「reverse-bias」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To enhance the breakdown voltage of a semiconductor device having a crystal dielectric film of perovskite structure between the electrodes by reducing leak current in a reverse bias region while sustaining a unit capacity.例文帳に追加

電極間にペロブスカイト構造を有する結晶性誘電体膜を備えた半導体装置において、単位容量を維持しつつ、逆バイアス領域でのリーク電流を低減して耐圧を向上させることを可能とする。 - 特許庁

Next, by applying transfer reverse bias in such timing that the formed toner image passes through the transfer part of the CRG, the toner image is removed from the belt 6 (S605).例文帳に追加

次に、形成したトナー像がＣＲＧの転写部を通過するタイミングで転写逆バイアスを印加することによってトナー像をベルト６上から除去する（Ｓ６０５）。 - 特許庁

The photo diodes are reset applying a reverse bias voltage to the pixels and the current is detected by measuring a current flowing through resistors connected in parallel with the selected photo diodes.例文帳に追加

フォトダイオードは、逆バイアス電圧を印加することによってリセットされ、電流は、選択されたフォトダイオードに並列接続の抵抗を流れる電流を測定することにより検出される。 - 特許庁

The energizing element 20 energizes between a node ND4 and the node ND5 only when a reverse bias is applied to the Zener diode 7 and the Zener diode 7 breaks down.例文帳に追加

ツェナーダイオード７に逆方向バイアスが加えられ、ツェナーダイオード７が降伏する時だけ、通電素子２０は、ノードＮＤ４とノードＮＤ５との間を通電する。 - 特許庁

The optical signal is input to a photo diode 5 to which a reverse bias voltage is applied, and a microwave electric signal is output from the photo diode 5.例文帳に追加

逆バイアス電圧を印加したフォトダイオード５に上記光信号を入力し、フォトダイオード５からマイクロ波電気信号を出力する。 - 特許庁

Since residual carriers in an emission layer migrate when a voltage having a reverse bias polarity is applied, the organic EL element is in a state having no residual carriers when it is lighted.例文帳に追加

逆バイアス極性の電圧を印加すると、発光層の残留キャリアが移動するので、有機ＥＬ素子は点灯する際に残留キャリアがない状態となる。 - 特許庁

A bias capacitor 18 is connected in parallel between both sides of the first diode 16 through a second diode 17 in the reverse direction of the first diode 16.例文帳に追加

第１のダイオード１６と逆方向の第２のダイオード１７を通して第１のダイオード１６の両端にバイアス用コンデンサ１８を並列接続する。 - 特許庁

A part where the carrier injection electrode 16 exists operates as a gain area 19 and a part where the reverse bias application electrode 17 exists as a loss area 20 where an absorption spectrum can be controlled with such structure.例文帳に追加

本構造により、キャリア注入用電極１６の存在する部分が利得領域１９として、逆バイアス印加用電極１７が存在する部分が吸収スペクトルを制御可能な損失領域２０として、それぞれ働く。 - 特許庁

In the recovery mode, the electrification bias voltage of the electrifying roller 2 is set as 0V, and the toner electrification control member 6 and the flicker member 200 are reciprocatively driven with the reverse phase and the same amplitude.例文帳に追加

復帰モードでは、帯電ローラ２の帯電バイアス電圧を０Ｖとし、トナー帯電量制御部材６とフリッカ部材２００とを逆位相同振幅にレシプロ駆動させる。 - 特許庁

The Zener diode 16 has its cathode connected to a power supply via the resistor R1 so that the supply voltage Vcc may be applied in a reverse bias direction.例文帳に追加

ツェナーダイオード１６は、電源電圧Ｖｃｃが逆バイアス方向に印加されるように、カソードが抵抗Ｒ１を介して電源に接続される。 - 特許庁

In case a defect of leak is found at the organic EL display, it can be remedied by impressing reverse bias between the transparent first electrode 40 and the second electrode 70.例文帳に追加

この有機ＥＬディスプレイにリークの欠陥がある場合は、透明な第１の電極４０と第２の電極７０との間に逆バイアスを印加することで、リークは修復される。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device and an imaging system in which a substrate bias can be supplied from a top surface of a semiconductor substrate to a semiconductor region on the reverse surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面から半導体基板の裏面側の半導体領域へ基板バイアスを供給することができる光電変換装置及び撮像システムを提供する。 - 特許庁

The protective diodes 9a, 9b, and 9c are each composed of a reverse bias diode element constituted by connecting two MIS type diodes, having drains or sources and gates of MIS type semiconductor elements connected, reversely in parallel.例文帳に追加

保護ダイオード９ａ、９ｂ、９ｃは、ＭＩＳ型の半導体素子においてドレインあるいはソースとゲートを接続させてなる２つのＭＩＳ型ダイオードを逆向きに並列接続した逆バイアスダイオード素子からなる。 - 特許庁

As reverse bias voltages are applied to the diodes 9 and 10 and currents are not applied to the diodes 9 and 10, the capacitors 6-8 are connected in parallel with the switch 3 and a resistor 5.例文帳に追加

このとき、ダイオード９およびダイオード１０は逆バイアスとなって電流が流れないので、コンデンサ６乃至コンデンサ８は、スイッチ３と抵抗５に対して、並列に接続される。 - 特許庁

A voltage limit circuit 20 has a structure in which two Zener diodes 21 and 22 are connected in series in a reverse bias direction and limits a voltage applied to the second pad 32 to a predetermined clamp voltage.例文帳に追加

電圧制限回路２０は、２つのツェナーダイオード２１及び２２を直列に逆バイアス方向で接続した構成であり、第２のパッド３２に印加される電圧を所定のクランプ電圧に制限する。 - 特許庁

The reverse bias voltage Vb(G) of a fixed value, which is larger than a Zener voltage Vz, is given to the selected Zener diode 11(G), and the white noise signal 11 is generated.例文帳に追加

雑音発生装置１０は選別したツェナーダイオード１１（Ｇ）にツェナー電圧Ｖｚよりも大きい固定値の逆バイアス電圧Ｖｂ（Ｇ）を与えて白色雑音信号１１ａを発生する。 - 特許庁

To provide a PIN diode in which breakage by the application of reverse direction bias equal to or higher than an avalanche breakdown voltage is prevented and loss is reduced by improving avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量を向上させることにより、アバランシェ降伏電圧以上の逆方向バイアスの印加による破損を抑制し、低損失化を実現させたＰＩＮダイオードを提供する。 - 特許庁

The reverse biasing is performed, for example, by applying bias voltage to the source 11 or by connecting a diode 27, a resistor 29 or other impedance in series to the source 11.例文帳に追加

逆バイアスは、例えば、ソース１１にバイアス電圧を印加するかもしくはソース１１に直列にダイオード２７、抵抗２９もしくは他のインピーダンスを接続して行われる。 - 特許庁

Levels of the reverse bias voltages applied here are different in three stages according to positions from current sources 13_1 to 13_256 to be applied with the voltages.例文帳に追加

このとき印加される逆バイアス電圧のレベルは、電圧印加対象の陰極線の電流源１３_１〜１３_２５６からの位置に応じて３段階に異なった状態とされる。 - 特許庁

To effectively apply a reverse bias voltage to an EL element in an active matrix type EL display device without lowering its illumination time rate.例文帳に追加

アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、点灯時間率を低下させることなく、ＥＬ素子に対して効果的に逆バイアス電圧を印加することができるように構成すること。 - 特許庁

In one embodiment, this electric field is established by applying a reverse-bias voltage VRB between the facet degradation reduction electrode 50 and the reference electrode 32.例文帳に追加

一実施例において、端面劣化低減電極５０と照合電極３２との間に逆方向バイアス電圧Ｖ_RBを印加することによって、このような電界が確立される。 - 特許庁

When the reverse bias voltage needs to be switched, switching is performed in an inter-burst gap, before the reception start scheduled time of the next optical signal.例文帳に追加

逆バイアス電圧の切替が必要な場合、その切替は、次の光信号の受信開始予定時刻より前の、バースト間ギャップにおいて行われる。 - 特許庁

The reverse electrified toner is discharged onto the photoreceptor drum during the period other than image formation period by applying a prescribed discharge bias to the brush roll.例文帳に追加

この逆帯電トナーは、ブラシローラに所定の放出バイアスを印加することで、画像形成時以外のときに感光体ドラム上に放出される。 - 特許庁

A wiring layer 35 is laid under an emitter electrode wiring layer 33, and a voltage corresponding to a reverse-bias voltage applied to a collector diffused layer 27 is applied to a wiring layer 35.例文帳に追加

エミッタ用電極配線層３３の下に配線層３５を敷設し、コレクタ拡散層２７に印加される逆バイアス電圧に応じた電圧を配線層３５に印加する。 - 特許庁

To provide a device and a method for driving a self-luminous display panel for effectively impressing reverse bias voltage to an EL element without lowering lighting time ratio.例文帳に追加

点灯時間率を低下させることなく、ＥＬ素子に対して効果的に逆バイアス電圧を印加することのできる自発光表示パネルの駆動装置および駆動方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce the cost of a permanent magnet for applying magnetic reverse bias, and to decrease reluctance without varying the thickness of the permanent magnet and without worsening the yield of manufacture easily.例文帳に追加

磁気逆バイアスをかけるための永久磁石のコストを低減することができ、また永久磁石の厚みを変えずに、簡単にかつ製造上の歩留まりを悪化させることなく、磁気抵抗を小さくすることができるようにする。 - 特許庁

To provide a display device capable of suppressing the generation of a luminance slope in the case of executing charge utilizing precharge operation from an anode or a reverse bias voltage from a cathode to the parasitic capacity of a display element.例文帳に追加

表示素子の寄生容量に陽極からのプリチャージ動作または陰極からの逆バイアス電圧を利用した充電を実行する場合において、輝度傾斜の発生を抑制することができる表示装置を提供すること。 - 特許庁

This is a power semiconductor driving circuit equipped with the pulse transformer with no intermediate terminal in the secondary winding, a capacitor for the reverse bias and a Zener diode connected to the capacitor in parallel.例文帳に追加

二次巻線に中間端子を有しないパルストランスと、逆バイアス用コンデンサと、コンデンサに並列接続されるツェナーダイオードを備えたパワー半導体駆動回路。 - 特許庁

A precharge employing a reverse bias voltage VM is executed for the parasitic capacitors of light emitting elements arranged in a light emitting panel 1 prior to a lighting control.例文帳に追加

発光表示パネル１に配列された発光素子は、点灯制御に先立って発光素子の寄生容量に対して逆バイアス電圧ＶM を利用したプリチャージが実行される。 - 特許庁

To effectively prevent a light emission from failing even when a defective part where a relatively large leak current flows during reverse bias voltage application is present on a simple matrix type display panel side to be driven.例文帳に追加

駆動対象の単純マトリクス型表示パネル側に、逆バイアス電圧印加時に比較的大きなリーク電流が流れる不良箇所が存在する場合でも、発光不良が発生する事態を効果的に防止すること。 - 特許庁

Thus, when a breakdown voltage is applied as a reverse-bias voltage, a depletion layer is stopped in the N cathode buffer layer 4 and is prevented from reaching the N^+ cathode layer 3, thereby suppressing leakage current.例文帳に追加

それによって、逆バイアス電圧として耐圧が印加されたときに、空乏層をＮカソードバッファ層４の途中で止め、空乏層がＮ^+カソード層３に到達するのを防ぎ、漏れ電流を抑制する。 - 特許庁

Furthermore, a conventional silicon diode D3 connects in series with the diode D2 via a resistive element R2 to deeply apply a reverse bias of the diode D1 at the time of a strong input.例文帳に追加

又、ダイオード(D2)と直列に抵抗素子(R2)を介して汎用シリコンダイオード(D3)を接続し、強入力時においてダイオード(D1)の逆バイアスを深くかけるようにした。 - 特許庁

To provide a driving device for active matrix type light emitting panel, capable of effectively applying a reverse bias voltage to each EL element of a light emitting panel.例文帳に追加

発光パネルの各ＥＬ素子に効果的に逆バイアス電圧を印加させることができるアクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置を提供する。 - 特許庁

The concentration distribution in a p-clad layer is measured by finding the relation between the reverse bias voltage and the depletion layer capacity immediately below the Schottky electrode 108.例文帳に追加

逆バイアス電圧とショットキ電極１０８直下の空乏層容量との関係を求めることにより、Ｐクラッド層中の不純物濃度分布を測定する。 - 特許庁

In a normal operation in which static discharge does not occur, a capacitance reduction circuit maintains reverse bias in the electrostatic protection diode so that the capacitance of the diode is lower than a predetermined value.例文帳に追加

静電放電が起きない通常動作時には、容量削減回路が静電保護ダイオード内の逆バイアスを維持して、ダイオードの容量が所定値より低くなるようにする。 - 特許庁

A metal cylinder 1 is partitioned into a plurality of layers, mercury 2 and semiconductor 3 are partitioned alternately, so that an reverse bias portions of semiconductor 3 are straddled over with a lead wire 4.例文帳に追加

金属製の筒１を複数の層に区切り水銀２と半導体３を交互に区分けし、半導体３の逆方向バイアス部を導線４でまたぐようにつなぐ。 - 特許庁

To excellently recover deterioration by irradiated light by the applying reverse bias voltage in a power converting device for solar power generation wherein a bypass diode is parallel-connected to a solar battery module.例文帳に追加

太陽電池モジュールにバイパスダイオードが並列接続されている太陽光発電用電力変換装置においても逆バイアス電圧印加による光劣化回復を良好に行う。 - 特許庁

Furthermore, the contamination of the device when the reverse bias is applied is prevented by preventing from containing an ion with high mobility such as Li, Na contained in a negative electrode as much as possible.例文帳に追加

また、陰極に含まれるＬｉ、Ｎａといった可動性の高いイオンを極力含まないようにして、逆バイアスをかけたときのデバイスの汚染を防止する。 - 特許庁

To a cathode line C1 to which cathode sides of EL elements 14 arrayed corresponding to scanning lines A1 are connected in common, a forward voltage or the reverse bias voltage based upon the voltage level of a common anode 16 is applied.例文帳に追加

走査ラインＡ１ に対応して配列されたＥＬ素子１４の陰極側を共通接続する陰極ラインＣ１ には、共通陽極１６の電圧レベルを基準とした順方向電圧、または逆バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

To provide electrophotographic equipment for preventing soil of the reverse of a recording sheet caused by rise and decay of electrification and developing bias in the two-component developing electrophotographic equipment using a transfer roller.例文帳に追加

転写ローラーを用いる２成分現像方式の電子写真装置であって、帯電及び現像バイアスの立ち上がり立ち下がりが原因で発生する記録紙裏汚れを防止した電子写真装置を提供する。 - 特許庁

A cathode board 1 and an anode board 2 are arranged by facing each other in a depressurized atmosphere with an activation gas introduced therein, and a reverse bias voltage is applied to the cathode conductor 12 and an anode conductor 22.例文帳に追加

カソード基板１とアノード基板２を、活性化ガスを導入した減圧雰囲気中に対向させて配置し、カソード導体１２とアノード導体２２に逆バイアス電圧を印加する。 - 特許庁

As input-related terminals experience switching related voltages, the bias selectors select alternate terminals to continue selection of the highest voltage available and provide correct reverse biasing conditions.例文帳に追加

入力に関連する端子が関連する電圧を切り換えられると、バイアスセレクタは、別の端子を選択し、引き続き利用可能な最高電圧を選択して正しい逆バイアス条件を提供する。 - 特許庁

A photodiode PD is connected in reverse bias with the connection node (input node) IN of the switching element TG for receiving input and the input section inverter INV_1.例文帳に追加

入力受付用スイッチング素子ＴＧと入力部インバータＩＮＶ_１との接続ノード（入力ノード）ＩＮにフォトダイオードＰＤを逆バイアス接続する。 - 特許庁

To apply a reverse bias voltage to a semiconductor switching device using a minimum circuit configuration, without impairing the advantages of a charge pump drive system using small-sized and low-cost drive circuit configuration.例文帳に追加

小型でかつ安価な駆動回路構成というチャージポンプ駆動方式の利点を損なわずに最小の回路構成で半導体スイッチング素子に逆バイアス電圧が印加できるようにすること。 - 特許庁

When reverse bias is applied the cathode region 64 and the anode region 66, a light-receiving semiconductor region 72 as the i layer between the cathode region 64 and the anode region 66 is made into depletion.例文帳に追加

カソード領域６４とアノード領域６６とを逆バイアスすると、カソード領域６４及びアノード領域６６の間のｉ層である受光半導体領域７２が空乏化される。 - 特許庁