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second layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21457



例文

The compound semiconductor device 1 includes a compound semiconductor layer 10 (a second compound semiconductor layer 12) to which a source region 21 and a drain region 25 are formed; and a source electrode 22 and a drain electrode 26 formed respectively corresponding to the source region 21 and the drain region 25.例文帳に追加

化合物半導体装置1は、ソース領域21およびドレイン領域25が形成される化合物半導体層10(第2化合物半導体層12)と、ソース領域21およびドレイン領域25にそれぞれ対応して形成されたソース電極22およびドレイン電極26とを備える。 - 特許庁

In place of the above structure, a first layer containing the ammonia adsorbing material A and a NOx reduction catalyst in a mixed state, and a second layer containing a hydrolysis catalyst are coated in this order on the surface of the carrier 18A of the NOx reduction catalytic converter 18.例文帳に追加

また、このような構成に代えて、NOx還元触媒コンバータ18の担体18Aの表面に、アンモニア吸着材及びNOx還元触媒が混合状態で含有される第1の層と、加水分解触媒が含有される第2の層と、をこの順番でコーティングする。 - 特許庁

The coating process comprises the steps of providing a substrate 22 having a first modulus of elasticity, depositing a layer 26 of a material having a second modulus of elasticity less than the first modulus of elasticity onto the substrate, and depositing a coating 24 over the material layer 26.例文帳に追加

該コーティング方法は、第1の弾性率を有する基体22を設けるステップと、第1の弾性率よりも小さい第2の弾性率を有する材料の層26を基体上に堆積させるステップと、その材料の層26全体にわたってコーティング24を堆積させるステップと、からなる。 - 特許庁

A power module according to the present invention comprises a surface side solder layer 45 formed between a surface electrode 25 and a second electrode pad 5a of a semiconductor element 20, and a rear face side solder layer 43 formed between a back electrode 23 and a first electrode pad 3a.例文帳に追加

本発明に係るパワーモジュールでは、半導体素子20の表面電極25と第2電極パッド5aとの間に表面側半田層45が形成され、半導体素子20の裏面電極23と第1電極パッド3aとの間に裏面側半田層43が形成されている。 - 特許庁

例文

A metal oxide layer 18 is formed on a deposited underlying metal layer 16 using an anode oxidation procedure, a second metal 20 is deposited thereon and planarized by chemical mechanical polishing or other procedure to fabricate a metal/insulator/metal capacitor structure in a semiconductor substrate.例文帳に追加

堆積した下地金属層16上で陽極酸化手順を使用し、金属酸化物層18を形成し、引き続いて第2金属20を堆積し、化学的機械的研磨または他の手順によって平坦化することによって金属・絶縁物・金属キャパシタ構造を半導体基板内に形成する。 - 特許庁


例文

The liquid crystal aberration correction device 4 corrects wave aberration of a light beam advancing to the objective lens, and has a liquid crystal molecule layer 24, a first electrode pattern 41-45 arranged on one surface of the liquid crystal molecule layer and a second electrode pattern arranged on the other surface thereof.例文帳に追加

対物レンズに向かう光線の波面収差を補正する液晶収差補正装置4であって、液晶分子層24と、液晶分子層の一方の面に備えられた第1の電極パターン41〜45と、他方の面に備えられた第2の電極パターンとを有する。 - 特許庁

A flexible printed wiring board 1 is provided with a first polyimide system resin layer 3 to support a copper foil on one surface of the copper foil 2 patterned corresponding to the circuit, and a second polyimide system resin layer 5 to coat and protect the circuit on the other surface of the copper foil 2.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板1は、回路に応じてパターニングされた銅箔2の一方の面に銅箔2を支持する第1のポリイミド系樹脂層3が形成されるとともに、銅箔2の他方の面に上記回路を被覆して保護する第2のポリイミド系樹脂層5が形成されてなる。 - 特許庁

The quantum semiconductor device comprises a first quantum dot (13), a semiconductor crystal layer (15) which covers the first quantum dot, a nano hole (16) positioned directly above the first quantum dot in the semiconductor crystal layer, and a second quantum dot (18) positioned above the nano hole.例文帳に追加

量子半導体デバイスは、第1の量子ドット(13)と、前記第1の量子ドットを覆う半導体結晶層(15)と、前記半導体結晶層において前記第1の量子ドットの直上に位置するナノホール(16)と、前記ナノホール上に位置する第2の量子ドット(18)を有する。 - 特許庁

At least one dielectric layer is provided, capacitor electrodes are mutually reversely arranged in a first area in two sides of the dielectric layer, and two reversely arranged planar windings are arranged in at least one second area adjacent to the first area.例文帳に追加

少なくとも1つの誘電体層を具え、前記誘電体層の2つの側面において、キャパシタ電極を第1領域において互いに反対に配置し、前記第1領域の隣の少なくとも1つの第2領域において、2個の反対に配置された平面巻線を配置した。 - 特許庁

例文

The production of the air bridge 100 includes a step that performs first local etching being selective so that the sub-collector layer is etched in a horizontal direction under the bridge, and a step that performs second local etching being selective so that at least the collector layer is etched in a vertical direction.例文帳に追加

エアブリッジ100の作成がブリッジの下で、サブコレクタ層を横方向にエッチングするように選択的である第1の局所エッチングを実施するステップと、ブリッジの下で、少なくともコレクタ層を縦方向にエッチングするように選択的である第2の局所エッチングを実施するステップとを含む。 - 特許庁

例文

In boron-halogen plasma for selectively etching at least two materials, the etching speed of a first material is reduced to approximately zero by depositing a protective BxNy layer on the surface of the first material, and thus, deposition of the BxNy layer on a second material can be avoided.例文帳に追加

少なくとも2つの材料を選択的にエッチングするためのホウ素−ハロゲンプラズマであって、第1材料のエッチング速度は、第1材料の表面に保護BxNy層を堆積することでほぼゼロまで減じられ、第2材料へのBxNy層の堆積が避けられる。 - 特許庁

Upon manufacturing the catalyst layer, the catalyst layer is manufactured by a first process for heat-treating the mixture of the catalyst powder and fluoride resin, a second process for crushing the acquired calcined object, and a third process for film-making and drying up after mixing the crushed calcined powder and ionomer solution.例文帳に追加

触媒層を製造するに際し、触媒粉末とフッ素樹脂との混合物を熱処理する第1工程と、得られた焼成体を粉砕する第2工程と、粉砕焼成粉末とイオノマー溶液とを混合した後、製膜、乾燥する第3工程により製造した。 - 特許庁

The multilayered photoelectric transfer device has a lamination structure, which comprises (a) a first photoelectric transfer layer having a titanium oxide coating electrode, electrolyte and paired electrodes; and (b) a second photoelectric transfer layer having a positive and negative electrode on both faces of a silicon substrate having a p-n junction.例文帳に追加

(a)酸化チタン被着電極、電解質および対電極部を有する第一の光電変換層と、(b)p−n接合を有するシリコン基板の両面に正負電極部を有する第二の光電変換層との積層構造を有する多層型光電変換装置。 - 特許庁

Reflection of light by at least either of the reflecting interface 16, 17 is so set in conditions of strengthening or weakening against a central wavelength of an emission spectrum of the first light-emitting layer 13a and a central wavelength of an emission spectrum of the second light-emitting layer 13b in shifting interference wavelengths.例文帳に追加

反射界面16、17による光の反射のうちの一方が、第1の発光層13aの発光スペクトルの中心波長および第2の発光層13bの発光スペクトルの中心波長に対して干渉波長をずらしながら、強め合う条件および弱め合う条件に設定する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a first source/drain diffusion layer (11), a second source/drain diffusion layer (12), two electrically insulated charge storage layers (21) formed on a channel region, and two electrically insulated gate electrodes (13, 14).例文帳に追加

第1ソース/ドレイン拡散層(11)と、第2ソース/ドレイン拡散層(12)と、チャネル領域の上に構成され、電気的に絶縁される二つの電荷蓄積層(21)と、電気的に絶縁された二つのゲート電極(13、14)とを具備する不揮発性半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element 100 including an organic photoelectric conversion layer 102 between a first electrode 101 and a second electrode 104, the purity measured by liquid chromatography of a material used to form the photoelectric conversion layer 102 is ≥96.5%.例文帳に追加

第1の電極101と第2の電極104との間に有機光電変換層102を備える光電変換素子100であって、有機光電変換層102の形成に用いる材料の液体クロマトグラフィを用いて測定した純度が、96.5%以上とする。 - 特許庁

A laminated dielectric filter is provided with a strip line resonator L1 consisting of an inductor 2 consisting of a plurality of dielectric layers, at least first and second strip line conductor layers 13, 16 and ground conductor layers 22, 25, a conductor layer 30a for wavelength reduction, and an input/ output conductor layer 28.例文帳に追加

積層型誘電体フィルタは、複数の誘電体層から成る誘導体2と少なくとも第1及び第2のストリップライン導体層13,16とグランド導体層22,25とから成るストリップライン共振器L1、波長短縮用導体層30a及び入出力導体層28を具備している。 - 特許庁

The wavelength conversion element 20A includes: the substrate 1 for wavelength conversion; a first conductive layer 6A formed so as to contact the +Z surface 1a of the substrate 1 for wavelength conversion; and a second conductive layer 6B formed so as to contact the -Z surface 1b of the substrate 1 for wavelength conversion.例文帳に追加

波長変換素子20Aは、波長変換用基板1、波長変換用基板1の+Z面1aに接触するように形成された第一の導電層6A、および波長変換用基板1の−Z面1bに接触するように形成された第二の導電層6Bを備えている。 - 特許庁

The first optical compensation element 1 compensates wavelength dependence of the rotary polarization angle of polarized light passing through the liquid crystal layer 12 in a black display state and the second optical compensation element 2 compensates wavelength dependence of the ellipticity of the polarized light passing through the liquid crystal layer 12 in the black display state.例文帳に追加

第1の光学補償素子1は、黒表示状態において液晶層12を通過する偏光の旋光度の波長依存性を補償し、第2の光学補償素子2は、黒表示状態において液晶層12を通過する偏光の楕円率の波長依存性を補償する。 - 特許庁

A light diffusion plate 10 obtained by dispersedly mixing light scattering particles 13 into a resin 12 includes at least two layers of the first resin layer 20 having a light transmission of T1% and the second resin layer 21 having a light transmission of T2% (T1%<T2%).例文帳に追加

樹脂12に光散乱粒子13が分散混入されてなる光拡散板10を、全光線透過率がT1%である第1樹脂層20と全光線透過率がT2%(T1%<T2%)である第2樹脂層21との少なくとも2層から構成する。 - 特許庁

A second face 38 of the semiconductor substrate 10 is etched with a first etchant having the property that the etching amount of the semiconductor substrate 10 is larger than that of the insulation layer 28 so that the conductive part 30 can be protruded in the condition of being coated with the insulation layer 28.例文帳に追加

半導体基板10に対するエッチング量が絶縁層28に対するエッチング量よりも多くなる性質の第1のエッチャントによって、半導体基板10の第2の面38をエッチングし、絶縁層28にて覆われた状態で導電部30を突出させる。 - 特許庁

At this point, the overlap of a fore porous insulating layer 11 with the first coupling member 16 is sewed up, and the overlap of a rear porous insulating layer 12 with the second coupling member 17 is sewed up to form the veneer speakers 10 into the shape of a curtain.例文帳に追加

ここで、前部多孔質絶縁層11と第1連結部材16との重ね合わせ部が縫合されているとともに、後部多孔質絶縁層12と第2連結部材17との重ね合わせ部が縫合されることにより一体化されてカーテン状に形成されている。 - 特許庁

An alloy used for the solder layer 60 of the semiconductor module 10 comprises a first metal 62 composed of Bi which decides the melting point of the solder layer 60 substantially, and a second metal 64 which mixedly exists in the first metal 62 and has properties of a martensitic transformation.例文帳に追加

半導体モジュール10のはんだ層60に用いられている合金は、はんだ層60の融点を実質的に決定するBiからなる第1金属62と、第1金属62に混在しているとともにマルテンサイト変態の性質を有する第2金属64を備えている。 - 特許庁

In other words, the thick film electrode 210 is arranged from the mid part of the side wall 202a of the piezoelectric/electrostriction layer 202 over the first wiring pattern 208A, and a third wiring pattern 208C is formed at a part including a second piezoelectric/electrostriction layer 202B and the thick film electrode 210.例文帳に追加

すなわち、圧電/電歪層202の側壁202aの途中から第1の配線パターン208A上にかけて厚膜電極210が配置され、2層目の圧電/電歪層202Bと厚膜電極210とを含む部分に第3の配線パターン208Cが形成されている。 - 特許庁

The film mirror is formed by laminating a first stretched film and a second stretched film via an adhesive layer while sandwiching a silver reflection layer provided on the first stretched film.例文帳に追加

つまり、軽量で柔軟性があり、製造コストを抑え大面積化、大量生産することのでき、しかも耐久性に優れ、太陽光に対して良好な正反射率を有するフィルムミラー、その製造方法及びそのフィルムミラーを用いた太陽熱発電用反射装置を提供すること。 - 特許庁

In the semiconductor laser device where the semiconductor lasers having a couple of wavelengths are formed on one substrate, the layers above a clad layer of a second conductivity type at the upper part of an active layer of each semiconductor laser are simultaneously crystal-grown to conduct in common the step of forming the current pinching part.例文帳に追加

2つの波長の半導体レーザを1つの基板上に作成する半導体レーザ素子において、各半導体レーザの活性層上部の第2導電型のクラッド層より上の層を同時に結晶成長させ、電流狭窄部の形成工程を共通化する。 - 特許庁

The optical modulating element 101 has a grating layer 3 where grating members 5 are cyclically arranged, and a first conductive member 2 and a second conductive member 4 to which a voltage is applied at right angles to a waveguide direction of the grating layer 3, on a substrate.例文帳に追加

本発明の光変調素子101は、基板1上に、格子部材5が周期的に配置される格子層3と、格子層3における導波方向に対して垂直の方向に電圧を印加するようになっている第1の導電性部材2と第2の導電性部材4とを備えている。 - 特許庁

An interval 12a, between a first N-type embedded diffused layer 2 and a second N-type diffused layer 3 formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1, is adjusted so that the fluctuations of a punch-through voltage becomes smaller according to the impurity concentration of the substrate 1.例文帳に追加

P型半導体基板1の表面に形成された第1のN型埋め込み拡散層2と第2のN型埋め込み拡散層3との間隔12aは、P型半導体基板1の不純物濃度に応じてパンチスルー電圧のばらつきが小さくなるように調整される。 - 特許庁

A cholesteric liquid crystal polymer layer 27 is formed on the entire surface of a second large glass plate 63 for forming counter substrates 12 and then the cholesteric liquid crystal polymer layer 27 in a cutting line 64 area is thermally removed by using a laser device 70 and the like or mechanically removed by using a rubber blade 72.例文帳に追加

対向基板12を形成する第2の大型ガラス板63全面にコレステリック液晶ポリマー層27を形成後、裁断線64領域のコレステリック液晶ポリマー層27をレーザ装置70等により加熱除去し、あるいはゴムブレード72により機械的に除去する。 - 特許庁

Each layer of the plurality of light modulating electric reaction layers consists of a polymer having dispersion of a cholesteric liquid crystal material which can be controlled into a first light-reflection state and a second light- transmitting state, and is formed on at least a part of the conductive layer.例文帳に追加

前記複数の光変調電気的反応層の各層は、第1の光反射状態と第2の光透過状態とに制御可能なコレステリック液晶物質が分散したポリマーで形成され、前記透明な導電性層上の少なくとも一部に設けられている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element is provided with the translucent positive electrode formed on the p-type semiconductor layer through the p-type contact layer and, in this case, the translucent positive electrode is constituted of a first semiconductor film, a metal film, and a second semiconductor film which are laminated in this sequence.例文帳に追加

p型半導体層の上に、p型コンタクト層を介して形成された透光性の正電極を備える半導体発光素子であって、前記透光性の正電極が、第1の半導体膜、金属膜、第2の半導体膜がこの順に積層されてなる半導体発光素子。 - 特許庁

An oxygen barrier layer 108A connected to the upper end of the plug 107 is formed on the first protective insulation film 103, and the oxygen barrier layer 108A is composed of multiple nitride which is the mixture of a first conductive nitride and a second insulating nitride or an alloy.例文帳に追加

第1の保護絶縁膜103の上には、プラグ107の上端と接続する酸素バリア層108Aが形成されており、該酸素バリア層108Aは、導電性を有する第1の窒化物と、絶縁性を有する第2の窒化物との混合物又は合金である複合窒化物からなる。 - 特許庁

In a recording and reproducing method, the magnetization direction of the first magnetic layer is initialized in the prescribed direction, a current is made to flow in the write line, the magnetization direction of the second magnetic layer of the magnetic resistive element is decided and information is recorded, an absolute value of resistance of the magnetic resistance element is detected, and recorded information is reproduced.例文帳に追加

記録再生方法は、第1の磁性層の磁化方向を所定方向に初期化し、書込み線に電流を流して、磁気抵抗素子の第2磁性層の磁化方向を決定して情報を記録し、磁気抵抗素子の抵抗の絶対値を検出して、記録情報を再生する。 - 特許庁

The fuse element 5 is formed by connecting in series two or more sets of fuse units Fu1 to Fu3 connecting in parallel the fuses F1 to F3 consisting of a first conductive lead layer, and resistors R1 to R3 consisting of a second conductive lead layer, and is provided on a semiconductor substrate on which circuit elements are arranged.例文帳に追加

回路素子が設けられた半導体基板上に第1の導電線層からなるヒューズF1〜F3と第2の導電線層からなる抵抗R1〜R3とを並列接続した2組以上のヒューズ単位Fu1〜Fu3を直列接続してなるヒューズ素子5を設ける。 - 特許庁

In the electro-optical device, a linewidth of at least one power source line among a plurality of power source lines 103R, 103G, and 103 B is narrowed by at least partially consisted of a conductive film arranged in a first wiring layer 135 and a conductive film arranged in a second wiring layer 136.例文帳に追加

複数の電源線103R,103G,及び103Bのうちの少なくとも1つの電源線の少なくとも1部を第1配線層135に設けられた導電膜と第2配線層136に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。 - 特許庁

The element 3 comprises a conductor 10 formed in a through hole passing through a first insulating layer having a supporting part and the semiconductor substrate, and electrically connected to the semiconductor film 12 having the vibration film; and a second insulating layer 9 insulating the conductor 10 from the semiconductor substrate 7.例文帳に追加

エレメント3は、支持部を含む第一の絶縁層と半導体基板とを貫通する貫通孔内に形成された、振動膜を含む半導体膜12と電気的に接続する導体10と、導体10と半導体基板7との間を絶縁する第二の絶縁層9を有する。 - 特許庁

The abutting state with the barrier ribs 12 is made uniform since the dielectric layer 4b of the second layer is softened in the sealing process and/or the exhaust process, and thereby the abutting accuracy is improved, and the plasma display panel capable of displaying the excellent image and the manufacturing method can be realized.例文帳に追加

以上により、封着工程および/または排気工程において第二層目の誘電体層4bが軟化することで隔壁12との当接状態が均一化されるため、当接精度が向上し、良好な画像表示が可能なプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法が実現できる。 - 特許庁

The method for manufacturing includes a first ultraviolet irradiation process of irradiating the liquid crystal layer with ultraviolet rays in a wavelength region not including an infrared region and a second ultraviolet irradiation process of irradiating the liquid crystal layer with ultraviolet rays in a wavelength region wider than that in the first ultraviolet irradiation process.例文帳に追加

赤外線領域を含まない波長領域の紫外線を照射する第1紫外線照射工程と、第1紫外線照射工程で照射される紫外線より波長領域の広い紫外線を照射する第2紫外線照射工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In a pattern forming method which forms patterns in a two-layer photoresist obtained by laminating a first positive type photoresist, a middle layer which is transparent to the wavelength of light for exposure and a second positive type photoresist in order on a substrate, two latent images are formed at different developing speeds.例文帳に追加

基盤上に第1のポジ型のフォトレジスト、露光光の波長に対し透明な中間層、第2のポジ型のフォトレジストの順に積層されている2層フォトレジストにパターンを形成するパターン形成方法について、現像速度を違えて二つの潜像を形成する。 - 特許庁

After primary exposure by using the first mask layer, abnormal exposure in the primary exposure induced by misalignment and registration of a halftone film and a light shielding film can be corrected by secondary exposure by using the second mask layer comprising the binary pattern and the halftone pattern.例文帳に追加

バイナリパターンとハーフトーンパターンで構成された第2マスクレイヤを使用することで、第1マスクレイヤを使用して1次露光した後、ハーフトーン膜と遮光膜の誤整列及びレジストレーションによって誘発される1次露光の異常露光を2次露光で補正することができる。 - 特許庁

The planographic printing plate original has a first negative photosensitive layer containing (A) a polymerizable compound and (B) a polymerization initiator system and a second negative photosensitive layer wherein developing liquid permeability is made low by IR laser exposure on a supporting body in this order.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも、(A)重合性化合物、及び、(B)重合開始系を含む第一のネガ型感光層と、赤外線レーザ露光により現像液浸透性が低くなる第二のネガ型感光層と、をこの順に有することを特徴とする平版印刷版原版。 - 特許庁

By this structure, a dielectric layer 5 having a thickness corresponding to the second electrode layer 12 lies in a space between the first internal electrode 21 for signals and the internal electrode 23 for grounding where capacitance is formed, and the space between the electrodes thereby expands to secure withstand voltage performance.例文帳に追加

この構成により、容量が形成される第1の信号用内部電極21と接地用内部電極23との間に第2の電極層12に対応する厚さの誘電体層5が介在することとなり、電極間の間隔が広がることによって耐電圧性を確保できる。 - 特許庁

The transparent conductive film (pixel electrode 9) has indium tin oxide as a principal component and has a plurality of portions (a first conductive layer 9a, a second conductive layer 9b) having different tin concentration which is a ratio of tin atomic number against the total atomic number of indium atom and tin atom.例文帳に追加

本発明に係る透明導電膜(画素電極9)は、インジウム錫酸化物を主成分とし、インジウム原子と錫原子の合計原子数に対する錫原子数の比率である錫濃度が異なる複数の部位(第1の導電層9a、第2の導電層9b)を有している。 - 特許庁

The assembly for blocking a fluid flow between turbine components, includes: a shim; and a first woven wire mesh layer having a first surface combined with a first side of the shim and a second surface of a woven wire mesh layer positioned on a side opposite to the first surface.例文帳に追加

本発明の一態様では、タービン部品間で流体流を阻止する組立体が、シムと、第1の製織ワイヤメッシュ層であり、シムの第1の側に結合した第1の面及び第1の面の反対側の製織ワイヤメッシュ層の第2の面を有する第1の製織ワイヤメッシュ層とを含む。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor 30 comprises a first electrode 32 provided above a first barrier layer 12, a ferroelectric film 34 formed on the first electrode 32, and a second electrode 36 provided on the ferroelectric film 34 wherein the first barrier layer 12 is amorphous.例文帳に追加

本発明の強誘電体キャパシタ30は、第1バリア層12の上方に設けられた第1電極32と、第1電極32の上に設けられた強誘電体膜34と、強誘電体膜34の上に設けられた第2電極36と、を含み、第1バリア層12がアモルファスである。 - 特許庁

In the gas barrier laminate wherein two kinds of gas barrier layers are provided on a polypropylene film support, the support is based on polypropylene and the first gas barrier layer consists of a resin and a lamellar pigment and the second gas barrier layer contains a silicic acid condensate and an inorganic compound.例文帳に追加

ポリプロピレン系フイルム支持体上に二種類のガスバリアー層を有するガスバリアー性積層体において、該支持体がポリプロピレンを主体とし、第1ガスバリアー層が樹脂および平板状顔料からなり、第2ガスバリアー層が珪酸縮合物および無機化合物を含む層であるガスバリアー性積層体。 - 特許庁

The semiconductor mesa 15 is provided on the first area 13a of the first distributed Bragg reflector 13 and, in the semiconductor mesa 15, an active region 29 exists between a first conductivity type III-V compound semiconductor layer 25 and a second conductivity type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

半導体メサ15は、第1の分布ブラッグリフレクタ13の第1のエリア13a上に設けられており、半導体メサ15では、活性領域29は第1導電型III−V化合物半導体層25と第2導電型III−V化合物半導体層27との間にある。 - 特許庁

At least one of the first and the second sheets includes a layered structure of a metal layer and a resin layer.例文帳に追加

第1および第2のシートと、前記第1および第2のシートの間に形成された隔壁とを具備し、前記第1および第2のシートの一部を内壁として含むように流路を形成してなり、前記第1および第2のシートの少なくとも一方が、金属層と樹脂層との積層構造体を含む。 - 特許庁

The electronic device 108 also includes the frame material 102 disposed upright on the main body part 101 to expose an upper surface of the function part and surrounding the function part in two or more layers, and a resin layer (a sealing resin layer 106) filling the surrounding of an outermost peripheral frame material (for example, a second frame material 102b).例文帳に追加

電子装置108は、更に、機能部の上面が露出するように本体部101上に立設されて機能部を2重以上に囲む枠材102と、最外周の枠材(例えば、第2枠材102b)の周囲を埋める樹脂層(封止樹脂層106)と、を有する。 - 特許庁

例文

The self-adhesive sheet (1) includes a first self-adhesive layer (3) having a recessed groove (31) running to an end edge of the substrate (2), and a second self-adhesive layer (4) having a plurality of through-holes (41) penetrating from one face to the other face, layered in this order on at least one surface of the substrate (2).例文帳に追加

基材(2)の少なくとも一面に、前記基材(2)の端縁部まで連通した凹条溝(31)を有する第1粘着剤層(3)、及び一方の面から他方の面に貫通する貫通孔(41)を複数有する第2粘着剤層(4)がこの順に積層されてなる粘着シート(1)。 - 特許庁




  
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