1153万例文収録!

「single diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > single diffusionの意味・解説 > single diffusionに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

single diffusionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 135



例文

A delay determined by a time constant depending on an output resistance and a diffusion layer capacitance of a MOS transistor(TR) single body connected to each input terminal and being a component of the multi-input logic gate circuit is used for a minimum unit of the variable delay time.例文帳に追加

多入力論理ゲート回路を構成するMOSトランジスタであって、各入力端子に接続されるMOSトランジスタ単体の拡散層容量と出力抵抗で決まる時定数による遅延を、可変遅延時間の最小単位として用いる。 - 特許庁

The optical diffusion board uses resin combining a single or two or more kinds as a base material, contains air bubbles whose expansion ratio is 1.5 or less and average particle diameter is 0.5-50 μm, an all the beam transmission factor is 40-80% and a parallel line transmission factor is 6.5% or less.例文帳に追加

光拡散板は、基材として単一のまたは2種以上を組合せた樹脂を用い、発泡倍率が1.5以下であって平均粒子径が0.5〜50μmの気泡を含み、全光線透過率が40〜80%、平行線透過率が6.5%以下である。 - 特許庁

To remove remaining amorphous or polycrystalline silicon through a process, in which amorphous or polysilicon is deposited on a silicon semiconductor substrate, and the amorphous or polysilicon is solid-phase down selectively only on an impurity diffusion region to a single crystal layer, without treatment at a high temperature, through etching.例文帳に追加

シリコン半導体基板にアモルファス又はポリシリコンを堆積後高温処理を伴わずに選択的にこれを不純物拡散領域上のみ単結晶層に固相成長させる工程を経て残留したアモルファスや多結晶のシリコンをエッチング除去する。 - 特許庁

In this image display device, an image display circuit is constituted by using a single-channel MOS circuit provided with a low-concentration impurity diffusion area, and a low-voltage peripheral circuit whose driving voltage can be made lower than the liquid crystal driving voltage is composed of a CMOS circuit for reducing the power consumption.例文帳に追加

画像表示回路は低濃度不純物拡散領域を設けた単チャネルMOS回路を用いて構成し、液晶駆動電圧より駆動電圧を下げられる低電圧周辺回路は消費電力を低減するためにCMOS回路で構成する。 - 特許庁

例文

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のIII族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のIII族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁


例文

A buffer layer 12, a first electron supply layer 13, a channel layer 14, a second electron supply layer 15, a diffusion layer 16, and a cap layer 17 are laminated in order on a substrate 11 consisting of a semi-insulation single crystal GaAs to form a semiconductor lamination part 10.例文帳に追加

半絶縁性単結晶GaAsよりなる基板11上に、バッファ層12、第1電子供給層13、チャネル層14、第2電子供給層15、拡散層16、キャップ層17が順次積層されて半導体積層部10が形成される。 - 特許庁

This positive electrode for a battery comprising a collector and single-crystal manganese dioxide particles being an active material is characterized in that the c-axis direction of the single-crystal manganese dioxide particles is oriented vertically to the collector, and is improved in discharge characteristics by improving diffusion of lithium ions in active material particles by increasing the fill of manganese dioxide in the battery.例文帳に追加

集電体と活物質である単結晶二酸化マンガン粒子とからなる電池用正極であって、前記単結晶二酸化マンガン粒子のc軸方向が集電体に対し垂直に配向していることを特徴とし、二酸化マンガンの電池内充填量を増加することによりリチウムイオンの活物質粒子内拡散を向上させ、放電特性を向上させることができる。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the ink jet head, a channel substrate to which movable plates are formed is formed by a single crystal silicon substrate, and a high concentration p type diffusion layer which becomes the movable plate is formed by heating at a time of bonding an electrode substrate having counter electrodes formed and the channel substrate each other.例文帳に追加

本発明のインクジェットヘッド製造方法によれば、可動板が形成される流路基板を単結晶シリコン基板で作製し、対向電極が形成された電極基板と流路基板との接合時の加熱によって可動板となる高濃度p型拡散層を形成する。 - 特許庁

TFTs 30a and 30b of the organic EL display constituted by connecting TFTs 30a and 30b to the respective organic EL elements arrayed and formed on a substrate 4 are constituted by providing single crystal silicon thin films 6a and 6b with source/drain diffusion layers 22a and 22b.例文帳に追加

基板4上に配列形成された各有機EL素子40にTFT30a,30bを接続してなる有機ELディスプレイにおいて、TFT30a,30bは単結晶シリコン薄膜6a,6bにソース/ドレイン拡散層22a,22bを設けてなること特徴としている。 - 特許庁

例文

A ZnO-based crystal layer grown on a substrate of sapphire (Al_2O_3) single crystal includes a solid solution layer having aluminum (Al) solid-dissolved in an interface with the substrate to have a concentration of10^20 pieces/cm^3, and a high-concentration diffusion layer of ≥1×10^19 cm^3 in Al concentration.例文帳に追加

サファイア(Al_2O_3)単結晶の基板上に成長したZnO系結晶層は、基板との界面にアルミニウム(Al)が8×10^20個/cm^3以上の濃度で固溶した固溶層、及びAlの濃度が1×10^19cm^3以上である高濃度拡散層を有している。 - 特許庁

例文

Then, the individual electrodes 4 and the common electrode 5 are extended on the insulation film 7, and its end forms an electrode 5 for external connection being the connecting electrode with an external circuit, and this electrode 6 for external connection is provided in the diffusion region 9 of the single-crystal substrate 1.例文帳に追加

そして、個別電極4と共通電極5を絶縁膜7上を通して延在して、その端部を外部回路との接続電極である外部接続用電極6と成し、この外部接続用電極6を単結晶基板1の拡散領域9に設けている。 - 特許庁

The objective epitaxial silicon wafer is characterized in that the silicon epitaxial layer is formed on the nitrogen-doped silicon single crystal wafer, dislocation loops are contained in the bulk, the BMD density in the bulk is ≥5×108 pieces/cm3, and the carrier diffusion length is 300 to 600 μm.例文帳に追加

および、窒素がドープされたシリコン単結晶ウエーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたものであり、バルク中に転位ループと5×10^8個/cm^3以上のBMD密度を有し、かつ、キャリアの拡散長が300〜600μmであることを特徴とするエピタキシャルシリコンウエーハ。 - 特許庁

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

MOSトランジスタのしきい値制御の為に、DDD不純物層形成にリンを用い、DDD不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、MOSトランジスタのしきい値制御とDDD不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁

To provide an image processing device, a method therefor, a control program, and a recording medium capable of performing image processing, for example, error diffusion processing using an SIMD (single instruction stream multiple data stream) type computing processing part without using an auxiliary computation processing part for performing sequential processing.例文帳に追加

逐次処理を行なうための補助的な演算処理部を利用することなくSIMD型演算処理部を用いて、例えば誤差拡散処理等の画像処理を行なうことが可能な画像処理装置、画像処理方法、制御プログラム及び記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a water-cooled heat sink in which water can be cooled efficiently by supplying water into the diffusion bonded heat sink, and to provide a water-cooled unit in which a single heat sink or electronic component can be cooled or a plurality of heat sinks or electronic components can be cooled simultaneously.例文帳に追加

拡散接合等によるヒートシンク内に水を流入させることにより、効率よく水を冷却することができる水冷式ヒートシンクを提供すると共に、単体であるいは同時に複数のヒートシンクや電子部品を冷却することができる水冷式ユニットを提供する。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第1の単結晶Si層およびSiGe層を通るGeの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のSiGe層を形成する。 - 特許庁

This cigarette filter is characterized by collision-removing relatively large particle-like substances with a U tube type HEPA filter 1, diffusion-removing with a circular single plate HEPA filter 3 continuously layered with untreated fine particles, and forming a mild good taste with fine activated carbon 2 filled in the U tube type HEPA filter 1.例文帳に追加

Uチューブ形HEPAフィルター1で比較的大きな粒子状物質を衝突除去し、未処理の微細粒子を連層した円形単板HEPAフィルター3で、拡散除去するとともに、Uチューブ形HEPAフィルター1に充填した微粉活性炭2で、まろやかで旨味のある構造としたたばこフィルター。 - 特許庁

In a vacuum vessel, a thin film having a microcrystalline structure composed of a single metal or alloy having a bulk diffusion coefficient at room temperature of not less than10^-55 (m^2/s) and a free energy of oxide formation at room temperature of not less than -330 (kJ/mol of compounds) is formed on a smooth surface of each of two substrates.例文帳に追加

真空容器内において,平滑面を有する2つの基体それぞれの前記平滑面に,室温における前記体拡散係数を1×10^-55(m^2/s)以上とし,且つ,室温における酸化物の生成自由エネルギーを−330(kJ/mol of compounds)以上とする単金属又は合金から成る微結晶構造の薄膜を形成する。 - 特許庁

The entire side panel of opposite conductivity type resistance diffusion layer 107a provided on the surface of one conductivity type single crystal silicon layer 104 of an SOI substrate 101 are making direct contact with a dielectrically isolating region wherein an embedding insulating film 115 is filled up in a trench 113a reaching an embedding insulating layer 103.例文帳に追加

SOI基板101の一導電型の単結晶シリコン層104の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層107aの側面の全面は、埋め込み絶縁層103に達する溝113aに埋め込み絶縁膜115が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。 - 特許庁

Since the copolymers with the molecular diffusion coefficient varied coexist in the copolymer mixture exhibiting a plurality of peaks, the agent is excellent in rosin emulsion emulsifying property as compared with the one based on a copolymer exhibiting only a single peak and further paper excellent in sizing properties is manufactured by using the rosin emulsion as an internal sizing agent.例文帳に追加

複数ピークが現れる上記共重合体の混合系では、分子拡散係数が様々に異なる共重合体が混在するために、単一ピークしか現さない共重合体系に比べて、ロジンエマルションに対する乳化性に優れ、ひいては、当該ロジンエマルションを内添サイズ剤に用いた抄造紙のサイズ性にも優れる。 - 特許庁

The sheet-like light source unit 1 for a color display device mainly comprises a plurality of single color light sources 3A, 3B, etc emitting lights of different colors, a reflecting plate 4 for reflecting the lights from the light sources 3A and the like to form reflected lights, and a light diffusion plate 2 for receiving the reflected lights and transmitting them.例文帳に追加

カラー表示装置用面状光源ユニット1を、それぞれ異なる色の光を発する複数個の単一色光源3A、3B等と、該光源3A等から発せられる光を反射して反射光とする反射板4と、該反射光を受けてこれを透過させる光拡散板2とから主として構成する。 - 特許庁

The floating diffusion charge detection system has incorporated a single feedback directly into the charge-detection node, the feedback being fed from a standard buffer amplifier A1 through a feedback amplifier A3, switching transistors S2 and S3 and capacitors C_f and C_h, the feedback significantly reduces kTC noise, has good linearity, and improves DR.例文帳に追加

フローティング・ディフュージョン電荷検出システムに、電荷検出ノード内へ、標準バッファ増幅器A1からフィードバック増幅器A3、スイッチ・トランジスタS2とS3、およびキャパシタC_fとC_hを通して供給される単一フィードバックを組み込み、kTC雑音を著しく減少させ、良好な線形性を実現し、DRを改善する。 - 特許庁

After magnetization is excited in a single-dimensional direction like a wavelet function by a combination of an RF pulse 11 and an inclined magnetic field 16, homopolar diffusion detection inclined magnetic fields 16 and 17 are arranged with a π pulse 12 sandwiched, and a readout inclined magnetic field 18 is applied in an x direction to measure a spin echo signal 19.例文帳に追加

RFパルス11と傾斜磁場16の組合せにより1次元方向の磁化を空間的にwavelet関数状に励起した後、πパルス12を挟み同極性の拡散検出傾斜磁場16、17を配置しx方向リードアウト傾斜磁場18を印加してスピンエコー信号19を計測する。 - 特許庁

According to this method, the necessary change of a circuit is effected through a single layer of all wiring layers, and a desired wiring correction for changing chip version is effected by wiring layers necessary for the correction of mask accompanied by the addition of a function or the correction of bug whereby the shortening of the diffusion period of time and the reduction of expense for the mask are realized.例文帳に追加

これにより、所望の回路変更を全ての配線層の単一層のみで行うことができ、機能追加やバグ修正に伴うマスク修正に必要な配線層のみで、チップバージョンを変更する所望の配線修正が行え、拡散期間の短縮、マスク費用削減が実現できる。 - 特許庁

To provide a transmission type screen which makes it possible to obtain an excellent horizontal diffusion characteristic, to eliminate moire, and to increase contrast and is suitably used for a rear projection type video display unit provided with a projection device with a single lens system using an image panel having a large number of pixels like a liquid crystal panel or a DMD(digital micromirror device).例文帳に追加

優れた水平拡散特性が得られ、モアレの解消とともにコントラスト向上が可能であり、液晶パネル、DMDなどの多数の画素を持つ画像パネルを利用した単一レンズ系の投射装置を備えた背面投射型映像表示装置に好適に用いられる透過型スクリーンを提供すること。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部60は、成長用基板としてのn型GaAs単結晶基板(以下、単に基板という)1と、その第一主表面上に形成されるn型GaAsバッファ層2と、このバッファ層2上に形成される発光層部24と、この発光層部上に形成される電流拡散層20とを含む。 - 特許庁

The fuel cell, constituted of by laminating a plurality of single cells 8, holds an elastic laminated sealing material 10, which is deformed as it is pushed in a laminating direction, between mutually neighboring separators 6 and 7, or between the separators 6, 7 and gas diffusion layers 4, 5 for sealing a fuel gas flow channel groove 6a, or an oxidant gas flow channel groove 7a.例文帳に追加

単電池8を複数個積層し、燃料ガス流路溝6aまたは酸化剤ガス流路溝7aのシールのために、互いに隣接するセパレータ6,7同士またはセパレータ6,7とガス拡散層4,5の間に、積層方向に押されて変形する弾性体の積層シール材10が配置された燃料電池である。 - 特許庁

More specifically, oxidation of adjacent SOI layers is prevented by preventing diffusion of oxygen at the interface of the SOI layer and the buried silicon oxide layer using a method for forming the nitrogen containing layer by ion implantation or a method for forming an amorphous silicon layer on the side wall of the isolation trench and forming a single crystal silicon layer through solid phase epitaxial growth.例文帳に追加

詳細には、イオン注入等の方法によって窒素含有層を形成する方法や、アモルファスシリコン層を素子分離用トレンチ側壁に積層し、これを固相エピタキシャル成長により単結晶シリコン層を形成する方法により、SOI層と埋め込み酸化シリコン層との界面での酸素拡散を防止し、隣接したSOI層の酸化を防止する。 - 特許庁

A silicon substrate 1 is provided on a single chip thereon with a neutron detecting portion having a ^10B diffusion layer 10 which is incorporated with boric acid comprising isotope ^10B, an α ray detecting portion having a p-n junction 13 which consists of a p well and an n well 12, and an analysis circuit portion for analyzing an electric charge generated at the p-n junction 13.例文帳に追加

シリコン基板1には、同位体^10Bを含むホウ素が導入された^10B拡散層10を有する中性子検出部、pウェル11とnウェル12とにより形成されるpn接合13を有するα線検出部、並びに、pn接合13に発生する電荷の解析を行う解析回路部が、同一チップ上に形成される。 - 特許庁

The LED lighting device includes a thin and long housing with light transparency or light diffusion properties, a plurality of discrete-type LED lamps arranged in coaxial shapes with each other along the extending direction of the housing, and a plurality of single wires fitted inside the housing, extended along the extending direction of the housing with the plurality of discrete-type LED lamps connected in parallel.例文帳に追加

LED照明装置は、光透過性又は光拡散性の細長いハウジングと、このハウジング内に設けられ、ハウジングの伸長方向に沿って互いに同軸状に配設された複数のディスクリート型LEDランプと、ハウジング内に設けられ、複数のディスクリート型LEDランプが並列に接続されており、ハウジングの伸長方向に沿って伸長する複数の単線ワイヤ線とを備えている。 - 特許庁

Since the accelerator is a folding type tandem accelerator, a 180° analysis electromagnet is arranged at a high voltage terminal part, and a slit having an energy analysis and diffusion restricting slit function is installed at the entrance part of the acceleration tube on high energy side, and once again the beam is accelerated by the accelerator having a single hole lens effect, and by focusing, an MeV region high energy ion nano beam is formed.例文帳に追加

加速器が、折り返し型タンデム加速器であるため、高電圧ターミナル部に180°分析電磁石を置き、高エネルギー側の加速管の入口部にエネルギー分析及び発散制限スリット機能を有するスリットを設置し、再度、単孔レンズ効果を有する加速管によりビームを加速するとともに、集束を行い、MeV領域高エネルギーイオンナノビームを形成する。 - 特許庁

This current collecting member 20 is characterized by that a Cr diffusion prevention layer 202, formed of a single element oxide of a fourth-period metal element in the periodic table except for a perovskite structure or a composite oxide of the fourth-period metal element in the periodic table, and Cr is formed on a surface of a current collection body 201 formed of alloy-containing Cr.例文帳に追加

本発明の集電部材20は、Crを含有する合金からなる集電本体201の表面に、ペロブスカイト型構造を除く周期律表第4周期金属元素の単一元素酸化物または前記周期律表第4周期金属元素とCrとの複合酸化物からなるCr拡散防止層202が設けられたことを特徴とする集電部材20である。 - 特許庁

The light condensing diffusion sheet to be disposed between a light guide plate and a liquid crystal display element in a transmission type liquid crystal panel is composed of a transparent substrate and a powder monolayer film applied on the substrate with a binding layer by bedding and fixing a transparent power material in a single layer while the transparent powder material is partly made to protrude.例文帳に追加

透過型液晶パネルにおける導光板と液晶表示素子との間に配置される集光性光拡散シートであって、前記集光性光拡散シートは、透明基体と、該透明基体の表面上に結着層を介して透明粉体をその一部が突出する状態で単層に敷き詰め固定した粉体単層皮膜とから構成される集光性光拡散シート。 - 特許庁

To provide an annular type spiral diffusion flame combustor substantially free from the backfire and the oscillating combustion, reducing the generation of NOx and CO, unifying a temperature in the circumferential direction, keeping low NOx and combustion efficiency regardless of the increase and decrease of load, achieving high combustion load by a single combustor, even when the combustor is enlarged, and reducing the substantial combustion load.例文帳に追加

逆火や振動燃焼が本質的に発生せず、NOxとCOの発生量を低減でき、温度を周方向に均一化でき、負荷を増減させても低NOx性及び燃焼効率を保持でき、燃焼器サイズを大きくしても単一の燃焼器で高い燃焼負荷率を得ることができ、実質的な燃焼負荷率を低減することができるアニュラ型渦巻き拡散火炎燃焼器を提供する。 - 特許庁

例文

A projection wall having a second side surface opposed to a first side surface is formed on a semiconductor substrate, a single side contact mask having an opening part selectively opening a part of the first side surface of the wall, is formed, then a first impurity layer and a second impurity layer covering the first impurity layer by diffusing impurities having different diffusion degrees into a first side surface exposed to the opening.例文帳に追加

半導体基板に第1の側面に反対される第2の側面を有して突出した壁体)を形成し、壁体の第1の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第1の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第1の不純物層及び該第1の不純物層を覆う第2の不純物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS