「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(344ページ目) - Weblio英語例文検索

Mechanical processing of a surface of a first electrode provided to a semiconductor element is performed to provide a microcrystal first layer having a smaller particle diameter than that before the mechanical processing, and mechanical processing of a surface of a second electrode provided to a mounting member for mounting the semiconductor element is performed to provide a microcrystal second layer having a smaller particle diameter than that before the mechanical processing (step S1).例文帳に追加

半導体素子に設けられた第１の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第１の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第２の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第２の層を設ける（ステップＳ１）。 - 特許庁

On the respective polarity inversion regions 12A and 12B of the semiconductor substrate 11, a first HFET 10A including a first active layer 14A and a second HFET 10B including a second active layer 14B, each of which includes a III-V nitride semiconductor, are formed separately from each other, wherein the HFETs 10A and 10B are electrically connected by wiring 22.例文帳に追加

半導体基板１１における各極性反転領域１２Ａ、１２Ｂの上には、それぞれがIII-Ｖ族窒化物半導体からなる、第１の活性層１４Ａを含む第１のＨＦＥＴ１０Ａと、第２の活性層１４Ｂを含む第２のＨＦＥＴ１０Ｂとが互いに独立して形成されており、各ＨＦＥＴ１０Ａ、１０Ｂ同士は配線２２により電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a counterfeit preventing structure which provides: a first region comprising a pattern reflection layer; and a second region comprising a part of a pattern optical layer having an optical effect, with sufficient position accuracy, is high in design, and confirms various changes in the second region with sufficient visibility, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

パターン反射層で構成される第一領域と、光学効果を有するパターン光学層の一部で構成される第二領域とを位置精度良く設けることが可能であり、意匠性が高く、第二領域における種々の変化を視認性良好な状態で確認することができるようにした偽造防止構造体、及びその製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a microelectronic device which has a top surface wide enough to make excellent electric connection between a first electric element and a second electric element distributed to a first layer and a second layer stacked one over the other on a substrate, and also has an interconnection having a cross section small enough not to cause damage due to thermal expansion.例文帳に追加

基板上に上下に積層された第１の階層と第２の階層とにそれぞれ分配された第１の電気素子と第２の電気素子との間の良好な電気的接続を可能にするほどに広い上面を有し、かつ熱膨張に伴う損傷を生じないほどに小さな断面を有する相互配線を備えたマイクロ電子デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting device 100 includes an LED chip 60 formed on a ceramic substrate 10 and a seal for embedding the LED chip 60, wherein the seal contains a fluorescent-substance and it is separated into a first fluorescent-substance-containing resin layer 40 and a second fluorescent-substance-containing resin layer 50 by a first resin ring 20 and a second resin ring 30.例文帳に追加

本発明に係る発光装置１００は、セラミック基板１０上に形成されたＬＥＤチップ６０と、ＬＥＤチップ６０を埋め込む封止体とを備えており、封止体は蛍光体を含有し、第１樹脂リング２０および第２樹脂リング３０によって第１蛍光体含有樹脂層４０および第２蛍光体含有樹脂層５０に分離されている。 - 特許庁

Silicon carbide semiconductor devices and methods of fabricating silicon carbide semiconductor devices are provided by successively etching a mask layer to provide windows for formation of a source region of a first conductivity type, a buried silicon carbide region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type and a second conductivity type well region in a first conductivity type silicon carbide layer.例文帳に追加

炭化珪素半導体デバイスおよび炭化珪素半導体デバイスの製造方法が、第１の伝導型炭化珪素層の中に、第１の伝導型のソース領域、この第１の伝導型と反対の第２の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第２の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるためにマスク層を引き続いてエッチングすることによって提供される。 - 特許庁

A transparent piezoelectric sheet includes a transparent piezoelectric film 10, a first adhesive layer 20 positioned adjacent to a first main surface of the transparent piezoelectric film 10, a first transparent plate electrode 30 positioned adjacent to the opposite surface of the first adhesive layer 20 from the transparent piezoelectric film 10, and a second transparent plate electrode 40 positioned on a second main surface of the transparent piezoelectric film 10.例文帳に追加

透明圧電体膜１０と、前記透明圧電体膜の第１主面に隣接して配置された第１接着剤層２０と、前記第１接着剤層の前記透明圧電体膜とは反対側の面に隣接して配置された第１透明平板電極３０と、前記透明圧電体膜の第２主面に配置された第２透明平板電極４０とを含む透明圧電シート。 - 特許庁

The semiconductor device also includes a second gate electrode 109 formed on the channel layer 101 between the first gate electrode 103 and the source 104, the second gate electrode 109 being insulated from the first gate electrode 103, and a third gate electrode 111 formed on the channel layer 101 between the first gate electrode 103 and the drain 105, the third gate electrode 111 being insulated from the first gate electrode 103.例文帳に追加

また、第１ゲート電極１０３およびソース１０４の間のチャネル層１０１の上に、第１ゲート電極１０３と絶縁分離されて形成された第２ゲート電極１０９と、第１ゲート電極１０３およびドレイン１０５の間のチャネル層１０１の上に第１ゲート電極１０３と絶縁分離されて形成された第３ゲート電極１１１とを備える。 - 特許庁

The electric wiring substrate includes a first substrate, an adhesive layer provided on the upper surface of the first substrate, and a second substrate having the lower surface adhered with the adhesive layer and the upper surface provided with an electrode pad where a plurality of irregularities are provided on the upper surface of the first substrate or the lower surface of the second substrate, and the electrode pad is located above the projecting part of the irregularities.例文帳に追加

第１の基板と、前記第１の基板上面に設けられた接着層と、前記接着層と下面とが接着され、上面に電極パッドを有する第２の基板と、を具備する電気配線基板であって、前記第１の基板上面または前記第２の基板下面に複数の凹凸が設けられ、前記凹凸の凸部の上方に前記電極パッドが位置する。 - 特許庁

The resistor portion 6 includes a first electrode 21 connected to the base voltage power source terminal 7 and composed of the same material as that of the collector electrode 1, a second electrode 22 connected to the base electrode 4 and composed of the same material as that of the emitter electrode 2, and a resistor layer 24 sandwiched between the first electrode 21 and the second electrode 22 and composed of the same material as that of the organic semiconductor layer 3.例文帳に追加

抵抗部６は、コレクタ電極１と同じ材料からなりベース電圧電源端子７に接続する第１電極２１と、エミッタ電極２と同じ材料からなりベース電極４に接続する第２電極２２と、有機半導体層３と同じ材料からなり第１電極２１及び第２電極２２間に挟まれた抵抗層２４とを有する。 - 特許庁

In the solar heat collector A, a first air passage 21 on the solar heat receiving face side and a second air passage 22 on the heat release face side are juxtaposed sandwiching a heat insulating material layer 20, and a circulation passage 30 for air is formed by communicating the first air passage 21 with the second air passage 22 in regions 17, 18 at both ends where the heat insulating material layer 20 is not located.例文帳に追加

太陽熱集熱装置Ａは、太陽熱受熱面側である第１空気通路２１と放熱面側である第２空気通路２２が断熱材層２０を挟んで並存し、かつ第１空気通路２１と第２空気通路２２とが両端部の断熱材層２０が存在しない領域１７，１８で連通することで空気の循環路３０を形成している。 - 特許庁

The piezoelectric element according to the present invention includes: a diaphragm 10 having a first recess 14 on a first surface 16; a first electrode 20 which is formed in the first recess 14 and has a second recess 26 formed on an upper surface thereof; a piezoelectric layer 30 formed on the diaphragm 10 and the first electrode 20; and a second electrode 40 formed on the piezoelectric layer 30.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子は、第１の面１６において、第１の凹部１４を有する振動板１０と、第１の凹部１４内に形成され、上面に第２の凹部２６が形成された第１電極２０と、振動板１０および第１電極２０の上に形成された圧電体層３０と、圧電体層３０の上に形成された第２電極４０と、を含む。 - 特許庁

The liquid crystal display screen using the touch panel includes: a first element 100 provided with the touch panel 10 having a plurality of transparent electrodes; a second element 200 disposed opposite to the first element and provided with a thin film transistor panel 220 having a plurality of thin film transistors each provided with a semiconductor layer; and a liquid crystal layer 310 provided between the first and second elements.例文帳に追加

タッチパネルを利用した液晶表示装置は、複数の透明電極を有するタッチパネル１０を備える第一素子１００と、前記第一素子と対向設置され、且つ各々半導体層を備える複数の薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタパネル２２０を備える第二素子２００と、前記第一素子と前記第二素子の間に設置される液晶層３１０と、を備える。 - 特許庁

The memory cell array comprises the first floating gate region 42 having memory cells surrounded by the isolation regions 45, the second floating gate region 48 formed selectively only on the first floating gate region 42, the dielectric layer 51 formed on the second floating gate region 48 and the isolation region 45, and a control gate 52 formed on the dielectric layer 51 provided on the first floating gate region 42.例文帳に追加

メモリセルアレイは、各メモリセルが、アイソレーション領域45により囲まれた第1浮遊ゲート領域42と、第1浮遊ゲート領域42のみに選択的に形成された第2浮遊ゲート領域48と、第2浮遊ゲート領域48及びアイソレーション領域45上に形成された誘電層51と、第1浮遊ゲート領域42上に設けられた誘電体51上に形成された制御ゲート52とを含む。 - 特許庁

In this photodetector 10, the injection of carriers of different polarities from first and second electrically conductive layers 15 and 11 into the photoconduction layer 13 is suppressed by respectively providing first and second electric charge injection inhibition layers 14 and 12 between the conductive layers 15 and 11 and the photoconduction layer 13.例文帳に追加

光検出装置１０において、第１の導電層１５と光導電層１３との間に第１の電荷注入阻止層１４を設け、第２の導電層１１と光導電層１３との間に第２の電荷注入阻止層１２を設けることにより、光導電層１３内に、導電層１１および１５からそれぞれの極性のキャリアが注入されるのを抑制する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with: a first electrode 106 formed on the surface of one of a pair of facing light-transmitting substrates; an insulating layer 102 superposed on the first electrodes 106; a second electrode 108 superposed on the insulating layer 102; and a liquid crystal driving means connected to the first electrodes and the second electrode to drive liquid crystal filled between the pair of substrates.例文帳に追加

液晶表示装置は：対向する一対の光透過基板の一方の内表面に設けられた第１電極１０６と；第１電極に重ねられた絶縁層１０２と；絶縁層に重ねられた第２電極１０８と；そして、第１電極と第２電極に接続され、一対の基板間の液晶層の液晶を駆動する液晶駆動手段と；を備える。 - 特許庁

In the liquid crystal display provided with the first glass substrate having the electrode parts and the second glass substrate having RGB layers, a black matrix layer, an overcoat layer and the transparent conductive film layers, the transparent conductive film layers of the second glass substrate are formed in a matrix shape and the transparent conductive film layers vertically and horizontally adjacent to each other are partially connected to each other.例文帳に追加

電極部を有する第１ガラス基板と、ＲＧＢ層、ブラックマトリクス層、オーバーコート層及び透明導電膜層とを有する第２ガラス基板とを備えた液晶表示表示装置において、第２ガラス基板の透明導電膜層がマトリクス状に形成され、上下左右に隣接する透明導電膜層を部分的に接続されている液晶表示装置とする。 - 特許庁

A first layer group in which a plurality of first layers are laminated which both ends of plate type magnetic materials are superposed mutually and by which they are made annular, and a plurality of second layers or this second layer by which both the ends of plate type magnetic material are alternately laminated.例文帳に追加

鉄心のうちの全部のものまたは一部のものを、板状磁性材の両端部が互いに重ね合わされて環状にされた第１の層が複数層積層された第１の層群と、板状磁性材の両端部が互いに突き合わされて環状にされた第２の層または該第２の層が複数層積層された第２の層群とが交互に積層されて成る構成とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor chip 5, a wire 4 having a first end 9 in contact with the semiconductor chip and a second end 10 on the other side, and a sealing resin layer 6 for sealing the semiconductor chip and wire, wherein the semiconductor device has no frame since a surface of the second end of the wire is exposed from the sealing resin layer.例文帳に追加

半導体チップ５と、前記半導体チップに接する第一端部９および他方側の第二端部１０を有するワイヤ４と、前記半導体チップと前記ワイヤとを封止する封止樹脂層６と、を有する半導体装置において、前記ワイヤの第二端部の表面が前記封止樹脂層から露出していることから、フレームを有しない半導体装置が得られる。 - 特許庁

The capacitor lower electrode 109 and an impurity diffusion layer 105 of the first FET are connected to a first contact plug 107, formed on the first protective insulating film 106, and the capacitor upper electrode 111 and an impurity diffusion layer 105 of the second FET are connected by a second contact plug 108, formed on the first protective insulating film 106.例文帳に追加

容量下部電極１０９と第１の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第１のコンタクトプラグ１０７により接続され、容量上部電極１１１と第２の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第２のコンタクトプラグ１０８により接続されている。 - 特許庁

The hologram recording medium comprises a first substrate having a recessed part on the surface, an information recording layer formed in the recessed part of the first substrate, and a second substrate formed on the information recording layer, wherein the area of the second substrate surface is smaller than the area of an aperture defined on the surface of the first substrate by the recessed part of the first substrate.例文帳に追加

表面に凹部を有する第１基板と、第１基板の凹部に形成された情報記録層と、情報記録層上に形成された第２基板とを備え、第２基板表面の面積が第１基板の凹部により第１基板の表面に画成される開口部の面積より小さいことを特徴とするホログラム記録媒体を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

Further, the optical compensation film has a first optical anisotropic layer and a second anisotropic layer which respectively contain liquid crystal compounds and, in the first and the second anisotropic layers, molecules of the liquid crystal compound are fixed in such a hybrid alignment state that an oblique angle with respect to a film flat surface is different in the thickness direction.例文帳に追加

また、各々が液晶化合物を含有する第１の光学異方性層と第２の光学異方性層とを有する光学補償フィルムであって、該第１および第２の光学異方性層において、前記液晶化合物の分子が、フィルム平面に対する傾斜角が厚さ方向において異なるハイブリッド配向状態に固定化されている光学補償フィルムである。 - 特許庁

The surface hydrophobing method includes a step to bring (A1) a first reactive silane compound and (B1) a first surface hydrophobing composite containing an organic solvent into contact with the surface of a layer, and a step to bring (A2) a second reactive silane compound and (B2) a second surface hydrophobing composite containing an oragnic solvent into contact with the surface of the layer.例文帳に追加

本発明の表面疎水化方法は、（Ａ１）第１の反応性シラン化合物および（Ｂ１）有機溶媒を含む第１の表面疎水化用組成物を前記層の表面に接触させる工程、および（Ａ２）第２の反応性シラン化合物および（Ｂ２）有機溶媒を含む第２の表面疎水化用組成物を前記層の表面に接触させる工程を含む。 - 特許庁

The luminaire is composed of at least: the housing; the board arranged in the housing; a plurality of surface-mounted packages attached to the board; a first phosphor layer; a second phosphor layer; a movable plate capable of changing the plurality of phosphor layers to a first position and a second position; and a movable device moving the movable plate.例文帳に追加

本発明の照明器具は、ハウジングと、前記ハウジング内に設けられた基板と、前記基板に取り付けられている複数個の表面実装型パッケージと、第１の蛍光体層と、第２の蛍光体層と、前記複数の蛍光体層を第１の位置と第２の位置に変えられる可動板と、前記可動板を移動する可動装置とから少なくとも構成されている。 - 特許庁

The substrate treatment method comprises a first process for setting the temperature of a substrate to be treated on which an metallic layer is formed to a first temperature and forming a metal complex by making the metallic layer absorb treatment gas containing organic compounds, and a second process for heating the substrate to be treated to a second temperature higher than the first temperature and sublimating the metal complex.例文帳に追加

金属層が形成された被処理基板を第１の温度に設定し、有機化合物を含む処理ガスを前記金属層に吸着させて金属錯体を形成する第１の工程と、前記被処理基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度となるように加熱して、前記金属錯体を昇華させる第２の工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 - 特許庁

This display element includes an organic light emitting layer which is successively arranged with metallic electrodes, first transparent electrodes, second transparent electrodes and third transparent electrodes, is arranged between the metallic electrodes and the first transparent electrodes and performs driving by each of pixels, and a guest-host liquid crystal layer which is arranged between the second transparent electrodes and the third transparent electrodes and performs driving by each of the pixels.例文帳に追加

金属電極と第１の透明電極、第２の透明電極、第３の透明電極が順に配置され、金属電極と第１の透明電極との間に配置され画素毎に駆動を行う有機発光層と、第２の透明電極と第３の透明電極との間に配置され画素毎に駆動を行うゲスト・ホスト液晶層とを具備する事を特徴とする表示素子。 - 特許庁

The first and the second outer electrodes 4 and 5, where rectangular dielectric ceramic layers 1a, 1b..., the first inner electrode layer 2 arranged between the dielectric ceramic layers and the second inner electrode layer 3 arranged between the layers adjacent to the thickness direction, are arranged on a pair of edge faces of the laminated body in this ceramic capacitor.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサにおいて、矩形状の誘電体セラミック層１ａ、１ｂ・・と、該誘電体セラミック層の層間に配置された第１内部電極層２と、該層間に厚み方向に隣接する層間に配置された第２内部電極層３とが積層した積層体の一対の端面に第１及び第２外部電極４、５を形成しなる積層セラミックコンデンサである。 - 特許庁

The NMOS transistor non-volatile semiconductor memory includes: first and second n-type diffusion layers 21, 22 formed as a source and a drain in a p-type silicon layer 20; a gate electrode 50 formed on a channel region CNL between the first and second n-type diffusion layers 21, 22 via an insulating film 30; and the charge storage layer 40 formed in the insulating film 30.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリは、Ｐ型シリコン層２０中にソース／ドレインとして形成された第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２と、第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２に挟まれたチャネル領域ＣＮＬ上に絶縁膜３０を介して形成されたゲート電極５０と、その絶縁膜３０中に形成された電荷蓄積層４０とを備える。 - 特許庁

The flexible printed circuit board includes: a first insulating section forming an insulating layer on one side; a second insulating section forming the insulating layer on the other side; and a conductive section having a neutral plane at a position, where a deformation ratio substantially reaches zero by a bending between the first insulating section and the second insulating section, within a fixed range having a specified thickness for transmitting an electric signal.例文帳に追加

一側の絶縁層を形成する第１絶縁部と、他側の絶縁層を形成する第２絶縁部と、所定の厚さを有してその厚さの所定範囲内に、前記第１絶縁部及び第２絶縁部の間で屈曲により変形率が実質的に零（Ｚｅｒｏ）になる位置である中立面が設けられ、電気的信号を伝達する導電部を含むフレキシブル印刷回路基板。 - 特許庁

The charged particle beam device comprises a first element ion beam optical system device performing first FIB processing for forming a sample piece from a sample, a second element ion beam optical system device performing second FIB processing for removing a damage layer formed on the surface of a sample piece, and a first element detector which detects a first element existing in the damage layer.例文帳に追加

荷電粒子ビーム装置は、試料から試料片を形成する第１のＦＩＢ加工を行う第１の元素イオンビーム光学系装置と、試料片の表面に形成されたダメージ層を除去する第２のＦＩＢ加工を行う第２の元素イオンビーム光学系装置と、ダメージ層に存在する第１の元素を検出するための第１の元素検出器と、を有する。 - 特許庁

The method for forming a solder bump structure includes a step for developing a photoresist by primary exposure and forming at least one or more first openings, a step for forming a metal layer at the first opening, a step for developing a photoresist by secondary exposure and forming at least one or more second openings, and a step for forming a solder layer at the second opening.例文帳に追加

半田バンプ構造の形成方法において、フォトレジストを１次露光し現像して少なくとも一つ以上の第１開口部を形成する段階と、第１開口部に金属層を形成する段階と、フォトレジストを２次露光し現像して少なくとも一つ以上の第２開口部を形成する段階と、第２開口部のうちに半田層を形成する段階とを有する。 - 特許庁

The MOS device is further provided with a gate 202 formed above the semiconductor layer proximate to the semiconductor layer and at least partially between the first and second source/drain regions, the gate configured such that a dimension of the gate, defined substantially parallel to at least one of the first and second source/drain regions, is confined to be substantially within the active region of the device.例文帳に追加

さらに、半導体層の上で、半導体層に近接して、少なくとも部分的に第１ソース／ドレイン領域と第２ソース／ドレイン領域の間に形成され、少なくとも第１ソース／ドレイン領域および第２ソース／ドレイン領域の１つとほぼ平行に規定され、そのの寸法がデバイスの活性領域の範囲内にほぼ収まるように構成されるゲート２０２を備える。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises: the flexible substrate 1; a conductor pattern 2 which is a first heat conductive layer which is formed on a first principal surface of the flexible substrate and electrically connected to the semiconductor chip 5; and a conductor pattern 3 which is a second conductive layer which is formed on a second principal surface of the flexible substrate and electrically insulated from the semiconductor chip 5.例文帳に追加

半導体装置１００は、フレキシブル基板１と、フレキシブル基板１の第１の主面上に形成され、半導体チップ５と電気的に接続された第１の熱伝導層である導体パターン２と、フレキシブル基板１の第２の主面上に形成され、半導体チップ５とは電気的に絶縁された第２の熱伝導層である導体パターン３とを有する。 - 特許庁

A capacitor element 12 comprises a pair of conductor layers 14 and 16, many nearly tube-shaped dielectrics 18, a first electrode 20 and a second electrode 24 inside and outside the dielectrics 18 respectively, an insulating cap 22 insulating the first electrode 20 and conductor layer 16 from each other, and an insulating cap 26 insulating the second electrode 24 and conductor layer 14 from each other.例文帳に追加

コンデンサ素子１２は、一対の導電体層１４，１６と、多数の略チューブ状の誘電体１８と、該誘電体１８の内側の第１電極２０及び外側の第２電極２４と、前記第１電極２０と導電体層１６を絶縁する絶縁キャップ２２と、前記第２電極２４と導電体層１４を絶縁する絶縁キャップ２６により構成される。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic electroluminescent element provided with a first electrode (2), a second electrode (7) set in opposition to the first electrode (2), and organic luminescent medium layers at least containing an organic luminescent layer (6) between the first electrode (2) and the second electrode (7) dries at least one layer among the organic luminescent medium layers in a letterpress contact drying method.例文帳に追加

第１電極（２）と、前記第１電極（２）に対向するように設けられた第２電極（７）と、前記第１電極（２）と第２電極（７）との間に少なくとも有機発光層（６）を含む有機発光媒体層を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記有機発光媒体層の少なくとも１層が凸版接触乾燥法により乾燥される製造方法。 - 特許庁

The carry part is provided with a control electrode to which one out of the start signal and the previous carry signal is applied, a first electrode receiving one input out of the first and the second clock signals, a second electrodes outputting the carry signal separated from the output signal, and a carry transistor including a channel layer having a length different from that of a channel layer of the previous stage.例文帳に追加

キャリー部は、開始信号及び前ステージのキャリー信号のうちの一つが印加される制御電極と、第１及び第２クロック信号のうちの一つの入力を受ける第１電極と、出力信号と分離されたキャリー信号を出力する第２電極と、前ステージのキャリートランジスタのチャネル層と互いに異なる長さを有するチャネル層を含むキャリートランジスタを具備する。 - 特許庁

This two-wavelength semiconductor laser device is manufactured by integrating a first semiconductor laser element 1 and a second semiconductor laser element 2 on a substrate 10 composed of a compound semiconductor, wherein a constituting material for an etching stop layer 15 of the first semiconductor laser element 1 is a material in which impurities are harder to diffuse than in a constituting material for an etching stop layer 25 of the second semiconductor laser element 2.例文帳に追加

化合物半導体からなる基板１０上に、第１の半導体レーザ素子１と第２の半導体レーザ素子２とを集積した二波長半導体レーザにおいて、第１の半導体レーザ素子１のエッチングストップ層１５の構成材料を第２の半導体レーザ素子２のエッチングストップ層２５の構成材料よりも不純物を拡散させにくい材料とする。 - 特許庁

Thus, the second single crystal semiconductor layer is transferred to the second substrate to provide a semiconductor substrate, and the semiconductor substrate is reused by performing laser light treatment on the seed layer.例文帳に追加

第１の基板上に設けられた第１の単結晶半導体層をシード層として気相エピタキシャル成長を行うことで、第１の単結晶半導体層上に第２の単結晶半導体層を形成し、両層の界面で分離を行い、第２の基板上に第２の単結晶半導体層を転載し半導体基板を得るとともに、該シード層に対しレーザー処理を行い再利用する。 - 特許庁

The separator for a battery has a first face and a second face opposite to the first face, and comprises a porous substrate 130 containing pores running from the first face to the second face, and a heat-resistant layer 131 composed of an inorganic material, covering at least the first face and the surfaces surrounding the pores, and deposited by atomic layer deposition.例文帳に追加

上記電池用セパレータは、第１の面と、上記第１の面と対向する第２の面とを有し、上記第１の面と上記第２の面との間を連通させる空孔が内部に形成された多孔性の基材１３０と、少なくとも上記第１の面と上記空孔の表面とを被覆する、原子層堆積法によって成膜された、無機材料からなる耐熱層１３１とを具備する。 - 特許庁

A second conductive impurity area 7 and a first conductive impurity area 6 are separately formed in a first conductive semiconductor active layer 4 formed through an embedded dielectric layer 3 on one main face side of a substrate 2, and element electrodes 10 and 9 are respectively formed on the second conductive impurity area 7 and the contact impurity area 6.例文帳に追加

基板２の一主面側に埋込誘電体層３を介して形成された第１導電型の半導体活性層４に、第２導電型の不純物領域７と、第１導電型のコンタクト不純物領域６とが互いに離れて形成され、第２導電型の不純物領域７およびコンタクト不純物領域６上に、それぞれ素子電極１０，９を有する。 - 特許庁

The upper shield layer includes a first part 3a arranged in an area including an area opposite to the thin film coil 5, a second part 3b connected to a face of the first part 3a at the side of the thin film coil 5, and a third part 3c opposite to the lower shield layer 6 via the MR element 9 and connected to the second part 3b.例文帳に追加

上部シールド層は、薄膜コイル５に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分３ａと、下部シールド層６の側方に配置され、第１の部分３ａにおける薄膜コイル５側の面に接続された第２の部分３ｂと、ＭＲ素子９を挟んで下部シールド層６と対向すると共に第２の部分３ｂに接続された第３の部分３ｃを有している。 - 特許庁

A first recess face 53a and a second recess face 53b are placed on the inclined upper face at a position to reduce game balls flowed down in a double stacked layer condition to a one layer condition to arrange and control the balls wherein the first recess face 53a is formed to have a curvature larger than that of the second recess face 53b.例文帳に追加

この傾斜穴２０には、遊技球が１段となって１個ずつ前進する位置の後方であって、２段重ね状態で流下する遊技球を１段に減少させて整列規制する位置における傾斜上面に、第１の凹曲面５３ａ及び第２の凹曲面５３ｂを配し、第１の凹曲面５３ａに比べて第２の凹曲面５３ｂを大きな曲率とする。 - 特許庁

The capacitive ultrasonic oscillator includes a first electrode, an insulating layer formed on the first electrode, at least one support frame formed on the insulating layer, and a second electrode formed spaced apart from the first electrode, wherein the first electrode and the second electrode define an effective area of oscillation of the capacitive ultrasonic oscillator, and the respective length of the first electrode and the second electrode defining the effective area of oscillation is substantially the same.例文帳に追加

第１の電極、第１の電極上に形成された絶縁層、絶縁層上に形成される少なくとも１つの支持フレーム、および第１の電極から間隔をおいて形成された第２の電極を含む容量性超音波振動子、ここで、第１の電極と第２の電極が、容量性超音波振動子の振動の有効範囲を規定し、振動の有効範囲を規定する第１の電極と第２の電極のそれぞれの長さが、実質的に同じである。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element provided with a first electrode with an electron transport compound covered, a second electrode facing the electron transport compound of the first electrode, and a hole transport layer composed of a hole transport material between the electron transport compound of the first electrode and the second electrode, the hole transport layer is laminated with a compound having different molecular weight, and a hole transport material near a second electrode side is a polymer.例文帳に追加

電子輸送性化合物が被覆された第一電極と、前記第一電極の電子輸送性化合物と対峙する第二の電極と、前記第一電極の電子輸送性化合物と前記第二の電極との間にホール輸送性材料からなるホール輸送層を具備した光電変換素子において、ホール輸送層が分子量の異なる化合物で積層されており、第二電極側に近いホール輸送材料が高分子であることを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

The laminated electronic component is constituted such that two capacitive components are connected in series by sandwiching a dielectric layer 6 between a first internal electrode 20 electrically connected to a first terminal electrode 2 and a third internal electrode 40 electrically insulated from the first terminal electrode 2 and a second terminal electrode 3, and also sandwiching a dielectric layer 6 between the second internal electrode 30 electrically connected to the second terminal electrode 3 and the third internal electrode 40.例文帳に追加

第一端子電極２に電気的に接続された第一内部電極２０と、第一端子電極２及び第二端子電極３から電気的に絶縁された第三内部電極４０とで誘電体層６を挟み込むと共に、第二端子電極３に電気的に接続された第二内部電極３０と第三内部電極４０とで誘電体層６を挟み込むことによって、二つの容量成分を直列接続したような構成とすることができる。 - 特許庁