「single- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrophotographic photoreceptor which is charged to positive polarity and used is obtained by disposing at least a photosensitive layer on a conductive support, wherein the photosensitive layer is a single layer containing at least a charge generating material, an electron transporting material expressed by general formula (1) and an organic sulfur-containing antioxidant.例文帳に追加

プラス極性に帯電させて用いる電子写真感光体であって、電子写真感光体が少なくとも導電性支持体上に感光層を設けて成り、感光層が少なくとも電荷発生材料と下記一般式（１）で表わされる電子輸送材料と有機硫黄系酸化防止剤を含む単一の層からなる。 - 特許庁

The synthetic resin film is constituted by laminating a surface layer, comprising a synthetic resin composition compounded with anatase type titanium oxide, on at least the single surface of a base material layer mainly constituted of a synthetic resin substantially containing no anatase type titanium oxide, and the surface layer is subjected to blast treatment.例文帳に追加

アナターゼ型酸化チタンを実質的に含まず、主として合成樹脂から構成される基材層の少なくとも片面に、アナターゼ型酸化チタンが配合された合成樹脂組成物からなる表層が積層されたフィルムであって、該表層がブラスト処理されていることを特徴とする合成樹脂フィルム。 - 特許庁

The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板１の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてＳｉＣエピタキシャル層９をホモエピタキシャル成長させ、該ＳｉＣエピタキシャル層９の上に、有機金属気相成長法にてＧａＮ系化合物半導体層３をヘテロエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The dresser for the abrasive cloth is provided wherein a plurality of abrasive grains are fixed in a single layer, onto the surface of a resin supporting material, a metal layer exists between the resin supporting material and the abrasive grains, and the surface of the metal layer on the side contacting the resin supporting material, has irregularities.例文帳に追加

樹脂製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着された研磨布用ドレッサーであって、前記樹脂製支持材と前記砥粒との間には金属層が存在し、前記樹脂製支持材に接する側の前記金属層の表面は凹凸部を有することを特徴とする研磨布用ドレッサーを提供する。 - 特許庁

To provide a single layer type spread style surface treatment method, which has a sufficient durablility in highly severe conditions in such places as curves, intersections and sloping roads, and which builds an excecellently durable surface treatment layer as well as rare peeling of aggregates, and a pavement body having a surface treatment layer acquired from the method.例文帳に追加

カーブや交差点、坂道など過酷な条件に晒される場所においても十分に耐えることのできる、骨材の剥離が少なく耐久性に優れた表面処理層を構築する単層型散布式表面処理工法と、それによって得られる表面処理層を有する舗装体を提供することを課題とする。 - 特許庁

At least one out of the first electrode 102 and the second electrode 103 is of single layer (One layer), while at least one out of the first electrode 102 and the second electrode 103 includes at least one line part intersecting with the third electrode 113, and a protruding part protruding from the line part with a prescribed curvature.例文帳に追加

第１電極１０２および第２電極１０３のうち、少なくとも一方は単一層（One Layer）であり、第１電極１０２および第２電極１０３のうち、少なくとも一方は、第３電極１１３と交差する少なくとも１つのライン部と、所定の曲率をもってライン部から突出した突出部とを含む。 - 特許庁

Otherwise, the metal layer dispersed at least either the ceramic particles or synthetic resin particles in the metal matrix is formed on the surface of the heating member sliding on the supporting member, and on the surface opposite to the supporting member side of the layer a metal layer formed of a single metal or alloy is laminated.例文帳に追加

あるいは、加熱部材の支持部材と摺動する面に、セラミック粒子もしくは合成樹脂粒子の少なくとも一方を金属マトリックス中に分散させた金属層を設け、さらにこの層の支持部材側とは反対面側に単一金属もしくは合金で構成される金属層を積層させたこと。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor and the method for manufacturing the photoreceptor have a photosensitive layer of a single layer structure containing at least a charge generating agent, a hole transporting agent, an electron transporting agent and a binder resin on a substrate, wherein the photosensitive layer contains an isoindoline compound as well as an oxotitanyl phthalocyanine crystal as a charge generating agent.例文帳に追加

基体上に少なくとも電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤、及び結着樹脂を含む単層構造の感光層を備えた電子写真感光体及びその製造方法であって、感光層が、イソインドリン化合物を含むとともに、電荷発生剤としてオキソチタニルフタロシアニン結晶を含む。 - 特許庁

In a disk-like ultrathin cut blade 1 made of a single layer or multi-layer grain layer 2, a plurality of recessed parts 5 for clearance grooves extending from the outer peripheral edge in the central direction are formed circumferentially at a predetermined interval in at least the outer peripheral regions of both surfaces.例文帳に追加

本発明は、単層若しくは多層の砥粒層２からなる円盤状の極薄切断ブレード１において、両表面の少なくとも外周領域に、外周縁から中心方向に延びる逃げ溝用の凹部５が、円周方向に所定間隔を有して複数形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

A binding material is formed only by an electron beam hardenable adhesive layer (single layer) or only an electron beam hardenable adhesive layer formed after the treatment with a primer in manufacturing the wire tool by fixing the abrasive grain 22c onto a wire 11 by the binding material including an electron beam hardenable adhesive 22a as its main component.例文帳に追加

ワイヤ１１上に電子線硬化性接着剤２２ａを主成分とする結合材で砥粒２２ｃを固定したワイヤ工具を製造する場合、結合材を電子線硬化性接着剤層（単層）のみ、あるいはプライマ処理後に形成された電子線硬化性接着剤層のみ、で構成する。 - 特許庁

The magnetic detecting element comprises ferromagnetic layers 18, 19 and a free magnetic layer 17 in which magnetizing directions are aligned in a track width direction by second antiferromagnetic layers 20, 20, and which are laminated via a nonmagnetic layer 18 formed in a predetermined thickness in such a manner that the layer 17 can be surely formed in a single domain in the track widthwise direction.例文帳に追加

第２の反強磁性層２０，２０によってトラック幅方向に磁化方向がそろえられた強磁性層１９，１９とフリー磁性層１７が、一定の厚さで形成されている非磁性層１８を介して積層されることにより、フリー磁性層１７をトラック幅方向に確実に単磁区化できる。 - 特許庁

The semiconductor device is so formed on at least a single-sized surface of a semiconductor wafer wherein the polyimide layer having a tensile elastic modulus not smaller than 4 GPa, a linear expansion coefficient not larger than 25 ppm, and a moisture absorbing expansion coefficient not larger than 35 ppm is formed directly as to form its functional elements on at least a single-sized surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

少なくとも片面に機能素子が形成された半導体ウエハの少なくとも片面に、引張弾性率が４ＧＰａ以上、線膨張係数が２５ｐｐｍ以下、吸湿膨張係数が３５ｐｐｍ以下のポリイミド層を直接形成した半導体装置。 - 特許庁

The nitride-based semiconductor is characterized by comprising: a substrate having a principal surface including a first crystal polarity surface, and a second crystal polarity surface different from the first crystal polarity surface; and a single polarity layer formed on the principal surface and having single crystal polarity.例文帳に追加

第１の結晶極性面と、前記第１の結晶極性面とは異なる第２の結晶極性面と、を含む主面を有する基板と、前記主面の上に設けられ、結晶極性が単一である単一極性層と、を備えたことを特徴とする窒化物系半導体が提供される。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor substrate is characterized by comprising the steps of: crystal growing a nitride semiconductor layer on one major face of the single crystal substrate having a crystal structure of a hexagonal system; and eroding and removing the single crystal substrate by etching.例文帳に追加

六方晶系の結晶構造を有する単結晶基板の一主面上に、窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、前記単結晶基板をエッチングにより浸蝕させて除去する工程とを経ることを特徴とする半導体基板の製造方法とする。 - 特許庁

The solid-state image sensing device has transfer registers of single layer electrode structures in which transfer electrodes are formed in single layers and are arranged with a gap between each of them, with widths of gaps at both ends of the transfer electrodes wider than that at the center thereof.例文帳に追加

本発明のＣＣＤ固体撮像素子は、転送電極が単層で形成され相互にギャップを置いて配列された単層電極構造の転送レジスタを有し、前記転送電極の両端のギャップ幅が中央部よりも広く形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The surface acoustic wave device has a supporting substrate 1, a substrate 3A of a piezoelectric single crystal, an organic adhesive layer 2 having a thickness of 0.1 to 1.0 μm and bonding the supporting substrate 1 and the propagation substrate 3 made of a piezoelectric single crystal, and a surface acoustic wave filter provided on the propagation substrate 3A.例文帳に追加

弾性表面波素子は、支持基板１、圧電単結晶基板３Ａ、支持基板１と圧電単結晶からなる伝搬基板３とを接着する厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの有機接着剤層２、および伝搬基板３Ａ上に設けられた弾性表面波フィルタを備える。 - 特許庁

To stably form a high quality thick magnetic garnet single crystal film free from the generation of a crystal defect or warp, a crack, peeling, or the like, in a high yield by liquid phase epitaxial growth by forming a buffer layer of this invention on a commercially available substrate for forming the magnetic garnet single crystal film.例文帳に追加

市販の磁性ガーネット単結晶膜形成用基板に本発明のバッファ層を形成することで、結晶欠陥や反り、割れ、剥離などが発生しない厚膜状の磁性ガーネット単結晶膜を、高品質で歩留まり良く、液相エピタキシャル成長により安定して、低コストで形成すること。 - 特許庁

In the single twist cord currently used for the belt reinforcing layer, the fineness is 900-3,000 dtex and the twist factor K expressed with K=T√D is 300-1,000, taking T for the number of twists per 100 mm, and D for the total fineness (dtex) of the single twist cord.例文帳に追加

ベルト補強層に使われている片撚りコードは、繊度が９００〜３０００ｄｔｅｘであり、Ｔを１００ｍｍ当たりの撚り数とし、Ｄを片撚りコードの総繊度（ｄｔｅｘ）とするとき、Ｋ＝Ｔ√Ｄで表される撚り係数Ｋが３００〜１０００である。 - 特許庁

Parts M are transferred by giving the elliptic vibration generated by synthesizing the horizontal vibration with the vertical vibration having the differential phase by a drive part to a bowl 21 provided with a single row block 62 of the parts M, a single layer block 72, a first sorting block 82, and a second sorting block 82'.例文帳に追加

部品Ｍの単列化ブロック６２、単層化ブロック７２、第１選別ブロック８２、第２選別ブロック８２’を備えたボウル２１に駆動部１１によって位相差を有する水平振動と垂直振動との合成による楕円振動を与えて部品Ｍを移送する。 - 特許庁

To provide a single wafer epitaxial growth method which can laminate an epitaxial layer on a single crystal substrate without collapsing the film thickness profile, while bringing about such an effect as enhancement in quality or productivity of an epitaxial wafer by the degree of flow rate of the carrier gas.例文帳に追加

例えばエピタキシャルウエーハの品質や生産性の向上など、キャリアガスの流量の度合いによりもたらされる効果を得るとともに、膜厚形状を崩さずに、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層することができる枚葉式のエピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

This high adaptability image formation assembly comprises a single substance phosphor film 10 constituted to receive an incident radiation and to emit a light signal, an electronic device 12 coupled to the single substance phosphor film 10, and a detachable electronic intensifying layer 14.例文帳に追加

高適合性画像形成組立体は、入射放射線を受けかつ対応する光信号を放出するように構成された単体蛍光体フィルム１０、単体蛍光体フィルム１０に結合される電子装置１２、着脱可能な電子強化層１４で構成する。 - 特許庁

Then, a single crystal silicon carbide is epitaxially grown on the surface of the single crystal SiC substrate 15 in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy (MSE) method using, as driving force, the concentration gradient generated in the Si melt layer based on the difference between free energies of the substrates 15, 20.例文帳に追加

そして、基板１５，２０の自由エネルギーの差に基づいてＳｉ溶融層に発生する濃度勾配を駆動力とする準安定溶媒エピタキシー（ＭＳＥ）法により、単結晶ＳｉＣ基板１５の表面に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A film formed by applying printing 12 to the non-matte surface of a matte film 11 of which the single surface is a matte surface and providing an adhesive layer bondable to polystyrene to the printed surface of the film 11 is thermally laminated to the single surface or both surfaces of a foamed styrol sheet 14 to obtain a laminated sheet 10.例文帳に追加

片面がマット面となったマットフィルム１１の非マット面に印刷１２を施し、その印刷面にポリスチレンに接着可能な接着層１３を設けてなるフィルムを、発泡スチロールシート１４の片面又は両面に熱ラミネートにより貼り合わせて積層シート１０とする。 - 特許庁

A surface acoustic wave device has a supporting substrate 1, a propagation substrate 3A made of a piezoelectric single crystal, an organic adhesive layer 2 having a thickness of 0.1 to 1.0 μm and bonding the supporting substrate 1 and the propagation substrate 3A made of the piezoelectric single crystal, and a surface acoustic wave filter provided on the propagation substrate 3A.例文帳に追加

弾性表面波素子は、支持基板１、圧電単結晶基板３Ａ、支持基板１と圧電単結晶からなる伝搬基板３とを接着する厚さ０．１μｍ〜１．０μｍの有機接着剤層２、および伝搬基板３Ａ上に設けられた弾性表面波フィルタを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes a metal substrate or a substrate provided with a metal film, a copper (Cu) plating film on the metal substrate or the metal film, a barrier film on the Cu plating film, a single-crystal silicon film on the barrier film, and an electrode layer on the single-crystal silicon film.例文帳に追加

金属基板又は金属膜が形成された基板を有し、金属基板上又は金属膜上の銅（Ｃｕ）メッキ膜を有し、Ｃｕメッキ膜上のバリア膜と、バリア膜上の単結晶シリコン膜と、単結晶シリコン膜上の電極層と、を有する半導体装置を用いる。 - 特許庁

An epitaxial layer 12 which comprises a crystalline silicon nitride thin film having crystal orientation and alignment of a single-crystal silicon substrate or a silicon nitride thin film having a crystalline silicon nitride and an amorphous silicon nitride mixed therein is formed on a single-crystal silicon substrate 11 to a thickness of 0.05-2,000 nm.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１１上に単結晶シリコン基板の結晶方位と整合性を有する結晶性窒化シリコン薄膜、又は結晶質窒化シリコンとアモルファス窒化シリコンとが混在した窒化シリコン薄膜からなるエピタキシャル層１２を０．０５〜２０００ｎｍの厚さで形成する。 - 特許庁

To form an intermediate layer made of nonsingle crystalline material in a light-emitting diode to improve the boundary characteristics between single crystals, to reduce defects due to lattice mismatch generating between the single crystals, and to greatly improve the luminance characteristic and forward voltage characteristic.例文帳に追加

発光ダイオードにおいて、単結晶間の界面特性を向上させるため非−単結晶物質からなる中間層を形成し単結晶間に発生する格子不整合による欠陥を減少させ輝度特性と順方向電圧特性を大幅に向上させる。 - 特許庁

The single crystal SiC substrate produced by the above method is disposed opposing to a carbon supply feed substrate and heated while making an ultrathin melt layer of silicon be present therebetween so as to epitaxially grow a single crystal 4H-SiC in a liquid phase by a metastable solvent epitaxy method.例文帳に追加

前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

Such single particle laminated thin film is produced by spreading particulate containing liquids on the supporting body having the surface where the hydrophilic graft polymer chains exist and by two-dimensionally agglomerating the particulates controlling the spreading depth of the particulate containing liquids to form the single particle layer.例文帳に追加

このような単粒子積層薄膜は、微粒子含有液体等を親水性グラフトポリマー鎖が存在する表面を有する支持体上に展開し、該微粒子含有液体等の展開厚みを制御しつつ微粒子を２次元凝集させ、単粒子層を形成させることにより製造しうる。 - 特許庁

An upper layer carpet using polyester filament yarn single yarn fineness of which is 20 to 60 decitex and a nonskid layer using a cut pile carpet using polyester filament yarn single yarn fineness of which is 20 to 60 decitex are laminated to each other with a polyethylene resin film, and a pile length of the cut pile carpet of the nonskid layer is made less than 5 mm.例文帳に追加

【解決手段】単糸繊度が２０〜６０デシテックスのポリエステルフィラメント糸を使用した上層カーペットと、単糸繊度が２０〜６０デシテックスのポリエステルフィラメント糸を使用したカットパイルカーペットを使用した滑り止め層をポリエチレン樹脂フィルムで貼り合わせ、さらに前記滑り止め層のカットパイルカーペットのパイル長さを５ｍｍ以下にすることにより、軽量で、滑り防止性に優れ、水切りも良い自動車用フロアーマットが可能であることを見出し本発明に到達した。 - 特許庁

Prior to lamination of a DFA layer 6 on a single-line pattern 3 and a solid pattern 4, only the solid pattern 4 is etched, and the thickness of the solid pattern 4 is made smaller than that of the line pattern 3.例文帳に追加

ＤＦＡ層６を単独線パターン３およびベタパターン４上にラミネートする前に、ベタパターン４のみをエッチングして、ベタパターン４の厚さを単独線パターン３の厚さよりも薄くする。 - 特許庁

The gas barrier film is constituted by providing an SiO2- containing layer which contains 60% or more of SiO2 and 10-40% of carbon, on at least the single surface of a base material.例文帳に追加

ガスバリアー性フィルムは、基材の少なくとも片面にＳｉＯ_2を６０％以上含有し、且つ炭素含有量が１０％以上４０％以下であるＳｉＯ_2含有層を有する。 - 特許庁

The antenna forming method forms an antenna film on an electrodeposition coat film or an intermediate coat film of the automobile outer sheet, and forms a single- or double-layer paint coat film on the antenna film.例文帳に追加

本発明は、自動車外板部に容易に形成することができて邪魔にならず、且つ耐久性にも優れた自動車用アンテナの形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an electrical article provided with an insulating layer which is formed in a single step process and withstands high voltage even having a thickness reduced comparing with a conventional insulating body manufactured from multilayered materials.例文帳に追加

一段階法で施工でき、多層材料から製造した絶縁体に比べて減少した厚さを有しながら、高い電圧に耐え得る絶縁層を備える電気物品を提供する。 - 特許庁

Then, each bar (structure) 102 in which the parts of the plurality of magnetic heads are arrayed in a single file is cut out from the wafer 101 in which the stacked layer 2 is formed by a diamond cutter or the like (step S2).例文帳に追加

次に、積層部２が形成されたウエハ１０１から、複数の磁気ヘッドの部分が一列状に配列された各バー（構造体）１０２をダイヤモンドカッター等で切り出す（ステップＳ２）。 - 特許庁

Since a mixture of LaB_6 and copper is used, peel-off or damage of the surface layer of the target can be prevented for a long period of time as compared with the case of using an LaB_6 single body.例文帳に追加

ＬａＢ_６と銅との混合材料を用いるので、ＬａＢ_６単体を用いる場合に比べて、ターゲットの表面層の剥離や損傷を長期間にわたって防止でできる。 - 特許庁

To provide a nonhalogen flame-retardant adhesive composition having excellent migration resistance not only in a single layer plate structure but also in a copper-clad plate having a densified multilayer structure and the like.例文帳に追加

単層板構造のみならず、高密度化された多層板構造の銅張積層板等においても耐マイグレーション性に優れる非ハロゲン系難燃性接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing flexible and microscopic multilayer circuit boards by which continuity among several single-layer circuit boards is ensured by means of interconnection parts using microscopic openings such as via holes and the like.例文帳に追加

ビアホ−ル等の微細な開口部を用いた相互接続部により複数の単層回路基板の相互間を導通させる可撓性微細多層回路基板の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL element which has sufficiently high luminous efficiency and a sufficiently long drive lifetime, compared with a conventional single layer organic EL element, in particular.例文帳に追加

従来の有機ＥＬ素子、特に単層型有機ＥＬ素子と比較して、十分に高い発光効率を有し、しかも十分に長い駆動寿命を有する有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

At an end 111 of the joint body 100, the plurality of reinforcing fabrics 101-105 installed so as to be arranged in the lengthwise direction in the vertical section thereof form a single layer.例文帳に追加

継手本体１００は、その端部１１１では縦断面において長手方向に並ぶように配設された複数の補強布１０１〜１０５が１つの層を形成している。 - 特許庁

A surface oxide film 14 is formed on the surface of the body 12 of the substrate, composed of single-crystal silicon, and a resist layer 16 is formed on the surface of the oxide film 14 in a prescribed pattern.例文帳に追加

先ずシリコン単結晶からなる基板本体１２の表面に表面酸化膜１４を形成し、表面酸化膜１４の表面に所定のパターンのレジスト層１６を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI substrate and a method for manufacturing a semiconductor device, in each of which peeling of a single crystal semiconductor layer from an end portion due to laser radiation is suppressed.例文帳に追加

レーザー光の照射による単結晶半導体層の端部からの膜剥がれを抑制した、ＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

In the movable plate member 98, an elastic membrane part 114 of a single layer structure is used as a formation portion of each small diameter part 112, and an elastic abutting protruding part 118 is protrudedly formed thereon.例文帳に追加

かかる可動板部材９８においては、各小径部１１２の形成部分を単層構造の弾性膜部１１４とし、そこに弾性当接突部１１８を突出形成する。 - 特許庁

A plurality of strip n-type impurity regions 3a and a plurality of strip p-type impurity regions 3b are formed in a single crystal silicon layer 3 on the surface of an SOI substrate 4.例文帳に追加

ＳＯＩ基板４の表面の単結晶シリコン層３に短冊状のＮ型不純物領域３ａおよびＰ型不純物領域３ｂが交互に複数形成される。 - 特許庁

To provide a single layer type electrophotographic photoreceptor excellent in sensitivity characteristic and capable of effectively suppressing lowering of charging potential, and an image forming apparatus including the same.例文帳に追加

感度特性に優れるとともに、帯電電位の低下を効果的に抑制することができる単層型電子写真感光体及びそれを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁