「single- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

A 1.7-3.0 μm thick silicon oxide film layer 2 is formed on the single crystal silicon substrate 1, and on the silicon oxide film layer 2 on the front surface side of the silicon substrate 1, a Pt lower electrode 3, a piezoelectric thick film 4 of barium titanate zirconate, and an Au upper electrode 5 are sequentially laminated.例文帳に追加

単結晶のシリコン基板１に、厚み１．７〜３．０μｍの酸化シリコン膜層２が形成され、シリコン基板１の表面側の酸化シリコン膜層２に、Ｐｔ下部電極３、チタン酸ジルコン酸バリウム系圧電体厚膜４、およびＡｕ上部電極５が順次積層されている。 - 特許庁

This waterproof, single-sided adhesive tape obtained by laminating an adhesive composition 4 containing a (meth)acrylate as a main component on the polyethylene foam surface of a supporting body 3 obtained by laminating a protective film layer 1 consisting of a urethane resin or an ionomer resin with a polyethylene foam layer 2 having ≥0.3 mm thickness is used.例文帳に追加

ウレタン樹脂又はアイオノマー樹脂からなる保護フィルム層１と、厚さ０．３ｍｍ以上のポリエチレンフォーム層２とが積層された支持体３に対し、該支持体のポリエチレンフォーム面に（メタ）アクリル酸エステルを主成分とした粘着剤組成物４を積層した防水片面粘着テープを用いる。 - 特許庁

In an epitaxial wafer in a p-type GaAlAs system single heterostructure or double heterostructure, carbon density in an n-type GaAlAs clad layer 3 is set, having concentration of not higher than 1×10^17 cm^-3, by using a graphite jig applied with a PBN coating as a liquid phase epitaxial layer growing device.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｌＡｓ系シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハにおいて、液相エピタキシャル層成長治具として、ＰＢＮコーティングを施したグラファイト治具を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３中のカーボン濃度を１×１０^17cm^-3以下にする。 - 特許庁

Then, heat treatment is performed at a temperature not more than the strain point of the support substrate while the semiconductor substrate and the support substrate are overlapped, sandwiching a silicon oxide film, and the semiconductor substrate is partially separated in the separation layer, thus providing a single-crystal semiconductor layer on the support substrate.例文帳に追加

その後、半導体基板と支持基板とを酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせた状態で支持基板の歪み点以下の温度で加熱処理を行って、分離層で半導体基板の一部を分離させることにより、支持基板上に単結晶半導体層を設ける。 - 特許庁

On a main surface of a starting substrate 31, an oxide film 32 is formed selectively and after a single crystal silicon layer 33 is epitaxially grown on the main surface of the starting substrate 31 exposed to an opening portion of the oxide film 32, a polycrystalline silicon layer 34 is grown on the oxide film 32.例文帳に追加

出発基板３１の主面に酸化膜３２を選択的に形成し、その酸化膜３２の開口部分に露出する出発基板３１の主面に単結晶シリコン層３３をエピタキシャル成長させた後、酸化膜３２の上に多結晶シリコン層３４を成長させる。 - 特許庁

In a coil 1a of a motor stator 1 in which a plurality of wire rods are wound in a multiple layer shape together as a bundle, the plurality of wire rods 109 and 110, 111 and 112, 113 and 114, and 115 and 116 that are wound together include a structure in which the plurality of wire rods are not wound around a single layer but wound around multiple layers, respectively.例文帳に追加

複数の線材が束として同時に、複数の層状に積み重なって巻線されるモータ固定子1のコイル1aにおいて、同時に巻線される複数の線材109,110、111,112、113,114、115,116が、単一の層ではなくそれぞれ複数の層に巻線されている構造を備える。 - 特許庁

To solve the following problem: when optimal recording conditions similar to those of a single-layer optical disk is obtained for a rewritable optical disk having two recording layers, securing of optimal recording quality is difficult due to variance in detection results depending on the number of times of repeated recording especially in a first recording layer.例文帳に追加

２層の記録層をもった書き換え型の光ディスクについて、単層の光ディスクと同様な最適記録条件を取得する場合、特に一層目記録層において繰り返し記録の回数により、検出した結果にバラツキがあるために最適な記録品質の確保が難しい。 - 特許庁

The gas barrier transparent laminate comprises a vapor- deposited thin film layer made of an organic compound selected from the group consisting of a single or a mixture of a polyurea, a polyamide, a polyimide, and a polyazomethine, and a vapor-deposited thin film layer made of an inorganic oxide, at least sequentially laminated on one surface of a base made of a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の少なくとも片面に、ポリ尿素、ポリアミド、ポリイミド、ポリアゾメチンの単体或いはそれらの混合物から選ばれる有機化合物からなる蒸着薄膜層と、無機酸化物からなる蒸着薄膜層を少なくとも順次積層させる。 - 特許庁

In a method of forming the semiconductor layer on a wafer through a molecular beam epitaxy method or a gas source molecular beam epitaxy method, at least two cells, which are installed in face to face with their discharge orifices toward the surface of the wafer where the semiconductor layer is formed, are used at the same time for feeding a single raw material.例文帳に追加

分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によりウエハ上に半導体層を作製する方法において、一つの原料を供給するために、半導体層を作製する面に出射口を向けて設置された少なくとも二つのセルを同時に使用する。 - 特許庁

First and second optical disks which have recording films having mutually different characteristics and have a single layered recording layer and third and fourth optical disks which have recording films having mutually different characteristics and have a double layered recording layer are selectively mounted on an optical disk device.例文帳に追加

光ディスク装置には、記録膜の特性が互いに異なり共に単層記録層を有する第１及び第２光ディスク、及び記録膜の特性が互いに異なり共に２層記録層を有する第３及び第４光ディスクを含む光ディスクが選択的に装着される。 - 特許庁

In the inkjet recording sheet having a support base material and an ink acceptance layer, the ink acceptance layer contains a thermoplastic resin with dyeing affinity as a main component and is structured of at least a single lamina formed by a melt extrusion process.例文帳に追加

支持基材とインク受容層を有するインクジェット記録シートにおいて、インク受容層が染着性熱可塑性樹脂を主成分として含有し、溶融押出法により形成された少なくとも一層からなる層であることを特徴とする油性インク用インクジェット記録シートである。 - 特許庁

The polyimide laminated film is constituted by integrally laminating a highly heat-resistant aromatic polyimide layer (D) on at least the single surface of a mixed resin film, which mainly comprises a crystalline polyaryl ketone resin (A) and a non-crystalline polyetherimide resin (B), through a thermoplastic aromatic polyimide layer (C).例文帳に追加

結晶性ポリアリールケトン樹脂（Ａ）と非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｂ）とを主成分とする混合樹脂フィルムの少なくとも片面に熱可塑性の芳香族ポリイミド層（Ｃ）を介して高耐熱性の芳香族ポリイミド層（Ｄ）とが一体に積層されていることを特徴とするポリイミド系積層フィルム。 - 特許庁

This sheet with a forgery-proof function has a cholesteric liquid crystal layer 110 which includes a selective reflected wavelength zone in at least a visible light region and is a single layer with an almost equal thickness.例文帳に追加

少なくとも可視光領域に選択反射波長帯域を有するコレステリック液晶層１１０を有し、このコレステリック液晶層１１０が厚みの略等しい単一層であって、少なくとも１ヶ所に選択反射波長帯域が異なる認証領域１１２が設けられている。 - 特許庁

A laminate solid-state imaging element including a photoelectric conversion layer 20 laminated on an element chip is characterized in that the layer 20 is formed of single crystal silicon.例文帳に追加

素子チップの上部に光電変換層２０を積層してなる積層型固体撮像素子において、光電変換層２０を単結晶シリコンで形成することで、光電変換領域内のギャップ準位を大幅に低減し、当該ギャップ準位に起因する残像や暗電流を改善する。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly and a solid polymer fuel cell single cell in which water in a cathode catalyst layer and an anode catalyst layer maintains proton conductivity of the catalyst layers and a polymer electrolyte membrane and can prevent flooding as excessive water comes out easily.例文帳に追加

カソード触媒層およびアノード触媒層中の水が触媒層および高分子電解質膜のプロトン伝導度を保ちつつ、余分な水が抜けやすくなることでフラッディングを防止し得る、膜電極接合体および固体高分子形燃料電池単セルを提供する。 - 特許庁

An LED wafer 10A having a semiconductor crystal layer 30 formed on a single-crystal substrate 22 by crystal growth includes a rough surface portion 50 formed by making a part of an element formation region on the surface of the semiconductor crystal layer 30 rougher than the crystal growth surface.例文帳に追加

単結晶基板２２上に結晶成長により形成された半導体結晶層３０が形成されたＬＥＤウエハ１０Ａは、半導体結晶層３０の表面の素子形成領域の一部が結晶成長面に比べて粗面化された粗面部５０を備えている。 - 特許庁

The cadmium sulfide layer may be deposited preferably by a high-frequency sputtering method at an ambient temperature, and the cadmium telluride layer may be deposited preferably by a closed-space sublimation method at a so efficient increased temperature as to convert an amorphous cadmium stannate into a polycrystal cadmium stannate having a single spinel structure.例文帳に追加

好ましくは、硫化カドミウム層は周囲温度で高周波スパッタ法で堆積させ、テルル化カドミウム層は、非晶スズ酸カドミウムを単一スピネル構造を有する多結晶スズ酸カドミウムに変換させるのに効果的な昇温温度で、クローズスペース昇華法によって堆積する。 - 特許庁

When the signal wiring attains the function of single-end transmission, the distance between both the external sides of the signal wiring 3a and the aperture end 7b of the shield layer is set to be in a range of 3t1≤x≤20t1, when the thickness of the insulator layer 2 is set to t1.例文帳に追加

前記信号配線がシングルエンド伝送の機能を果たすものである場合には、絶縁体層２の厚さをｔ１としたとき、信号配線３ａの両外側と前記シールド層の開口縁７ｂとの距離ｘが、３ｔ１≦ｘ≦２０ｔ１の範囲に設定される。 - 特許庁

Then, in the film 10 for semiconductors, the area occupied by a grain size not less than 5 μm, is not more than 15% of an entire projected image in the projected image where a filler single body or an aggregate existing near the surface of the adhesive layer 3 is projected onto the surface of the adhesive layer 3.例文帳に追加

そして、この半導体用フィルム１０は、接着層３の表面近傍に存在するフィラー単体または凝集体を、接着層３の表面に投影した投影像について、粒径５μｍ以上のものが占める面積が、投影像全体の１５％以下であるものである。 - 特許庁

The inlaid knitted fabric has a looped felt layer on one side wherein the looped felt layer consist of multi filaments having single filament of ≥2 denier, and are formed by nap-raising or composed of multi filaments having ring like loops on the side of threads.例文帳に追加

インレイ編地であって、片面にル−プ状フェルト層が存在し、該ル−プ状フェルト層は２デニール以上の単繊維デニ−ルからなるマルチフィラメントから構成され、起毛加工によって形成されるか若しくはリング状ル−プを糸条の側面に有するマルチフィラメントから形成されるものである。 - 特許庁

To control the occurrence of creases and increase of stretch cutting following deterioration of a plane property of an edge part becoming a problem in conditioning treatment to be carried out prior to simultaneously biaxial orientation when a polyamide based laminated film wherein a central part in a film width direction has a double layer structure and both edge parts have a single layer structure, is manufactured.例文帳に追加

フィルム巾方向の中央部を複層構造、両端部を単層構造としたポリアミド系積層フィルムの製造時において、同時２軸延伸に先立っておこなう調湿処理時に問題となる端部平面性の悪化に伴うシワの発生や延伸切断の増加を抑制する。 - 特許庁

Thus, a columnar polycrystalline ZnO buffer layer for which the (c) axis orientatability is high and a grain size in a horizontal direction is small within the (C) plane is formed, and a nitride based semiconductor single crystal layer less influenced by heat distortion from the Si substrate is manufactured on it.例文帳に追加

これにより、ｃ軸配向性が高くＣ面内において横方向のグレインサイズの小さい柱状多結晶ＺｎＯバッファ層が形成でき、この上にＳｉ基板からの熱歪みの影響の少ない窒化物系半導体単結晶層を作製することが可能となる。 - 特許庁

Using a π electron conjugated molecule 1 which is a kind of linear tetra-pyrrole and has a frame 2 having a nearly discoidal structure like porphyrin and a flexible side chain 3 composed of an alkyl chain, a single-layer molecular layer is formed in close contact with surfaces of the electrodes 5 and 6.例文帳に追加

まず、リニアテトラピロールの１種で、ポルフィリン様の略円盤状構造を有する骨格部２と、アルキル鎖からなるフレキシブルな側鎖部３とをもつπ電子共役系分子１を用いて、電極５および６の表面に密着した分子層を単層で形成する。 - 特許庁

A first photoelectric transfer layer having the sensitivity with respect to lights of a near infrared region is formed on a single crystal silicon substrate with crystalline silicon germanium, and a second photoelectric converter layer having the sensitivity with respect to lights of a visual region is formed with amorphous silicon hydride.例文帳に追加

単結晶シリコン基板上に、結晶質シリコンゲルマニウムによって、近赤外領域の光に感度を有する第１の光電変換層を形成し、その上に、非晶質シリコンハイドライドによって、可視領域の光に感度を有する第２の光電変換層を形成する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has at least a photoconductive layer, wherein the photoconductive layer comprises a non-single-crystalline material based on silicon and containing at least hydrogen and/or halogen atoms, and the photoreceptor has a mechanically readable individual recognition code.例文帳に追加

本発明は、少なくとも光導電層を有する、電子写真感光体であって、該光導電層は、珪素を母体とし、少なくとも水素原子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなり、該感光体に、機械で読取可能な個体識別コードを有していることを特徴とする。 - 特許庁

To solve the problem that securing of an optimum recording quality is difficult due to irregularity in detected results depending on the number of times of repeated recording particularly in a first recording layer in obtaining an optimum recording condition similar to a single-layer optical disk regarding a rewritable optical disk having double recording layers.例文帳に追加

２層の記録層をもった書き換え型の光ディスクについて、単層の光ディスクと同様な最適記録条件を取得する場合、特に一層目記録層において繰り返し記録の回数により、検出した結果にバラツキがあるために最適な記録品質の確保が難しい。 - 特許庁

In the interlayer of an orientational substrate for forming the epitaxial film, which is provided between a base material and an epitaxial film to be formed on at least one surface of the base material, the interlayer has a single layer structure or a multilayer structure of not less than two layers and the layer in contact with the substrate is formed from an indium tin oxide (ITO).例文帳に追加

基材と、基材の少なくとも一方に形成されるエピタキシャル膜との間に設けられるエピタキシャル膜形成用配向基板の中間層において、単層構造又は２層以上の多層構造を有し、基板と接触する層がインジウムスズ酸化物からなる中間層である。 - 特許庁

A laminated sheet is obtained by arranging a resin layer comprising a mixture of polymethyl methacrylate and a phenoxy resin and a resin layer comprising polymethyl methacrylate containing an ultraviolet absorber on the single surface or both surfaces of a base material of a polyester polymer based on polyethylene terephthalate in this order by integral co-extrusion.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレートを基本構造とするポリエステル系重合体の基材の両面または片面にポリメチルメタクリレートとフェノキシ樹脂の混合物からなる樹脂層、および紫外線吸収剤を含有するポリメチルメタクリレートからなる樹脂層をこの順番で配してなる積層シート。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an element or particularly a transistor has excellent operating characteristics and reliability by forming a domain structure or a single crystal metal oxide insulating layer extremely strongly oriented in a normal direction to a board in the insulating layer on a silicon plane (001).例文帳に追加

本発明は、シリコン（００１）面上の金属酸化物絶縁層において、基板法線方向に極めて強く配向したドメイン構造あるいは単結晶の金属酸化物絶縁層を形成することにより素子、特にトランジスタの動作特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a novel method for manufacturing a boride single crystal that has better crystallinity than that obtained with the prior art, by a floating zone method; and to provide a substrate that is made by the manufacturing method and is suitable for epitaxial growth of a semiconductor layer, particularly a GaN-based semiconductor layer.例文帳に追加

ＦＺ法によって、現状よりも結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができる新規な製造方法と、前記製造方法によって製造された、特に、ＧａＮ系半導体層等の半導体層をエピタキシャル成長させるのに適した基板とを提供する。 - 特許庁

The inspection apparatus optically inspects a through-hole provided in a substrate (a single layer, a multi-layer), and it has an irradiating means for irradiating transmission light on the through-hole, and a condensing means for condensing the visible light irradiated from the irradiating means on the through-hole without scattering.例文帳に追加

基板（単層、多層）に設けられた貫通穴を光学的に検査する検査装置であって、前記貫通穴に透過光を照射する照射手段と、照射手段から照射される可視光を散乱なしに貫通穴に集光させる集光手段とを有する貫通穴検査装置。 - 特許庁

The polarizing electrode 10 is provided with a current collector 11 having conductivity, an electrode layer 12 provided to a single, or both surfaces of the current collector 11; and is formed of a conductive porous material, and a porous insulating film 13 provided on the front surface of the electrode layer 12.例文帳に追加

本発明の分極性電極１０は、導電性を有する集電体１１と、集電体１１の片面または両面に設けられ、導電性多孔質体からなる電極層１２と、電極層１２の表面に設けられた上記多孔質絶縁膜１３とを備える。 - 特許庁

A cross-sectional schematic diagram 29a of a cross point device 25 is executed by using a single additional metal layer M3, and a ZnCdS switching device can be installed on an FPGA circuit because the ZnCdS switching device can be incorporated in a selected layer (e.g., in a middle part or between layers) of the FPGA circuit.例文帳に追加

クロスポイントデバイス２５の断面概略図２９ａは、単一の追加金属層Ｍ３を使用して実施され、ＺｎＣｄＳスイッチングデバイスは、ＦＰＧＡ回路の選択層の中に（例えば、中部にあるいは相互間に）組み込まれ得るものであるため、ＦＰＧＡ回路の上に設置され得る。 - 特許庁

A needle type inorganic pigment whose axial ratio of a long axis and to a short axis is more than 10 is contained in a polishing layer as a polishing material on the polishing sheet at least on one single surface of a support body 1 of which the polishing layer 2 is formed to remove the foreign matter attached to the thermal head for thermosensitive recording.例文帳に追加

感熱記録用サーマルヘッドに付着した異物を除去するための、支持体１の少なくとも片面に研磨層２が形成されている研磨シートにおいて、研磨層に、研磨材として長軸と短軸の軸比が１０以上の針状の無機顔料を含有させる。 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

The invention provides a primer coating composition for a pressure-sensitive adhesive sheet containing a silane coupling agent having an amino group and water and/or alcohol as essential components, and a single-coated or double-coated pressure-sensitive adhesive sheet having a layer of the primer coating composition and an acrylic pressure-sensitive adhesive layer on a substrate.例文帳に追加

アミノ基含有シランカップリング剤並びに、水及び／又はアルコールを必須成分として含有することを特徴とする、粘着シート用の下塗剤組成物、及び基材上に該下塗剤組成物層とアクリル系粘着剤層を有する片面若しくは両面粘着シートを提供する。 - 特許庁

The organic EL display panel has a plurality of organic EL elements formed on a substrate consisting of a light emitting layer of at least 3 or more colors, in addition, all luminescent colors are composed of phosphorescence luminescent material, and the light emitting layer of more than one colors among them is composed of only a single phosphorescence luminescent material.例文帳に追加

少なくとも３色以上の発光層からなる複数の有機ＥＬ素子が基板上に形成され、尚且つすべての発光色が燐光性発光材料からなり、そのうちの１色以上の発光層が単一の燐光性発光材料のみからなる有機ＥＬディスプレイパネル。 - 特許庁

The bank winding is a winding method for winding a conductor in a single layer toward one flange part 16A then overlapping the conductor on layer already wound from one flange part 16A and for forming the coil for an antenna while shifting this winding operation toward the other flange part 16B of the core 12.例文帳に追加

バンク巻とは、一方の鍔部１６Ａ側から導線を１層づつ重ねながら、外側に向かうに従って該一方の鍔部１６Ａ側に傾くように巻回し、この巻回操作を前記巻芯１２の他方の鍔部１６Ｂ側にずらしながら行なうようにして形成する巻回手法である。 - 特許庁

In its manufacturing method, a resin tube of a long-length consisting of a single layer or a plurality of resin layers is extrusion-molded, and after a rubber composition for forming the protector layer 2 is extrusion-coated on an outer periphery of the resin tube, the rubber composition is subjected to the oven vulcanization to be free-foamed.例文帳に追加

そして、その製法では、単層ないし複数の樹脂層からなる長尺の樹脂製チューブを押出成形し、上記樹脂製チューブの外周面にプロテクタ層２形成用ゴム組成物を押出被覆した後、上記ゴム組成物をオーブン加硫してフリー発泡させる。 - 特許庁

The golf club head is formed by coating at least a portion of the surface of a head base body 2 consisting of a metallic material with the coating film 3, in which a ground surface layer 4 consisting of a single layer of a silane coupling agent is disposed between the surface of the head base body 2 and the coating film 3.例文帳に追加

金属材料からなるヘッド基体２の表面の少なくとも一部が塗膜３で被覆されたゴルフクラブヘッドであって、前記ヘッド基体２の表面と前記塗膜３との間に、シラン系カップリング剤の単一の層からなる下地層４を具えることを特徴としている。 - 特許庁

A transparent moistureproof package having cleanness is constituted by providing a hot-melt resin layer comprsing at least a cyclic olefinic resin on a barrier base material which is obtained by forming a film layer comprising a metal or a metal compound on at least the single surface of a base material such as a polymeric film or the like.例文帳に追加

高分子フィルム等の基材の少なくとも片面に、金属、金属化合物等の薄膜層を形成したバリアー性基材上に、少なくとも環状オレフィン系樹脂からなる熱溶融性樹脂層を有することを特徴とするクリーン性を有する透明防湿包装体である。 - 特許庁

The strained silicon wafer is in a structure, having an epitaxial layer with lattice mismatching and a strained Si layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1, and uses an off-cut surface where the crystal surface of the silicon surface inclines by 0.2°-1° to the directions of crystal orientation <100> and <0-10> from a plane orientation of (100) plane.例文帳に追加

単結晶シリコン基板上に格子不整合性のあるエピタキシャル層と歪みＳｉ層の構造を有し、前記シリコン基板の結晶表面が面方位（１００）面から結晶方位＜１００＞方向および＜０−１０＞方向に対して０．２°〜１°傾斜したオフカット面を用いる。 - 特許庁

The laminated structure includes a substrate, a layer which includes hydrogen silsesqui oxane, and which is equipped with cyclic shape with regard to at least one direction on the surface of the substrate, and a single or a plurality of layers which are equipped with the same shape as the cyclic laminated on the layer which includes the hydrogen silsesqui oxane.例文帳に追加

積層構造体は、基板、基板の表面における少なくとも一つの方向に関して周期的な形状を備えた水素シルセスキオキサンを含む層、及び水素シルセスキオキサンを含む層に積層された周期的な形状と同一の形状を備えた単数又は複数の層を含む。 - 特許庁

An epitaxial growth layer 13 consisting of the group III nitride semiconductor is formed through a buffer layer 12 on a sapphire substrate 11 which has a surface A (a surface parallel to C axis of sapphire single crystals) as its main surface, and a gate electrode 16, source electrode 15, and drain electrode 17 are formed on it.例文帳に追加

Ａ面（サファイア単結晶Ｃ軸に平行な面）を主面とするサファイア基板１１上に、バッファ層１２を介してIII族窒化物半導体からなるエピタキシャル成長層１３を形成し、その上にゲート電極１６、ソース電極１５およびドレイン電極１７を形成する。 - 特許庁

While a substrate K on which a thin MgO layer is formed by vapor deposition or sputtering is mounted and heated on a support table 541 equipped with a planar heater, a coating liquid 501 in which a MgO powder is dispersed in a solvent is applied by spraying thereon to form a single crystal MgO power layer.例文帳に追加

蒸着またはスパッタリングにより薄膜ＭｇＯ層を形成した基板Ｋを面状ヒータを備えた支持台５４１上に載置して加熱しつつ、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液５０１をスプレー塗布し、単結晶ＭｇＯ粉体層を形成する。 - 特許庁