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second layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 21457件
The solid electrolytic capacitor 1 is formed through steps of forming a first electrolytic layer in an element main body 20 through chemical polymerization, placing the element main body 20 in a 1-10 wt% of thiophene-based solution, and passing a current through the element main body 20 for electrolytic polymerization to form a second electrolytic layer.例文帳に追加
固体電解コンデンサ1は、素子本体20に化学重合にて第1の電解質層を形成する工程と、該素子本体20を1−10wt%のチオフェン系溶液に入れる工程と、該素子本体20に通電して電解重合し、第2の電解質層を形成する工程を経て形成される。 - 特許庁
An impedance matching layer 164, 168 are formed of a material having the same acoustic impedance to the first acoustic impedance, have a second or third thicknesses 192, 194, and are mounted on the upper side and bottom side 166, 170 of the poled piezoelectric material layer 154.例文帳に追加
インピーダンス整合層164、168は第1の音響インピーダンスと同様の音響インピーダンスを有する材料から形成され、第2または第3の厚さ192、194を有し、有ポール圧電材料層154の上部側及び底部側166、170に取り付けられる。 - 特許庁
A conversion section 6 for connecting a laminated waveguide line 5 and a strip wiring 8 is formed at a dielectric layer of a second dielectric circuit board 11, and the laminated waveguide line 5 is formed at a dielectric layer of a first dielectric circuit board 10.例文帳に追加
積層型導波管線路5とストリップ配線8とを接続するための変換部6が設けられる第2誘電体基板11の誘電体層の比誘電率を、積層型導波管線路5が設けられた第1誘電体基板10の誘電体層の比誘電率よりも小さくする。 - 特許庁
The tip of the welding rib 19 welds only to the solid portion by fusing itself while fusing the thin walled solid layer 13 by pressingly and contactingly vibrating against the thin walled solid layer 13 corresponding to the thick walled solid part 17 so as to weldingly integrate the first resin panel 3 and the second resin panel 5.例文帳に追加
溶着リブ19先端を、厚肉ソリッド部17に対応する薄肉ソリッド層13との圧接振動により薄肉ソリッド層13を溶融させつつ自身も溶融してソリッド部分のみと溶着させ、第1樹脂パネル3と第2樹脂パネル5とを溶着一体化する。 - 特許庁
The process of a second embodiment comprises a step that the silicon substrate having the mesa encircled in the trench is formed, a step that a dielectric layer is formed in the trench abutted on the mesa, and a step that the silicon germanium layer is grown on the upper surface of the mesa by a selectively epitaxial growth method to form a silicon germanium base.例文帳に追加
第2実施例のプロセスは、トレンチに囲まれたメサを有するシリコン基板を形成するステップ、メサに隣接したトレンチに誘電層を形成するステップ、及び選択的エピタキシャル成長によりメサ上面にシリコン・ゲルマニウム層を成長させてシリコン・ゲルマニウム・ベースを形成するステップを含む。 - 特許庁
An organic EL display device 1 includes a color filter 15 on a driving substrate 10 side, and includes a third electrode 14 in addition to a first electrode 17 and a second electrode 20 for supplying driving current to a display functional layer (organic EL layer 19).例文帳に追加
有機EL表示装置1は、駆動基板10側にカラーフィルタ15を有する構造において、表示機能層(有機EL層19)へ駆動電流を供給するための第1電極17および第2電極20に加え、第3電極14を設けた構造となっている。 - 特許庁
A second ridge-shaped upper clad layer 6 and a contact layer 7 are formed by an etching using a mask 8 consisting of an SiO2 film and following the formation, optical confinement layers 10 which are N-type Aly2 Ga(1-y2)As layers are selectively formed on both sides of a ridge part 12 utilizing the mask 8 by an MOCVD method.例文帳に追加
SiO_2よりなるマスク8を用いたエッチングにより、リッジ形状の上部第2クラッド層6およびコンタクト層7を形成し、続いてMOCVD法により、マスク8を利用して、n型Al_y2Ga_(1-y2)Asである光閉じ込め層10を、リッジ部12の両側に選択的に形成する。 - 特許庁
By utilizing the fact that a pattern-preparing film 34a on the sidewall of an opening 32 is fragile, as compared to the pattern-preparing film 34a on an anneal-protecting film 24, a second patterning layer 38 that covers a region 30 is formed, while forming a trough 36 to contact a first patterning layer 26.例文帳に追加
開口部32の側壁のパターン準備膜34aがアニール保護膜24上のパターン準備膜34aより脆弱になっていることを利用して、第1のパターン層26に谷部36を形成して接するとともに領域30上を被覆する第2のパターン層38を形成する。 - 特許庁
In the laminated structure film of the first Mo, MoOx, and second Mo films 10, 10A and 11, an Al atom in a foundation layer cannot be easily diffused to the surface side, and the diffusion of Au, such as a surface wiring layer on the lamination structure film to the Al film of foundation, is restrained effectively.例文帳に追加
又、第1Mo膜10/MoO_x膜10A/第2Mo膜11の積層構造膜は、下地層のAl原子が表面側へ拡散しにくく、積層構造膜の上の表面配線層等のAuが下地のAl膜へ拡散することを有効に抑制する。 - 特許庁
Thus, the value of resistance and the heat release and reduced by enlarging the size of width in height direction for the second coil segment 41 and enlarging the cross section, and the size of the upper core layer 39 and the lower core layer 29 is made equal to, or smaller than, the conventional one at the same time.例文帳に追加
これによって、第2コイル片41のハイト方向幅寸法を大きくし、断面積を大きくして抵抗値、発熱量の低減を図ると同時に、上部コア層39及び下部コア層29の大きさを従来と同じか従来より小さくすることが可能になる。 - 特許庁
An organic electroluminescence element is configured 89 that a first electrode film 2 and film formation preventive layers 3a and 3b are formed on a board 1 and an organic light emission layer 4 and a second electrode film 5 are laminated one over another on that surface area of the first electrode film 2 where no film formation preventive layer is provided.例文帳に追加
基板1上に、第1の電極膜2と、成膜防止層3a,3bとが形成され、第1の電極膜2上の成膜防止層3a,3b非形成面に有機発光層4及び第2の電極膜5が順次積層形成された有機電界発光素子。 - 特許庁
The period of the impurity concentration in the planar direction of the semiconductor layer 12 in a region selected out of the first and second regions 14 and 13 is made smaller than the maximum width of the impurity diffusing regions 33 and 34 constituting the regions 14 and 13 in the planar direction of the semiconductor layer 12.例文帳に追加
第1及び第2領域からなる群から選択された領域の半導体層の平面方向における不純物濃度の周期は該領域を構成する第1及び第2不純物拡散領域の半導体層の平面方向における最大幅より小さい。 - 特許庁
The actuator has a fixed part which is constituted integrally with the third layer or is constituted to be brought into contact with the third layer, and has a heat-radiating region, including a heat conduction part having a larger heat conductivity than the first and second layers, and in which the movable part is fixed.例文帳に追加
また、該アクチュエータは、第3層と一体的に構成されるか、または第3層と接触するように構成され、且つ第1および第2層よりも大きな熱伝導率を持つ熱伝導部を含む放熱領域を有するとともに、可動部が固定される固定部を備える。 - 特許庁
The optical path conversion mirror M, in which a metallic film 3 to be an optical reflection area is held between a first resin layer 1 and a second resin layer 2, is arranged on the optical axis of an optical waveguide 10 and near the outside of its one end face 10a to structure the optical path conversion apparatus.例文帳に追加
第1樹脂層1と第2樹脂層2との間に光反射面となる金属膜3が挟持されてなる光路変換ミラーMを、光導波路10の光軸上でその一端面10aの外側近傍に配置することにより、光路変換装置が構成されている。 - 特許庁
The liquid crystal display device is provided with the liquid crystal panel 1 made by holding a liquid crystal layer 30 between a first substrate 10 and a second substrate 20, a protective substrate 3 which is disposed to face at least one side of the liquid crystal panel 1 and the optical compensation layer 5 which is held between the liquid crystal panel 1 and the protective substrate 3.例文帳に追加
第1基板10と第2基板20との間に液晶層30を狭持してなる液晶パネル1と、液晶パネル1の少なくとも一方に対向配置された保護基板3と、液晶パネル1と保護基板3との間に狭持された光学補償層5とを備えた。 - 特許庁
The liquid crystal device (transmission type liquid crystal device) 1 according to the present invention has a first substrate 10, a second substrate 20 opposed thereto, and a liquid crystal layer 50 between them, the liquid crystal layer 50 being formed of liquid crystals which are initially aligned in a vertical direction and has negative dielectric anisotropy.例文帳に追加
本発明の液晶装置(透過型液晶装置)1は、第1基板10と、これに対向する第2基板20と、これら基板間に液晶層50とを備え、液晶層50は初期配向状態が垂直配向でありかつ誘電体異方性が負の液晶によって形成されている。 - 特許庁
In the optical information recording medium provided with the information recording layer in which information is recorded by using holography, in the information recording layer, as a recording pattern of a specific page or a block, a known pattern is recorded for first reference light, a data pattern is recorded for second reference light.例文帳に追加
ホログラフィを利用して情報を記録した情報記録層を備えた光情報記録媒体において、情報記録層には、特定のページ又はブロックの記録パターンとして、第1の参照光に対しては既知パターンが記録され、第2の参照光に対してはデータパターンが記録されている。 - 特許庁
In the formation of the through-hole 9, since the adhesive material layer 8 is irradiated with the laser beams whose energy is attenuated by irradiating the second metal foil 3 and the first metal foil 2 with them, the hollowing of the adhesive material layer 8 by thermal decomposition is suppressed and the inner peripheral surface of the through-hole 9 is smoothly formed.例文帳に追加
スルーホール9の形成では、第2金属箔3および第1金属箔2に照射されエネルギーが減衰されたレーザ光が、接着剤層8に照射されるので、接着剤層8が熱分解によりえぐられることを抑制して、スルーホール9の内周面を平滑に形成できる。 - 特許庁
Then, the sensor element 14 is inserted in a ceramic holder 13, and a talc-mixed powder 304 prepared by mixing a crystallized glass powder and a talc powder and becoming a first filling layer 302 and a crystallized glass powder 314 becoming a second filling layer 304 are successively supplied to be heat-treated.例文帳に追加
そして、このセンサ素子14をセラミックホルダ13に内挿し、結晶化ガラス粉末と滑石粉末を混合した第1充填層302となる滑石混合粉末304と、第二充填層304となる結晶化ガラス粉末314を順に供給して、熱処理する。 - 特許庁
The line FL1 and the drain D of the transfer gate T5; the drain D of a P channel transistor T3 of the inverter, the line FL2, and the drain D of a transfer gate T6, are individually connected via lines SL1, SL2 laid as a second layer of line layer.例文帳に追加
配線FL1とトランスファゲートT5のドレインDとの間と、インバータのPチャネルトランジスタT3のドレインDと配線FL2とトランスファゲートT6のドレインDとの間とは、2層目の配線層として敷設された配線SL1、SL2を介してそれぞれ接続されている。 - 特許庁
Resistor paste 9 is buried into an interlayer insulation film 22, and the resistor paste 9, a conductor part 61 of a first conductor layer, and a conductor part 62 of a second conductor layer are brought into contact with the resistor paste 9, thus composing a resistance element with a part in contact with the conductor part as an electrode.例文帳に追加
層間絶縁膜22中に抵抗体ペースト9を埋設し、この抵抗体ペースト9と、第1の導体層の導体部61と第2の導体層の導体部62は抵抗体ペースト9に接触し、導体部と接触する部分を電極として抵抗素子を構成する。 - 特許庁
An IGZO layer is formed on a substrate by vapor-depositing ions including In, Ga, and Zn from a first target, and the compositional ratio of In of the IGZO layer is turned to be 45 to 80 atomic% by vapor-depositing the ions including In from a second target.例文帳に追加
第1ターゲットからIn、Ga及びZnを含むイオンが蒸着されて基板上にIGZO層が形成されるようにして、第2ターゲットからInを含むイオンが蒸着されて前記IGZO層のInの組成比が45ないし80at%になるようにする。 - 特許庁
The organic EL panel 1 has a laminated body 3 consisting of a first electrode 4, an insulating layer 5 partially covering the first electrode 4, an organic layer 6 formed on the first electrode 4, and a second electrode 7 formed through a mask with an opening formed on a substrate 2.例文帳に追加
第一電極4と、第一電極4を部分的に覆う絶縁層5と、第一電極4上に形成される有機層6と、開口部を有するマスクを介して形成される第二電極7と、を有する積層体3を基板2に形成した有機ELパネル1である。 - 特許庁
The combustion plate 20 consists of a first layer 21 being a lamination molded product of silicon carbide fiber; and a second layer 22 formed of ceramic fiber consisting mainly of one of silica or alumina or both of the two having thermal conductivity lower than that of the silicon carbide fiber laminated on its back.例文帳に追加
燃焼プレート20を、炭化珪素繊維の積層成形体である第1の層21と、その裏面に積層した炭化珪素繊維よりも熱伝導率の低い例えばシリカまたはアルミナの一方または双方を主成分とするセラミック繊維からなる第2の層22とで構成する。 - 特許庁
The first kind ferroelectric memory MC1 is provided with such an adhesion layer 25 being in contact with the lower surface of a lower electrode 24 that is made of titanium oxide, and the second ferroelectric memory MC2 is provided with such an adhesion layer 26 being in contact with the lower surface of the lower electrode 24 that is made of tantalum oxide.例文帳に追加
第1種の強誘電体メモリ素子MC1は、例えば下部電極24の下面に接触する密着層25が酸化チタンで形成されており、第2種の強誘電体メモリ素子MC2は、下部電極24の下面に接触する密着層26が酸化タンタルで形成されている。 - 特許庁
A thermal conduction film 1 is formed by laminating a thermal conduction layer 2 made of a first constituent material that includes C (carbon) and conducts heat in the direction toward the inside of the film and in the direction of film thickness, and a distortion relaxing layer 3 made of a second constituent material that relaxes the distortion of the first constituent material.例文帳に追加
熱伝導膜1は、C(炭素)を含む材料で、熱を膜内及び膜厚方向に伝導する第1の構成材料からなる熱伝導層2と、第1の構成材料のひずみを緩和する第2の構成材料からなるひずみ緩和層3とを積層してなる。 - 特許庁
The optical waveguide layer 3 is further provided with first holders 36a, 36b and second holders 37a, 37b that include the parts 32d-32g situated in the same layer and composed of the same material as the cores 32a, 32b and that hold the wavelength filter 4 sandwiched in-between.例文帳に追加
光導波路層3は、コア部32a及び32bと同じ層に位置するとともに同じ材料からなる部分32d〜32gを含み波長フィルタ4を互いの間に挟み込んで保持する第1の支持部36a、36b及び第2の支持部37a、37bを更に有する。 - 特許庁
In an area of at least one substrate CF in the first substrate and the second substrate, the area where the sealing material overlaps, such a color layer 9 is formed that transmits light in a shorter wavelength area than in the color layer that mainly transmits light at the shortest wavelength in the plurality of color layers.例文帳に追加
第1基板および第2基板のうち少なくとも一方の基板CFのシール材と重なる領域には、複数の着色層のうち主として透過する光の波長が最も短い着色層よりも、短波長側の光を透過する着色層9が形成されている。 - 特許庁
This capsule-like micro light emitting element comprises a light emitting part having at least a light emitting layer 13 and constituting one pixel, a capsule-like sealing layer 17 independently sealing the light emitting part, and a first electrode 11 and a second electrode 15 for applying a voltage to the light emitting part.例文帳に追加
発光層13を少なくとも有し且つ一画素を構成する発光部と、前記発光部を個別に封止するカプセル状の封止層17と、前記発光部に電圧を印加するための第一電極11及び第二電極15とを備えることを特徴とするカプセル状マイクロ発光素子。 - 特許庁
To provide a semiconductor module which even after undergoing a repetitive cold cycle, still has high bonding reliability of a first solder layer bonding a circuit-side metal plate and a semiconductor element together and a second solder layer bonding a heat-dissipation-side metal plate and a heat dissipation base plate together.例文帳に追加
繰り返し冷熱サイクルを経てもなお回路側金属板と半導体素子とを接合する第一のはんだ層と放熱側金属板と放熱ベース板とを接合する第二のはんだ層に高い接合信頼性を有する半導体モジュールを提供することである。 - 特許庁
In the semiconductor device wherein a first layer wiring M1, a second wiring layer M2, and a third wiring M3 are situated under a plurality of electrode pads PD1-PDn arranged in the active region, the occupancy of each wiring in the region of the electrode pads PD is made uniform.例文帳に追加
半導体チップのアクティブ領域に配置された複数の電極パッドPD1〜PDn下の第1層配線M1、第2層配線M2および第3層配線M3の配線層毎に、電極パッドPDの領域内に配置される配線の占有率が均一になるようにした。 - 特許庁
A transparent electrode 2, a first photovoltaic element 3 where an amorphous silicon film is used as an optically active layer, a reflecting film 4, a second photovoltaic element 5 where a microcrystal silicon film is used as an optically active layer, and a back electrode 6, are successively formed on a support substrate 1.例文帳に追加
支持基板1上に、透明電極2、非晶質シリコン膜を光活性層に用いる第1の光起電力素子3、反射膜4、微結晶シリコン膜を光活性層に用いる第2の光起電力素子5および裏面電極6が順に形成されている。 - 特許庁
Since the second electrode 34b formed on the top of the insulating layer 38 is connected to an anode-wiring 28 on a board 12 through a conductor layer 40, wiring for carrying a current to the positive electrode 34 does not need to be formed around the positive electrode 34.例文帳に追加
また、凸状絶縁層38の頂部に設けられた第2陽極34bは前記導体層40を介して基板12上の陽極配線28に接続される為、その陽極34に通電する為の配線をその陽極34の周囲に設ける必要がない。 - 特許庁
The common mode choke coil is provided with leading-out conductors 31, 32 formed on a resin insulating layer 15B, and in the resin insulating layer 15B, a recess 53 is formed on a region between a first portion 51 covered with the leading-out conductor 31 and a second portion 52 covered with the leading-out conductor 32.例文帳に追加
樹脂絶縁層15B上に形成された引き出し導体31,32を備え、樹脂絶縁層15Bには、引き出し導体31に覆われた第1の部分51と、引き出し導体32に覆われた第2の部分52との間の領域において、凹部53が形成されている。 - 特許庁
First and second optical retardation plates 110, 130 are stuck to front and rear faces of a liquid crystal cell 410 comprising a liquid crystal layer and a pair of substrates interposing the liquid crystal layer, and further polarizing plates 120, 140 are stuck to the respective optical retardation plates so as to make the absorption axes form 90° angle with each other.例文帳に追加
液晶層と、これを狭持する一対の基板よりなる液晶セル410の表裏には、第1および第2位相差板110,130が貼着され、さらにそれぞれの位相差板上に吸収軸が互いに90°となるように偏光板120,140が貼着されている。 - 特許庁
The process for producing a substrate for solar cell comprises (i) a step for forming an insulation layer 12 of first insulating material on a metal plate 11 by sol-gel method, and (ii) a step for forming an insulation portion 14 of second insulating material on the surface of the metal plate 11 at a part facing the pinhole portion of the insulation layer 12.例文帳に追加
(i)金属板11上に、ゾル・ゲル法で第1の絶縁材料からなる絶縁層12を形成する工程と、(ii)絶縁層12のピンホール部分に面する金属板11の表面に、第2の絶縁材料からなる絶縁部14を形成する工程とを含む。 - 特許庁
To provide a method for forming the dielectric layer of a semiconductor memory device, which enhances the electrical characteristics of the semiconductor memory device by densifying the film when a dielectric layer having a laminate structure of first, second and third insulating layers is formed.例文帳に追加
第1の絶縁膜、第2の絶縁膜及び第3の絶縁膜の積層構造を有する誘電体膜を形成するにあたり、膜質を緻密化させることにより、半導体メモリ素子の電気的特性を向上させることができる半導体メモリ素子の誘電体膜形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a thin-film magnetic head electrically interconnecting first and second coil pieces formed up and down across a magnetic pole layer surely and easily, and forming the magnetic pole layer on a flat surface, and its manufacturing method.例文帳に追加
磁極層を挟んで上下に形成される第1コイル片と第2コイル片との電気的な接続を確実且つ容易に行うことができるとともに、前記磁極層を平坦化面上に形成することが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
A TFT is formed in a structure that a first insulating layer is embedded in a semiconductor film formed on a base insulating film, a second insulating layer is partially formed on the semiconductor film, and a laser beam is irradiated from the side of the surface (or both sides of the side of the surface and the side of the rear) of a substrate.例文帳に追加
下地絶縁膜上に形成された半導体膜中に第1の絶縁層を埋め込み、前記半導体膜上に部分的に第2の絶縁層を形成し、基板の表面側(または、表面側及び裏面側の両側)からレーザビームを照射する。 - 特許庁
The method for manufacturing a gas tank includes: a first step for winding a fiber, impregnated with a thermosetting resin, around the outer periphery of an inner container 20 to form a fiber-reinforced resin layer 21 on the outer periphery of the inner container 20; and a second step for heat curing the fiber-reinforced resin layer 21.例文帳に追加
ガスタンクの製造方法であって、熱硬化性樹脂が含浸された繊維を内容器20の外周部に巻回して内容器20の外周部に繊維強化樹脂層21を形成する第1の工程と、繊維強化樹脂層21を熱硬化する第2の工程と、を有する。 - 特許庁
The concrete blocks 1A are stacked on the connected concrete blocks A so that the four angle parts 9a-9d of the bottom plates 3 of the second layer concrete blocks 1A are superposed on the angle parts 9A-9D of the top plates 2 of the first layer concrete blocks 1, respectively.例文帳に追加
この連設された第1層目のコンクリートブロック1の上から第2層目のコンクリートブロック1Aの底板3の4つの角部9a〜9dが4個の第1層目のコンクリートブロック1の天板2の角部9A〜9D上にそれぞれ重なるように積み重ねた構造を有する。 - 特許庁
A first gas discharge groove portion 340 is formed on the exposed surface of the solder mask layer 330, does not extend through the solder mask layer 330, is connected to the first opening 331 and extends to sides 313, 314 of the surface 311, and does not couple together with the second opening 332 and the third opening 333.例文帳に追加
第一排気溝部340は、はんだマスク層330の露出表面に形成され、はんだマスク層330を貫通せず、第一開口331に接続して表面311の側辺313、314に伸び、第二開口332と第三開口333とに連結しない。 - 特許庁
The sealing structure 3 consists of a sealing layer 5, intercalated between the ceramic tube 1 and the metal plate 2, a first ring 4, intercalated between the sealing layer 5 and the metal plate 2, and a second ring 11 as a part of the metal plate 2, intercalated between the first ring 4 and the metal plate 2.例文帳に追加
シール構造3は、セラミック管1と金属板2との間に介設されるシール層5と、シール層5と金属板2との間に介設される第1リング4と、金属板2の一部分であり第1リング4と金属板2との間に介設される第2リング11とを備えている。 - 特許庁
This cap liner material 10 mounted on a metallic cap which is turned to be opened comprises the first layer 11 made of a thermoplastic resin composite and the drink contacting second layer made of polyester having a 20-60 mass% degree of crystallinity.例文帳に追加
本発明のキャップ用ライナー材10は、回転させて開栓する金属製キャップに設けられるものであり、熱可塑性樹脂組成物からなる第1の層11と、結晶化度が20〜60質量%のポリエステルからなり、飲料に接する第2の層とが設けられていることを特徴とする。 - 特許庁
A second layer 4 obtained by mixing a crushed resin molded product with an adhesive is molded with the use of a laminated precursor to be used as a colored ABS resin lining material which is the first layer 5 to obtain a new molded panel 1.例文帳に追加
樹脂成型品を粉砕した粉砕物を接着剤とともに混合して第2の層4を得た後、これを第1の層5である着色したABS樹脂の裏打ち材として用いるべく積層した前駆体を用いて成形することによって、新たに成形パネル1を得る。 - 特許庁
An SOI substrate is manufactured by performing first thermal treatment for forming an atomic vacancy and second thermal treatment for implanting oxygen ions with which an oxygen ion implanted layer is formed, and for changing the oxygen ion implanted layer into a buried oxide film on a single crystal silicon substrate.例文帳に追加
単結晶シリコン基板に対し、少なくとも、基板内に原子空孔を発生させる第1の熱処理と、酸素イオン注入層を形成する酸素イオン注入と、前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層に変化させる第2の熱処理を行なうことによりSOI基板を製造する。 - 特許庁
The process cartridge uses an electrophotographic photoreceptor containing a polyarylate resin or a polycarbonate resin in a charge transport layer, and a charging member of which the outermost layer consists of composite particles formed by covering first metal oxide particles with carbon black, second metal oxide particles and a binder.例文帳に追加
電荷輸送層にポリアリレート樹脂あるいはポリカーボネート樹脂を含有する電子写真感光体と、最外層が第1の金属酸化物粒子にカーボンブラックを被覆した複合粒子、第2の金属酸化物粒子及び、バインダーから構成された帯電部材を用いる。 - 特許庁
Another lightning device includes a layer comprising a light emission material, and a mixed layer between a first electrode and a second electrode, comprising molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide or molybdenum trioxide and a material having a hole mobility not less than 10^-6cm^2/Vs.例文帳に追加
または、第1の電極と第2の電極との間に、発光性の物質を含む層、及び混合層を有し、前記混合層は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、または三酸化モリブデンと、10^−6cm^2/Vs以上の正孔移動度を有する物質とを含む。 - 特許庁
The toner container is formed of a container wall having a layered structure formed by layering at least two resins, wherein the first resin layer includes at least polybutylene succinate and the second resin layer includes at least a polyglycolic acid.例文帳に追加
少なくとも2つの樹脂が積層されてなる積層構造の容器壁によって形成されてなるトナー容器であって、第1の樹脂層が少なくともポリブチレンサクシネートを含有してなり、第2の樹脂層が少なくともポリグリコール酸を含有してなることを特徴とするトナー容器。 - 特許庁
A heat spreader (heat diffusing sheet) 24 is formed by alternately laminating a first layer constituted with a plurality of carbon nano-tubes 32 extending in the longitudinal direction of a package 21, and a second layer constituted with a plurality of carbon nano-tubes 34 extending in the widthwise direction of the package 21.例文帳に追加
ヒートスプレッダ(熱拡散シート)24は、パッケージ21の長さ方向に伸びる複数のカーボンナノチューブ32により構成される第1の層と、パッケージ21の幅方向に伸びる複数のカーボンナノチューブ34により構成される第2の層とが交互に積層されて構成されている。 - 特許庁
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