「single- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

The method is the one for manufacturing the filter for the display panel, where an electromaghetic wave shield material 2 and at least single layer of functional coating layers 3, 4 are arranged on a base material film 1, and the electromagnetic shield layer 2 is exposed to the surface in the whole circumference of the filter.例文帳に追加

基材フィルム１上に、電磁波シールド材２と、少なくとも１層の機能性塗工層３，４とを備え、フィルターの全周にわたり電磁波シールド層２が表面に露出してなるディスプレイパネル用フィルターの製造方法である。 - 特許庁

Then, an ultraviolet ray setting resin layer is arranged on a surface on the opposite side of the electrode formation surface of the cleaned piezoelectric single crystal wafer, an exposure and development processing is executed to the ultraviolet ray setting resin layer and a hole pattern corresponding to a desired recess is formed.例文帳に追加

次いで、洗浄後の圧電単結晶ウェーハの電極形成面と反対側の面に、紫外線硬化型樹脂層を配置し、この紫外線硬化型樹脂層に露光、現像処理を施して、所望の凹部に応じた穴パターンを形成する。 - 特許庁

A single crystal silicon substrate 21 having a heavily doped P type impurity layer 22 formed on one side thereof is subjected to anisotropic etching with potassium hydroxide added with surfactant to leave the heavily doped P type impurity layer 22 thus forming a diaphragm 10.例文帳に追加

片面に高濃度Ｐ型不純物層２２が形成された単結晶のシリコン基板２１を、界面活性剤を添加した水酸化カリウム水溶液で異方性エッチングして、高濃度Ｐ型不純物層２２を残留させて振動板１０を形成した。 - 特許庁

Then, the single crystal silicon thin film 106 is patterned to form an island-like silicon layer 108, and is subjected to thermal oxidation processing in an oxidation atmosphere containing halogen element, thereby obtaining the island-like silicon layer 109 in which trap level and defect are removed.例文帳に追加

次に単結晶シリコン薄膜１０６をパターニングして島状シリコン層１０８とした後、ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で熱酸化処理を行うことで、トラップ準位や欠陥の除去された島状シリコン層１０９を得る。 - 特許庁

In the gas barrier laminate wherein a gas barrier layer is formed on at least the single surface of a support, the gas barrier layer contains at least one silicic acid condensate selected from colloidal silica and alkali metal silicate and a flat plate-shaped pigment.例文帳に追加

支持体の少なくとも片面にガスバリアー層を形成したガスバリアー性積層体において、ガスバリアー層が、コロイダルシリカ、又は珪酸アルカリ金属塩から選ばれる１種以上の珪酸縮合物と、平板状顔料とを含むガスバリアー性積層体。 - 特許庁

The alignment layer is a single layer of an amorphous fluorocarbon film, and formed by using hydrocarbon gas, hydrogen gas, fluorocarbon hydrogen gas, or a mixture of them and performing oblique vapor-deposition on the substrates by a plasma enhanced chemical vapor-deposition or sputtering vapor-deposition.例文帳に追加

配向膜はアモルファスフッ化炭素膜の単一層で、炭化水素ガス、水素ガス、フッ化炭化水素ガス、或いはこれらの混合体を用い、プラズマエンハンスト化学蒸着法又はスパッタ蒸着法により、基板に斜め蒸着することによって作成する。 - 特許庁

After a silicon single crystal wafer is bonded thereon at the bonding surface 29 with a direct bonding technique; this wafer is reduced in the thickness to obtain a photoelectric converting layer 32 of the desired thickness, and a transparent electrode 33 is formed on this photoelectric converting layer 32.例文帳に追加

この上部に直接接合技術で、シリコン単結晶ウェハを接合面２９にて接合後、所望の厚さの光電変換層３２を得るために薄膜化し、この光電変換層３２の上に透明電極３３が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a partial SOI wafer that suppresses occurrence of a defect in a region of an embedded oxide film when converting amorphous or polycrystalline silicon under deposition in a hole part reaching a bulk layer from an active layer to a single crystal.例文帳に追加

活性層からバルク層に達した孔部で堆積中のアモルファスもしくは多結晶シリコンを単結晶化させる際に埋め込み酸化膜の領域での欠陥発生を抑制させる部分ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing an insulating resin with a copper foil has a process for forming an insulating resin layer on the single surface of the copper foil and cutting the coated copper foil into a necessary size and subsequently treating the cut part of the insulating resin with the copper foil with a liquid for dissolving the insulating resin layer.例文帳に追加

銅箔の片面に絶縁樹脂層を形成し、必要なサイズに切断した後に、銅箔付き絶縁樹脂の切断部を、前記絶縁樹脂層を溶解する液体で処理する工程を有する銅箔付き絶縁樹脂の製造方法。 - 特許庁

To prevent offset generation in a tracking error signal even if a photo detector slightly deviates in the direction orthogonal to a track of an optical recording medium due to a temporal change, and finely record and reproduce a single layer optical disk or double layer optical disk.例文帳に追加

光検出器が経時変化により光記録媒体のトラックと直交する方向に僅かに位置ズレしても、トラッキングエラー信号のオフセットの発生を防止でき、且つ、１層の又は光ディスクと、２層の光ディスクとを良好に記録又は再生する。 - 特許庁

To provide a plastic container with high gas barrier properties, in particular, high steam gas barrier properties which cannot be obtained with a conventional plastic container having a barrier layer formed of a single-layer thin film mainly comprising silicon compounds, and its manufacturing method.例文帳に追加

従来の単層の珪素化合物を主体とする薄膜からなるバリア層を有するプラスチック容器では得られない高度のガスバリア性を奏する、特に高度な水蒸気ガスバリア性を有するプラスチック容器及びそのの製造方法を提供する。 - 特許庁

This transfer belt is constituted by forming a surface layer whose volume specific resistance is 106 to 1014 Ω.cm on the outer peripheral surface of tubular substance being a single-layer body or a laminated body consisting of polymeric material whose volume specific resistance is 104 to 1012 Ω.cm.例文帳に追加

体積固有抵抗値が、１０^4 〜１０^12Ω・ｃｍの高分子材料からなる単層または積層体の管状物の外周表面に、体積固有抵抗値が１０^6 〜１０^14Ω・ｃｍの表面層を形成して、転写ベルトを構成する。 - 特許庁

To eliminate a defect in a photoreceptor mounted directly with a negative charge type single layer photosensitive layer on a conductive substrate, and to form an image of high quality without generating a fog and a black point.例文帳に追加

負帯電型単層感光層を導電性基体上に直接設けた感光体における欠点を解消し、カブリや黒点の発生がなく、高品質の画像を形成しうる負帯電単層型電子写真感光体を提供するにある。 - 特許庁

The fuel cell with a single cell 20 has a hydrogen permeable metal layer 22 as a layer with catalyst metal which expedites reaction of reaction active material supplied to the fuel cell at the time of electric power generation by the fuel cell, and a cathode electrode 24.例文帳に追加

単セル２０を備える燃料電池は、燃料電池の発電時に燃料電池に供給される反応活物質の反応を促進する触媒金属を備える層として、水素透過性金属層２２およびカソード電極２４を備える。 - 特許庁

Manufactured is a photoreceptor layer in single-layer structure containing all of a charge generating material, a charge transfer material, and a binding resin by using Y type titanyl oxy phthalocyanine as the charge generating material and a polyethylene terephthalate copolymer as the binding resin.例文帳に追加

電荷発生材料としてＹ形チタニルオキシフタロシアニンを用い，結着樹脂としてポリエチレンテレフタレート系共重合体を用い，電荷発生材料，電荷輸送材料，及び結着樹脂を共に含有する単層構造の感光層を製造する。 - 特許庁

The monopropellant thruster comprises the propellant valve 12 supplying/blocking a single liquid propellant 1, a hollow thrust chamber 14 having inside a catalyst layer 15 comprising catalyst particles, and a hollow ultrafine tube 16 extending from an outlet of the propellant valve to the catalyst layer.例文帳に追加

単一の液体推進薬１を供給／遮断する推薬弁１２と、内部に触媒粒からなる触媒層１５を有する中空のスラストチャンバ１４と、推薬弁の出口から触媒層まで延びる中空の極細チューブ１６とを備える。 - 特許庁

The resist and the single-crystal semiconductor layer can also be grounded together with the foundation semiconductor layer through a grounding terminal by fixing the SOI substrate under the state on a sample table having the grounding terminal on a surface by using an electrostatic attraction method.例文帳に追加

この状態のＳＯＩ基板を、表面に接地端子を備えた試料台に静電吸着法を用いて固定することで、接地端子を介して下地半導体層とともにレジストおよび単結晶半導体層も接地することが可能となる。 - 特許庁

A silicon oxide film is formed on the surface of a silicon substrate 101, ions are implanted in a region on the lower layer side than the silicon oxide film, and then heat treatment is performed to form an underlying layer 102 made of single crystal silicon subjected to the ion implantation.例文帳に追加

シリコン基板１０１の表面にシリコン酸化膜を形成し、その後、前記シリコン酸化膜よりも下層側の領域にイオン注入を行い、次いで熱処理して、イオン注入された単結晶のシリコンからなる下地層１０２を形成する。 - 特許庁

The gate insulating film 20 comprises a single-layer Si-O coupling layer 12, formed by coupling of oxygen to silicon atoms on the uppermost surface of the silicon substrate 10, a silicon nitride film 13 and a laminated film containing Ta2O5 14.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２０が、（１１１）シリコン基板１０の最表面のシリコン原子に酸素が結合して形成された単層のＳｉ−Ｏ結合層１２と、シリコン窒化膜１３、Ｔａ_2 Ｏ_5 １４を含む積層膜で構成されている事である。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a single crystal semiconductor portion 19 including an n-type first semiconductor layer 15 and a p-type second semiconductor layer 17 arranged alternately on the surface of a semiconductor substrate to constitute a stripe plane.例文帳に追加

半導体装置１は、ストライプ状の平面が構成されるように、半導体基板の表面上に交互に配置されたｎ型の第１半導体層１５とｐ型の第２半導体層１７を含む単結晶半導体部１９を備える。 - 特許庁

This steel cord prepared by twisting strands each comprising element wires is characterized in that each strand has spaces between the element wires constituting at least the outermost layer, and the strands are twisted into a single layer at spaces each other.例文帳に追加

複数本の素線からなるストランドの複数本を撚り合せたスチールコードにおいて、各ストランドは少なくとも最外層を構成する素線の相互間に間隔を有し、かつ複数本のストランドを相互に間隔を置いて単層に撚り合せる。 - 特許庁

The manufacturing method gives the single-layer fine particle film wherein the film of the fine particles formed in one layer on the surface of the substrate is mutually bonded by a covalent bond with the first organic film formed on the surface of the substrate through the second organic film formed on the surfaces of the fine particles.例文帳に追加

基材表面に１層形成された微粒子の膜が微粒子表面に形成された第１の有機膜と基材表面に形成された第２の有機膜を介して互いに共有結合している単層微粒子膜を得る。 - 特許庁

A resist film 12 is formed on the surface of the SiC layer formed by depositing an epitaxial layer 2 on the surface of a semiconductor substrate 1 comprising a single crystal SiC, and then irradiated with an ultraviolet ray from the rear surface of the substrate, to thereby expose the resist film 12 on the surface.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣからなる半導体基板１表面にエピタキシャル層２を積層させて形成したＳｉＣ基板の表面にレジスト膜１２を形成し、基板裏面から紫外線を照射することで、表面のレジスト膜１２を露光する。 - 特許庁

An anisotropic layer is manufactured by applying the alignment layer such as a photo-aligning polymer network structure on the single substrate, and applying a layer of a non-crosslinked liquid crystal monomer which is a monomer mixture having nematic, cholesteric, ferroelectric or non-linear optical properties on this, crosslinking these layers, and fixing the alignment.例文帳に追加

単一の支持体上に、光配向ポリマー網目構造物等の配向層を塗布し、これに、ネマチック、コレツテリック、強誘電性または非線形光学性を有するモノマー混合物である非架橋液晶モノマーの層を塗布し、これらの層を架橋させ、配向を固定化させ、異方性層を製造する。 - 特許庁

The metallic pigment has an aluminum particle as a base particle and a single coating layer or a plurality of coating layers formed on the surface of the aluminum particle, and the outermost layer of the coating layer contains a polymer obtained by the polymerization reaction of a monomer having a basic group and at least one polymerizable double bond.例文帳に追加

アルミニウム粒子を基体粒子とし、該アルミニウム粒子の表面を被覆する単層または複層の被覆層を形成したメタリック顔料であって、該被覆層の最外層は、塩基性基および少なくとも１個の重合性二重結合を有するモノマーを重合反応させて得られるポリマーを含むメタリック顔料に関する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor and the method for manufacturing the photoreceptor have a photosensitive layer of a single layer structure containing at least a charge generating agent, a hole transporting agent, an electron transporting agent and a binder resin on a substrate, wherein the photosensitive layer contains a perionone pigment as well as an oxotitanyl phthalocyanine crystal as a charge generating agent.例文帳に追加

基体上に少なくとも電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及び結着樹脂を含む単層構造の感光層を備えた電子写真感光体及びその製造方法であって、感光層が、ペリノン顔料を含むとともに、電荷発生剤としてオキソチタニルフタロシアニン結晶を含む。 - 特許庁

A piezoelectric element 11 is provided with two electrode layers, a drive electrode and a detection electrode are provided to the first electrode layer through patterning, input output electrodes are provided to the second electrode layer at a non vibrated part of the piezoelectric vibrator 1 through patterning and a single electrode layer is adopted for the vibrated part of the piezoelectric vibrator 1.例文帳に追加

圧電素子１１に２層の電極層を設け、１層目の電極層にパターニングで駆動電極と検出電極とを設け、２層目の電極層は圧電振動子１の振動しない部分にパターニングで入出力電極を設け圧電振動子１の振動する部分の電極層を１層にする。 - 特許庁

A single magnetic layer 2 is composed of a number of magnetic bodies 1 in the same or different form, and all particles of the magnetic body 1 are arranged in a way that the upper and lower sides 4a and 4b on the above magnetic layer 2 can be formed at the same time and the magnetic layer 2 can be maintained by a sheet base material 3.例文帳に追加

本発明は、単一の磁性層２が同形状もしくは異形状の複数の磁性体１によって形成され、かつ磁性体１全ての固片が単一の磁性層２の上下面４ａ，４ｂを同時に形成するように配置し、シート基材３により磁性層２を保持した構成とする。 - 特許庁

In a polymer electrolyte fuel cell single cell equipped with separators each having a passage formed of projecting and recessed portions and holding therebetween a polymer electrolyte membrane, an electrode catalyst layer and a gas diffusion layer, the gas diffusion layer has a hole portion formed of an opening portion and a thin passage portion.例文帳に追加

凸部および凹部で形成された流路を有し、高分子電解質膜、電極触媒層およびガス拡散層を挟持するセパレータを具備する固体高分子形燃料電池単セルにおいて、ガス拡散層が、開口部と細路部とからなる孔部を有する固体高分子形燃料電池単セルとする。 - 特許庁

To provide technique for manufacturing a conductive polymer layer in a single layer structure, further having a film thickness of 10 to 50 μm even at an edge where surfaces cross and also a portion of the surface other than the edge in a solid electrolytic capacitor using the conduction polymer layer formed by chemical oxidation polymerization reaction for solid electrolyte.例文帳に追加

固体電解質に化学酸化重合反応による導電性高分子層を用いた固体電解コンデンサにおいて、導電性高分子層を単層構造にし、しかも面と面が交わるエッジ部でも、それ以外の面の部分でも１０〜５０μｍの膜厚になるように形成する技術を提供する。 - 特許庁

On the SiC substrate 102 of the light emitting diode element 100, a porous layer 124 composed of porous single-crystal 6H type SiC to which B and N are added is formed, and when the porous layer 124 is excited with ultraviolet light emitted from a nitride semiconductor layer, visible light of blue to green can be obtained.例文帳に追加

発光ダイオード素子１００のＳｉＣ基板１０２に、Ｂ及びＮが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなるポーラス層１２４を形成し、窒化物半導体層から発せられる紫外光によりポーラス層１２４が励起されると、青色から緑色の可視光が得られるようにした。 - 特許庁

The deposition region S of a light emitting layer 32 formed of a uniform deposition material according to a single opening in a film forming mask is formed by a plurality of layers including a first light emitting layer 32A and a second light emitting layer 32B, each of which layers is deposited every time a setting of the film forming mask is changed.例文帳に追加

成膜用マスクの一つの開口部に応じて均一成膜材料で形成される発光層３２の成膜領域Ｓが、第１の発光層３２Ａと第２の発光層３２Ｂからなる複数の層によって形成されており、この各層は、成膜用マスクの設定変更毎に成膜されている。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor substrate 5 includes: a step of forming a carbon layer mainly containing carbon, on a surface 1a of a substrate (silicon substrate 1) with a single crystal silicon on at least one surface; and a step of irradiating the carbon layer with electromagnetic wave, heating it, and forming a carbonizing buffer layer 3 containing silicon carbide.例文帳に追加

少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板（シリコン基板１）の一面１ａ上に、炭素を主に含んでなる炭素層を形成する工程と、炭素層に電磁波を照射して加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層３を形成する工程と、を含む半導体基板５の製造方法。 - 特許庁

The insulated electrical wire has a conductor and a single insulating layer or a plurality insulating layers coating the conductor, wherein the insulating layer has a first resin layer formed by applying and sintering a resin in which polyamideimide or polyesterimide (A) and polysulfone (B) are mixed in a proportion (mass ratio) of A:B=10:90 to 90:10.例文帳に追加

導体及び該導体を被覆する単層又は多層の絶縁層を有する絶縁電線であって、前記絶縁層は、ポリアミドイミド又はポリエステルイミド（Ａ）と、ポリスルホン（Ｂ）とをＡ：Ｂ＝１０：９０〜９０：１０の割合（質量比）で混合した樹脂を塗布、焼付けして形成された第１の樹脂層を有する、絶縁電線。 - 特許庁

The protective sheet 110 has a two-layered structure including a first layer 11 made of, for example, a skin layer and a second layer 12 made of, for example, nonwoven fabric, whereby the durability of the protective sheet during the use for a long period of time and the durability thereof with respect to the keying of a keyboard can be enhanced, compared with a protective sheet with a single-layered structure.例文帳に追加

保護シート１０を、例えばスキン層からなる第１層１１と、例えば不織布からなる第２層１２とを備えた２層構造とすることにより、１層構造の保護シートに比べて、長期間使用時の耐久性及びキーボード打鍵に対する耐久性を向上することができる。 - 特許庁

An insulating layer 102, a lower electrode layer 103 provided commonly, a plurality of metal oxide layers 104 that are approximately 30-200 nm thick composed of Bi, Ti, and O, and an upper electrode 105 provided for each metal oxide layer 104 are provided on a substrate 101 made of single-crystal silicon.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板１０１の上に絶縁層１０２，共通に設けられた下部電極層１０３，ＢｉとＴｉとＯとから構成された膜厚３０〜２００ｎｍ程度の複数の金属酸化物層１０４，金属酸化物層１０４毎に設けられた上部電極１０５を備える。 - 特許庁

A formation depth d1+tx from a first main surface J of an ion implantation layer 4 for peeling in a process for forming the ion implantation layer for peeling is adjusted by the energy of ion implantation, to adjust the thickness of a coupling silicon single crystal thin film 15 according to the thickness of the SOI layer 5 to be obtained.例文帳に追加

得るべきＳＯＩ層５の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜１５の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さｄ１＋ｔｘを、イオン注入のエネルギーにより調整する。 - 特許庁

The etching amount of a silicon single crystal layer formed on the insulation layer of an SOIL wafer is evaluated using correlation with the etching amount of a monitor wafer where a polysilicon layer is formed on a substrate.例文帳に追加

ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、基板上にポリシリコン層を形成させたモニタウエハのエッチング量との相関関係を用いて評価されることを特徴とするＳＯＩウエハのエッチング量の評価方法を用いる。 - 特許庁

In this laminated base plate, the insulating layer constituting the greater part of the vol. thereof has such a structure that a single insulating layer 12 containing no glass fiber is arranged to the central part in a thickness direction and a first composite insulating layer 11 and a second composite insulating layers 13 being glass fiber-containing reinforced layers are arranged on both sides thereof.例文帳に追加

この積層基板１では，その体積の大部分をなす絶縁層が，ガラス繊維を含まない単体絶縁層１２を厚み方向中央部に配し，その両サイドにガラス繊維入りの強化層である第１複合絶縁層１１および第２複合絶縁層１３を配した構造となっている。 - 特許庁

The organic electroluminescent element 1 has a first light emitting unit 15-1 having a plurality of laminated organic luminous layers and a second light emitting unit 15-2 having a single-layer organic luminous layer interposed between a positive electrode 13 and a negative electrode 19 in a state of lamination through a connecting layer 17 for supplying electric charge.例文帳に追加

積層された複数の有機発光層を備えた第１発光ユニット１５-1と、単層構造の有機発光層を備えた第２発光ユニット１５-2とが、電荷を供給するための接続層１７を介して積層された状態で、陽極１３と陰極１９との間に狭持されている有機電界発光素子１である。 - 特許庁

A method for vapor depositing the amorphous silicon layer for the SLS crystallization comprises a step of vapor depositing in the range of silicon layer thickness of 6,000 Å to 2,000 Å, when the amorphous silicon (a-Si) layer is vapor deposited on an insulating substrate in a step of forming the single-crystal silicon by utilizing a complete melting energy density.例文帳に追加

完全熔融エネルギー密度を利用して単結晶シリコンを形成する工程で、非晶質シリコン(ａ−Ｓｉ)層を絶縁基板上に蒸着する際に、非晶質シリコン層を６００Å〜２０００Åに蒸着する段階を含むＳＬＳ結晶化のための非晶質シリコン層の蒸着方法を提供する。 - 特許庁

The photovoltaic element 1 includes semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10), including an n-type single crystal silicon substrate 2, and a ZnO layer 7 formed on the semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10) and comprising an optically transparent material, and having, on an incidence side of light, a through-hole 7a that extends in the film thickness direction.例文帳に追加

この光起電力素子１では、ｎ型単結晶シリコン基板２を含む半導体各層（２〜４、９および１０）と、半導体各層（２〜４、９および１０）上に形成され、光が入射する側に、膜厚方向に延びる貫通孔７ａを有する透光性材料からなるＺｎＯ層７とを備えている。 - 特許庁

The film forming method comprises a process in which a first liquid drop is dripped on a substrate, a skin layer is formed at the periphery of the first liquid drop, and a bank is formed while keeping the inside of the skin layer in liquid state, and a process in which a second liquid drop is dripped in the bank and dried to form a single-layer film.例文帳に追加

本発明に係る膜形成方法は、基板上に第１の液滴を滴下して、前記第１の液滴の周縁部にスキン層を形成させて、該スキン層の内部を液状のままとしたバンクを形成する工程と、前記バンク内に、第２の液滴を滴下し、乾燥させて単層膜を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

A programmable ROM block 20 provided in the integrated circuit device 10 has a memory cell MC in which a floating gate FG shared in each of gates of a writing/reading transistor 220 and an erasing transistor 230 is a single layer gate structure opposite to a control gate CG consisting of an impurity layer NCU via an insulation layer.例文帳に追加

集積回路装置１０に設けられたプログラマブルＲＯＭブロック２０は、書き込み／読み出しトランジスタ２２０及び消去トランジスタ２３０の各ゲートに共用されるフローティングゲートＦＧが、不純物層ＮＣＵより成るコントロールゲートＣＧと絶縁層を介して対向した単層ゲート構造であるメモリセルＭＣを有する。 - 特許庁

The entire side panel of opposite conductivity type resistance diffusion layer 107a provided on the surface of one conductivity type single crystal silicon layer 104 of an SOI substrate 101 are making direct contact with a dielectrically isolating region wherein an embedding insulating film 115 is filled up in a trench 113a reaching an embedding insulating layer 103.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０１の一導電型の単結晶シリコン層１０４の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層１０７ａの側面の全面は、埋め込み絶縁層１０３に達する溝１１３ａに埋め込み絶縁膜１１５が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。 - 特許庁