「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(347ページ目) - Weblio英語例文検索

The moisture-permeable waterproof cloth is formed by laminating a fine porous film containing 15-45 mass% of a silica fine powder, an organic pigment, and/or inorganic color pigment as a first layer, and a non-porous film containing an inorganic pearl pigment as a second layer, one by one on at least one side of fiber cloth.例文帳に追加

繊維布帛の少なくとも片面に、第１層として、シリカ微粉末１５〜４５質量％並びに有機顔料及び／又は無機着色顔料を含有する微多孔質膜が、第２層として、無機パール顔料を含有する無孔質膜が順次積層されている透湿防水性布帛。 - 特許庁

The biological tissue extract holding substrate includes a first layer provided with pores having an average pore diameter of 5 nm or above and below 100 nm, and a thickness of below 1 μm; and a second layer provided with pores having an average pore diameter of 0.1-1 μm, and a thickness of 0.5 mm or more.例文帳に追加

本発明の生体組織抽出物保持基板は、平均孔径が５ｎｍ以上１００ｎｍ未満の細孔を有し、厚さが１μｍ未満である第１層と、平均孔径が０．１μｍ以上１μｍ以下の細孔を有し、厚さが０．５ｍｍ以上である第２層を有する。 - 特許庁

Inner layer side via holes 16, 24 are formed in the double-sided circuit 53 of the first double-sided FPC 52 and the second double-sided FPC 60 layered by interposing the bonding sheet 2, respectively, thereby having a structure capable of preventing a surface mounting region on the outer layer side from being narrowed.例文帳に追加

ボンディングシート２を挟んで積層される第１両面ＦＰＣ５２の両面回路部５３および第２両面ＦＰＣ６０には、それぞれ、内層側ビアホール１６，２４が形成されていて、外層側の配線層の実装領域が狭められない構造を有している。 - 特許庁

Also, the corresponding optical signal passes through the first film layer, the semiconductor substrate, and the second film layer, and enters the optical waveguide structure, and is transmitted therethrough, or the optical signal is transmitted in a reverse direction, received by the optical/electrical signal conversion device, and converted into a corresponding electrical signal.例文帳に追加

また、対応光信号は、第１膜層と、半導体基板と、第２膜層とを通り抜け、光導波路構造に入って伝送され、または光信号は逆方向で伝送されて光電気信号変換デバイスにより受信され対応電気信号に変換される。 - 特許庁

At least a part of at least one power source line among the plurality of power source lines 103R, 103G, and 103B is formed by a conductive film arranged on a first wiring layer 135 and a conductive film arranged on a second wiring layer 136, thereby narrowing a line width of each power source line.例文帳に追加

複数の電源線１０３Ｒ，１０３Ｇ，及び１０３Ｂのうちの少なくとも１つの電源線の少なくとも１部を第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。 - 特許庁

The fixing device is provided with a fixing rotating body 21 having a first heat generating layer that is electromagnetic induction-heated by an exciting coil part 25; and a heat generating member 23 having a second heat generating layer that is electromagnetic induction-heated by the exciting coil part 25 facing it through the fixing rotating body 21.例文帳に追加

励磁コイル部２５によって電磁誘導加熱される第１発熱層を具備する定着回転体２１と、定着回転体２１を介して対向する励磁コイル部２５によって電磁誘導加熱される第２発熱層を具備する発熱部材２３と、を備える。 - 特許庁

The average diameter of holes 10 and holes 11 inside an interlayer insulation film IL2 in a second fine layer 2 composed of porous Low-k film is adjusted to 1.0 nm or more but less than 1.45 nm in order to prevent an altered layer CL from being formed on the surface of the interlayer insulation film IL2 by process damage.例文帳に追加

ポーラスＬｏｗ−ｋ膜からなる第２ファイン層の層間絶縁膜ＩＬ２内の空孔１０および空孔１１の平均径を１．０ｎｍ以上１．４５ｎｍ未満とすることで、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。 - 特許庁

The mixed gas passed through the communication hole 10d recovers heat (Q5) from the combustion exhaust gas in a second heat exchange chamber 8b, further recovers heat (Q6) from a gas discharged from a reforming catalyst layer 6, thereby the temperature of the mixed gas is raised to about 400°C, and thereafter the mixed gas flows into the reforming catalyst layer 6.例文帳に追加

連通孔１０ｄを通過した混合ガスは、第二熱交換室８ｂにおいて燃焼排ガスから熱回収（Ｑ５）し、さらに改質触媒層出ガスからも熱回収（Ｑ６）して、約４００℃に昇温して改質触媒層６に流入する。 - 特許庁

After removing the tear-off tab 9 and forming an exposed adhesive layer 3a, the label where the second barcode 8a is printed is folded to the back side of the label to form a back-folded portion 1B, which is held to the back side of the label by the exposed adhesive layer 3a.例文帳に追加

切り剥がし部９を剥がして粘着層露出部３ａを形成した後に、第２のバーコード８ａが印刷されているラベル部分を裏面側に折り畳んで裏面側折り畳み部１Ｂを形成し、これを粘着層露出部３ａによってラベル裏面側に貼り付ける。 - 特許庁

When laser light is radiated to the recording layer (laminated recording layer) 18, main component metals contained in the first and second subsidiary recording layers 18A and 18B are diffused and mixed by irradiation, and a recording mark which has had the reflection factor unreversibly changed is formed by this mixture.例文帳に追加

レーザ光を記録層（積層記録層）１８に対して照射すると、第１及び第２副記録層１８Ａ、１８Ｂに含まれる主成分金属が照射により拡散して混合され、この混合によって反射率が不可逆的に変化した記録マークが形成される。 - 特許庁

A capacitor C is composed by a lower electrode L1a formed of a first wiring layer L1, an upper electrode L2a formed of a second wiring layer L2, and an interlayer insulating film 12a interposed thereby, and is formed between a substrate 10 and a pad 5 on a pad arrangement region 4.例文帳に追加

パッド配置領域４上で基板１０とパッド５との間には、第１の配線層Ｌ１に形成された下部電極Ｌ１ａと、第２の配線層Ｌ２に形成された上部電極Ｌ２ａと、それらに挟まれた層間絶縁膜１２ａとから構成されるキャパシタＣが形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal device (transmissive liquid crystal device) 1 has a first substrate 10, a second substrate 20 opposed thereto, and a liquid crystal layer 50 between them, the liquid crystal layer 50 being formed of liquid crystal which is initially aligned in a vertical direction and has negative dielectric anisotropy.例文帳に追加

本発明の液晶装置（透過型液晶装置）１は、第１基板１０と、これに対向する第２基板２０と、これら基板間に液晶層５０とを備え、液晶層５０は初期配向状態が垂直配向でありかつ誘電体異方性が負の液晶によって形成されている。 - 特許庁

The surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 forms a step 40 making at least a part of an interface S1 between the dielectric film 4 and the second electrode layer 5 to be positioned closer to the substrate 1 side than an interface S2 between the dielectric film 4 and the insulating film 6.例文帳に追加

誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。 - 特許庁

A variable resistance element unit 100 consists of a first electrode 111 and a variable resistance layer 120 which are overlaid in this order on one main surface of the board 10, and a second electrode 112 overlaid on a part of the main surface of the variable resistance layer 120.例文帳に追加

可変抵抗素子部１００は、基板１０の一方の主表面上に第１電極１１１と可変抵抗層１２０とが順に積層され、さらに可変抵抗層１２０の主表面上における一部領域に第２電極１１２が積層形成され構成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane electrode assembly comprises (i) a process of forming an electrolyte membrane by coating electrolyte or electrolyte solution on one of the faces of a first damage-preventing layer, and (ii) a process of bonding a second damage-preventing layer on an upper face of the electrolyte membrane.例文帳に追加

本発明の膜電極接合体の作製方法は、ｉ）第１の破損防止層の一方の面上に、電解質または電解質溶液を塗布することにより電解質膜を形成する工程と、ｉｉ）電解質膜の上面に、第２の破損防止層を接着する工程と、を備える。 - 特許庁

Further, the semiconductor apparatus has a metal layer (for example, first and second barrier metals 4 and 5) formed to be in contact with the electrode pad via the opening 2a such that its periphery resides over the coating insulating film 2 outside the opening 2a, and a bump 6 provided on the metal layer.例文帳に追加

更に、開口２ａを介して電極パッドに接するように形成され、周縁部が開口２ａの外側において被覆用絶縁膜２上に乗り上げている金属層（例えば、第１及び第２バリアメタル４、５）と、金属層上に設けられているバンプ６を有する。 - 特許庁

By fine unevenness on the surface of the substrate 1 formed by the nano particle arrangement layer 5, fine unevenness can be formed on each surface of the first electrode 2, the luminous layer 3, and the second electrode 4, and a fine concavo-convex structure is formed in the interface of each layers to alleviate total reflection.例文帳に追加

ナノ粒子配列層５によって形成される基板１の表面の微細な凹凸によって、第一電極２、発光層３、第二電極４の各表面に微細な凹凸を形成することができ、各層の界面に微細な凹凸構造を形成して全反射を緩和することができる。 - 特許庁

To provide a resin multilayer substrate where via conductors having predetermined performance are formed by preventing a conductive paste from protruding from a via conductor formed in a second resin layer, when the conductive paste constituting a via conductor formed on a first resin layer enters a setting state.例文帳に追加

第１樹脂層に形成したビア導体を構成する導電性ペーストが硬化状態になる際、第２樹脂層に形成したビア導体から導電性ペーストがはみ出すことを防止し、所定の性能を有するビア導体を形成した樹脂多層基板を提供する。 - 特許庁

The electrical charges formed in an induced charge layer by the electrical signal in semiconductor devices on the top semiconductor layer are drawn through electrical contacts connected to the first and the second doped semiconductor regions, thereby reducing harmonic signals in the semiconductor devices.例文帳に追加

上部半導体の半導体装置内の電気信号により誘起される電荷層内の電荷は第１及び第２のドープされた半導体領域に接続されている電気的コンタクトを介して引き出され、これにより半導体装置内の高調波信号を減少させる。 - 特許庁

According to this constitution, it is possible to prevent a leakage current from flowing in a P-N junction by the second gate region 6 and the channel layer 4 by means of the high resistance layer 6b and to realize good operation of a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

このような構成とすることで、高抵抗層６ｂによって第２ゲート領域６とチャネル層４とによるＰＮ接合部にリーク電流が流れることを防止することが可能となり、炭化珪素半導体装置の動作が良好に行えるようにすることが可能である。 - 特許庁

This disk recording medium 100 records information to a recording layer 25 by making light 29 incident on this layer or reads out the recorded information, in which a substrate (second substrate 23) on the side opposite to the side made incident with the light 29 comprises the substrate fabricated by incorporating coloring materials therein.例文帳に追加

光２９を入射することで記録層２５へ情報を記録、又は記録された情報を読み出すディスク記録媒体１００であって、光２９を入射する側とは反対側の基板（第２基板２３）が、着色材料を混入して作製された基板により構成した。 - 特許庁

A package board includes: two facing chip arrangement side and solder ball arrangement side; a plurality of wire bonding pads 401 and a plurality of solder ball pads 402 on the respective sides; and a first insulation protective layer and a second insulation protective layer on the chip arrangement side and the solder ball arrangement side, respectively.例文帳に追加

２つの対向したチップ配置側及び半田ボール配置側を有し、それぞれの側に複数のワイヤボンディングパッド及び複数の半田ボールパッドを有し、チップ配置側及び半田ボール配置側のそれぞれに第１の絶縁保護層及び第２の絶縁保護層を有する。 - 特許庁

The first vapor cycle layer 28A includes a working medium configured to transfer heat through an evaporation and condensation cycle, and the working medium of the first vapor cycle layer 28A is sealed between the first and second boundary walls 34B, 34C.例文帳に追加

第１の蒸気循環層２８Ａが、蒸発と凝縮のサイクルを通して熱移動できるように構成された作動媒体を含んでおり、第１の蒸気循環層２８Ａの作動媒体は、第１の境界壁３４Ｂと第２の境界壁３４Ｃとの間にシールされている。 - 特許庁

This laminated photoreceptor has a first charge generating layer 6 which generates charges by photoirradiation in electrostatic charging and a second charge generating layer 4 which generates charges by photoirradiation in exposure, by which movement is a hole 10a in both processes of electrostatic charge and exposure and the electrostatic charge with the negative polarity may be realized.例文帳に追加

帯電時の光照射により電荷を発生する第１の電荷発生層６と、露光時の光照射により電荷を発生する第２の電荷発生層４とを備えることで、帯電、露光の何れのプロセスとも、移動するのはホール１０ａとなり、負の極性で帯電を実現できる。 - 特許庁

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4.例文帳に追加

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 - 特許庁

Next, etching treatment is performed by using a second treatment gas containing gaseous SF_6 and gaseous CHF_3, thus the lens shape of the intermediate layer 32 is transferred to the lens material layer 31, so as to form a microlens 3 where the flat part interval between the adjacent lens is narrower than the initial interval.例文帳に追加

次いでＳＦ_６ガスとＣＨＦ_３ガスとを含む第２の処理ガスを用いてエッチング処理を行うことにより、前記レンズ材料層３１に中間層３２のレンズ形状を転写し、隣接するレンズ間の平坦部間隔が初期間隔よりも狭いマイクロレンズ３を形成する。 - 特許庁

The light emitting deice includes an active layer provided with a quantum dot formed of a first material whose forbidden band width becomes wider with temperature rise, and a barrier layer formed of a second material whose forbidden band width becomes narrower with temperature rise and having the quantum dot embedded therein.例文帳に追加

温度が上昇すると禁制帯の幅が広くなる第１の材料で形成された量子ドットと、温度が上昇すると禁制帯の幅が狭くなる第２の材料で形成され、前記量子ドットを埋め込む障壁層とを有する活性層を具備すること。 - 特許庁

An envelope of the image display apparatus has a first substrate 10 on which a fluorescent screen 16 containing a phosphor layer is formed and a second substrate 12 arranged to face the first substrate with a gap and provided with a plurality of electron emission sources 18 exciting the phosphor layer.例文帳に追加

画像表示装置の外囲器は、蛍光体層を含む蛍光面１６が形成された第１基板１０と、第１基板と隙間をおいて対向配置されているとともに蛍光体層を励起する複数の電子放出源１８が設けられた第２基板１２とを有している。 - 特許庁

In a postcard sticking machine 2, after the adhesive layer of a double face tape 31 stuck to the photoprint 10 and a RFID sheet 11 are bonded together at a first pressure-welding part 24, the adhesive layer of the double face tape of the RFID sheet 11 and a postcard 12 are bonded together at a second pressure-welding part 27.例文帳に追加

【解決手段】 葉書貼り付け機２は、第１圧接部２４で、写真プリント１０に貼着された両面テープ３１の接着剤層とＲＦＩＤシート１１とを密着させた後、第２圧接部２７で、ＲＦＩＤシート１１の両面テープの接着剤層と葉書１２とを密着させる。 - 特許庁

The electron emission part 15 is constituted of a first electron emission layer 15-1 where a plurality of aperture parts 151-1 are provided at a part of the base material 141 of the toner regulating blade 14 and which is coated with photoelectric film 100 and a second electron emission layer 15-2 laminated on it.例文帳に追加

電子放出部１５は、トナー規制ブレード１４の基材１４１の一部に複数の開口部１５１−１が設けられると共に光電膜１００が成膜されてなる第１の電子放出層１５−１と、これに積層された第２の電子放出層１５−２とからなる。 - 特許庁

A semiconductor substrate 50 is coated with the third solution and the solvent is removed, thereby forming just above a tunnel insulating layer 54 a mixed film 55 as a charge retention layer wherein particles 12a made of a second organic material are dispersed in a first organic material 11a.例文帳に追加

半導体基板５０上に第３の溶液を塗布して溶媒を除去することにより、トンネル絶縁層５４の直上に、第１の有機材料１１ａ中に第２の有機材料からなる微粒子１２ａが分散した電荷保持層としての混合膜５５が形成される。 - 特許庁

This antenna device is constructed by providing the radiating element 1 consisting of the microstrip antenna disposed in parallel to a ground conductor plate 2 on the ground conductor plate 2 through the first dielectric layer 3 and providing a parasitic element 5 consisting of a conductor plate on the radiating element through the second dielectric layer 4.例文帳に追加

地導体板２上に第１の誘電体層３を介して該地導体板と平行に設けられたマイクロストリップアンテナからなる放射素子１を設け、この放射素子の上に第２の誘電体層４を介して導体板からなる無給電素子５を設けてアンテナ・ユニットを構成する。 - 特許庁

Each of the wiring parts WP includes a wiring layer WL containing a first conductive film and a second conductive film formed of Al or a conductive material having Al as a principal composition and a third conductive film efc connected on the uppermost face of the wiring layer and formed of ITO.例文帳に追加

各配線部ＷＰは、Ａｌ若しくはＡｌを主成分とする導電材料で形成された第１導電膜、並びに第２導電膜を含んだ配線層ＷＬと、配線層の最上面に接続されＩＴＯで形成された第３導電膜ｅｆｃと、を有している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10; an insulating layer 20 that is provided over the semiconductor substrate 10, and has a groove 22 formed in a second plane on the side opposite to a first plane opposed to the semiconductor substrate 10; and a conductor 30 provided over the insulating layer 20.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に設けられてなり、半導体基板１０と対向する第１の面とは反対側の第２の面に形成された溝２２を有する絶縁層２０と、絶縁層２０上に設けられた導電部３０とを有する。 - 特許庁

A second layer 12 accumulated thereon is made of cloth that comprises fibers having a larger strength per unit cross-sectional area than that of the fibers of the first layer and is weaved with 30-200 μm diameter yarns to have a mesh of 10-200 and an opening size of 50-800 μm.例文帳に追加

その上に積層される第二層１２は、第一層の繊維よりも単位断面積あたりの強度の強い繊維からなり線径が３０〜２００μｍの糸を用いて、１０〜２００メッシュで織り上げ、開口寸法を５０〜８００μｍとしたクロスにより構成される。 - 特許庁

The first and second terminals 21 and 22 of the chip capacitor housed in a recess 30a of a core substrate 30 are connected to a via hole 46 formed at an inter-layer resin insulating layer 40 through a conductive bump 31 and a conductor circuit 34, for a high connection reliability.例文帳に追加

また、コア基板３０の凹部３０ａに収容されたチップコンデンサ２０の第１、第２端子２１，２２と、層間樹脂絶縁層４０に形成されたバイアホール４６とを、導電性バンプ３１と導体回路３４とを介して接続するため、高い接続信頼性を達成することができる。 - 特許庁

Specified spaces 15 surrounded by the board 18, first inter-layer insulating films 19 and a second inter-layer insulating film 21 are formed among the side faces 24 of the resistance-changing film 12 that constitute the memory cell 17 and region isolating films 16 and the resistance-changing film 12 is isolated.例文帳に追加

メモリセル１７を構成する抵抗変化膜１２の側面２４と領域分離膜１６との間には、基板１８と第１の層間絶縁膜１９および第２の層間絶縁膜２１とで囲まれた所定の空間１５が設けられて抵抗変化膜１２が分離されている。 - 特許庁

To provide a pelletizing method with which pseudo-particle having a first coated layer and a second coated layer can be obtained when sintering material is pelletized as a pre-treatment, in order to stably produce sintered ore having excellent property so as to be easily reduced and excellent cold strength.例文帳に追加

優れた被還元性を有し、かつ優れた冷間強度を有する焼結鉱を安定して製造するために、事前処理として焼結原料を造粒する際に、第１被覆層および第２被覆層を有する擬似粒子を得ることができる造粒方法を提供する。 - 特許庁

Each of the pixel electrodes 360 is electrically connected to a second conductive pattern layer M2 via one of connection openings 392, and a prescribed part of the pixel electrode 360 is connected to a first conductive pattern layer M1 via one of opening hole 394 to form a storage capacitor.例文帳に追加

ピクセル電極３６０は接続開口部３９２の１つを介してそれぞれ第２導電パターン層Ｍ２に電気的に接続され、またピクセル電極３６０の所定の部分は開孔３９４の１つを介して第１導電パターン層Ｍ１に接続されてストレージキャパシタが形成される。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a first electrode formed in a semiconductor substrate 10 and including: a first germanium-doped region; a first dielectric layer 23 formed on the first electrode and containing a semiconductor oxide and a stable metal; and a second electrode formed on the first dielectric layer 23.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０内に設け、第１のゲルマニウムドープト領域を含む第１の電極と、第１の電極上に設け、半導体酸化物及び安定金属を含む第１の誘電体層２３と、第１の誘電体層２３上に設ける第２の電極とを備える。 - 特許庁

In the laminated body for dielectric of the plasma display panel formed by laminating two layers on each other, a first layer contains inorganic powder, binder resin, and light absorbing agent absorbing the light of a specified wavelength and a second layer contains inorganic powder, binder resin, photopolymerizing monomer, and photopolymerization initiator.例文帳に追加

２層を積層してなるプラズマディスプレイパネルの誘電体用積層体において、第１の層は、無機粉末、バインダー樹脂及び所定波長の光を吸収する光吸収剤を含み、第２の層は、無機粉末、バインダー樹脂、光重合性単量体及び光重合開始剤を含む。 - 特許庁

The titanium alloy tool 2 manufactured by a powder molding and sintering method has a first metal layer of relatively low hardness, and a second metal layer of relatively high hardness formed in a region near a holding surface 8 of a holding portion 6.例文帳に追加

粉末成形焼結法により製造されるチタン合金製工具２であって、比較的低い硬度を有する第１の金属層と、挟持部６の挟持面８近傍の領域に形成され、比較的高い硬度を有する第２の金属層とを有するように構成する。 - 特許庁

A first photoelectric transfer layer having the sensitivity with respect to lights of a near infrared region is formed on a single crystal silicon substrate with crystalline silicon germanium, and a second photoelectric converter layer having the sensitivity with respect to lights of a visual region is formed with amorphous silicon hydride.例文帳に追加

単結晶シリコン基板上に、結晶質シリコンゲルマニウムによって、近赤外領域の光に感度を有する第１の光電変換層を形成し、その上に、非晶質シリコンハイドライドによって、可視領域の光に感度を有する第２の光電変換層を形成する。 - 特許庁

The relay electrode pad RP of the lower layer first chip 12 electrically connected to a substrate terminal BP of the mounting substrate 10 via the coupling electrode pad P thereof is electrically connected to the coupling electrode pad P of the upper layer second chip 16 by wiring 27.例文帳に追加

そして、実装基板１０の基板端子ＢＰにその連結電極パッドＰを介して電気的に接続された前記下層の第１チップ１２の中継電極パッドＲＰと前記上層の第２チップ１６の連結電極パッドＰとが配線２７により電気的に接続される。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a first conductive type semiconductor substrate 101, a second conductive type first semiconductor layer 102 formed on the semiconductor substrate 101, and a receiving element 104 formed on the first semiconductor layer 102 via an insulating film 103.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１導電型の半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成された第２導電型の第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２上に、絶縁膜１０３を介して形成された受動素子１０４とを備える。 - 特許庁