「single- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

This increases the passage regions for wires connected to the connection terminals, in the inner rows and hence the number of processible connection terminals on a single layer, resulting in many connection terminals being connected with few number of layers.例文帳に追加

これにより、内側の列の接続端子に繋がる配線の通過領域が増大するので、１つの層において処理可能な接続端子の数を増やすことができ、少ないレイヤ数で多くの接続端子を接続できる。 - 特許庁

Alternatively, two strips of the reinforcing materials can be crossed and spirally wound in a crossed single layer along one way in a longitudinal direction of the long-columned steel pipe, or are crossed and wound spirally in crossed multiple layers reciprocating a plurality of times along the pipe.例文帳に追加

２本の補強材が、長柱鋼管の長手方向に１回往路にそって一重交差螺旋巻き形態でまたは複数回の往復路にそって多重交差螺旋巻き形態で巻き付けられてもよい。 - 特許庁

The film satisfies the condition that the reflectance R at near the designed wavelength λ_0 determined from formulae (1) and (2) is minimized and consists of a five-layer film or the like of SiO_2/Ta_2O_5/SiO_2/Ta_2O_5/SiO_2 from the side of a magnetic garnet single crystal.例文帳に追加

数式(1)(2)から求まる設計中心波長λ_0付近の反射率Ｒが最も低くなる条件を満し、磁性ガーネット単結晶側から、SiO_2／Ta_2O_5／SiO_2／Ta_2O_5／SiO_2の5層膜等で構成されることを特徴とする。 - 特許庁

The growth member 7 is subjected to wet etching to etch the buffer layer 2 from end parts of each growth portion 9, and then, a group III nitride single crystal is grown on the seed crystal film 3 by a flux method.例文帳に追加

育成用部材７をウエットエッチングに供することによってバッファ層２を育成部９の端面からエッチングし、次いでＩＩＩ族窒化物単結晶を種結晶膜３上にフラックス法によって育成する。 - 特許庁

The adhesion layer has a thickness of 30 to 75 μm by stacking the thin single wood plate in a half-setting state, and comprises an adhesive on the base material side having ≤30° of hardness measured with a type A durometer.例文帳に追加

接着層は、半硬化状態において木質薄単板が積層されることで、厚みが３０μｍ以上でかつ７５μｍ以下であり、硬度がタイプＡデュロメーターで３０°以下となる基材側接着剤で構成する。 - 特許庁

To prevent substrate floating effect, which is generated due to the channel region of a transistor element consisting of a single crystal silicon layer covered with an insulating film becoming a state such that the channel region floats electrically, and to stabilize the electrical characteristics of the element.例文帳に追加

絶縁膜により覆われた単結晶シリコン層からなるトランジスタ素子のチャネル領域が電気的に浮いた状態となるために発生する基板浮遊効果を防止し、素子の電気的特性を安定させる。 - 特許庁

This method of manufacturing silicon epitaxial wafer includes a step of gradually growing a silicon epitaxial layer on a single-crystal silicon substrate, by gradually increasing the heating power to the silicon substrate and also gradually increasing the feed rate of a gaseous starting material.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に対する加熱力を漸増させるとともに、原料ガスの供給量を漸増させながらシリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層を成長する漸増成長工程を有する。 - 特許庁

The laminated film is constituted by laminating a reinforcing layer, which contains inorganic particles and a metal oxide including at least one metal element selected from the group consisting of Si, Al, Zr, Ti, In, Sn and Zn and/or a derivative thereof, on at least the single surface of a base layer film and 0.5-20 wt.% of polyethylene glycol is added to the reinforcing layer.例文帳に追加

基層フィルムの少なくとも片面に、無機粒子と、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｉｎ、ＳｎおよびＺｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物および／またはその誘導体とを含有する補強層が積層されてなり、かつこの補強層にポリエチレングリコールが０．５〜２０重量％含まれている積層フィルムとする。 - 特許庁

To provide an optical filter having an adhesive layer hardly generating a spectral characteristic change caused by deterioration of an optical absorbent for a long period, in particular, even under a high temperature and high humidity, while making compatible adhesiveness and a desired filter function by a single layer, and hardly generating the deterioration of the optical absorbent caused by an ultraviolet ray, and an adhesive composition capable of obtaining the adhesive layer.例文帳に追加

接着性と、所望の光学フィルタ機能とを単層で兼ね備えながら、長時間の使用、特に高温高湿下でも光吸収剤の劣化に起因する分光特性変化が起こり難く、且つ紫外線による光吸収剤の劣化が起こり難い粘着剤層を有する光学フィルタ、及び、前記粘着剤層を実現することができる粘着剤組成物を提供する。 - 特許庁

The multiple-layered white polyamide film includes at least a polyamide resin layer (A) containing 20-60 mass% of white pigment and a polyamide resin layer (B) containing 5-30 mass% of aromatic polyamide resin one by one and the thickness of the single polyamide resin layer (A) is 10-50% of the whole thickness of the multiple-layered white polyamide film.例文帳に追加

本発明の複層白色ポリアミドフィルムは、白色顔料を２０〜６０質量％含有するポリアミド樹脂層（Ａ）と、芳香族ポリアミド樹脂を５〜３０質量％含有するポリアミド樹脂層（Ｂ）とを少なくとも１層ずつ有し、かつ、単層のポリアミド樹脂層（Ａ）の厚みが、複層白色ポリアミドフィルム全体の厚みに対して１０〜５０％であることを特徴とする。 - 特許庁

The metal clad laminate or the resin coated metal foil is characterized in that surface treatment is performed to at least the insulating resin composition layer side of the resin coated metal foil having an insulating resin composition layer and a metal foil fixed to a single surface or both surfaces of the insulating resin composition layer and that roughening treatment is not substantially performed to both surfaces of the metal foil.例文帳に追加

絶縁樹脂組成物層と、絶縁樹脂組成物層の片面もしくは両面に固着してなる金属箔とを有する樹脂付き金属箔において、金属箔の少なくとも絶縁樹脂組成物層側が表面処理されており、かつ金属箔の両面が実質的に粗し処理されていないことを特徴とする金属張積層板または樹脂付き金属箔を提供する。 - 特許庁

In the organic electroluminescent element which sandwiches a light emitting layer consisting of an organic compound thin film of a single layer or a plurality of layers between an anode and a cathode face each other, at least one layer of the organic compound thin film contains at least one of a compound having a polymerizable cyclic structure represented as a general formula (5) or its polymer.例文帳に追加

互いに対向する陽極と陰極間に、単層又は複数層の有機化合物薄膜により成る発光層を挟持した有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機化合物薄膜の少なくとも１層が、下記一般式（５）で表される重合性環状構造を有する化合物、又はその重合体を少なくとも一種含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

In a film laminated decorative metal panel wherein at least a printing layer, a thermoplastic resin film layer and a layer formed of an antibacterial compsn. are successively laminated on the single surface or both surfaces of a metal panel substrate, the antibacterial compsn. contains a polymeric substance having a residue of an org. antibacterial agent in its main chain and/or side chain.例文帳に追加

金属板基材の片面又は両面上に、少なくとも、印刷層、熱可塑性樹脂フィルム層、及び抗菌性組成物により形成された層を順次積層したフィルムラミネート化粧金属板であって、該抗菌性組成物が、有機系抗菌剤の残基を主鎖及び／又は側鎖に有する高分子物質を含む組成物であることを特徴とするフィルムラミネート化粧金属板。 - 特許庁

In a release film obtained by providing a silicone release layer to at least the single surface of a polyester film, the center line average roughness (Ra) of the surface of the silicone release layer is 0.4 μm or less and the silicone transfer amt. of the silicone release layer measured by ESCA is set to 5 atom % or less as a silicon element.例文帳に追加

ポリエステルフィルムの少なくとも片面に、シリコーン離形層を設けた離形フィルムであって、該シリコーン離形層表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．４μｍ以下であり、かつシリコーン離形層のシリコーン移行量が、ＥＳＣＡで測定してケイ素元素として５ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする固体電解質キャスティング用離形フィルム。 - 特許庁

When a nitride compound semiconductor layer is selectively grown on a wafer substrate by ELO growth and a semiconductor layer is stacked thereon so as to form a light-emitting layer forming part, a mask for selective growth in a horizontal direction is formed such that openings for exposing seeds entirely on the surface of the wafer substrate are not arranged only in a single direction successively.例文帳に追加

ウェハ状基板上にＥＬＯ成長によりチッ化物系化合物半導体層を選択成長し、その上に発光層形成部を構成するように半導体層を積層する場合に、横方向への選択成長をするためのマスクを、ウェハ状基板の全面でシードを露出する開口部が単一方向に連続するもののみにならないように形成する。 - 特許庁

To eliminate the need for a complex constitution such that two or more electrodes formed or two or more power sources are used for a single laser as in a conventional semiconductor laser, and enabling current to be injected nonuniformly in the direction of the resonator, by adopting a simple means of modifying the conventional semiconductor layer to a semiconductor layer, having an active layer consisting of self-formed quantum dots.例文帳に追加

半導体レーザに関し、自己形成型量子ドットからなる活性層をもつ半導体レーザに改変を加える旨の簡単な手段を採ることで、共振器方向に電流を不均一に注入することを可能にし、従来のように、１つのレーザに対し、２つ以上の電極を形成したり、２つ以上の電源を用いるなどの複雑な構成を不要にしようとする。 - 特許庁

The card includes: a card base; and a printing layer formed on the card base wherein the card base is composed of a single layer or a plurality of layers which are composed of amorphous polyester, and the printing layer is formed by using an evaporation drying type ink which includes: a binder resin which is composed of polyester, polyurethane, or a copolymer thereof; and a solvent which is composed of an ester based solvent.例文帳に追加

カード基材と、カード基材上に形成された印刷層を有するカードであって、該カード基材が非晶性ポリエステルからなる単層または複数層からなり、該印刷層がポリエステル、ポリウレタンまたはこれらの共重合体からなるバインダー樹脂と、エステル系溶剤からなる溶剤を含む蒸発乾燥型インキを用いて形成されていることを特徴とするカード。 - 特許庁

This thermoforming laminated foam is constituted by laminating a film-like aromatic polyester resin layer on at least the single surface of a foamed sheet or plate through an adhesive layer, and the aromatic polyester resin layer comprises a resin of which the storage elastic modulus is 10 MPa or more at 100°C and 1 MPa or more at 125°C.例文帳に追加

フィルム状の芳香族ポリエステル系樹脂層がポリスチレン系樹脂からなる発泡シート又は発泡板の少なくとも片面に接着層を介して積層されている積層発泡体からなり、該芳香族ポリエステル系樹脂層が、１００℃での貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上、１２５℃での貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上の樹脂であることを特徴とする熱成形用積層発泡体。 - 特許庁

The semiconductor device has an island-like non-single crystal silicon-made active layer and a silicon oxide film formed by CVD or PVD on the active layer as a gate insulation film, and contains nitrogen in the interface between the silicon oxide and the active layer at a concentration more than ten times as much as a mean concentration of nitrogen contained in the silicon oxide film.例文帳に追加

島状の非単結晶珪素よりなる活性層と、該活性層上にＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって形成された酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として有し、前記酸化珪素と活性層との界面には前記酸化珪素膜中に含有される平均的な窒素濃度の１０倍以上の濃度の窒素を含有していることを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁

At least the outermost layer of the base material of a biodegradable plastic card constituted of a single layer or a plurality of layers is formed from an over sheet 3 having antibacterial properties or an antibacterial printing layer and has antibacterial function preventing the propagation of microorganisms such as bacteria or the like during the use of the card and becomes biodegradable when the used card is embedded in soil by landfilling treatment or in compost.例文帳に追加

単層又は複数層から構成される生分解性プラスチックカードの基材の少なくとも最外層が抗菌性を有するオーバーシート、或いは抗菌性印刷層で形成され、カードの使用中には細菌等の微生物の繁殖を防ぐ抗菌機能を有するとともに、カード使用済み後は土壌に埋立て処理或いはコンポストに入れることで生分解が可能となる。 - 特許庁

Double-sided board 10 on which shaving conductor circuit layers are formed or an inner layer and an outer layer are laminated integrally by sandwiching a prepreg 20, a single or a plurality of conductor circuit layers 60 are formed on the surface or the rear surface or both surfaces by a buildup technique, and required places in the conductor circuit layers at the inner layer are detected so as to be shaved and exposed.例文帳に追加

削り出す導体回路層を形成した両面基板１０あるいは内層と外層をプリプレグ２０を挟んで一体積層した後その上面または下面もしくは両面にビルドアップ工法により単一または複数の導体回路層６０を形成し、しかる後に内層の導体回路層の所要の個所を検出して削り出して露出することを特徴とする。 - 特許庁

The barrier property of the resist underlayer film is evaluated using results obtained by determining: an amount of a sublimate generated when baking the first resist underlayer single layer in a prescribed condition; an amount of a sublimate generated when forming the second resist underlayer single layer by baking of a prescribed condition; and an amount of a sublimate generated when forming the second resist underlayer on the first resist underlayer by baking in a prescribed condition.例文帳に追加

そして、所定の条件で第１のレジスト下層膜単層をベークする際に発生する昇華物の量、第２のレジスト下層膜単層を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量、及び第１のレジスト下層膜上に第２のレジスト下層膜を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量を定量した結果を用いて、第２のレジスト下層膜のバリア性を評価する。 - 特許庁

The method for easily producing the intrinsic Josephson tunnel device composed by arranging an insulating layer and an electrode in the surface of a superconducting single crystal is configured so that the insulating layer in the surface is formed by heating the surface while exposing the surface to a reducing atmosphere and reducing the surface so as to be insulative, where the surface is the crystal face of the superconducting single crystal.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明は、超伝導単結晶の表面に絶縁層と電極を配置してなる固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法であって、前記表面の絶縁層を前記超伝導単結晶の結晶面を表面とし、当該表面を還元雰囲気に暴露しながら加熱して、当該表面を還元して絶縁化し、形成することを特徴とする固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法の構成とした。 - 特許庁

The method for manufacturing the epitaxial wafer includes at least the processes of: forming an organic film on the surface of a silicon single-crystal substrate; forming an ion-implanted layer in the silicon single-crystal substrate by ion implantation through the organic film; removing the organic film; and forming the epitaxial layer on the surface with the organic film removed.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハの製造方法であって、少なくとも、シリコン単結晶基板の表面に有機膜を形成する工程と、該有機膜を通してイオン注入することによって前記シリコン単結晶基板にイオン注入層を形成する工程と、前記有機膜を除去する工程と、前記有機膜を除去された表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid absorbing resin layer 1 of a liquid absorbing sheet is made by applying a monomer composition containing a single functional monomer component (A) containing a single functional monomer (a) capable of forming homopolymer dissolved in the non-aqueous solvent of a non-aqueous electrolyte secondary battery pack, and a multifunctional monomer component (B) on a support substrate 2, and the obtained applied film is polymerized by ultraviolet rays irradiation.例文帳に追加

吸液性シートの吸液性樹脂層１は、非水電解液二次電池の非水溶媒に溶解するホモポリマーを形成可能な単官能モノマー（ａ）を含有する単官能モノマー成分（Ａ）と、多官能モノマー成分（Ｂ）とを含有するモノマー組成物を該支持基材２上に塗布し、得られた塗布膜を紫外線照射により重合させたものである。 - 特許庁

A first and a second polarizers 14a and 14b which construct a pair of polarizers whose axes of polarization are mutually rotated are provided respectively on upper and lower part of a device consisting of the second dielectric material multi-layered film 13b/the transparent non-magnetic single crystal substrate 11/the single crystal transparent magnetic material layer 12/the first dielectric material multi-layered film 13a.例文帳に追加

この第２の誘電体多層膜１３ｂ／透明非磁性単結晶基板１１／単結晶透明磁性体層１２／第１の誘電体多層膜１３ａからなるデバイスの上下には、偏光軸を相互に回転させた１対の偏光子をなす第１及び第２の偏光子１４ａ、１４ｂが対向して設けられている。 - 特許庁

A semiconductor laser 50 related to this invention comprises a laminated body 38 including: an active layer 34 on the surface of a GaN single crystal substrate 30; a defect cluster 14a on the rear surface of the GaN single crystal substrate 30; and an electrode 44 electrically connected to the defect cluster 14a on the rear surface.例文帳に追加

本発明に係る半導体レーザ５０は、ＧａＮ単結晶基板３０の表面に活性層３４を含む積層体３８が形成されると共に、ＧａＮ単結晶基板３０の裏面に欠陥集合部１４ａが形成され、且つ、裏面の欠陥集合部１４ａと電気的に接続されるように電極４４が形成されている。 - 特許庁

A plurality of transparent electrode patterns 13 respectively formed by connecting a plurality of single transparent electrode patterns 13a of the same shape and size as the single transparent electrode pattern 11a in the direction of the Y-axis orthogonal to the X-axis are formed in parallel, and low-resistance metal thin lines 15 of visually unrecognizable thickness are provided on the patterns to form a second transparent electrode layer 14.例文帳に追加

Ｘ軸と直交するＹ軸方向に、単一透明電極パターン１１ａと同じ形状、同じ大きさの単一透明電極パターン１３ａを複数繋げた透明電極パターン１３を複数、平行に形成し、そのパターン上に目に視認できない太さの低抵抗金属細線１５を設けて第２透明電極層１４を構成する。 - 特許庁

The three-dimensional integrated circuit device 10 has a structure in which a plurality of single crystal or semi-single crystal thin-film semiconductor layers 13, 16 are formed on the glass substrate 11 via an interlayer insulating layer 14, and active elements Tr21, Tr22 are formed on one or more layers of the thin-film semiconductor layers 13, 16.例文帳に追加

ガラス基板１１上に、単結晶もしくは準単結晶の薄膜半導体層１３，１６が、層間絶縁層１４を介して複数層積層形成され、複数層の薄膜半導体層１３，１６のうち１層以上に能動素子Ｔｒ２１，Ｔｒ２２が形成されている３次元集積回路装置１０を構成する。 - 特許庁

The resin film 5 may be an olefin film, the single plate 4 may be laminated with a thin plate 41 and/or sliced in a direction intersecting the laminated surface, the adhesive layer 3 may be composed of a thermosetting resin, and/or the single plate 4 may be dyed with the same color as that of the thin plate 41.例文帳に追加

また、樹脂フィルム５は、オレフィンフィルムであることとしたり、単板４は、薄板４１を積層し、積層面と交差する方向にスライスしたものである構成としたり、接着剤層３は、熱硬化性樹脂によって形成されていることとしたり、単板４は、薄板４１を同一色で染色したものを使用する構成とすることもできる。 - 特許庁

To manufacture a single crystal silicon substrate which has a hollow inside with leaving a single crystal silicon layer at the surface side and can form insulation type field effect transistors each having a high threshold voltage and a low leak current, when used in constitution of a semiconductor integrated circuit device having the insulation type field effect transistors.例文帳に追加

内部に、空洞が、表面側を単結晶シリコン層として残すように形成されている単結晶シリコン基板を、絶縁型電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置を構成するのに用いた場合に絶縁型電界効果トランジスタが高い閾値電圧と小さいリーク電流とを有するものに構成され得るものとして製造する。 - 特許庁

Plural magnetized states can be stored in a single recording region and plural information bits are recorded in a single recording magnetic field by storing plural kinds of magnetic particles A-D giving light Kerr rotation angles or Kerr ellipticities different from one another and plural kinds of magnetic particles A-D having recording magnetic fields or recording temperatures different from one another in the magnetic recording layer 4.例文帳に追加

磁気記録層４に、光に与えるカー回転角又はカー楕円率が異なる複数種類の磁性粒子Ａ〜Ｄや、記録磁界又は記録温度が異なる複数種類の磁性粒子Ａ〜Ｄを収容することで、単一の記録領域に複数の磁化状態を形容することができ、単一の記録磁界に複数の情報を記録する。 - 特許庁

The high-strength composite fiber is obtained by using a polyvinyl alcohol solution in which single-layer carbon nanotubes having a graphene sheet having considerably reduced structure defects are dispersed in a nanometer level as a spinning solution, extruding the spinning solution through a nozzle to a cooling phase to give a gel fiber, after desolvation and highly orienting the PVA and SWNT (single wall carbon nanotube) by drawing.例文帳に追加

グラフェンシート構造の欠陥の極めて少ない単層カーボンナノチューブをナノメートルレベルで分散させたポリビニルアルコール溶液を紡糸液とし、ノズルを通して冷却相へ押し出すことによってゲル繊維を得、脱溶媒後、延伸により、ＰＶＡおよびＳＷＮＴを高度に配向させることで、高強度コンポジット繊維を得ることができる。 - 特許庁

To provide an evacuation member for an apparatus for manufacturing a semiconductor single crystal which can suppress a deposit of a dpoant or a dopant oxide and fixing an amorphous layer into the internal surface of the evacuation member, and which can easily remove them even if these are fixed in the internal surface of the evacuation member in an apparatus for manufacturing semiconductor single crystal such as silicon by the Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によるシリコン等の半導体単結晶製造装置において、排気部材の内面へのドーパント及びドーパントの酸化物の固着物、並びにアモルファスの層の固着を抑制し、また、これらが排気部材の内面に固着したとしても容易に除去することのできる半導体単結晶製造装置用の排気部材を提供する。 - 特許庁

In a narrow gloove welding method for a single V groove or a single bevel groove by MAG welding, an initial layer is welded by impressing a welding current which has the wave form superimposing DC and a pulse current and that a droplet transfer form is spray transfer, between a welding base material and a filler material, after that a second and succeeding layers are welded by impressing DC.例文帳に追加

ＭＡＧ溶接によるＶ形もしくはレ形の挟開先の溶接方法であって、溶接母材と溶加材の間に、直流電流とパルス電流を重畳させた波形で、溶滴の移行形態がスプレー移行となる溶接電流を印可して初層の溶接を行った後、直流電流を印可して２層目以降の溶接を行う - 特許庁

In the method for manufacturing Schottky barrier transistor, after a gate insulating film 30, a gate 60a, and a spacer 80a of a sidewall of the gate are formed on a substrate 1, a polycrystalline silicon layer 100 is grown on the gate by applying selective silicon growth, and a single crystal silicon layer is grown on a substrate 1.例文帳に追加

基板上１に、ゲート絶縁膜３０とゲート６０ａとゲート側壁のスペーサ８０ａを形成した後、選択的シリコン成長を適用してゲート上部に多結晶シリコン層１００を成長させ、基板上１には単結晶シリコン層を成長させるショットキー障壁トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

The SAW device is provided with a piezoelectric substrate 10 and an IDT electrode 11, made of aluminum as the major component placed on the piezoelectric substrate 10, and the IDT electrode 10 has an aluminum chemical compound layer (except Al2O3 single layer), whose mass per one mole is greater than that of a substance of the IDT electrode 11.例文帳に追加

圧電基板１０と、この圧電基板１０上に設けたアルミニウムを主成分とするＩＤＴ電極１１とを備え、このＩＤＴ電極１０は表面に前記ＩＤＴ電極１１を構成する物質よりも１モル当たりの質量が大きなアルミニウム化合物層（但しＡｌ_2Ｏ_3単独層を除く）を有するものである。 - 特許庁

To suppress the fluctuation of output waveform, read noise and Barkhausen noise (generically called as waveform fluctuation) by giving the shape condition of a magnetic domain control film generating a magnetic do main controlling magnetic field that a free magnetic layer becomes a single magnetic domain even in a spin-valve type giant magneto-resistive head having any width of the free magnetic layer.例文帳に追加

如何なる自由磁性層幅を持つスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッド於いても、自由磁性層が単磁区になる様な磁区制御磁界を生じる磁区制御膜の形状条件を与え、出力波形変動、リードノイズ、バルクハウゼンノイズ(総称して波形変動と呼ぶ)を抑制すること。 - 特許庁

A catalyst layer composed of Ni or Pt is formed on a gallium oxide single crystal substrate, and then, gallium nitride nanowires each in the form of a wire having a diameter of 5-200 nm and a length of 5-50 μm are formed by reacting trimethyl gallium and ammonia on the catalytic layer in a temperature range of 850-1,000°C by a CVD method.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板上に、ＮｉまたはＰｔからなる触媒層を形成し、前記触媒層上でトリメチルガリウムおよびアンモニアをＣＶＤ法により８５０〜１０００℃の温度範囲で反応させ、径が５ｎｍ〜２００ｎｍ、長さが５μｍ〜５０μｍのワイヤ状の形態をした窒化ガリウムナノワイヤを形成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the organic thin film transistor comprising a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a metal oxide source/drain electrode and an organic semiconductor layer, at least one surface of the metal oxide source/drain electrode is treated by using a self-assembled single layer film forming compound comprising a sulfonic acid group.例文帳に追加

基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、金属酸化物ソース／ドレイン電極及び有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタを製造する方法であって、金属酸化物ソース／ドレイン電極の少なくとも一表面を、スルホン酸基を含有する自己組織化単層膜形成化合物で処理する。 - 特許庁

In the heat-shrinkable polyester film, the concealing degree of the whole of the film is not more than 0.2, a layer containing cavities is provided at least on the single surface of the film and the center line average roughness of the surface of the layer containing the cavities is not less than 0.1 μm.例文帳に追加

熱収縮性ポリエステル系フィルムであって、フィルム全体の隠蔽度がＯ．２以下であり、少なくとも片面に空洞を含有する層を設けてあり、空洞を含有する層の表面の中心線平均粗さが０．１μm以上であることを特徴とする積層熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

A single or multi-color light emitting diode (LED) with high extraction efficiency comprises a substrate 78, a buffer layer 76 formed on the substrate, one or more patterned layers 72 deposited on the top of the buffer layer, and one or more active layers 70 formed on or between the patterned layers.例文帳に追加

高い抽出効率を有する単色またはマルチカラーの発光ダイオード（ＬＥＤ）は、基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。 - 特許庁

The resin sash is formed by using an extrusion resin material 1 for which a base layer 11 of a hard polyvinyl chloride-based resin and a surface layer 12 of a thickness 0.1-0.5 for which a polyether-based polymeric agent containing polyethylene glycol as a conductive material is mixed and arranged in the hard polyvinyl chloride-based resin (single body) are disposed by performing co-extrusion molding.例文帳に追加

共押出成形を行って硬質ポリ塩化ビニル系樹脂の基層１１と、硬質ポリ塩化ビニル樹脂（単体）に導電性物質としてポリエチレングリコールを含有するポリエーテル系の高分子剤を混合配置した肉厚０．１〜０．５の表層１２を配置した押出樹脂材１を用いて樹脂サッシを形成する。 - 特許庁

To provide maintainability testing method and device/system implementing the method which can be applied to various porous materials including such filter devices as single layer thin film, double layer thin film, etc., providing non-correlated universal standards for characteristic evaluation of porous material.例文帳に追加

単層薄膜装置及び複層薄膜装置等のフィルター装置を含む多様な多孔性材料に対して適用することができ、多孔性材料の特性の評価に対して非相関的で普遍的な標準を与える保全性試験の方法及びその方法を実施する装置及びシステムを提供する。 - 特許庁

The silicon wafer cut from a silicon single crystal ingot grown by the Czochralski method is subjected to RTA treatment in a nitride gas atmosphere to form oxide films on both the surfaces of the wafer, then a polysilicon layer is formed and finally the polysilicon layer formed on the surface side of the wafer is removed (1).例文帳に追加

（１）チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハに対して窒化ガス雰囲気中でＲＴＡ処理を施し、ウェーハの両面に酸化膜を形成した後、ポリシリコン層を形成し、その後、ウェーハの表面側のポリシリコン層を除去するシリコンウェーハの製造方法。 - 特許庁