「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(345ページ目) - Weblio英語例文検索

On a semiconductor substrate 100, where a memory cell transistor and impurity diffusion layer 111 are formed, a first interlayer insulating film 112, having a first plug 113 connected with the memory cell transistor and a second plug 114 connected with the impurity diffusion layer 111, is formed.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁

To perform recording and reproducing on an information recording layer with an arbitrary spiral pitch independent of a pitch of a pit column formed on the position controlling information recording layer, in recording and reproducing with irradiation of first light and controlling a recording and reproducing position with irradiation of second light.例文帳に追加

第１の光の照射により記録再生を行い第２の光の照射により記録再生位置の制御を行う場合において、位置制御情報記録層に形成されたピット列のピッチに依らぬ任意スパイラルピッチで上記情報記録層における記録／再生が行われるようにする。 - 特許庁

A better conductive bus line 35 than an element 31a is brought into contact with the element 31a in a lengthwise direction of the element 31a and annexed as a 2-layer film structure on each of both side surfaces of the element 31a of the side opposed to a second electrode layer 15 of a detector 10.例文帳に追加

検出器１０の第２電極層１５と対向する側のエレメント３１ａの両サイド面上に、エレメント３１ａよりも良導電性のバスライン３５を、エレメント３１ａの長さ方向に、該エレメント３１ａに接触させて２層膜構造として併設する。 - 特許庁

To obtain an optical disk having excellent electric characteristics such as jitters by controlling a focus deviation to a second signal surface and obtaining a nearly fixed defocus offset quantity, as a one-side reading type two-layer optical disk having a resin layer formed by a spin coating method using ultraviolet curing acrylic resin.例文帳に追加

紫外線硬化型アクリル樹脂を用いたスピンコート法によって形成される樹脂層を有する片面読み取り型２層式光ディスクにおいて、該第２信号面に対してのフォーカスずれを抑え、ほぼ一定のデフォーカスオフセット量を得ることで、ジッター等の電気特性が良好な光ディスクを得る。 - 特許庁

After the reinforced seed layer is subjected to an electroless copper plating to fill the contact hole 14 and the inside of the wiring groove 15 with copper, a copper film exposed to the interlayer insulating film of the second layer is removed to form an embedded wiring having a dual-damascene structure.例文帳に追加

補強されたシード層１７Ａの上に銅の電解めっきを行なって、コンタクトホール１４及び配線溝１５の内部に銅膜を充填した後、第２層の層間絶縁膜の上に露出している銅膜を除去してデュアルダマシン構造を有する埋め込み配線を形成する。 - 特許庁

The first conductor layer 20 has such a pattern that a unit shape constituted by linking a pair of patch 21 and branch 22 in an (x) direction is further arranged cyclically in the (x) direction, and an EBG body structure is constituted together with the dielectric substrate 10 and the second conductor layer 30.例文帳に追加

第１導電体層２０は、一対のパッチ２１及びブランチ２２をｘ方向に連結してなるような単位形状を更にｘ方向に周期的に配置してなるようなパターンを有しており、誘電体基板１０及び第２導電体層３０と共にＥＢＧ構造体を構成する。 - 特許庁

The electromagnetic field coupling between a power supply line 5 and a first layer distributed constant line 3 as well as a second layer distributed constant line 4 which comprise a required high-frequency characteristics in electromagnetic coupling is reduced by a through hole 8, to which the electric potential connecting ground patterns 6 and 7 are grounded.例文帳に追加

電磁界的に結合して所要の高周波特性を持つ第１層分布定数線路３及び第２層分布定数線路４と給電線路５の間の電磁界的結合が、グランドパターン６，７を接続する電位が接地されたスルーホール８によって低減される。 - 特許庁

Since minus ions are irradiated from the static electricity-removing device 7 on the rotator collector 5, the plus electric charge of the nanofibers of insulator accumulated in the second layer and the third layer is neutralized to give the accumulation product of the nanofibers oriented in one direction without being repelled by the same polar electric charge.例文帳に追加

回転体コレクタ５に対して、静電除去装置７から、マイナスイオンを照射しているため、２層目、３層目と積層されていく絶縁体であるナノ・ファイバの＋電荷が中和されて同極性の電荷の反発は発生せず、揃った配向の一方向ナノ・ファイバの集積体が得られる。 - 特許庁

When additionally recording in the optical disk, the optical axis angle of the angle variable rising mirror 10 is adjusted such that a tracking error signal of a recording layer detected by the first light beam becomes almost zero, in a state that tracking control to a guide layer is performed by the second light beam.例文帳に追加

光ディスクに追加記録する際、第２の光ビームでガイド層へのトラッキング制御を行っている状態で、第１の光ビームで検出される記録層のトラッキング誤差信号がほぼゼロとなるように角度可変立上げミラー１０の光軸角度を調整する。 - 特許庁

When an activation switch SW0 of a first circuit A is closed, a power supply 16 applies voltage E1 between a first electrode layer 3 and a second electrode layer 4, and a free end 10B of an actuator body 10 is deformed upward to set the key 11 at a protruding state.例文帳に追加

第１回路Ａの起動スイッチＳＷ０を閉じると、電源１６から第１の電極層３と第２の電極層４との間に電圧Ｅ１が印加され、アクチュエータ本体１０の自由端１０Ｂが上方に変形してキー１１を突出状態に設定する。 - 特許庁

Since a convex portion of the first interlayer insulating film 92 having a height corresponding to the film thickness of the first Al layer 94 exists on the light receiver where the pattern of the first Al layer 94 is not formed, the surface of a second interlayer insulating film 96 laminated thereon is formed flatly.例文帳に追加

第１Ａｌ層９４のパターンが形成されない受光部に、第１Ａｌ層９４の膜厚に応じた高さの第１層間絶縁膜９２の凸部が存在することで、その上に積層される第２層間絶縁膜９６の表面が平坦に形成される。 - 特許庁

The first metal mesh 21 for forming a filtration layer 11 is preferably layered continuously with two or more of metal meshes having 200 mesh or more of mesh net, and is layered with the second metal mesh 23 via the third metal mesh 23 serving as a protection layer 12 to impart a desired strength to the frit 1.例文帳に追加

濾過層１１を形成する第１の金網２１として、網目の縦横が２００メッシュ以上の金網を好ましくは２枚以上、連続して積層させ、保護層１２となる第３の金網２２を介して第２の金網２３を積層してフリット１に所望の強度を付与する。 - 特許庁

This method for producing a double layered foamed paper is characterized in that the first layer (2) comprising a pulp and a synthetic fiber as essential components, and the second layer (3) formed thereon, and comprising the pulp, the synthetic fiber and a heat-foamable agent as essential components are made into two layers by papermaking, and the obtained paper is heated to foam the heat-foamable agent.例文帳に追加

パルプおよび合成繊維を必須成分として含む第１層（２）と、その上部にパルプ、合成繊維および加熱発泡剤を必須成分として含む第２層（３）を２層抄造し、加熱して加熱発泡剤を発泡させることを特徴とする２層発泡紙の製造方法。 - 特許庁

An end of the first extended portion 30 of the current blocking layer 32 terminates at a position closer to a central side without reaching the outer fine-line pattern 37, and the second extended portion 31 of the current blocking layer 32 is extendedly formed up to a lower portion of the conductor of the outer fine-line pattern 37.例文帳に追加

そして、前記電流阻止層の第１の延長部３０は、前記電極層の外郭細線パターン３７よりも中央側において終端し、前記電流阻止層の第２の延長部３１は、前記電極層の外郭細線パターン３７導体下部にまで延長形成されている。 - 特許庁

The first trace layer 21 and the multi-sensor layer 23 have a first trace 211 and a second trace 231 which are intersected to each other, and conductive circuits connected to the traces 211 and 231 thereon, respectively and are used to transmit a sensor signal to a subsequent signal processing element.例文帳に追加

第１のトレース層２１およびマルチセンサ層２３上は相互に交差する第１のトレース２１１および第２のトレース２３１と、上述のトレース２１１、２３１と接続される導電線路とをそれぞれ有し、センサ信号を後続の信号処理素子に伝達するのに使用される。 - 特許庁

In the first wiring layer 151, the aspect ratio L of a wiring having the minimum wiring width and the via aspect ratio V are in a relationship of L≥V, and in the second wiring layer 153, the aspect ratio L of a wiring having the minimum wiring width and the via aspect ratio V are in a relationship of L<V.例文帳に追加

第１の配線層部１５１において、最小配線幅を有する配線のアスペクト比Ｌと、ビアのアスペクト比Ｖは、Ｌ≧Ｖなる関係を有し、かつ第２の配線層部１５３において、最小配線幅を有する配線のアスペクト比Ｌと、ビアのアスペクト比Ｖは、Ｌ＜Ｖなる関係を有する。 - 特許庁

A character attribute region is extracted from an acquired original document image, the extracted region is divided into a first image (character region image layer) and a second image (image layer other than character region) on the basis of the acquired region information, and each of the image layers are compressed with a coding system of JPEG2000.例文帳に追加

取得した原文書画像から文字属性領域を抽出し、得た領域情報を基に第１画像（文字領域画像レイヤ）と第２画像（文字領域以外の画像レイヤ）に分離し、各画像レイヤをＪＰＥＧ２０００の符号化方式により圧縮する。 - 特許庁

The liquid crystal layer 120 has first and second liquid crystal regions 102a, 102b of which directions of respective alignment axes, defined by azimuth angles of alignment directions of the liquid crystal molecules 120a existing close to the center in the thickness direction of the liquid crystal layer 120, intersect with each other with 170-190° angle per pixel.例文帳に追加

液晶層１２０は、絵素ごとに、液晶層１２０の厚さ方向における中央付近の液晶分子１２０ａの配向方向の方位角で規定される配向軸方向が、互いに１７０°から１９０°の角を成す第１および第２液晶領域１０２ａ、１０２ｂを有する。 - 特許庁

When a light made incident in-plane in the first transparent substrate 30 and is totally reflected by a second inclined plane 30d is a P-polarized light, the hologram layer 36 diffracts and reflects the light; and when the light is S-polarized light, the hologram layer reflects the light, without diffracting the light.例文帳に追加

ホログラム層３６は、第１透明基板３０内に入射して第２傾斜面３０ｄで内面全反射する光がＰ偏光光である場合、その光を回折させて反射させ、Ｓ偏光光である場合、その光を回折させることなく反射させる。 - 特許庁

In this organic electroluminescent element, a first electrode film 2 and film formation prevention layers 3a, 3b are formed on a substrate 1, while an organic luminescent layer 4 and a second electrode film 5 are sequentially laminated and formed on a film formation prevention layer 3a, 3b non- formed surface on the first electrode film 2.例文帳に追加

基板１上に、第１の電極膜２と、成膜防止層３ａ，３ｂとが形成され、第１の電極膜２上の成膜防止層３ａ，３ｂ非形成面に有機発光層４及び第２の電極膜５が順次積層形成された有機電界発光素子。 - 特許庁

In the method of manufacturing printing plate, a first process of forming a printing pattern on a printing original plate layer by means of the laser engraving (α) and a second process of reforming a printing pattern formation surface of the printing original plate layer by means of the laser engraving (β) are performed in this order.例文帳に追加

レーザー彫刻（α）により印刷原版層に印刷パターンを形成する第１工程と、 レーザー彫刻（β）により前記印刷原版層の前記印刷パターン形成面を改質する第２工程とを順次行う印刷版の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least part of at least one power line of a plurality of power lines 103R, 103G and 103B is composed of a conductive film provided in a first wiring layer 135 and a conductive film provided in a second wiring layer 136, so as to attain narrow line widths of the power lines.例文帳に追加

複数の電源線１０３Ｒ，１０３Ｇ，及び１０３Ｂのうちの少なくとも１つの電源線の少なくとも１部を第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜とにより構成することにより、電源線の線幅を狭くする。 - 特許庁

Simultaneous exposure can be performed while a redundant period for exposure is prevented by using a DFR (dry film resist) composed of a first photosensitive layer 110 and a second photosensitive layer 108, separately using the layers to a pattern image and a through hole image and thinning the dot pattern data in the pattern image region.例文帳に追加

第一感光層１１０と第二感光層１０８とで構成されるＤＦＲを用い、パターン画像とスルーホール画像とに振り分け、パターン画像領域のドットパターンデータを間引き処理することで、同時露光が可能となり、露光処理時間が冗長することがない。 - 特許庁

In light-emitting element, at least a first electrode, a light- emitting region containing organic material(s), and a second electrode are sequentially formed on a substrate, and which has an insulating heat radiation layer between the substrate and the first electrode, and in which thermal conductivity of the heat radiation layer is 50 W/mK or more.例文帳に追加

基板上に少なくとも第１の電極、有機材料を含む発光領域、第２の電極が順に形成され、前記基板と前記第１の電極の間に絶縁性の放熱層を有し、前記放熱層の熱伝導率が５０Ｗ／ｍＫ以上である発光素子。 - 特許庁

A first oil 11 of a low viscosity functioning as an operating fluid and a second oil 12 of a low volatility are filled in a bearing space between a sleeve 3 fixed with a stator coil 8 and a rotating shaft 4 having shallow grooves 4a, 4b for a dynamic pressure generation in a state of separating an upper layer and a lower layer.例文帳に追加

ステータコイル８を固定したスリーブ３と、動圧発生用の浅溝４ａ，４ｂを有する回転軸４の間の軸受間隙に、動作流体として作用する低粘度の第１のオイル１１と、揮発性の低い第２のオイル１２を上層、下層に分離した状態で充填する。 - 特許庁

With such a manufacturing method, the semiconductor device in which the PN junction 17 generated in an interface between the substrate 1 and the diffused layer 6 is separated from the first electrode 15 by the second N-type semiconductor layer 7 while reducing the sectional area of the PN junction, is obtained.例文帳に追加

このような製造方法によって、ＰＮ接合部１７の断面積を小さくしながら、Ｐ型半導体基板１と第１Ｎ型半導体拡散層６との境界に生ずるＰＮ接合部１７と第１電極１５とを第２Ｎ型半導体層７によって分離した半導体装置を得る。 - 特許庁

The present invention is the dimming material, in which a first liquid crystal layer that contains a dichroic pigment, and switches between a transparent and colorless state, and a transparent and colored state by the application of a voltage is laid under a second liquid crystal layer that switches from a transparent and colorless state to a scattered white color state by the application of a voltage.例文帳に追加

二色性色素を含有し電圧の印加により無色透明と着色透明の状態が切り替わる第一の液晶層と、電圧の印加により無色透明から白色散乱に状態が切り替わる第二の液晶層と、を積層する調光材料である。 - 特許庁

A first joint seal structure 1-1 is formed of the left side long cylinder 5, the central long cylinder 6, and the water impermeable wall layer 7 between these long cylinders in Fig., and a second joint seal structure 1-2 is formed of the right side long cylinder 5, the long cylinder 6, and the water impermeable wall layer 7 between these long cylinders in Fig.例文帳に追加

図中左側の長筒（５）と中央の長筒（６）およびこれらの間の不透水壁層（７）とで第１の目地シール構造（１−１）を形成し、図中右側の長筒（５）と長筒（６）およびこれらの間の不透水壁層（７）とで第２の目地シール構造（１−２）を形成する。 - 特許庁

The method for printing the image comprises the first process wherein the image with the visible dye is formed by thermal diffusion transfer, the second process wherein a dye receiving layer is transferred on the image, and the third process wherein the image of the latent image with a fluorescent image is formed on the dye receiving layer by the thermal diffusion transfer.例文帳に追加

熱拡散転写により可視染料による画像を形成する第１工程と、前記画像上に、染料受容層を転写する第２工程と、前記染料受容層上に熱拡散転写により蛍光染料の潜像画像を形成する第３工程とを有する、印画方法。 - 特許庁

Further, the photoelectric conversion module has: a coating layer 8 coating the photoelectric conversion part 1; and a second substrate 9 having a light receiving surface 9a and a non-light receiving surface 9b which corresponds to a rear surface of the light receiving surface and is provided so that the non-light receiving surface 9b contacts with the coating layer 8.例文帳に追加

さらに、光電変換モジュールは、光電変換部１を被覆する被覆層８と、受光面９ａおよび該受光面の裏面に相当する非受光面９ｂを有し、該非受光面９ｂが被覆層８と接触するように設けられた第２基板９とを有する。 - 特許庁

The photosensitive dry film resist has a multilayer structure including a first photosensitive layer containing, as essential components, (A1) binder polymer, (B1) (meth)acrylic compound, (C1) photoreaction initiator and (D1) flame retardant, and a second photosensitive layer containing, as essential components, (A2) a binder polymer and (B2) a (meth)acrylic compound.例文帳に追加

（Ａ１）バインダーポリマー、（Ｂ１）（メタ）アクリル系化合物、（Ｃ１）光反応開始剤、及び（Ｄ１）難燃剤を必須成分として含有する第１感光層と、（Ａ２）バインダーポリマー、及び（Ｂ２)（メタ）アクリル系化合物を必須成分として含有する第２感光層とを含む多層構造とする。 - 特許庁

The semiconductor is constituted so that a 1 μm or more-thick β-SiC single crystalline thin film 5 is formed on an Si single crystalline substrate 2 by interposing a 3 to 20 nm-thick first SiC layer 3 containing amorphous and a 10 to 50 nm-thick second SiC layer 4 consisting of a number of β-SiC growth nucleuses one by one.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上にアモルファスを含む厚さ３〜２０ｎｍの第１ＳｉＣ層３及び多数のβ−ＳｉＣ成長核からなる厚さ１０〜５０ｎｍの第２ＳｉＣ層４を順に介在して厚さ１μｍ以上のβ−ＳｉＣ単結晶薄膜５が形成されている。 - 特許庁

The method also comprises steps of forming a second metal film (5) on an exposed surface (2a) of the first metal film (2) in which the exposed layer (3) is removed by etching, finally removing the film (4b) and the layer (3) and the film (2) coated by the film (4b), and thereby exposing the substrate (1).例文帳に追加

露出したレジストバリア層(3)をエッチング除去した第１の金属膜(2)の露出面(2a)に第２の金属膜(5)を形成し、最後に、第２のレジスト膜(4b)並びに第２のレジスト膜(4b)に被覆されたレジストバリア層(3)及び第１の金属膜(2)を除去して、半導体基板(1)を露出させる。 - 特許庁

In a plan view (an assembled printed circuit board 50 is viewed in a board thickness direction), a separating portion 110 provided in a solid pattern 102 of a second metal layer 68 and a separating portion 112 provided in a solid pattern 104 of a third metal layer 74 are arranged so as not to be overlapped with each other.例文帳に追加

平面視（集合プリント配線基板５０を板厚方向から見た矢視）において、第２金属層６８のべたパターン１０２に設けられた切離部１１０と、第３金属層７４のべたパターン１０４に設けられた切離部１１２とは、重ならないように配置されている。 - 特許庁

A frame part 108 of a pressure sensor 1 and a diaphragm layer 20 are joined together using a first joint material 40, and a pair of base parts 16b of a pressure sensitive element layer 10 and a pair of support parts 210 are joined together using a second joint material 50 having a melting point higher than the melting point of the first joint material 40.例文帳に追加

圧力センサー１の枠部１０８とダイアフラム層２０とは第１接合材４０で接合され、感圧素子層１０の一対の基部１６ｂと一対の支持部２１０とは、第１接合材４０の融点よりも高い融点を有する第２接合材５０で接合されている。 - 特許庁

In the second substrate 20, a light-shielding sign is arranged for indicating an attribute of the product name of the liquid crystal device 100 and the like, and in particular this light-shielding sign is arranged as an intra-light-shielding layer sign 29 with a light-shielding film 106 in an area where the light-shielding layer 108 is formed.例文帳に追加

第２基板２０には、液晶装置１００の製品名等の属性を示す遮光性の標示が設けられているが、かかる遮光性の標示は、遮光層１０８が形成されている領域内に、遮光膜１０６によって遮光層内標示２９として設けられている。 - 特許庁

First and second optical disks which have recording films having mutually different characteristics and have a single layered recording layer and third and fourth optical disks which have recording films having mutually different characteristics and have a double layered recording layer are selectively mounted on an optical disk device.例文帳に追加

光ディスク装置には、記録膜の特性が互いに異なり共に単層記録層を有する第１及び第２光ディスク、及び記録膜の特性が互いに異なり共に２層記録層を有する第３及び第４光ディスクを含む光ディスクが選択的に装着される。 - 特許庁

The decal consists of a photopolymer hologram 11 having recorded hologram interference fringes, a transparent pressure sensitive adhesive layer 13 applied on a first surface of the photopolymer hologram 11, and a transparent hard coating layer 15 applied on a second surface of the photopolymer hologram 11.例文帳に追加

記録されたホログラム干渉縞を有するフォトポリマーホログラム11と、フォトポリマーホログラム11の第１の表面上に配置された透明な圧力感応接着剤層13と、フォトポリマーホログラム11の第２の表面上に配置された透明な硬質被覆層15とを具備していることを特徴とする。 - 特許庁

A pad electrode 3 formed on the surface of the semiconductor substrate 1 and a conductive terminal 20 formed on the backside are electrically connected through wiring layers (a first wiring layer 9 + a second wiring layer 16) formed along the junction surface of the semiconductor substrate 1 and the insulating substrate 7.例文帳に追加

半導体基板１の表面に形成されたパッド電極３と、その裏面に形成された導電端子２０とを、半導体基板１と絶縁性基板７との接合面に沿って形成された配線層（第１の配線層９＋第２の配線層１６）を介して電気的に接続する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element is constituted by installing at least a base, a first electrode made of amorphous metal oxide, the photoelectric conversion layer containing a semiconductor material having adsorbed photosensitizing coloring matter, a hole transport layer, and a second electrode arranged opposite the first electrode in this order.例文帳に追加

少なくとも、基体、非晶質金属酸化物からなる第１電極、光増感色素を吸着させた半導体材料を含有してなる光電変換層、ホール輸送層、第１電極に対向させて配置した第２電極を、この順に設置してなる光電変換素子。 - 特許庁

This structure is manufactured by one-time trench formation and one-time trench embedding epitaxial growth, by making the width and pitch of the trench for forming the second p-semiconductor layer 3b different from the width and pitch of the trench for forming the first p-semiconductor layer 2b.例文帳に追加

この構造を、第２のｐ半導体層３ｂを形成するためのトレンチの幅とピッチを、第１のｐ半導体層２ｂを形成するためのトレンチの幅とピッチと異ならせることにより、１回のトレンチ形成と１回のトレンチ埋め込みエピタキシャル成長により作製する。 - 特許庁

The light emitting diode includes an n-type semiconductor layer formed on the front surface of a rectangular sapphire substrate in such a manner that the n-type semiconductor layer has a plurality of rectangular first regions and a second region formed and crossed between the first regions to divide the first regions.例文帳に追加

上記発光ダイオードにおいて、長方形サファイア基板の表面にn型半導体層が形成され、上記n型半導体層は複数の長方形の第1領域と該第1領域を分割すべく上記第1領域間に交差形成された第2領域とを有する。 - 特許庁

The electrolyte is contained in a space of the porous oxide semiconductor layer and/or the nonconductive film, and the porous oxide semiconductor layer provided on the first electrode has a structure in which it is arranged only on a region β excluding a region α of the first electrode opposing to the second electrode.例文帳に追加

電解質は、多孔質酸化物半導体層及び／又は非導電性の膜の空間部に含まれており、第一電極が備える多孔質酸化物半導体層は、第一電極の第二電極と対向する領域αを除いた領域βにのみ配された構造を有する。 - 特許庁

A hetero-junction field-effect semiconductor device includes an electron transit layer 4, an electron supply layer 5, a source electrode 6, a drain electrode 7, a gate electrode 8, a first insulating film 9 made of silicon oxide, and a second insulating film 10 made of silicon nitride.例文帳に追加

本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層４と、電子供給層５と、ソース電極６と、ドレイン電極７と、ゲート電極８と、シリコン酸化物から成る第１の絶縁膜９と、シリコン窒化物から成る第２の絶縁膜１０とを有している。 - 特許庁

The movable microstructure 100 of the semiconductor is formed with an insulating film 102 composed of silicon oxide or the like on the semiconductor substrate 101 composed of a silicon substrate or the like, and a first electrode layer 110 and a second electrode layer 120 made of polysilicon or the like are formed thereon.例文帳に追加

半導体装置の微小可動構造体１００は、シリコン基板などで構成される半導体基板１０１の上に酸化シリコンなどで構成される絶縁膜１０２が形成され、その上に、ポリシリコンなどで第１電極層１１０及び第２電極層１２０が形成されている。 - 特許庁