「single- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer, which enables manufacturing of a silicon epitaxial wafer including a heavy metal impurity of a low concentration, especially a heavy metal impurity in a surface layer region of a silicon single-crystal thin film serving as a device active layer that has a concentration lower than that of a conventional impurity, and thus having superior device characteristics.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物、特にデバイス活性層であるシリコン単結晶薄膜の表層領域の不純物濃度が従来に比べて低く、優れたデバイス特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate 11, a nitride III-V compound semiconductor single-crystal layer 12 laminated on the substrate 11, and a layer 10 containing impurity elements of from 5x10^17 cm^-3 or more to 2x10^19 cm^-3 or less provided between the substrate 11 and the laer 12 are contained.例文帳に追加

基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０^17ｃｍ^-3以上２ｘ１０^19ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 - 特許庁

In a structure where an SiO_2 mask 103 and GaN layers 104 and 106 are formed selectively on a single crystal substrate 101, dielectric constant of the SiO_2 mask 103 is lower than that of the GaN layer 104 and an AlGaN layer 105 is inserted between the GaN layers 104 and 106.例文帳に追加

単結晶基板１０１上に選択的に形成されたＳｉＯ_2マスク１０３とＧａＮ層１０４、１０６が順次形成された構造であって、ＳｉＯ_2マスク１０３の誘電率がＧａＮ層１０４より低く、さらにＧａＮ層１０４とＧａＮ層１０６との間にＡｌＧａＮ層１０５が挿入された構成とする。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 includes: a silicon substrate 1 that has monocrystaline silicon on at least one surface; a buffer layer 2 that is provided in the monocrystaline silicon and has one or more of cobalt silicide layers (2a, 2b, 2c) mainly composed of cobalt silicide; and the silicon carbide single crystal film 3 provided on the buffer layer 2.例文帳に追加

少なくとも一面に単結晶シリコンを有するシリコン基板１と、単結晶シリコン上に設けられた、コバルトシリサイドを主に含んでなるコバルトシリサイド層（２ａ、２ｂ、２ｃ）を一層以上有したバッファ層２と、バッファ層２上に設けられた、炭化珪素単結晶膜３と、を含む半導体基板１０。 - 特許庁

The apron band (10) for the spinning is an endless band composed of a rubber-shaped elastomer, and contains a single rubber-shaped elastomer layer (11), a reinforcing fabric (12) embedded in the vicinity of the surface of the internal circumference of the rubber-shaped elastomer layer, and a yarn-shaped core (13) helically embedded in the circumference direction neighboring to the inside of the reinforcing fabric.例文帳に追加

紡績用エプロンバンド（１０）は、ゴム状弾性体からなる無端バンドであって、単一のゴム状弾性体層（１１）と、ゴム状弾性体層の内周の表面近傍に埋設された補強布（１２）と、補強布の内側に近接して周方向に螺旋状に埋設された糸状芯体（１３）とからなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises a step of cutting one substrate obtained by patterning, and laminating the non-single crystal semiconductor layer containing at least the hydrogen, the group III element and the nitrogen and at least two electrodes, in accordance with the patterning of the semiconductor layer and the electrodes.例文帳に追加

少なくとも水素とＩＩＩ族元素と窒素とを含む非単結晶半導体層及び少なくとも二つの電極をパターニングして積層した、一枚の基板を、前記非単結晶半導体層及び前記電極のパターニングに従って、切断することを特徴とする半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

The coil component 10 has such a structure that both sides of a coil layer 16 where coil patterns 20 and 22 are formed on an insulation substrate 18 is pinched by lamination ferrite substrates 12 and 30 with an adhesive layer 14 in between, and it is obtained by dividing a press-molded aggregate substrate 11 into single coils and forming an external electrode 32 at its end surface.例文帳に追加

コイル部品１０は、絶縁基板１８にコイルパターン２０，２２を形成したコイル層１６の両面を、接着層１４を介して積層フェライト基板１２，３０で挟み込んだ構造となっており、プレス成形された集合基板１１を単体コイルに分割し、その端面に外部電極３２を設けて得られる。 - 特許庁

The electronic component 10 being disclosed is provided, on the surface of a lead 2 serving as an external terminal, with a conductive layer 3 for connection composed of an Sn-Bi alloy where 0.5-6.0 wt% of Bi is added to Sn and having a single layer plating structure having a plating film thickness of 10-25 μm.例文帳に追加

開示される電子部品１０は、外部端子としての役割を担うリード２の表面に、Ｓｎに０．５〜６．０ｗｔ％のＢｉが添加されたＳｎ−Ｂｉ合金から成り、かつ１０〜２５μｍのめっき膜厚を有する単層めっき構造から成る接続用導電層３が形成されている。 - 特許庁

In a vertical semiconductor device for constituting the rear surface electrode 5 on a silver (Ag) paste 2 formed on a frame 1 and the semiconductor chip 4 formed on the rear surface electrode 5, the electrode 5 is thinner than the paste 2, and a single layer structure of a low resistance aluminum (Al) layer 3 is formed.例文帳に追加

フレーム１上に形成された銀（Ａｇ）ペースト２上に裏面電極５と、該裏面電極５上に形成された半導体チップ４を構成する縦型の半導体装置において、当該裏面電極５が銀（Ａｇ）ペースト２よりも膜厚が薄く、低抵抗のアルミニウム（Ａｌ）層３の単層構造を成す。 - 特許庁

This fibrous structural material obtained by attaching the functional fine particles through the hydrophobic binder resin attaching uniformly as a film state on single fibers constituting the fibrous structural material is characterized by laminating a water-repelling layer containing a water repellant on a filmy layer consisting of the hydrophobic binder resin.例文帳に追加

繊維構造体を構成する単糸繊維に皮膜状に均一に付着した疎水性バインダー樹脂により、機能性微粒子が付着してなる繊維構造体であって、前記疎水性バインダー樹脂からなる皮膜層の上に撥水剤を含む撥水層が積層されてなることを特徴とする機能性繊維構造体。 - 特許庁

The printing film is constituted by providing an ink adhesive layer having light fastness on at least the single surface of the plastic film and the ink adhesive layer is formed by curing treatment using an ultraviolet absorbable acrylic polyol resin, a photopolymerizable prepolymer and monomer having an active proton, an amino compound or an isocyanate compound.例文帳に追加

プラスチックフィルムの少なくとも片面に耐光性を有するインキ接着層を設けた印刷用フィルムであって、インキ接着層は、紫外線吸収性アクリルポリオール樹脂、活性プロトンを有する光重合性プレポリマー及びモノマー、アミノ化合物又はイソシアネート化合物によって硬化させて形成する。 - 特許庁

The electrochemical capacitor of flat plate shape is structured to be a single body by layering, in order, a photoelectrode, an optically transparent internal counter electrode electrically connected to the photoelectrode through a charge transport layer and an optically transparent external counter electrode electrically connected to the internal counter electrode through an ionic electrolyte layer.例文帳に追加

光電極と、これに電荷輸送層を介して電気的に接合する光学的に透明な内部対極と、該内部対極にイオン性電解質層を介して電気的に接合する光学的に透明な外部対極が順次積層されて構成されて一体となった平板状の電気化学キャパシタ。 - 特許庁

A template substrate having a flat surface layer formed substantially in an atomic level with in-plane compression stress applied is obtained by epitaxially forming the surface layer 1b made of AlN by a MOCVD method on a C-face sapphire single crystal base material 1a, and then by heating the laminate at a temperature of 1,300°C or higher.例文帳に追加

Ｃ面サファイア単結晶基材１ａの上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮからなる表面層１ｂをエピタキシャル形成した後、該積層体を１３００℃以上の温度で加熱することで、面内圧縮応力が作用してなる、実質的に原子レベルで平坦な表面層が形成されてなるテンプレート基板を得る。 - 特許庁

A complete depletion-type high-speed MOS transistor 210 is formed in a single-crystal silicon device formation layer 103, and a high breakdown strength-type MOS transistor and an ESD preventive element 310 are formed on a silicon substrate from which the formation layer 103 on an SOI substrate and a buried oxide film 102 have been removed.例文帳に追加

完全空乏型の高速ＭＯＳトランジスタ２１０は、単結晶シリコンデバイス形成層１０３に形成されており、高耐圧型ＭＯＳトランジスタ及びＥＳＤ保護素子３１０は、ＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層１０３及び埋め込み酸化膜１０２の除去されたシリコン基板上に形成されている。 - 特許庁

To solve such a problem that in one side two layers DVD-RW disk, an ECC block of twice as much as a single layer disk can be recorded, but total capacity of a management information region is less capacity than twice as much as capacity of one layer disk, therefore, a method for recording defect information of quantity of almost twice compactly is desired.例文帳に追加

片面２層ＤＶＤ−ＲＷディスクでは、単層のディスクの約２倍のＥＣＣブロックが記録できるが、管理情報領域の合計容量は、一層のディスクのそれの２倍よりも少ない容量しかなく、約２倍の量の欠陥情報をコンパクトに記録できる方法が望まれている。 - 特許庁

The modified plastic sheet is constituted by providing a resin layer containing particles on at least the single surface of a synthetic resin base material and the resin layer is formed so as to contain a polymer having an N-methylol group in its terminal or side chain or a polymer having a carboxyl group in its terminal or side chain as a binder resin.例文帳に追加

合成樹脂基材の少なくとも片面に粒子を含有する樹脂層を設けた改質プラスチックシートであって、前記樹脂層をバインダー樹脂として末端あるいは側鎖にＮ−メチロール基を有するポリマーおよび末端あるいは側鎖にカルボキシル基を有するポリマーを含有して形成させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method, wherein a zinc oxide single-crystal thin-film layer having a smooth-surface is manufactured on a mica substrate with good reproducibility by promoting two-dimensional growth of zinc oxide precursors based on monomolecular adsorption by the use of a specific mica substrate and by reacting the zinc oxide precursor layer with water vapor.例文帳に追加

本発明は、特定のマイカ基板を用いて、酸化亜鉛前駆体の単分子吸着による二次元成長を行わせ、酸化亜鉛前駆体層を水蒸気と反応させることによって、平滑な酸化亜鉛単結晶薄膜層をマイカ基板上に再現性よく製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the difference between a gain peak wavelength determined by a band gap of an active layer and an oscillation wavelength determined by an effective refractive index of the active layer and an interval between diffraction gratings, in a single longitudinal mode semiconductor laser device used as a light source for a wavelength division multiplex transmission apparatus, and hence improve oscillation efficiency.例文帳に追加

波長多重伝送装置の光源として用いる単一縦モード半導体レーザ素子において、活性層のバンドギャップによって決定する利得ピーク波長と、活性層の実効屈折率と回折格子の間隔によって決定する発振波長のずれを小さくし、発振効率を高くする。 - 特許庁

Since each address electrode has the single-layer structure of the metal material containing AL as a main constituent, manhours in a photolithography process is reduced, and manufacturing efficiency can remarkably be improved as compared with the case where a conventional address electrode is formed in a three-layer structure of Cr/Al/Cr or Cr/Cu/Cr.例文帳に追加

また、アドレス電極はＡｌを主成分とする金属材料の単層構造であるので、フォトリソグラフィ工程における工数が減少し、従来のＣｒ／Ａｌ／ＣｒやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの３層構造でアドレス電極を形成する場合と比較して製造効率を大幅に向上することができる。 - 特許庁

The gas barrier film is constituted by providing a layer 2 having absorbed a substance comprising a turmeric at least on the single surface of a substrate 1 comprising a nylon resin film, and the density of the layer 2 having absorbed the substance comprising the turmeric is made higher than that of the substrate before absorption by 0.1-1.0 g/cm^3.例文帳に追加

ナイロン樹脂フイルムからなる基材１の少なくとも片面に、ウコンからなる物質を吸着させた層２を設けており、かつ、前記ウコンからなる物質を吸着させた層２の密度が、吸着前の基材１の密度より０．１〜１．０ｇ／ｃｍ^3の範囲で増加していることを特徴とする。 - 特許庁

The SiC epitaxial wafer is an SiC epitaxial wafer in which an SiC epitaxial layer is formed on a 4H-SIC single crystal substrate made to incline by 0.4°-5° of an off angle, and is characterized in that the defect density of the triangle shape of the surface of the SiC epitaxial layer is at most 1 piece/cm^2.例文帳に追加

本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が１個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The rubbing cloth 10 is used for a rubbing treatment for a liquid crystal, is provided with at least a raising cloth 12 with a raising layer 11 formed on the surface thereof and a cushion member 13 laminated on the rear side of the raising cloth and integrated therewith wherein the raising layer 11 is constructed with very thin fibers with 1.1 decitex or less single yarn fineness.例文帳に追加

液晶用ラビング処理に用いられるラビングクロス１０であって、少なくとも表面に起毛層１１が形成された起毛布１２と、その裏側に積層一体化されたクッション材１３とを備え、上記起毛層１１が単糸繊度１．１デシテックス以下の極細繊維で構成されている。 - 特許庁

The elastic woven/knitted fabric sheet having the metal layer is characterized in that the metal layer with heat ray reflection performance is formed on at least one side of a woven fabric or a knitted fabric, and at least a part of the woven fabric or the knitted fabric is made of polyetherester-based elastomer elastic yarns with single yarn fineness of 100 dtex or more.例文帳に追加

織物又は編物の少なくとも片面に、熱線反射性能を有する金属層が形成されており、織物又は編物が少なくとも一部に単糸繊度が１００デシテックス以上のポリエーテルエステル系エラストマー弾性糸からなるものであることを特徴とする金属層形成弾性織編物シートである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor for achieving both mechanical durability and electrostatic durability, and having a single layer type photoreception layer for outputting an image of high quality even when used repeatedly for a long period, and to provide the electrophotographic photoreceptor manufactured by the method, and an image forming device and a process cartridge using the same.例文帳に追加

機械的耐久性と静電的耐久性を両立し、長期繰り返し使用でも高画質画像が出力可能な単層型感光層を有する電子写真感光体の製造方法、及びそれによって製造される電子写真感光体、それを用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

In the semiconductor memory element using a ferroelectric-thin- film capacitor as its memory capacitor, by making a ferroelectric layer 7 included in the capacitor as a single-grain layer, reduction in grain boundaries present in a cell and reduction of the variations present between crystal grains are made possible, so as to realize a high-quality semiconductor memory element having the high production yield.例文帳に追加

強誘電体薄膜キャパシタをメモリキャパシタとして用いる半導体メモリ素子において、キャパシタ中の強誘電体層７を単一粒子とすることにより、セル内の粒界及び結晶粒間ばらつき低減を可能とし、高品質で製造歩留りの高い半導体メモリ素子を実現する。 - 特許庁

To prevent optical leak of a transistor caused by reflection of the light on a substrate surface, the light-shielding layer 4 is bent into a recessed surface or a protruding surface in advance while the single-crystal silicon layer is formed on the support substrate side before laminated to the support substrate in a lamination-method SOI manufacturing process.例文帳に追加

また、遮光層４は基板表面からの光反射によるトランジスタの光リークを防止するため、予め凹面あるいは凸面に湾曲させた構造とし、同時に貼り合わせ法ＳＯＩ作製プロセスにおいて単結晶シリコン層を支持基板と貼り合わせる前に支持基板側に形成しておく。 - 特許庁

Consequently, the magnetization of the both side areas 15a of the free magnetic layer 15 can be fixed by appropriately forming the magnetization in a single magnetic domain in the track width direction by the synergistic effect of a magnetic field bonded with exchange interaction generated between the magnetic layer 15 and the third antiferromagnetic layers and a vertical bias magnetic field from the hard bias layers 18.例文帳に追加

これにより前記フリー磁性層１５の両側領域１５ａの磁化を、前記第３反強磁性層２１との間で発生する交換結合磁界と、ハードバイアス層１８からの縦バイアス磁界との相乗効果によって、適切にトラック幅方向に単磁区化し固定することができる。 - 特許庁

This film has a total thickness of 5-500 μm and comprises a single layer or multilayer film formed out of a thermoplastic polymer and at least monoaxially oriented, wherein the film contains 0.5-15 wt% of the metallic compound which is activated by the electromagnetic irradiation and at least one layer composing the film is composed of a polymer having amide groups.例文帳に追加

全厚みが５〜５００μｍであり、熱可塑性ポリマーから成る少なくとも１軸に延伸された単層または多層フィルムであって、当該フィルムは、電磁波照射により活性化する金属化合物を０．５〜１５重量％含有し、フィルムを構成する少なくとも１層が、アミド基を有するポリマーから構成されている。 - 特許庁

This photovoltaic device includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which the light is incident from a surface side, a transparent conductive film 4 made of an ITO film formed on the photoelectric conversion layer, and a collector electrode 5 formed on a predetermined region on the transparent conductive film 4.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層上に形成されたＩＴＯ膜からなる透明導電膜４と、透明導電膜４上の所定領域に形成された集電極５とを備えている。 - 特許庁

A method for manufacturing the electrophotography photoreceptor comprises, generating plasma between a substrate 112 in a reactive vessel 111 and the reactive vessel 111 of which the high frequency power is supplied, and sequentially layering a blocking underlayer, a photoconductive layer, and a non single-crystal hydrocarbon-film as a surface layer, in this order on the substrate 112.例文帳に追加

反応容器１１１内の基体１１２と、高周波電力が供給された反応容器１１１との間にプラズマを発生させ、基体１１２上に、下部阻止層、光導電層、及び表面層としての非単結晶炭化水素膜をこの順番で積層して電子写真感光体を製造する。 - 特許庁

The anisotropic conductive film is formed in a resin film 24 by arranging conductive particles 12 in a single layer on one face side in the thickness direction of the resin film, and the ten point average distance between the one face side in the thickness direction of the resin layer and the centers of the conductive particles is 9 μm or less.例文帳に追加

異方性導電膜は、樹脂膜２４中であって、該樹脂膜の厚み方向における一方の面側に、導電性粒子１２が単層配列してなり、前記樹脂膜の厚み方向における一方の面と、前記導電性粒子の中心との距離の１０点平均が、９μｍ以下である。 - 特許庁

To improve reliability and production yield of a thin film transistor for a flat-type display unit by preventing a silicon layer from becoming easily aggregated in a melting step, by thickly vapor depositing an amorphous silicon layer in a predeter mined range from existing ones, when a single crystal silicon is formed by utilizing SLS crystallization technology.例文帳に追加

ＳＬＳ結晶化技術を利用して単結晶シリコンを形成する際に、既存より非晶質シリコン層を一定範囲内で厚く蒸着して、シリコン層が熔融過程で容易に凝集することを防止して、平板表示装置用薄膜トランジスタの信頼性及び生産収率を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser capable of changing an oscillating wavelength not less than the about 5 nm continuously while keeping single mode property by controlling injection current into one electrode and capable of efficiently effecting current injecting into an active waveguide layer and a non-active waveguide layer while being capable of manufacturing the same simply.例文帳に追加

１つの電極への注入電流制御により単一モード性を保ったまま連続的に５ｎｍ程度以上発振波長を変化させることができ、活性導波路層及び非活性導波路層への電流注入も効率良く行うことができ、簡便に作製することができる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The agricultural film is provided with at least a single-layer thermoplastic resin film; wherein at least one layer of the thermoplastic resin film contains 0.2-0.7 pts.mass of the titanium oxide having a weight average granular diameter of 0.6-1.5 μm based on 100 pts.mass of thermoplastic resin.例文帳に追加

少なくとも１層の熱可塑性樹脂フィルムを備える農業用フィルムであって、前記熱可塑性樹脂フィルムの少なくとも１層が、重量平均粒子径が０．６〜１．５μｍである酸化チタンを熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．２〜０．７質量部含有していることを特徴とする農業用フィルム。 - 特許庁

In the thermal recording material wherein a thermal recording layer containing a color former and a developer is provided on the single surface of a support, at least one of the color former and the developer is contained in a microcapsule or composite particles and an uppermost layer formed by a casting method is provided.例文帳に追加

支持体の片面上に、発色剤および呈色剤を含有する感熱記録層を有する感熱記録体において、発色剤および呈色剤の少なくとも一方がマイクロカプセルまたは複合粒子に含有された感熱記録体であって、キャスト法で形成された最上層を有する感熱記録体である。 - 特許庁

The compound semiconductor element is manufactured by using the boron-containing {110} IIIV compound semiconductor layer composed of a {110} crystal layer formed on single-crystal silicon substrate having a surface composed of a {100} or {111} crystal plane and inclined at ≤20° by making the surface of the substrate a horizontal reference.例文帳に追加

｛１００｝結晶面あるいは｛１１１｝結晶面を表面とする珪素単結晶基板上に形成した、基板表面を水平の基準として、傾斜角度を２０度（°）以下とする｛１１０｝結晶層からなる｛１１０｝−含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を用いて化合物半導体素子を作製する。 - 特許庁

To provide a high quality and low-cost sapphire single crystal substrate which scarcely has any crystal defect part even when the diameter is as large as 100 mm or more, and which is suited for epitaxial formation of a compound semiconductor layer, and to stably provide a high quality semiconductor light-emitting element having the compound semiconductor layer deposited on the substrate.例文帳に追加

直径１００ｍｍ以上の大口径であっても結晶欠陥部分が少なく、化合物半導体層のエピタキシャル形成に適した高品質かつ低コストのサファイア単結晶基板、および、かかる基板上に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を安定的に提供する。 - 特許庁

In the molding in the sheet shape comprising a single layer or plural layers, the molding comprises at least one layer comprising compounding per 100 pts.wt. of a thermoplastic resin, 0.1-100 pts.wt. of a stratified silicate, and 0.1-70 pts.wt. of a metallic hydroxide, and/or 0.1-50 pts.wt. of a melamine derivative.例文帳に追加

単層又は複数層からなるシート状成形体であって、熱可塑性樹脂１００重量部に対して、層状珪酸塩０．１〜１００重量部、並びに、金属水酸化物０．１〜７０重量部及び／又はメラミン誘導体０．１〜５０重量部が配合されてなる層を少なくとも１層有するシート状成形体。 - 特許庁

A barrier laminated film is obtained by successively laminating a gas barrier film layer 3, which is based on an alkali metal polysilicate represented by M2O.nSiO2 (wherein M is lithium or a plurality of alkali metals including lithium and n is a molar ratio of 2-10), and an overcoat layer 4 on the single surface or both surfaces of a base material comprising a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材１の片面もしくは両面に、Ｍ_2 Ｏ・ｎＳｉＯ_2 （Ｍはリチウムまたはリチウムを含む複数のアルカリ金属、ｎはモル比で２〜１０の範囲内）で表されるアルカリ金属ポリシリケートを主成分とするガスバリア性被膜層３、オーバーコート層４を順次積層したバリア性積層フィルム。 - 特許庁

In the pressure bonding paper wherein a pressuresensitive adhesive layer not showing stickiness and adhesiveness in a usual state and showing releasable adhesiveness by pressure is provided on at least the single surface of a support, rubber latex and an organic polymeric compound emulsion of which the glass transition temperature is in a specific range are added to the pressure-sensitive adhesive layer.例文帳に追加

支持体の少なくとも片面に、通常状態では粘着性、接着性を示さず、加圧により剥離可能な接着性を示す感圧接着層を有する圧着記録用紙において、感圧接着層にゴムラテックス、およびガラス転移温度が特定の範囲にある有機高分子化合物エマルションを含有させる。 - 特許庁

The knitted fabric includes a single layer or more layers, wherein at least one layer of the knitted fabric is composed by alternately arranging two kinds of left- and right-twisted polyester false-twisted crimped yarns one by one, and the false-twisted crimped yarns have a crimp extension constant of 40 to 70%.例文帳に追加

単層または２層以上からなる編地であって、少なくとも１層の編地は、Ｓ撚り及びＺ撚りの２種類のポリエステル仮撚捲縮糸を一本ずつ交互に配列して構成されてなり、かつ該仮撚捲縮糸は４０〜７０％の捲縮伸張率を有することを特徴とする保温編地。 - 特許庁

The high luminance light emitting strip body 1 is comprised of a single layer or multi layers of resin material including light accumulating and emitting agent 4 in a foamed structure, and a core material 2 embedded in the layers in composed of a high visible ray reflection surface layer, or of composed of heat treated aluminum wires, or of silver wires or the like transmittable resin material.例文帳に追加

蓄光発光剤４入りの樹脂質が単層、若しくは多層の発泡構造を形成し、この中に埋め込んだ芯材２が熱処理を施したアルミニウム線、又は銀線等の可視光線の高反射表層、若しくは透過性樹脂材であることを特徴とする高輝度発光線条体１である。 - 特許庁

A single layer or a multilayer film having a layer of a thermoplastic resin composition containing 55 to 75 pts.wt. thermoplastic resin and 25 to 45 pts.wt. elastic body particles in which elastic bodies have 10 to 120 nm number average particle diameter is used as the polarizer protection film.例文帳に追加

熱可塑性樹脂５５〜７５重量部及び弾性体粒子２５〜４５重量部を含有する熱可塑性樹脂組成物の層を有する単層又は多層のフィルムであって、前記弾性体粒子中の弾性体の数平均粒径が１０〜１２０ｎｍであるものを、偏光子保護フィルムとして使用する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of wrinkles and the increase of orientation cutting associated with the deterioration in an end part plane properties to cause problems when moisture conditioning treatment is carried out in advance of simultaneous biaxial orientation when a laminated polyamide film in which the middle part in the film width direction is made double layer structure, and both end parts are made single layer structure is produced.例文帳に追加

フィルム巾方向における中央部を複層構造、両端部を単層構造としたポリアミド系積層フィルムの製造時において、同時二軸延伸に先立っておこなう調湿処理時に問題となる端部平面性の悪化に伴うシワの発生や延伸切断の増加を抑制する。 - 特許庁

In the SiC coated carbon member 1, a plurality of carbon base bodies 2a, 3a with a SiC coating film being formed at least on its surface are joined with each other, and a joined layer of a carbon base body 2 with a carbon base body 3 is constituted of SiC coating films 2b, 3b consisting of each single layer.例文帳に追加

ＳｉＣ被覆カーボン部材１は、少なくとも表面にＳｉＣ被覆膜が形成された複数のカーボン基体２ａ，３ａを接合したＳｉＣ被覆カーボン部材であって、前記カーボン基体２とカーボン基体３の接合層が、単一の層からなるＳｉＣ被覆膜２ｂ，３ｂで構成されている。 - 特許庁