「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(349ページ目) - Weblio英語例文検索

A second alignment layer external edge regulating section Z2 which is formed inside the sealing area SL and on a section closer to the sealing area SL than the first alignment layer external edge regulating section Z1 comprises slits ST which are formed on the transparent electrode TE in a direction parallel to the sealing material application area SL.例文帳に追加

またシール領域ＳＬの内側で第１の配向膜外縁規制部Ｚ１よりもシール領域ＳＬに近い部分に形成された第２の配向膜外縁規制部Ｚ２は、シール塗布領域ＳＬと平行な方向で透明電極ＴＥに形成したスリットＳＴで構成する。 - 特許庁

The TC material has a first temperature dependent state which the TC material undergoes when the temperature of the layer of the TC material is lower than the transition temperature of the TC material and has a second temperature dependent state which the TC material undergoes when the temperature of the layer of the TC material is higher than the transition temperature of the TC material.例文帳に追加

ＴＣ材料は、ＴＣ材料の層の温度がＴＣ材料の遷移温度未満のときにＴＣ材料が取る第１の温度依存性状態と、ＴＣ材料の層の温度が遷移温度より大きいときにＴＣ材料が取る第２の温度依存性状態とを有する。 - 特許庁

At this time, the shape of corner parts of the side wall frame is controlled so that the radius of curvature of the pedestal member of the second layer to be painted becomes larger than that of the painted pedestal member of the first layer, and the distortion of shape generated when calcinating the side wall frame 12 is reduced.例文帳に追加

このとき、側壁枠１２のコーナ部分の形状は塗布される第２層目の台座部材の曲率半径が、塗布された第１層目の台座部材の曲率半径より大きくなるように制御され、側壁枠１２の焼成時に生じる形状歪みが少なくなるようにする。 - 特許庁

On a base board, there are provided a first region having a semiconductor single-crystal layer formed by implanting ions into a semiconductor single-crystal basal plate, applying the basal plate onto the base board, and subsequently heat-treating the basal plate, to have the basal plate partly remain therein; and a second region having a semiconductor non-single crystal layer.例文帳に追加

基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。 - 特許庁

This Schottky barrier diode is prepared by forming a polysilicon film 6 on the surface with a 2.0 to 3 μm thickness epitaxial layer 2 formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 1, and evaporating and diffusing a second conductivity-type impurity from the film 6 to form a 0.2 to 0.5 μm thickness annular guard ring layer 4.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板１上に形成した厚さ２．０〜３μｍのエピタキシャル層２の表面にポリシリコン膜６を形成し、このポリシリコン膜６上から第２導電型の不純物を蒸着、拡散して厚さ０．２〜０．５μｍのガードリング層４を環状に形成する。 - 特許庁

The polarized light-emitting element is provided with: a reflecting electrode; a light-emitting layer; a transparent electrode; and a light polarization element layer including a first lattice structure having a wavelength spectroscopic function to divide visual light into each wavelength, and a second lattice structure having a polarized light separating function to separate visual light by the polarization plane, in this order.例文帳に追加

反射電極と、発光層と、透明電極と、可視光を波長ごとにわける波長分光機能を有する第一格子構造、及び、可視光を偏波面によってわける偏光分離機能を有する第二格子構造を備える偏光素子層とを、この順に設ける。 - 特許庁

The occlusion obtaining tool 1 is equipped with a flat core material 2, a first obtaining layer 3 located on one surface of the core material 2, and a second obtaining layer 4 located on the other surface of the core material 2 equipped with an anti-sliding means for preventing the sliding at a slanting surface between upper and lower teeth.例文帳に追加

咬合採得用具１は、平坦な芯材２と、該芯材２の一方の面に位置する第１の採得層３と、該芯材２の他方の面に位置する第２の採得層４とを備え、該芯材２は、上下の歯の傾斜面で生じるスライドを防止するためのスライド防止手段を備えている。 - 特許庁

Next, it is subjected to a second heat treatment in an atmosphere without external magnetic field, an exchange pinning magnetic field decreases, an anisotropy is generated in the pinned-synthetic composite layer due to generation of stress, and the magnetization direction of the pinned-synthetic composite layer is aligned in the long axis direction of magnetic tunnel junction elements.例文帳に追加

次いで、外部磁場のない雰囲気中において第２の熱処理が施され、交換ピンニング磁場が減少されると共に、発生応力によりピンドシンセティック複合層に異方性が生じ、ピンドシンセティック複合層の磁化方向が磁気トンネル接合素子の長軸方向に揃う。 - 特許庁

The resist pattern is removed, and plating process for a conductive film is performed for the surface of the insulation layer to form a second conductive pattern, and further the via hole in which a conductive plating film is formed in the thickness direction of the insulation layer is formed as a feed via in the porous region.例文帳に追加

レジストパターンを除去し、絶縁層の表面に対し導電膜のめっき処理を行なうことで第２の導電パターンを形成するとともに、多孔質領域に絶縁層の厚さ方向に導導めっき膜を形成したバイアホールをフィードビアとして形成する。 - 特許庁

A first bonding layer 14 and a second bonding layer 24 are brought into contact with each other to place a predetermined load on the sensor substrate 1 and cap substrate 2 (Fig.1(a)), and then degassing processing for removing gas components adsorbed in the sensor substrate 1 and cap substrate 2 respectively is carried out (Fig.1(b)).例文帳に追加

第１の接合層１４と第２の接合層２４とを接触させてセンサ基板１およびキャップ基板２に所定の荷重を印加し（図１（ａ））、続いて、センサ基板１およびキャップ２それぞれに吸着しているガス成分を除去する脱ガス処理を行う（図１（ｂ））。 - 特許庁

The circuit board 101 comprises the signal conductor wire 126 or the like of the surface 112 of the board, a surface side first ground layer 129K or the like extended to the one side of the wire 126 or the like and a surface side second ground layer 129L or the like extended to the other side.例文帳に追加

配線基板１０１は、基板表面１１２の信号導体線１２６等と、信号導体線１２６等の一方の側に拡がった表面側第１グランド層１２９Ｋ等及び他方の側に拡がった表面側第２グランド層１２９Ｌ等とを備える。 - 特許庁

The width of a power source cable is narrowed by composing at least a part of at least one power source cable out of a plurality of power source cables 103R, 103G, and 103B with a conductive film provided on a first wiring layer 135 and a conductive film provided on a second wiring layer 136.例文帳に追加

複数の電源線１０３Ｒ，１０３Ｇ，及び１０３Ｂのうちの少なくとも１つの電源線の少なくとも１部を第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。 - 特許庁

In a light guide plate that guides light from the light source to both side faces, a primary reflective layer is provided at a region within the surface of the plate of one hand, and a second reflective layer is provided on the surface of the plate of the other hand, at a region different from the one behind the foregoing part.例文帳に追加

光源からの光を双方の面側に導く導光板において、その一方の基板面のうちの一部の領域に第１反射層を設けるとともに、他方の基板面のうち、前記一部の領域に背後する領域とは異なる領域に第２反射層を設ける。 - 特許庁

In addition, the organic EL element has a transparent substrate 31a which is placed at the bottom part of the lower plate of the liquid crystal display panel, a first electrode 31b which is formed on the transparent substrate, an organic EL layer 31c which is formed on the first electrode and a second electrode 31d which is formed on the organic EL layer.例文帳に追加

また、有機ＥＬ素子は、液晶表示パネルの下板の底部に配置される透明基板31aと、透明基板上に形成される第１電極31bと、第１電極上に形成される有機ＥＬ層31cと、有機ＥＬ層上に形成される第２電極31dとを有する。 - 特許庁

Since the first layer 11 and the second layer 12, which have independent contents of aluminum and p-type impurity concentrations and are different from each other, are formed in separate processes, respectively, a proper p-type group III nitride compound semiconductor having the properties as p-type AlGaN mixed crystal, as whole, is obtained.例文帳に追加

アルミニウムの含有量とｐ型不純物濃度とが互いに異なる第１の層１１と第２の層１２とをそれぞれ別工程で形成でき、全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての性質を持つ良好なｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体となる。 - 特許庁

A first phosphor layer 34a, for displaying the main images with monochrome, is formed on the inner face of a screen panel 31 of a flat cathode-ray tube 30, and a second phosphor layer 34b for displaying images other than the main images with color is formed on the inner face of a front panel 32.例文帳に追加

偏平型陰極線管３０のスクリーンパネル３１の内面に、主たる映像を単色で発光表示する第１の蛍光体層３４ａを設け、主たる映像と異なる他の映像をカラーで表示させる第２の蛍光体層３４ｂを、フロントパネル３２の内面に設ける。 - 特許庁

When there are two backing films having two or three single layers for completing the backing layer, the film intermediately colored by changing the color of the upper single layer, can be used without requiring further processing of a second backing film of not being absolute in a color.例文帳に追加

前記裏打層を完全にする２つもしくは３つの単層を備える２つの裏打フィルムがある場合、前記上部単層の色を変えることに起因する中間的に着色されたフィルムは、色が絶対的でない第２の裏打フィルムのさらなる加工の必要もなく利用できる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the printing plate, a first process of reforming a printing pattern formation surface of a printing original plate layer by means of the laser engraving (β) of an output less than 100 W and a second process of forming a printing pattern on the printing original plate layer by means of the laser engraving (α) are performed.例文帳に追加

出力が１００Ｗ未満のレーザー彫刻（β）により、印刷原版層の印刷パターン形成面を改質する第１工程と、レーザー彫刻（α）により前記印刷原版層に印刷パターンを形成する第２工程とを行う印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

A process for forming a blind via hole is provided with a first process for opening a taper-shaped hole in an insulating layer 12 by focusing layer beams 14 on a work, and a second process for forming a vertical hole by just focusing the laser beams 14 on the work and for removing a taper part 16 by reducing the laser power.例文帳に追加

ブラインドビアホールの形成工程は、レーザビーム１４をワーク上にデフォーカスして絶縁層１２にテーパー状の孔を開ける第１工程と、レーザビーム１４をワーク上にジャストフォーカスし、且つ、レーザパワーを低下させて、テーパー部１６を除去して垂直なホールを形成する第２工程とを有する。 - 特許庁

Each of slits 51, 52 is arranged along extending lines of folding lines 21a, 21b of a wrinkle 21 in a direction extending from a bottom end 30 toward an upper end 31 near each of first ply layer 10 and second ply layer 11 constituting a valve opening of a valve 40 for blowing powder into a bag.例文帳に追加

粉類を吹き入れるためのバルブ４０の弁口を構成する各プライ第１層１０及び第２層１１の底端近くには、ひだ２１の折り目２１ａ、２１ｂの延長線に沿って、底端３０から上端３１に向かう方向に、それぞれ切り込み５１、５２が設けられている。 - 特許庁

A variable resistance memory bit part 1 composed of a first electrode section 12, a second electrode section 13, a variable resistance layer 14 and a third electrode section 15 is three-dimensionally constituted on a conductor 10, an insulator 20 and an insulating layer 11, and a conductor 16 is disposed at the upper part.例文帳に追加

導電体１０、絶縁体２０、および絶縁層１１の上に、第１電極部１２、第２電極部１３、抵抗変化層１４、第３電極部１５で構成される抵抗変化型のメモリビット部１が立体的に構成され、上部に導電体１６が配置される。 - 特許庁

Thus, only a light passed through the vicinity of the focus of the second optical member is transmitted by the pinhole, and thereby a stray light from other than the vicinity of the focus of the first optical member (especially reflected light from a recoding layer other than a current reading recording layer performing reading) is removed.例文帳に追加

このため、ピンホールによって第２の光学部財の焦点付近を通る光のみを通過させるようにすることで、第１の光学部材の焦点近傍以外からの迷光（特に、読み出しを行っている記録層意外の記録層からの反射光）を除外することが可能となる。 - 特許庁

Further, the film thickness of an insulating film 107 between inner layers of the driving layer 102 is optimized, and the delivered light intensity is enhanced by utilizing an interference effect of light between the light directly delivered to the second transparent electrode side from the organic light-emitting layer 110 and the reflected light by the reflecting film 106.例文帳に追加

また、駆動層１０２内層間絶縁膜１０７の膜厚を最適化し、有機発光層１１０から直接第２透明電極側に出射した光と、反射膜１０６により反射された光の干渉効果を利用して出射光強度を高める。 - 特許庁

The first shielding material 16 and the second shielding material 17 have a metal material 30, formed by intercalating a conductive adhesive layer 31 between a plurality of metal layers 32, 33, respectively, one of the outermost metal layers 32, 33 in electrical continuity with a grounding layer.例文帳に追加

第１のシールド材１６及び第２のシールド材１７は、それぞれ、複数層の金属層３２，３３の間に導電性接着層３１を介装させて形成された金属材３０を有し、最外層の金属層３２，３３のうち一方の金属層がグラウンド層と導通されている。 - 特許庁

A first building external wall Xa side is changed to a high ceiling level L1 in the first building external wall Xa side of a dining room 12 of a first floor layer 1F to form a released open ceiling space 31 which is recessed at a corner in a hall 22 of the second floor layer 2F.例文帳に追加

１階の階層1Fのダイニングルーム12の第１建物外壁Xa側に、この第１建物外壁側を高い天井高L1に変更させて２階の階層2Fのホール22内の一角にダイニングルームの第１建物外壁側を入り込ませた開放的な吹き抜け空間31を形成する。 - 特許庁

When a foreign substance is pushed against a packaging laminate film 6 from the side of a sealant layer 7, and the sealant layer 7 and the first plastic film 9 fracture, the first plastic film 9 spreads in the different direction of the depressed direction and is going to apply shear force to the second plastic film 11.例文帳に追加

包装用ラミネートフィルム６にシーラント層７側から異物が押し付けられてシーラント層７、第一のプラスチックフィルム９が破断すると、第一のプラスチックフィルム９は圧縮方向と異なる方向に広がり、第二のプラスチックフィルム１１にせん断力を加えようとする。 - 特許庁

The display side charge retaining layer 18 and the back charge retaining layer 26 both retain negative charges, and have a function of shifting each threshold voltage characteristic so that the threshold voltage characteristics of the positively charged first particles 30 and the negatively charged second particles 32 do not overlap.例文帳に追加

表示側電荷保持層１８及び背面側電荷保持層２６は、何れも負の電荷を保持しており、正に帯電された第１の粒子３０及び負に帯電された第２の粒子３２の閾値電圧特性が重複しないように各閾値電圧特性をシフトする機能を有する。 - 特許庁

To freely prescribe the dimensions of a rod-shaped semiconductor and the arrangement condition/density onto a substrate, by arranging a second conductive layer in electrical contact at one portion of a semiconductor substrate at a part that differs from one portion of the spherical or rod-shaped semiconductor crystal in contact with a first conductive layer.例文帳に追加

安価で高精度、高信頼性の基板で支持体が構成され、球状または棒状の半導体の寸法および基板上への配置工合・密度も自由に規定できる、球状または棒状結晶太陽電池を提供するとともに、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic sheet 10 according to the present invention comprises: a metal substrate 11; a first magnetic layer 12 provided on a substantially half area of one surface 11a of the metal substrate 11; and a second magnetic layer 13 provided on the entire area of the other surface 11b of the metal substrate 11.例文帳に追加

本発明の磁性シート１０は、金属基材１１と、金属基材１１の一方の面１１ａの略半域に設けられた第一磁性層１２と、金属基材１１の他方の面１１ｂの全域に設けられた第二磁性層１３とを備えてなることを特徴とする。 - 特許庁

In order to avoid contact with the main wiring 36, relay wiring 45 is formed in the same layer as a lower electrode 25 of the X-detection element D_X, and the relay wiring 45 is utilized to detour a circuit composed of the inter-element wiring 43 to the inside of the second inter-layer film 20.例文帳に追加

これらの主配線３６との接触を避けるために、Ｘ−検出素子Ｄ_Ｘの下部電極２５と同一層に中継配線４５を形成し、この中継配線４５を利用して素子間配線４３が構成する回路を第２層間膜２０内に迂回させる。 - 特許庁

A laminated dielectric filter is provided with a strip line resonator L1, constituting of an inductor 2 comprising a plurality of dielectric layers, at least first and second strip line conductor layers 13, 16 and grounding conductor layers 22, 25, an inter-resonator connection conductor layer 33, and an input/output conductor layer 28.例文帳に追加

積層型誘電体フィルタは、複数の誘電体層から成る誘導体２と少なくとも第１及び第２のストリップライン導体層１３，１６とグランド導体層２２，２５とから成るストリップライン共振器Ｌ１、共振器間結合導体層３３及び入出力導体層２８を具備している。 - 特許庁

Wiring 122 is electrically connected to the electrode 114 and has a first portion 150 formed at the boundary between a side surface 121 and a top surface 120 of the resin layer 118 and a second portion 152 that is connected to the first portion 150 and is formed on the top surface 120 of the resin layer 118.例文帳に追加

配線１２２は、電極１１４に電気的に接続されており、樹脂層１１８の側面１２１と上面１２０の境目に形成された第１の部分１５０と、第１の部分１５０に接続されて樹脂層１１８の上面１２０に形成された第２の部分１５２と、を有する。 - 特許庁

Between the second clad layer 7 and the contact layer 8, current breaking layers 10a, 10b and zinc diffusion source layers 17a, 17b are formed in the vicinity of a laser output side end surface 15 and a reflection side end surface 16, respectively, which are both end surfaces of an element in the length direction.例文帳に追加

上部第２クラッド層７とコンタクト層８との間で、素子の長さ方向の両端面であるレーザ出射側端面１５および反射側端面１６の近傍には、電流遮断層１０ａ，１０ｂおよび亜鉛拡散源層１７ａ，１７ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

The electrode wirings 4 of the second layer consisting of an ITO (Indium Tin Oxide) film and the electrode wirings 5 of the third layer consisting of a tantalum thin film are formed on the gate insulating film 3 by being laminated so that the maximum width of a plurality of electrode wiring parts which have respectively widths of W1, W2, W3 becomes ≤300 μm.例文帳に追加

Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の幅を持った複数の電極配線部分の最大幅が３００μｍ以下になるように、ゲート絶縁膜３上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜から成る第２層の電極配線４、およびタンタル薄膜から成る第３層の電極配線５を積層形成する。 - 特許庁

A reflecting layer 101, a first transparent electrode 104, organic EL light-emitting layers 105, 106, and a second transparent electrode 107 are laminated in that order, emission light from the organic EL light-emitting layers 105, 106 is reflected toward a front face of the display device with the reflecting layer 101.例文帳に追加

反射層１０１、第１透明電極１０４、有機ＥＬ発光層１０５，１０６、及び第２透明電極１０７がこの順に積層されてなり、有機ＥＬ発光層１０５，１０６からの発光を反射層１０１で表示装置の前面に向かって反射する。 - 特許庁

The lamp body 30 has, on an outer edge of itself, a connection part 40 rotatably connected to the rotating body 20, and can be rotated with respect to the rotating body 20 being the second layer by rotation and by using the connection part 40 as a rotating axis by including the stratified form using the lamp body being itself as a third layer.例文帳に追加

灯体３０は、自己の外縁に回転体２０に対して回動可能に接続する接続部４０し、回動により第２層である回転体２０に対して自己である灯体を第３層とする層状態を含め、接続部４０を回動軸として回動可能である。 - 特許庁

A method of reducing crystal defect of simox wafer includes: a first step of implanting ions from a surface of a wafer into a silicon layer 13 of a range of set depth from the BOX layer 12; and a second step of heating the wafer obtained in the first step to restore the crystallinity of a portion where the ions are implanted.例文帳に追加

ウェーハの表面からＢＯＸ層１２よりも設定深さの範囲のシリコン層１３までイオンを注入する第１の工程と、第１の工程で得られたウェーハを加熱してイオンが注入された部位の結晶性を回復させる第２の工程とを含む。 - 特許庁

The upper magnetic pole layer comprises a first portion 15a, located in the area which includes the area which faces the thin film coils 12, 18, a second portion 15b which forms the magnetic pole portion, and a third portion 15c for connecting the first portion 15a to the lower magnetic pole layer.例文帳に追加

上部磁極層は、薄膜コイル１２，１８に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分１５ａと、磁極部分を形成する第２の部分１５ｂと、第１の部分１５ａと下部磁極層とを接続するための第３の部分１５ｃとを有している。 - 特許庁

Oxygen-doped AlGaAs having a band gap wider than that of GaAs is used in whole or part of a collector layer 16, or one or both of first and second collector layers 16b and 16a are made of an AalGaAs layer having a band gap wider than that of GaAs and doped with oxygen.例文帳に追加

コレクタ層１６の全体もしくは一部に、ＧａＡｓよりもバンドギャップの広い酸素ドープＡｌＧａＡｓを使用し、又は、第一コレクタ層１６ｂと第二コレクタ層１６ａの一方又は双方を、ＧａＡｓよりもバンドギャップの広い酸素ドープしたＡｌＧａＡｓ層で構成する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 21 is formed in an epitaxial wafer 10 arranged with first and second clad layers 13 and 15 of n-type semiconductor having an energy band gap higher than that of an active layer 14 of n-type semiconductor sandwiched between, and p and n electrodes 31 and 32 are provided on the surface side.例文帳に追加

ｎ型半導体の活性層１４を挟むように、これよりエネルギーバンドギャップの高いｎ型半導体の第１と第２のクラッド層１３，１５を配置したエピウエハ１０にｐ型拡散層２１を形成し、表面側にｐ、ｎの両電極３１，３２を設ける。 - 特許庁

Titanium nitride film (third TiN film 13) is formed in a covering state of the sacrificial layer pattern made of the second HCD-SiN film 9, and the film is patterned, thereby forming an oscillating beam (structure pattern) 13a of which end is supported on the substrate surface across the sacrificial layer pattern.例文帳に追加

第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを覆う状態で窒化チタン膜（第３ＴｉＮ膜１３）を成膜し、これをパターニングすることによって犠牲層パターンを跨いでその下地面上に端部が支持された振動ビーム（構造体パターン）１３ａを形成する。 - 特許庁

The first high-permittivity oxide film layer 103 is formed on the lower electrode of Ru or Ir in an atmosphere where an oxidative effect is weakened, and the second high-permittivity oxide film 104 is formed on the first high-permittivity oxide film layer 103 in an atmosphere where an oxidative effect is enhanced.例文帳に追加

第１の高誘電率酸化膜層１０３は、酸化力を下げた雰囲気中でＲｕ、Ｉｒによる下部電極層１０２上に形成し、第２の高誘電率酸化膜層１０４は、酸化力を上げた雰囲気中で、第１の高誘電率酸化膜層１０３上に形成する。 - 特許庁

The antenna device 1 prepares a plurality of resonance points by arranging a first dielectric layer 3 and a second dielectric layer 4 whose relative dielectric constants are respectively different so as to interpose both sides of the antenna conductor 2, and makes it a wideband and non-directivity antenna device by the method.例文帳に追加

本発明のアンテナ装置１は、アンテナ導体２の両面を挟み込むように、それぞれ比誘電率の異なる第１誘電体層３と第２誘電体層４とを配置することにより、共振点を複数存在させ、これにより広帯域で無指向性のアンテナ装置としたことを特徴とする。 - 特許庁

Then, the air is separately supplied from a first passage groove 246 in a surface layer of the frame part 244 to the gas passage formation member 230 and a cathode electrode 215, while hydrogen is separately supplied from a second passage groove 248 in a surface layer on the other side of the frame part 244 to an anode electrode 214.例文帳に追加

その上で、枠部２４４の表層の第１流路溝２４６からガス流路形成部材２３０、カソード電極２１５に空気を分離供給し、枠部２４４の他方の表層の第２流路溝２４８からアノード電極２１４に水素を分離供給する。 - 特許庁

This device is capable of reading data from an optical disk 102 having a plurality of information recording layers including a first information recording layer having a relatively small distance from a disk surface, and a second information recording layer having a relatively large distance from the disk surface.例文帳に追加

本発明の光ディスク装置は、ディスク表面からの距離が相対的に小さい第１の情報記録層と前記ディスク表面からの距離が相対的に大きい第２の情報記録層とを含む複数の情報記録層を備える光ディスク１０２からデータを読み出すことができる。 - 特許庁