「reverse-bias」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Charges generated by the photoelectric conversion elements by the signals of the scattered X-rays are canceled, by applying a reverse bias voltage to the photoelectric conversion elements in the second half part of the off-period of the radiation signal.例文帳に追加

放射線信号がオフとなる期間の後半部分にて光電変換素子に逆バイアス電圧を印加させ、散乱Ｘ線の信号により光電変換素子で発生した電荷をキャンセルする。 - 特許庁

In order to prevent the colored particles, which do not swell or melt at transferring, from transferring to the image supporting medium 11, a reverse bias voltage is applied to a pressurizing roll 9 by means of a power source 20.例文帳に追加

転写時に膨潤・溶解していない着色粒子が画像支持媒体１１へ転移しないように、電源２０を用いて加圧ロール９に逆バイアス電圧を印加する。 - 特許庁

The contamination on the contact part of the intermediate transfer body 2 and bias application member is removed by causing the intermediate transfer body 2 to rotate in the reverse direction to that used for regular image formation.例文帳に追加

さらに、中間転写体２が通常作像時と逆回転することにより中間転写体２とバイアス印加部材の接触部分の汚れを除去する画像形成装置１である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device on which a reverse bias leak current is reduced in a thin film insulated gate field-effect transistor to be used for an active matrix electric optical device, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型電気光学装置に用いる薄膜絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて、逆バイアス時のリ−ク電流を減少せしめた半導体装置とその作製方法を提供する。 - 特許庁

When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加

オフ時にはｐ形有機半導体膜３_２ｐとｎ形有機半導体膜３_１ｎとのｐｎ接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁

The image forming apparatus is provided with a voltage applying means (150A) for applying bias voltage having a reverse polarity to the surface potential of the intermediate transfer body in forming an image by superposing transfer to a part (14 and 152) of a plurality of rollers in a stage other than a transfer stage.例文帳に追加

転写工程以外にて複数のローラの一部（１４、１５２）に対し重ね転写による作像時の中間転写体表面電位と逆極性のバイアス電圧を印加する電圧印加手段（１５０Ａ）を設ける。 - 特許庁

At the time of the operation of the circuit 5, the bonded part of the region 11b to the region 11c is fixed in a state of reverse bias by applying a voltage to an electrode 19 and at the same time, the transistor 11 is brought into an off-state.例文帳に追加

保護回路５の動作時には，電極１９への電圧印加により第２領域１１ｂと第３領域１１ｃとの接合部が逆バイアスの状態に固定されるとともに，トランジスタ１１はオフ状態とされる。 - 特許庁

Under the circumstances, holes in the vicinity of the first base region 12 are promptly extracted upon application of a reverse bias to the voltage across the emitter and the base, and this suppresses the occurrence of a tail current.例文帳に追加

このため、エミッタ−ベース間電圧が逆バイアスされると、第１ベース領域１２近傍の正孔が速やかに引き抜かれ、テール電流の発生が抑えられる。 - 特許庁

Bias voltage having a polarity reverse to that of an electric charge which the image forming medium formed on the transfer material holds is applied to a driving roller 11 provided at a part where the transfer material 9 is peeled from the transfer-carrying belt 10.例文帳に追加

転写材９が転写搬送ベルト１０から剥離する部分に設けた駆動ローラ１１に、転写材上に形成された画像形成媒体が保持する電荷極性と反対極性のバイアス電圧を印加する。 - 特許庁

The spiral domain is suppressed from occurring by setting a long-distance exchange-coupling bias, due to the second antiferromagnetic layer 18, in the direction reverse to the sense current Is.例文帳に追加

第２反強磁性層１８による長距離交換結合バイアスをセンス電流Ｉｓの向きとは逆回転方向に設定することにより、渦巻き状磁区の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide the driving device and a driving method of a passive matrix type display panel, for applying a reverse bias voltage, while reducing the circuit scale of a scanning driver.例文帳に追加

走査ドライバの回路規模を小さくしつつ、逆バイアス電圧の印加も果たすことができるパッシブマトリクス型表示パネルの駆動方法および駆動装置を提供する。 - 特許庁

When the diode is in its reverse bias state, the second p-type region 14 under the n^+-type region 12 has nearly the same voltage as the first n^+-region 12.例文帳に追加

ダイオードが逆バイアス状態にあるとき、Ｎ^＋型領域１２真下の第２のＰ型領域１４はほぼ第１のＮ^＋型領域１２と同一の電圧となる。 - 特許庁

A hot spot inspecting device is provided with an upper probe 320 and a lower probe 330, which are connected to a cell 310, a reverse bias power supply 340, an ammeter 350, a thermo-camera 360 and an analysis device 370.例文帳に追加

本発明に係るホットスポット検査装置は、セル３１０に接続される上プローブ３２０および下プローブ３３０、逆バイアス電源３４０、電流計３５０、サーモカメラ３６０、解析装置３７０を備える。 - 特許庁

By controlling a potential difference (reverse contrast potential difference) between the average potential of developing bias and potential at the non-exposure part of a photoreceptor for carrying an electrostatic latent image, the image is formed with the good image quality while preventing the discharge from occurring.例文帳に追加

現像バイアスの平均電位と、静電潜像を担持する感光体の非露光部電位との電位差（逆コントラスト電位差）を制御して、放電の発生を防止しながら良好な画質で画像を形成する。 - 特許庁

To provide an organic EL panel capable of satisfying apparently conflicting requirements such as reduction of damages to a solid layer which is generated when manufacturing the organic EL panel, and enhancement of rectifying characteristics in a reverse bias direction.例文帳に追加

有機ＥＬパネルを製造する際に生じる固体層へのダメージの低減と、逆バイアス方向の整流特性の向上という、一見すると相反する要求を満たすことができる有機ＥＬパネルを提供すること。 - 特許庁

In a signal writing inversion system, the reverse bias electric potential Vini to be applied on picture image signal wires DTL10-1 to DTL10-N is the electric potential reflecting signal voltage by two fields.例文帳に追加

また、信号書き込み反転方式では、映像信号線ＤＴＬ１０−１乃至１０−Ｎに印加する逆バイアス電位Ｖｉｎｉは、２フィールド分の信号電圧を反映した電位とする。 - 特許庁

Consequently, transferring electric charges to the electric charge detection region within a range of the reverse bias voltages wherein the growth of the depletion layer is slow can solve the task above, because the voltage dependence of the electric charge detection region on its capacitance is small within the range.例文帳に追加

従って、空乏層の伸び方が緩やかな電圧範囲で電荷検出領域への電荷転送を行えば、その範囲では電荷検出領域の容量の電圧依存性が小さいので、上記課題を達成できる。 - 特許庁

Furthermore, an increase in the number of power supplies is suppressed by making the potential for the reverse direction bias and the power supply potential for a source signal line driving circuit or a gate signal line driving circuit to be common.例文帳に追加

また、逆方向バイアス時の電位をソース信号線駆動回路あるいはゲート信号線駆動回路の電源電位と共通化することで、電源数の増加も抑えることが出来る。 - 特許庁

In an OLED image display element, a switching transistor is provided for every pixel and a reverse bias is applied to the OLED during an off interval of the transistor.例文帳に追加

ＯＬＥＤ画像表示素子において、１画素に１スイッチトランジスタを設け、スイッチトランジスタのオフ期間にＯＬＥＤに逆バイアスを印加する駆動方法とした。 - 特許庁

As the result, the voltage of unit cells subject to light radiation is applied to one unit cell with light blocked as a reverse bias voltage.例文帳に追加

この結果、光が照射されているすべてのユニットセルの電圧が、光が遮断されている１つのユニットセルに逆バイアス電圧として印加される。 - 特許庁

By moving the blocking plate 14, the reverse bias voltage is applied to the other unit cells sequentially, and minute defects in each cell can be removed consequently.例文帳に追加

遮断板１４を移動させることにより、逆バイアス電圧が順次他のユニットセルへ移動して印加されていき、この逆バイアス電圧により各ユニットセルのすべての微小欠陥部を除去する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing an SiC Schottky barrier diode which can suppress an increase in leakage current at the time of a reverse bias without generating surface roughness.例文帳に追加

表面荒れを発生させることなく、逆方向のバイアス時にリーク電流の増加を抑制できるSiCショットキバリアダイオードの製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

The solid component electrically stuck is electrically peeled from the surface of the printing member by applying bias voltage having a polarity reverse to that of developer by an electrically stuck material peeling part 3.例文帳に追加

電気的に固着した固形成分を、電気的固着物剥離部３により現像剤と逆極性のバイアス電圧を加えることで、電気的に印刷部材表面から剥離させる。 - 特許庁

To solve problems of a convertional nonlinear distortion compensation circuit that has had difficulties in realizing a small change in the characteristic because of bias fluctuation and dispersion in components in a highly accurate reverse characteristic in a power amplifier in the case of adopting a simple circuit configuration.例文帳に追加

簡易な回路構成の場合には、バイアス変動や素子ばらつき等による特性の変化が小さく、かつ電力増幅器の逆特性を精度良く実現することが困難である。 - 特許庁

In response to that the respective IGBTs 30, 31 are turned off, thyristor-off circuits 40-41, 45-47 reverse-bias the thyristors 22-27 under the on-condition, and turn off them.例文帳に追加

サイリスタオフ回路４０〜４１，４５〜４７は、各ＩＧＢＴ３０，３１がオフ状態になったことに応答して、オン状態のサイリスタ２２〜２７に逆バイアスを加え、これをオフ状態にする。 - 特許庁

To correct variance in a threshold voltage of a driving transistor by effectively avoiding destruction of a light emitting element due to a reverse bias, regarding an image display device wherein a self-luminous element is driven by a driving transistor.例文帳に追加

本発明は、駆動トランジスタで自発光素子を駆動する画像表示装置に関して、逆バイアスによる発光素子の破壊を有効に回避して、駆動トランジスタのしきい値電圧のばらつきを補正する。 - 特許庁

To provide a light-emitting display panel driving apparatus, capable of effectively prolonging the lifetime of a light-emitting element by applying a reverse bias corresponding to the forward voltage of an organic EL element, to the light-emitting element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の順方向電圧に対応した逆バイアスを印加することで、発光素子の寿命を効果的に延ばせる発光表示パネルの駆動装置を提供する。 - 特許庁

With this constitution, and elongation of a depletion layer in a glass junction plane of the n-type substrate 1 can be reduced, when a reverse-bias voltage is applied and dangling bonds can be reduced, so that dielectric strength can be improved, and further, a leakage current can be reduced.例文帳に追加

これによって、逆バイアス印加時にｎ型基板１のガラス接合面の空乏層の伸びを減少させることで、ダングリングボンドの低減が可能となり、高耐圧でかつリーク電流の低減を図ることができる。 - 特許庁

A part of the current from the constant-current sources IX1-IXn is prevented from flowing into the supply source VM of the reverse bias voltage via the parasitic capacity of the EL element of a non-scanning state due to the existence of the constant-current circuit IYO.例文帳に追加

定電流回路ＩＹ０の存在により、非走査状態のＥＬ素子の寄生容量を介し、定電流源ＩＸ１〜ＩＸｎからの電流の一部が逆バイアス電圧の供給源ＶＭ に流入するのが阻止される。 - 特許庁

In the receiving condition, the predetermined electrical signal is outputted depending on the optical signal received with the optical element 33 through application of a reverse bias voltage to the same optical element 33.例文帳に追加

受信状態においては、同一の光素子３３に逆バイアス電圧を印加して、光素子３３で受信された光信号に応じた所定の電気信号を出力させる。 - 特許庁

A transfer current bypass switch 25 is turned on according to the current of the secondary side of the transformer 50, which is detected by a transfer output current detection unit 24 and a reverse-bias discharge resistance 20 is short-circuited.例文帳に追加

転写用出力電流検出部２４により検出されたトランス５０の２次側の電流に基づいて、転写電流バイパス用スイッチ２５をオンして、逆バイアスディスチャージ抵抗２０を短絡する。 - 特許庁

As a result, without having to temporarily turn on each TFT connected with the scanning line in the unselected status, the leakage current by a reverse bias voltage is reduced, and display image quality is improved.例文帳に追加

この結果、非選択状態にある走査線に接続された各ＴＦＴを一時的にオンするこなく、かつ逆バイアス電圧によるリーク電流を低減することができ、表示画像の品質を向上させることができる。 - 特許庁

As a method where a reverse bias is applied to a transfer means, toner is transited to an intermediate transferring belt 1, and the rear side of the intermediate transfer belt 1 is cleaned, an elastic blade is used.例文帳に追加

転写手段に逆バイアスを加えてトナーを中間転写ベルト１に移行させ、中間転写ベルト１の裏面を清掃する方法として弾性ブレードを用いる。 - 特許庁

To increase luminous energy of a parallel beam to enhance an S/N ratio, to secure a sufficient reverse bias, to restrain a battery from being heated or consumed, and to attain high sensitivity.例文帳に追加

平行光の光量を増大してＳ／Ｎの向上、十分な逆バイアスの確保、発熱やバッテリ消耗の抑制を図り、高感度化を達成し得る電界検出光学装置を提供する。 - 特許庁

To totally remove a reverse-direction current and to minimize the bias current of a protection circuit by using an additional MOS transistor to switch off a second DMOS protection transistor during the period under 'below ground' condition.例文帳に追加

「接地より下」発生又は偶発的接地切断の過渡的期間中における逆方向電流をほぼ完全に除去すると共に保護回路のバイアス電流を最小とさせる。 - 特許庁

The drive parts 11, 12, 13, 20 apply reverse bias to a control terminal of the drive transistor within a non-emission period when drive current is not supplied to the self-light emission elements.例文帳に追加

駆動部１１，１２，１３，２０は、自発光素子に駆動電流が供給されない非発光期間内に駆動トランジスタの制御端子に逆バイアスを印加する。 - 特許庁

A moving cam member 47 is energized in reverse directions by the spring 45 made of the shape memory alloy, and a bias spring 46, and the opening/closing adjustment of a ventilation opening corresponding to the environmental temperature is made by the balance of both springs.例文帳に追加

形状記憶合金製のスプリング４５とバイアススプリング４６によって移動カム部材４７を互いに逆方向に付勢し、両スプリングのバランスにより、環境温度に応じた換気口の開閉調節を行う。 - 特許庁

The dark current, which tends to increase due to the thicker depletion layer, is absorbed in the substrate 1 side by applying a reverse bias between the substrate 1 and the semiconductor layer 2.例文帳に追加

空乏層の厚化によって増加傾向となる暗電流は、基板１と半導体層２との間には逆バイアスを印加することで、基板１側に吸収する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element driving circuit in which an application of a reverse bias is realized while hardly increasing power consumption and layout space.例文帳に追加

消費電力の増加やレイアウトスペースの増大をほとんど伴わずに逆バイアスの印加を実現できる有機エレクトロルミネッセンス素子駆動回路を実現する。 - 特許庁

The coupling means includes a bias scanner 6, inputs a reverse-directional coupling voltage to a connection node S in advance to the mobility correcting operation, and sets thereby the light emitting element EL in the off-state.例文帳に追加

カップリング手段はバイアススキャナ６を含み、移動度補正動作に先たって接続ノードＳに逆方向のカップリング電圧を入力し、以って発光素子ＥＬをオフ状態におく。 - 特許庁

When paper ending is dissolved (Y in step 5), reverse transfer preventing bias is applied to a primary transfer roller (step 8), so that the full color toner image is made to pass through and secondarily transferred to transfer paper (step 10).例文帳に追加

ペーパーエンドが解消されると（ステップ５でＹ）、一次転写ローラに逆転写防止バイアスを印加し（ステップ８）、フルカラートナー像を通過させ、転写紙への二次転写を行う（ステップ１０）。 - 特許庁

Therefore, when a reverse bias is applied to the PN junction region, backward breakdown voltage does not change because current becomes hard to flow in an outer periphery of the pn junction region.例文帳に追加

従って、逆方向バイアスがＰＮ接合領域に印加されたとき、ＰＮ接合領域の外周部には電流が流れ難くなり、逆方向耐圧が変動することがない。 - 特許庁

The driver transistor 3 of a source follower constituting a board bias circuit is formed within a board 11 and a reverse conductive type well 13, and the source of the driver transistor is connected with the well 13.例文帳に追加

基板バイアス回路を構成するソースホロワのドライバトランジスタ３が、基板１１と逆導電型のウェル１３内に形成され、ドライバトランジスタのソースがウェル１３に接続される。 - 特許庁

Also, a non-scanning selection potential (a reverse bias voltage to a light emitting element) VKH is supplied to the plurality of scanning lines which are not to be scanned in the scanning lines via one resistor element R1.例文帳に追加

一方、前記各走査線のうち走査対象外の複数の走査線に対して、１つの抵抗素子Ｒ１を介してそれぞれ非走査選択電位（発光素子に対する逆バイアス電圧）ＶＫＨが供給されるように構成されている。 - 特許庁

Then, a voltage clamping means 10 is arranged for a power source circuit 5 to apply a reverse bias voltage VM to each light emitting element connected with the scanning line with respect to the scanning lines in non-scanning state.例文帳に追加

そして、非走査状態の走査線に対して当該走査線に接続された各発光素子に対し逆バイアスＶM を印加させる電源回路５には電圧クランプ手段１０が配置されている。 - 特許庁