「single- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

A hydrogen ion injection part 151 wherein adjustment is so performed that the peak position of distribution of hydrogen ions is in a BOX layer 152 (buried oxide layer), and a single crystal Si thin film transistor 130 are formed on an SOI substrate 150, and bonding to an insulating substrate 110 is performed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１５０に、水素イオンの分布のピーク位置がＢＯＸ層１５２（埋め込み酸化膜層）内となるように調節した水素イオン注入部１５１と、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１３０とを形成し、絶縁基板１１０に接合させる。 - 特許庁

The epitaxial wafer has a silicon epitaxial layer formed by deposition on a surface of a silicon substrate cut out from a silicon single crystal, and an oxygen concentration of a surface of the silicon epitaxial layer ranges from 1.0×10^17 to 12×10^17 atoms/cm^3.例文帳に追加

シリコン単結晶から切り出されたシリコン基板表面にシリコンエピタキシャル層が成膜堆積されたエピタキシャルウェーハであって、 前記シリコンエピタキシャル層表面の酸素濃度が１．０×１０^１７〜１２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ とされてなる。 - 特許庁

After sequentially forming a main pole layer 21a and an STO layered body layer 11a, unnecessary materials are removed until reaching a base body by an ion beam etching method using a single mask 44 for demarcating the range of an STO layered body 11 and a main magnetic pole 21.例文帳に追加

主磁極層２１ａとＳＴＯ積層体層１１ａとを順次成膜したのち、ＳＴＯ積層体１１および主磁極２１の範囲を画定するための単一のマスク４４を用いたイオンビームエッチング法により、基体に至るまで不要な材料を除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing gallium nitride-based compound semiconductor single crystal capable of preventing the breakdown of an epitaxial layer during cooling operation after growing it and capable of separating it from the substrate with the shape of the epitaxial layer maintained.例文帳に追加

成長終了後の冷却時に基板やエピタキシャル層の破壊を防止することのでき、エピタキシャル層の形状を保ったまま基板から剥離することのできる窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To enable a dielectric layer transfer sheet and a conductor layer transfer sheet, which are used to form a green sheet and an internal electrode pattern alternately by heat transfer printing so as to manufacture a multilayer ceramic capacitor, to be provided as a single kind of transfer sheets.例文帳に追加

グリーンシートの形成と内部電極パターンの形成を熱転写印刷によって交互に行い積層セラミックコンデンサを製造するときに使われる誘電体層転写シートと導電体層転写シートを１種類の転写シートとして提供するものである。 - 特許庁

The LiNbO_3 single crystal substrate layer 13 with the greater electromechanical coupling coefficient is used to be joined with the polycrystal diamond layer 11 at an optimum crystal azimuth to easily manufacture the surface acoustic wave element whose temperature coefficient is zero or close to zero.例文帳に追加

電気機械結合係数の大きなLiNbO_3単結晶層１３を最適な結晶方位で、多結晶ダイアモンド層１１に接合して用いることにより、温度係数が零若しくは零に近い広帯域の弾性表面波素子を容易に製造することが可能となる。 - 特許庁

To provide a nonmagnetic single component developer having high fluidity of the developer which prevents deposition of the toner on a layer thickness regulating blade or a developer carrying roller and which can form a uniform toner layer thickness without addition of a large amount of silica or without using a spherical toner.例文帳に追加

多量のシリカの添加、及び球形トナーの使用もなく、現像剤の流動性が高く、かつ層厚規制ブレードや現像剤搬送ローラへのトナーの固着を防止して、トナー層厚を均一化することが可能な非磁性一成分現像剤を提供すること。 - 特許庁

To reduce time required for layer jump in a multilayer information recording medium where large-capacity recording and reproduction can be carried out, and to record information with an equal signal quality in recording media of a single layer information recording medium and the multilayer information recording medium.例文帳に追加

大容量記録および再生が可能な多層情報記録媒体において、レイヤージャンプの所要時間が短縮でき、また、単層情報記録媒体と多層情報記録媒体との各記録層において、信号品質を同等に記録することを可能にする。 - 特許庁

Then the laminated substrate 101 is separated into single substrates from the porous layer 101b by impressing a pressure upon the layer 101b with a substantially stationary fluid, in such a way the fluid is injected into the sealed space 210 and a pressure is impressed upon the fluid.例文帳に追加

そして、密閉空間２１０内に流体を注入し、該流体に圧力を印加することにより、多孔質層１０１ｂに対して、実質的に静止した流体により圧力を印加して、貼り合わせ基板１０１を多孔質層１０１ｂで分離する。 - 特許庁

The cover film for protecting the article is constituted of a polyolefinic synthetic resin film and the pressure-sensitive adhesive layer applied to the single surface of the polyolefinic synthetic resin film, and used by pasting the polyolefinic synthetic resin film on the surface of the article to be covered through the pressure-sensitive adhesive layer.例文帳に追加

ポリオレフィン系合成樹脂製フィルムと、前記合成樹脂製フィルムの片面に塗布された粘着剤層とから物品保護用カバーフィルムが構成され、前記粘着剤層を介して前記合成樹脂製フィルムを被着物品の表面に貼付して使用する。 - 特許庁

Namely, the winding region of the winding 5 is the right half (between the flanges 22 and 26) of the cylinder 21, and further it is divided by the flange 24 into a single-layer winding part 5a in the region 32a and a multi-layer winding part 5b in the region 32b.例文帳に追加

すなわち、巻線５は、筒部２１の右半分（鍔部２２と２６の間）の領域を巻回領域とし、さらに、鍔部２４によって領域３２ａに単層巻きされた巻線部５ａと領域３２ｂに多層巻きされた巻線部５ｂに分けられている。 - 特許庁

The internally embossed decorative sheet is a thermosetting resin decorative sheet formed by laminating resin impregnated overlay paper, resin impregnated decorative paper, an embossed decorative sheet and a resin impregnated core material and molding the obtained laminate under heating and pressure and a single-sided embossed sheet is arranged to either one of layers from the layer just under the resin impregnated decorative paper to the lowermost layer.例文帳に追加

樹脂含浸オーバーレイ紙、樹脂含浸化粧紙、エンボスシート、樹脂含浸コア材を積層し、熱圧成形してなる熱硬化性樹脂化粧板であって、該片面エンボスシートを該樹脂含浸化粧紙直下から最下層に至るいずれかの層に配する。 - 特許庁

In a sensor sheet on which sensors for measuring point pressure are arranged in array, the sensors with different pressure detection accuracies and pressure detection ranges for every specific portion are constituted in a single sheet so as to properly change the variable elements in the elastic layer and the coil layer.例文帳に追加

また、点圧を測定するセンサをアレイ状に配置したセンサシートにおいては、弾性体層やコイル層の可変要素を適宜変更することによって、所定の部位ごとに圧力検出精度や圧力検出範囲が異なるセンサを１枚のシートで構成する。 - 特許庁

The middle lower layer LL2 has an Mrt smaller than the Mrt of other lower layers LL1, LL3, so that the composition of the Mrts in the AFC structure becomes smaller than the composition of the Mrts in a conventional AFC structure having only a single lower layer.例文帳に追加

中間の下部層ＬＬ２は、その他の下部層ＬＬ１およびＬＬ３のＭｒｔより小さいＭｒｔを有し、その結果として、ＡＦＣ構造の合成Ｍｒｔは、単一の下部層のみを有する従来のＡＦＣ構造の合成Ｍｒｔより小さくなる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor laminate having a structure in which an active layer such as an InAs layer is directly formed on a substrate such as GaAs, which has a high reliability and a small deterioration of electron mobility for a bulk single crystal.例文帳に追加

ＩｎＡｓ層等の活性層を直接ＧａＡｓ等の基板上に形成した構造の化合物半導体積層体であって、信頼性が高く、かつ、バルク単結晶に対して電子移動度の低下が小さい化合物半導体積層体を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which a silicon single crystal wafer having a DZ layer formed in the surface layer thereof, being excellent in device characteristics and sufficiently forming an oxygen deposit functioning as a gettering site in a bulk area can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

ウエーハ表層にＤＺ層が形成されてデバイス特性が優れていると同時に、ゲッタリングサイトとして機能する酸素析出物をバルク領域内に十分に形成できるシリコン単結晶ウエーハを安価に製造することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board and an inspecting method for printed wiring board such that matching precision of all layers including an internal-layer conductive pattern can be confirmed through single-time inspection after multilayering, and a deviation amount of an arbitrary layer can be digitized at the same time.例文帳に追加

多層化後に１度の検査によって内層導電パターン部を含む全層の合致精度を確認することができ、同時に任意の層のズレ量を数値化することが可能なプリント配線板とプリント配線板の検査方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for forming an alignment layer, by which an alignment layer for a liquid crystal can be formed in a single step of simultaneously carrying out a film forming step and an aligning step by using an ion beam sputtering method and the size of a substrate is not much limited.例文帳に追加

イオンビームスパッタリング法を用い、製膜工程と配向工程とを同時に行う単一の工程で液晶用配向膜を形成することが可能で、かつ、基板のサイズが大きく制限されない配向膜形成装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The easily adhesive polyester film for the ITO film is formed by providing a coating layer on at least the single surface of a polyester film, and the coating layer contains a water soluble polyester resin (A), an acrylic resin (B) and particles (C) with a mean particle size of 20-200 nm.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面に塗布層が設けられ、該塗布層は水溶性ポリエステル樹脂（Ａ）、アクリル樹脂（Ｂ）および平均粒径２０ｎｍ〜２００ｎｍの粒子（Ｃ）を含有することを特徴とするＩＴＯ膜用易接着性ポリエステルフィルム。 - 特許庁

Similarly, the winding region of the winding 6 is the left half (between the flanges 23 and 26) of the cylinder 21, and further it is divided by the flange 25 into a single-layer winding part 6a in the region 31a and a multi-layer winding part 6b in the region 31b.例文帳に追加

同様に、巻線６は、筒部２１の左半分（鍔部２３と２６の間）の領域を巻回領域とし、さらに、鍔部２５によって領域３１ａに単層巻きされた巻線部６ａと領域３１ｂに多層巻きされた巻線部６ｂに分けられている。 - 特許庁

On the surface of a group III nitride single crystal 11 worked in a wafer-like shape on the side opposite to the group III nitride crystalline layer forming surface, an infrared-ray absorbing layer 12 is formed as selected from among a group composed of, for example, a carbon (C) film, a semiconductor film, and a metallic film.例文帳に追加

ウエハ状に加工したIII族窒化物単結晶１１のIII族窒化物結晶層形成面とは反対側の面に、例えば、カーボン（Ｃ）膜、半導体膜および金属膜からなる群から選択される赤外線吸収層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a single-sided double-layer write-once optical recording medium which has long term preservability improved by suppressing flocculation of Ag alloy used for a semitransmissive reflection film during preservation and by preventing inflow of water vapor in a second recording layer.例文帳に追加

片面２層追記型の光記録媒体において、半透過反射膜に使用するＡｇ合金の保存中における凝集を抑制すると共に第２記録層への水蒸気の流入を阻止し、長期保存性を改善した光記録媒体を提供する。 - 特許庁

In an antireflection article 10, fine irregularities 2 is provided on one surface of a transparent base material 1, and an antireflection film 3 which doesn't have fine irregularities like a dielectric multi-layered film and has a layer having a low refractive index and is constituted of a single layer or many layers is provided on the other surface.例文帳に追加

反射防止物品１０は、透明基材１の表面に微細凹凸２を設け、別の面には、誘電体多層膜等の微細凹凸は持たず少なくとも低屈折率層を有し単層又は多層から構成される反射防止膜３を設ける。 - 特許庁

To provide a link layer device with testing circuit for eliminating usual inconvenience by enabling to measure the AC timing by a link layer device single body and enabling to measure by changing measuring conditions such as temperature and source voltage by using a general purpose board.例文帳に追加

リンク層デバイス単体でＡＣタイミング測定ができるようにし、これにより従来の不都合を解消でき、かつ、汎用ボードを使用して温度、電源電圧等の測定条件を変えてその測定できるようにしたテスト回路付きリンク層デバイスを提供すること。 - 特許庁

Lamellar metal particles (especially silver particles) with a cross-sectional particle size of below a wavelength of about 100-800 nm and a thickness of several ten nm are used as a fundamental element and densely arranged on a substrate as an island film and a fluorescent substance is supported on the surface of the island film on the substrate in a single-layer or a multi-layer.例文帳に追加

約100〜800nmの波長以下の断面粒径と数十nmの厚みを有する平板状金属粒子（特に銀粒子）を基本素子として、これを基板上にアイランド膜として密に配列した表面上に単層もしく多層に蛍光物質を担持させる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element wherein an active element region having a lattice constant larger than that of a single crystal nitride based semiconductor layer and good crystallinity is formed on the nitride based semiconductor layer, and a method for fabricating the same.例文帳に追加

単結晶の窒化物系半導体層上にその窒化物系半導体層よりも大きな格子定数を有し、かつ、良好な結晶性を有する能動素子領域が形成された窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

This is the organic electroluminescent element having an organic layer between a pair of electrodes, and the organic layer includes at least one region in which other materials are doped in a single host material and at least one light-emitting region containing that host material.例文帳に追加

一対の電極間に有機層を有する有機電界発光素子であって、該有機層が、単一のホスト材料中に他の材料がドープされた少なくとも一つの領域と、該ホスト材料を含む少なくとも一つの発光領域とを含む有機電界発光素子。 - 特許庁

The force to prevent the deformation of a piezoelectric layer 70 becomes weak as compared with the constitution of a first upper electrode single layer because the Young modulus of tungsten, molybdenum, aluminum, and magnesium included in second upper electrodes 82 is small as compared with the Young modulus of iridium of first upper electrodes 81.例文帳に追加

第１上電極８１のイリジウムのヤング率と比較して、第２上電極８２に含まれるタングステン、モリブデン、アルミニウム、マグネシウムのヤング率が小さいので、第１上電極単層の構成と比較して、圧電体層７０の変形を妨げる力が弱まる。 - 特許庁

A layer of a metal film formed by deposition may be composed of a single metal, but better shield effect can be expected by depositing nickel on a copper layer and employing two deposition layers in order to shield electromagnetic waves of different properties simultaneously.例文帳に追加

蒸着によって形成される金属幕の層は、単一の金属でも良いが、性質の異なる電磁波を同時にシールドする為に、銅の層の上に、重ねてニッケルを蒸着することによって、蒸着層を２層にすることによって、更に良いシールド効果が期待できる。 - 特許庁

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

Furthermore, the outer conductor 25 is constituted of a single or multiple structure that includes a laminated tape in which metal layers 15, 17 are pasted to both faces of a resin layer 13, and the laminated tape 19 is pasted to the outer periphery of the insulator 5 by an adhesive layer 21.例文帳に追加

また、前記外部導体２５は、樹脂層１３の両面に金属層１５，１７を貼着したラミネートテープ１９を含む一又は多重構造で構成し、前記ラミネートテープ１９は接着層２１により前記絶縁体５の外周に貼着されている。 - 特許庁

To provide a thermally transferable protective layer which is a single layer and can be thermally transferred onto a card or a film made of a plastic such as poly(vinyl chloride) and poly(ethylene terephthalate), is excellent in abrasion resistance and solvent resistance, contains no particulate and produces no blocking phenomenon in a ribbon shape.例文帳に追加

単層でありながら、塩ビやＰＥＴのようなプラスチック製のカードやフィルムなどに熱転写可能で、耐摩擦性や耐溶剤性に優れ、微粒子を含有せずにリボン形状においてブロッキング現象が生じない熱転写性保護層を提供することである。 - 特許庁

To expand the utilization range of a silicon carbide single crystal as a material for producing a semiconductor device by suppressing the impurity content to ppb order while keeping high quality comparable or superior to that of a device having an SiO2 layer as an intermediate layer and keeping high production efficiency.例文帳に追加

中間層にＳｉＯ_2 を介在させた場合と同等以上の高い品質及び高い製造効率を確保しつつ、不純物をｐｐｂ単位の含有量に抑えて半導体デバイス製作用材料としての利用範囲の拡大が図れるようにする。 - 特許庁

A method for manufacturing an SOI substrate includes the steps of irradiating a single crystal semiconductor substrate with ions to form an embrittled region in the single crystal semiconductor substrate, bonding the single crystal semiconductor substrate to a base substrate with an insulating film therebetween, and separating the single crystal semiconductor substrate and the base substrate at the embrittled region to form a semiconductor layer over the base substrate with the insulating film therebetween.例文帳に追加

単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、前記脆化領域において前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを分離して、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体層を形成する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of silicon carbide substrate is characterized in manufacturing a substrate including a single crystal layer formed on a polycrystal substrate with the steps of preparing at least for single crystal silicon carbide substrate having density of micropipe of 30 pieces/cm^2 or less and polycrystal silicon carbide substrate and then bonding the single crystal silicon carbide substrate and the polycrystal silicon carbide substrate, and thereafter making thinner the single crystal silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板の製造方法であって、少なくとも、マイクロパイプの密度が３０個／ｃｍ^２以下の単結晶炭化珪素基板と多結晶炭化珪素基板を準備し、前記単結晶炭化珪素基板と前記多結晶炭化珪素基板とを貼り合わせる工程を行い、その後、前記単結晶炭化珪素基板を薄膜化する工程を行い、多結晶基板上に単結晶層を形成した基板を製造することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electrophotographic photoreceptor including a step of depositing, on a conductive substrate, at least a photoconductive layer comprising a non-single-crystal material based on silicon atoms and a surface layer, the surface layer is formed by sequentially depositing a high hardness region and a low hardness region and then grinding the surface.例文帳に追加

導電性基体上に少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層、及び表面層を堆積する工程を有する電子写真感光体の製造方法において、該表面層は硬度の大きい領域、硬度の小さい領域をこの順に積層して形成し、その後、表面を研磨することを特徴とする。 - 特許庁

A light emitting element includes a pair of electrodes 5 and 11, a light emitting layer 8 disposed between the electrodes, and an optical structure 15 which is disposed in an outer side of one of the electrodes 5 and 11, in which pores 4 are arranged as a single layer, and whose optical characteristics are different in a light-emitting-layer 8 side of the pores 4 and an opposite side thereof.例文帳に追加

一対の電極５，１１と、これら電極の間に配置された発光層８とを有する発光素子において、空孔４が単層でなり、前記空孔４の周囲の発光層８側とその反対側とで光学特性が互いに異なっている光学構造体１５を、電極５，１１のいずれか一方の外側に配置させた発光素子とする。 - 特許庁

The electro-optical device (liquid crystal light bulb) uses, as one substrate, a composite substrate including a quartz substrate having a first thermal expansion coefficient (substrate body 10A), an insulator layer formed on the quartz substrate (underlayer insulation film 12) and a single crystal silicon layer having a second thermal expansion coefficient formed on the insulation film (semiconductor layer 1a).例文帳に追加

本発明の電気光学装置（液晶ライトバルブ）は、第１の熱膨張係数を持つ石英基板（基板本体１０Ａ）と、石英基板上に形成された絶縁体層（下地絶縁膜１２）と、絶縁体層上に形成された第２の熱膨張係数を持つ単結晶シリコン層（半導体層１ａ）とを有する複合基板を一方の基板としたものである。 - 特許庁

To provide a medium to be recorded by inkjet capable of controlling either spreading property or the diameter of a dot to be formed by making wide kinds of fillers as objects and changing compatibility of ink in accordance with degree of improvement while a single layer is used for an ink receiving layer composed of an assembly thereof without making the ink receiving layer into multi-layered one.例文帳に追加

インク受容層を多層化することなく、広汎な種類のフィラーを対象とし、それらの集合体として構成されるインク受容層に対して単一層でありながらもインクの親和性を改質の程度に応じて変化させることで、形成されるドットの拡散性もしくはドット径を制御できるインクジェット被記録媒体を提供する。 - 特許庁

The optical member comprises a substrate having a curved face in at least a part thereof, and on the substrate a layer of single aluminum or a compound containing aluminum formed in a vapor phase and subjected to a hydrothermal treatment to form a concavo-convex structure on the outermost surface; and the optical member includes a dielectric layer between the substrate and the concavo-convex structure, the dielectric layer formed by vapor phase film formation.例文帳に追加

少なくとも一部に曲面を有する基材と、該基材上に、アルミニウム単体、及びアルミニウムを含む化合物の少なくともいずれかを気相成膜した層を水熱処理して最表面に凹凸構造を有してなり、前記基材と前記凹凸構造の間に、気相成膜により形成された誘電体層を有する光学部材である。 - 特許庁

A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.例文帳に追加

支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: field effect transistors formed above a single crystal semiconductor substrate; first conductive layers formed on the field effect transistors; an organic compound layer formed on the first conductive layers; and a second conductive layer formed on the organic compound layer.例文帳に追加

単結晶半導体基板上に形成された電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタの上に設けられた第１の導電層と、第１の導電層上に設けられた有機化合物層と、有機化合物層上に設けられた第２の導電層とを有し、第１の導電層と有機化合物と前記第２の導電層とで記憶素子を構成する。 - 特許庁

A conductor layer having a metal wiring layer is expanded from a single crystal silicon substrate 1 and electrically insulated by an insulation film 9 from the silicon substrate 1 and the conductor layer is further electrically insulated by trenches 3 from other regions formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１から金属配線層が形成されている導体層が引き出されて形成されており、この導体層は絶縁膜９によって単結晶シリコン基板８から電気的に絶縁され、さらにトレンチ３によって単結晶シリコン基板１より形成された他の領域から電気的に絶縁されるように構成する。 - 特許庁

The low-carbon steel plate is a clad type which has a plate-thickness center layer of a ferrite mixed structure including one or two kinds among a perlite phase, a bainite phase and a martensitic phase containing 1.0 mass% Si, and a surface layer of a ferrite single-phase structure containing 3 to 5 mass% Si, the surface layer having 70 to 160 MPa in-plane tensile stress as internal stress.例文帳に追加

低炭素鋼板であって、Ｓｉ：1.0 質量％以下であるパーライト相、ベイナイト相およびマルテンサイト相のうちいずれか１種また２種以上を含むフェライト混合組織の板厚中央層と、Ｓｉ：３〜５質量％を含むフェライト単相組織の表層とをクラッド型に有し、内部応力として、表層に70〜160MPaの面内引張応力を有する。 - 特許庁

To provide an electrode having a single layer of a conductive fine particle layer selectively arranged on the surface of a wire end part or one or more layers of the conductive fine particle layer, and its manufacturing method, a lead wire and its connecting method, and an electronic component and an electronic apparatus using them.例文帳に追加

導電性微粒子本来の機能を損なうことなく保持しており、配線末端部の表面に選択的に配列した単層の導電性微粒子層又は複数層の導電性微粒子層を有する電極及びその製造方法、リード配線及びその接続方法、並びにそれらを用いた電子部品及び電子機器を提供する。 - 特許庁