFET.例文帳に追加

制御端子３、４間にオン信号がなく、Ｑ１〜Ｑ４０がオフしているときは、Ｒ４０→Ｃ４０→Ｑ４０のソース→Ｑ４０のゲート→…Ｒ１→Ｃ１の経路でＣ４０〜Ｃ１のすべてのコンデンサを充電して、各ＭＯＳＦＥＴに逆バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which does not cause the deterioration of image quality due to insufficiency and excess of bias voltage such as a transfer failure or reverse transfer and can stably output a high-quality image regardless of environmental variation and an image forming condition.例文帳に追加

転写不良や逆転写等のバイアス電圧不足および過多に起因する画像品質劣化を引き起こさず、環境変動や作像条件によらず良好な画像品質を安定して出力することが可能な画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

In order to detect the memory cell MC in which a diode Di has short-circuited, a short circuit failure detection circuit 30 applies a reverse bias to the memory cell MC and causes a current detector 33 to detect whether the current flows through the word line WL.例文帳に追加

ショート不良検出回路３０は、ダイオードＤｉが短絡不良したメモリセルＭＣを検出するため、メモリセルＭＣに逆バイアスを印加し、ワード線ＷＬに電流が流れるか否かを電流検出器３３により検出する。 - 特許庁

This current amplifying element includes: an n-type semiconductor well (n-well) 104 formed on a surface of a semiconductor substrate symmetrically around the center axis to make a plan view circular; a p-type semiconductor region 112 concentrically formed in the n-well; an n-type semiconductor region 112 concentrically formed in the p-type semiconductor region; and a plurality of electrodes for applying a forward bias voltage and a reverse bias voltage.例文帳に追加

電流増幅素子は、半導体基板の表面に平面視が円形となるように中心軸の周りに対称に形成されたｎ型半導体ウエル（ｎ−ウエル）１０４、ｎ−ウエル内に同心円状に形成されたｐ型半導体領域１１２、ｐ型半導体領域内に同心円状に形成されたｎ型半導体領域１１２、及び順バイアス電圧と逆バイアス電圧とを印加するための複数の電極を備えている。 - 特許庁

Even if a resistance component has temperature dependency in current generation by application of bias voltage with small temperature dependency to a current setting part having the resistance component, the first and second current setting parts having mutually reverse temperature dependencies are connected in parallel, and the bias voltage is applied thereto, whereby the temperature dependencies owned by the individual current setting parts are canceled, and a constant current with small temperature dependency can be outputted.例文帳に追加

温度依存性が僅少なバイアス電圧を、抵抗成分を有する電流設定部に印加して電流生成する際、抵抗成分に温度依存性がある場合にも、互いに逆の温度依存性を有する第１および第２電流設定部を並列接続してバイアス電圧を印加し、生成される電流を加算してやれば、個々の電流設定部が有する温度依存性が相殺され、温度依存性の僅少な定電流を出力することができる。 - 特許庁

A first minus power source (a minus power source) 4 applies a reverse bias voltage to a PIN diode (a diode) 6 via an NPN type transistor (a first semiconductor switch) 2, and a first plus power source (a plus power source) 5 supplies a forward current to the PIN diode 6 via a PNP type transistor (a second semiconductor switch) 3.例文帳に追加

第１のマイナス電源（マイナス電源）４はＮＰＮ型のトランジスタ（第１の半導体スイッチ）２を介してＰＩＮダイオード（ダイオード）６に逆バイアス電圧を印加し、第１のプラス電源（プラス電源）５はＰＮＰ型のトランジスタ（第２の半導体スイッチ）３を介してＰＩＮダイオード６に順方向電流を供給する。 - 特許庁

A second minus power source (a minus power source) 13 applies a reverse bias voltage to a PIN diode (a diode) 15 via an NPN type transistor (a first semiconductor switch) 11, and a second plus power source (a plus power source) 14 supplies a forward current to the PIN diode 15 via a PNP type transistor (a second semiconductor switch) 12.例文帳に追加

第２のマイナス電源（マイナス電源）１３はＮＰＮ型のトランジスタ（第１の半導体スイッチ）１１を介してＰＩＮダイオード（ダイオード）１５に逆バイアス電圧を印加し、第２のプラス電源（プラス電源）１４はＰＮＰ型のトランジスタ（第２の半導体スイッチ）１２を介してＰＩＮダイオード１５に順方向電流を供給する。 - 特許庁

When removing residual toner remaining on a transfer belt 8 or an intermediate transfer belt 8a, a bias voltage having a reverse polarity is applied to at least one of transfer rollers 9Y to 9B, and a velocity difference is given between the circumferential velocity of a photoreceptor drum 4Y carrying the toner image having the highest spectral reflectance in light wavelength 550 nm and the moving velocity of the transfer belt 8 or the intermediate transfer belt 8a.例文帳に追加

転写ベルト８又は中間転写ベルト８ａ上に残留する残留トナーをクリーニングする際、転写ローラ９Ｙ〜９Ｂの少なくとも一つに逆極性のバイアス電圧を印加して、光の波長５５０ｎｍにおける分光反射率が最も高いトナー像を担持する感光体ドラム４Ｙの周速と転写ベルト８又は中間転写ベルト８ａの移動速度との速度差を持たせる。 - 特許庁

In the printer 1, bias opposite to the time of toner transfer is applied to a transfer roller 61 at timing different from that to transfer the toner images to the transferred member, thus, the paper powder with reverse polarity of toner deposited on the surface of the photo conductor 3 moves from the photo conductor 3 to the paper conveyance belt 6.例文帳に追加

このプリンタ１では、トナー像を被転写部材へ転写するタイミングとは異なるタイミングで、転写ローラ６１に対しトナー転写時とは逆のバイアスが印加されるようになっており、これにより感光体３の表面に付着しているトナーとは逆極性の紙粉が、感光体３から用紙搬送ベルト６へと移動する。 - 特許庁

The scatter toner recovery device 5 includes: a scatter toner recovery member 5a fixedly disposed apart from a development container 4a; a rectifying means that rectifies a recovering bias applied to the scatter toner recovering member from a power source so that its polarity is the reverse of the polarity of the scatter toner; and a recovered-toner fall prevention member 5b disposed below the scatter toner recovery member 5a.例文帳に追加

飛散トナー回収装置５は、現像容器４ａから離間して固定的に配設された飛散トナー回収部材５ａと、電源から飛散トナー回収部材に印加される回収バイアスを、飛散トナーの極性と逆極性に整流する整流手段と、飛散トナー回収部材５ａの下方に配置された回収トナー落下防止部材５ｂとを有する。 - 特許庁

A scanning electrode voltage correction circuit 1 outputs the selection voltage to put the scanning electrodes S1, S2, S3 into a selection state, a non-selection voltage to put these electrodes into a non-selection state and the inversion voltage for applying a reverse bias voltage to electron emission elements 2011 to 2016 in synchronization with the operation of the switching group of a scanning electrode selection circuit 5.例文帳に追加

走査電極電圧補正回路１は、走査電極Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を選択状態とする選択電圧と、非選択状態とする非選択電圧と、電子放出素子２０１１〜２０１６に逆バイアス電圧を印加するための反転電圧を、走査電極選択回路５のスイッチ群の動作に同期して出力する。 - 特許庁

This developing device comprises a housing 4 for housing toner, a magnetic roll 5 provided within the housing 4 to supply the toner to a photosensitive drum 1, a suction duct 7 provided in the housing 4 to attractively remove the scattered toner generated in the supply of the toner and a voltage applying means 15 for applying a bias voltage of the reverse polarity to the polarity of the toner to the suction duct 7.例文帳に追加

本発明は、トナーを収容するハウジング４と、このハウジング４内に設けられ、感光ドラム１にトナーを供給する磁気ロール５と、ハウジング４に設けられトナーの供給時に発生する飛散トナーを吸引除去する吸引ダクト７と、この吸引ダクト７にトナーの極性と逆極性のバイアス電圧を印加する電圧印加手段１５とを具備してなる。 - 特許庁

The semiconductor substrate 101 is electrically connected to a terminal of one polarity of a power source 105, and the first semiconductor layer 102 is electrically connected to a terminal of the other polarity of the power source 105 via a first impedance element 106, thus applying a reverse bias between the semiconductor substrate 101 and the first semiconductor layer 102.例文帳に追加

半導体基板１０１は電源装置１０５の一方の極の端子に電気的に接続されると共に、第１半導体層１０２は第１のインピーダンス素子１０６を介して電源装置１０５の他方の極の端子に電気的に接続されることにより、半導体基板１０１と第１半導体層１０２との間に逆バイアスが印加される。 - 特許庁

To improve the image quality of an image forming device which develops an electrostatic latent image on a reverse development system using a two component developer while giving a developing bias voltage having an AC voltage superposed on a negative direct current voltage in a developing area formed by a photoreceptor 16 and an opposing developing roller 20 spaced at a prescribed distance.例文帳に追加

感光体１６と所定間隔を保持して対向する現像ローラ２０とによって形成される現像領域で、負の直流電圧に交流電圧を重畳した現像バイアス電圧を付与しながら、二成分現像剤を用いて前記静電潜像を反転現像方式によって現像するようにした画像形成装置であって、画質を向上する。 - 特許庁

Based on the length L of the earphone cable 2, a controller 10 controls a reverse bias voltage applied to varactor diode 63 so that the impedance Zp of the earphone cable 2 which is viewed from an output terminal T4 of the variable impedance matching circuit 14 is matched to an input impedance Zin of the tuner 15.例文帳に追加

コントローラ１０は、イヤホンケーブル２の長さＬに基づいて、可変インピーダンス整合回路１４の出力端子Ｔ４から見たイヤホンケーブル２のインピーダンスＺｐをチューナ１５の入力インピーダンスＺｉｎに整合させるように、バラクタダイオード６３に印加する逆バイアス電圧を制御する。 - 特許庁

To provide a pin diode switching circuit capable of being driven by the reverse bias voltage of a low voltage and to also provide the pin diode switching circuit and a pin diode switching method capable of preventing the isolation deterioration of the off side terminal of the pin diode switching circuit even when an RF signal of a high power is applied.例文帳に追加

低電圧の逆バイアス電圧でＰＩＮダイオードスイッチ回路を駆動できると共に、大電力のＲＦ信号が印加された時でもＰＩＮダイオードスイッチ回路のオフ側端子のアイソレーションの劣化を防ぐことができるＰＩＮダイオードスイッチ回路およびＰＩＮダイオードスイッチ方法を提供する。 - 特許庁

A control unit 30 enables reference light R emitted from a reference light generator 25 to impinge on the APD 21 while a reverse bias voltage Vr of zero volt is fed to the APD 21 from a power supply 22, a current I outputted from the APD 21 when the reference light R is incident is measured, and the voltage V(I) corresponding to the current I is stored.例文帳に追加

制御部３０は、電源２２からＡＰＤ２１に０ボルトの逆バイアス電圧Ｖｒを供給した状態で、基準光発生器２５から出射された基準光Ｒを入射させて、そのときのＡＰＤ２１の出力電流Ｉを測定してその電流Ｉに対応した電圧Ｖ（Ｉ）を記憶する。 - 特許庁

In an input/output protective circuit of the semiconductor device with SOI structure, for an external terminal, a unit channel width resistance in a drain resistance of each of a plurality of NMOS transistors which are connected in reverse-bias in parallel is set so that an HBM surge breakdown voltage comparable as the HBM surge breakdown voltage in forward-biased connection is obtained.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体装置の入出力保護回路において、外部端子に対し、各々が並列に逆方向バイアス接続される複数のＮＭＯＳトランジスタそれぞれのドレイン抵抗の単位チャネル幅抵抗値を、順方向バイアス接続時のＨＢＭサージ耐圧と同程度のＨＢＭサージ耐圧が得られるように設定する。 - 特許庁

To provide a tandem type solar cell capable of preventing an occurrence of a short circuit part at the time of manufacturing and repairing the short circuit part by applying a reverse bias voltage, to provide a solar cell module provided with the solar cell, to provide its manufacturing method, and to provide a method for repairing the tandem type solar cell.例文帳に追加

製造時における短絡部の発生が防止されるとともに、逆バイアス電圧の印加による短絡部の修復が可能なタンデム型の太陽電池、それを備えた太陽電池モジュールおよびその製造方法を提供することおよびタンデム型の太陽電池の修復方法を提供することである。 - 特許庁

When judgment is made from these values that the image density is deteriorated and changing of the image forming condition is necessary (step 2), toner flying quantity is increased by increasing the amplitude Vpp of developing bias but at the same time by lowering the reverse contrast voltage Vr, discharge at a gap is prevented while suppressing the toner scattering (step 3).例文帳に追加

これらの値から、画像濃度が低下し画像形成条件の変更が必要と判断したときには（ステップＳ２）、現像バイアスの振幅Ｖｐｐを増加させてトナー飛翔量を増やすが、同時に逆コントラスト電圧Ｖｒを低下させることで、トナー飛散を抑えながらギャップでの放電を防止する（ステップＳ３）。 - 特許庁

A developing unit 2 is moved so as to face a photoreceptor drum 28, and a developing sleeve 5 is rotated in a direction reverse to that at normal developing, the developer is peeled off by the repulsive magnetic field of a magnet 9 in the sleeve, then, in order to remove the residual toner from the sleeve, a developing bias is applied so as to develop the photoreceptor drum with the residual toner.例文帳に追加

現像器２を感光ドラム２８との対向位置に移動し、現像スリーブ５を通常現像時とは逆に回転して、スリーブ内の磁石９の反撥磁界等により現像剤を剥取り、ついでスリーブから残留トナーを除去するために、現像バイアスを印加して残留トナーで感光ドラムを現像する。 - 特許庁

A power supply voltage 11 charges the capacitor 15, for example, during on of the main switching element 1, and voltage stored in the capacitor 15 is used as a reverse bias power supply when the main switching element 1 is turned off to thereby enables a high-speed turning-off operation without using a power supply for negative voltage in particular so that a switching loss can be reduced.例文帳に追加

主スイッチング素子１の例えばオン期間中に、電源電圧１１によりコンデンサ１５を充電し、このコンデンサ１５に蓄積された電圧を、主スイッチング素子１がオフする際の逆バイアス電源として用いることより、特に負電圧用の電源を用いることなく高速なターンオフ動作を可能にし、スイッチング損失の低減化を図る。 - 特許庁

Coupling lines 10 of the dark dot repairing device 1 as an external device are coupled to a signal line DTL, a gate line WSL and a drain line DSL used for driving each pixel 200, and a reverse bias voltage is applied to an organic EL element 112R or the like from the dark dot repairing device 1 through the coupling lines 10.例文帳に追加

各画素２００の駆動に用いられる信号線ＤＴＬ、ゲート線ＷＳＬおよびドレイン線ＤＳＬに、外部機器である滅点修理装置１の連結線１０が連結されており、この連結線１０を介して滅点修理装置１から有機ＥＬ素子１１２Ｒ等に逆バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

A first negative voltage is applied to the first well region to induce a reverse bias higher than a junction withstand voltage between the first well region and the memory electrode near the second gate electrode, so that hot electrons can be injected into the charge storage region (6), and moreover the electrons can be injected into the charge storage region (6) from the well region.例文帳に追加

前記第１ウェル領域に第１負電圧を与え前記第２ゲート電極寄りのメモリ電極との間で接合耐圧以上の逆バイアス状態を形成してホットエレクトロンを電荷蓄積領域に注入可能にされ、また、エレクトロンをウェル領域から電荷蓄積領域に注入可能にされる。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of preventing rear side of a recording medium from becoming dirty by preventing the inadvertent transfer of toner to the recording medium by using a conventional constitution on the premise that a constitution provided with a mechanism for collecting residual toner on a latent image carrier by a reverse polarity bias in a develop ing device is employed.例文帳に追加

現像装置における逆極性バイアスによる潜像担持体上での残存トナーを回収する機構を備えた構成を前提として記録媒体への不用意なトナーの転移を既存構成を利用して防止し、記録媒体への裏汚れを未然に防止できる構成を備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A refresh mode is performed, if necessary, which develops the reversed toner accumulated in the developing device 4, on the image carrier 1 from the developing device 4, and which transfers the reversed toner image developed on the image carrier 1, to a transferred member 71 from the image carrier by applying a transfer bias having the polarity reverse to the normal.例文帳に追加

現像装置４内に蓄積された反転トナーを現像装置４内から像担持体１上に現像し、像担持体１上に現像された反転トナー像を、通常とは逆の極性の転写バイアスを印加することで像担持体上から被転写材７１に転写させるリフレッシュモードを、必要に応じて動作させる。 - 特許庁

In the carrier removing unit, two or more conductive recovering rollers to which bias voltage in a toner pressing direction is applied are made to abut on the toner image holding structural body, and the roller on a processing upstream side is rotated in the same surface moving direction as the toner image holding structural body and the roller on the processing downstream side is rotated in a reverse direction.例文帳に追加

キャリア除去ユニットは、トナー画像保持構造体にトナーを押し付ける方向のバイアス電圧が印加された導電性回収ローラを２つ以上当接させ、そのプロセス上流のローラはトナー画像保持構造体と同一表面移動方向に回転させ、プロセス下流のローラは逆方向に回転させられる。 - 特許庁

A method for measuring impurity distribution of a semiconductor device provided with a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region includes an observation step of acquiring an SEM image of an observation face including the p-type semiconductor region and the n-type semiconduction region while applying a reverse bias voltage to the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region.例文帳に追加

この不純物分布測定方法は、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を備える半導体装置の不純物分布を測定する方法であって、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域に逆バイアス電圧を印加しつつ、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む観察面のＳＥＭ像を取得する観察工程を含む。 - 特許庁

The small drift areas 14' and 14" are so arranged that when a reverse bias is applied between both ends of the p+ area 12 and n+ area 13, excessive electric charges change linearly with the distance from the p+ area 12 to generate excessive electric charges in one small drift area 14" to the other drift area 14'.例文帳に追加

逆電圧バイアスがｐ＋領域１２およびｎ＋領域１３の両端間に印加された場合に、過剰な電荷がドリフト小領域１４”の１つの内に他のドリフト小領域１４’に対して形成されるように、この過剰な電荷はｐ＋領域１２から距離とともにほぼ直線的に変化するように、ドリフト小領域１４’、１４”は配置される。 - 特許庁

When a vapor deposition material is ionized by the plasma beam, collides against the substrate W and is deposited thereon, the kinetic energy on the collision of the ions of the vapor deposition material against the substrate is remarkably relaxed since the electric fields of the potential to be a reverse bias to the hearth are generated in the vicinity of the surface of the substrate W.例文帳に追加

蒸着物質が、プラズマビームによりイオン化され、基板Ｗに衝突し、付着するとき、基板Ｗの表面近傍には、さらにハースに対して逆バイアスとなる電位の電界が生成されているため、蒸着物質のイオンが基板に衝突するときの運動エネルギーは、大きく緩和される。 - 特許庁

A junction between a base and collector of a vertical PNP transistor is used as a diode, and further a reverse bias voltage is applied to between a base and emitter of a parasitic PNP transistor of this PNP transistor, so that the diode in which a leak current is less and a breakdown strength is high is realized without increasing the manufacturing steps.例文帳に追加

縦型ＰＮＰトランジスタのベース・コレクタ間接合部をダイオードとして用い、また、このＰＮＰトランジスタの寄生ＰＮＰトランジスタのベース・エミッタ間に逆バイアス電圧を加えるようにして、リーク電流が少なく耐圧が高いダイオードを、製造工程を追加しなくても実現する。 - 特許庁