「source area」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device is provided with: a semiconductor layer provided with a crystalline area including a channel formation area, a source area and a drain area; a gate electrode 1205a for controlling the conductivity of the channel formation area; and the thin film transistor having a gate insulating film provided between the gate electrodes 1205a-1205d and a semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、チャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域を含む結晶質領域を備えた半導体層と、チャネル形成領域の導電性を制御するゲート電極１２０５ａと、ゲート電極１２０５ａ〜１２０５ｄと半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜とを有する薄膜トランジスタを備えている。 - 特許庁

The digital signal terminal area 70 of the terminal part 23 has a scanning line driving circuit terminal area 116 and a data line driving circuit terminal area 117, and the scanning line driving circuit terminal area 116 and the data line driving circuit terminal area 117 are separated across a power supply terminal for inputting a power source or a ground terminal for grounding.例文帳に追加

端子部２３のデジタル信号端子領域７０は、走査線駆動回路端子領域１１６とデータ線駆動回路端子領域１１７とを備えており、走査線駆動回路端子領域１１６とデータ線駆動回路端子領域１１７とが、電源入力用の電源端子または接地用の接地端子を挟んで分離されている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a thin-film transistor that is provided with a semiconductor layer including a crystalline area having a channel formation area, a source area and a drain area, a gate electrode 1205a for controlling the conductivity of the channel formation area, and a gate insulation film formed between the gate electrodes 1205a to 1205d and the semiconductor layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、チャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域を含む結晶質領域を備えた半導体層と、チャネル形成領域の導電性を制御するゲート電極１２０５ａと、ゲート電極１２０５ａ〜１２０５ｄと半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜とを有する薄膜トランジスタを備えている。 - 特許庁

In an active area forming a floating gate electrode on an Si substrate forming a burying dispersion area being a control gate so as to be capacity-coupled through an insulating of the surface of the Si substrate and forming a flash memory cell, an n type dispersion area being a source area and a drain area is formed on both sides of the floating gate electrode.例文帳に追加

コントロールゲートとなる埋設拡散領域を形成されたＳｉ基板上にフローティングゲート電極を、Ｓｉ基板表面の絶縁膜を介して容量結合するように形成し、フラッシュメモリセルが形成される活性領域中において、前記フローティングゲート電極の両側にソース領域およびドレイン領域となるｎ型拡散領域を形成する。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted of a semiconductor substrate 101, an active area and an element separation area 102, a gate insulating film 105 formed on the active area, a gate electrode 106 formed on the gate insulating film 105 and a conductor formed in the source/drain area at the upper part of a face with which the active area and the gate insulating film 105 are brought into contact.例文帳に追加

半導体基板１０１と、活性領域と素子分離領域１０２と、上記活性領域上に形成されたゲート絶縁膜１０５と、上記ゲート絶縁膜１０５上に形成されたゲート電極１０６と、ソース／ドレイン領域に活性領域とゲート絶縁膜１０５が接する面より上部に導電体とを備える。 - 特許庁

To provide a double gate MOS transistor and a double gate CMOS transistor which reduce the whole transistor area, and a manufacturing method, while securing the contact area of the electrode sections of a source region and a drain area.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域の電極部の接触面積を確保しながらトランジスタ全体の面積を小さくするようにした二重ゲートＭＯＳトランジスタおよび二重ゲートＣＭＯＳトランジスタ、その製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A channel area 17 bonded to a source area 16 wherein the impurity concentration of the depth direction is made almost constant is formed outside a trench 13 in a well area 12 across the whole side wall of the trench 13 by oblique ion-implantation.例文帳に追加

ウェル領域１２内の、トレンチ１３のすぐ外側に、ソース領域１６に接合し、かつ深さ方向の不純物濃度がほぼ一定であるチャネル領域１７を、斜めイオン注入により、トレンチ１３の側壁全面にわたって形成する。 - 特許庁

Thus, the p-type upper epitaxial layer 5 becomes a gate area between the source area 7 and the drain area 9.例文帳に追加

そして、ゲート電極１１が、ｐ型下エピタキシャル層３およびｐ^＋型領域６を介して、ｐ型上エピタキシャル層５と電気的に接続されることにより、ソース領域７とドレイン領域９との間のｐ型上エピタキシャル層５は、ゲート領域となっている。 - 特許庁

A reflecting member (reflecting area 51) for reflecting light passed through the scattering area 31, toward the first internal reflecting surface 3A is provided in a place corresponding to the scattering area 31 between the second internal reflecting surface 3B and the second light source 4.例文帳に追加

第２の内部反射面３Ｂと第２の光源４との間において散乱エリア３１に対応する位置に、散乱エリア３１を透過した光を第１の内部反射面３Ａに向けて反射する反射部材（反射エリア５１）を設ける。 - 特許庁

Each area 31, 32, 33, are contacted to the next area without bumps, the first area 32 of the reflecting mirror has a reflecting face diffusing light strongly to a lateral direction, and the second and the third areas 31, 33, are placed at the same side of the light source 10.例文帳に追加

各領域３１，３２，３３は、段差無く隣接領域に連接し、反射鏡の第１領域３２は、光を横方向に強く拡散する反射面を有し、第２および第３領域３１，３３は、光源１０の同じ側に配置されている。 - 特許庁

A gradation change according to distance from the light source 3 is applied to the image of the shadow texture 4 to be plotted on the on-screen area 15a.例文帳に追加

オンスクリーン領域１５ａに描画される影テクスチャ４の画像には光源３からの距離に応じた階調変化を付加する。 - 特許庁

To provide a display device using a circuit layout permitting to realize a small type liquid crystal panel in the case that a source driver occupies a large area.例文帳に追加

ソースドライバの占有面積が大きい場合の小型の液晶パネルを実現できる回路レイアウトを用いた液晶パネルを提供する - 特許庁

Meanwhile, a second area 32 as a part of viewer's visual field 30 is irradiated with information light emitted from an information light source.例文帳に追加

一方、報知用光源から出射される報知用の光は、観察者の視野３０の一部である第２の領域３２に照射される。 - 特許庁

To produce deterioration in performance accompanying memory copying by shortening the time when a memory area as a copy source is inhibited from being written in.例文帳に追加

コピー元のメモリ領域に対する書き込み禁止時間を短くすることによって、メモリコピーに伴う性能劣化を軽減すること。 - 特許庁

The drive transistors Q3, Q4 of one memory cell do not share the drive transistors Q3, Q4 of the other memory cell and an n-type source area 11a1.例文帳に追加

一のメモリセルの駆動トランジスタＱ_3、Ｑ_4は、他のメモリセルの駆動トランジスタＱ_3、Ｑ_4とｎ^+型ソース領域１１ａ１を共有しない。 - 特許庁

A source/sink node is set in a step S4 and connected to each node which is positioned on the outer periphery of the area A3 in a step S5.例文帳に追加

ステップＳ４で、ソース／シンクノードを設定し、ステップＳ５で、ソース／シンクノードと領域Ａ３の外周上に位置する各ノードを連結する。 - 特許庁

The projection light after polarized light conversion is made to correspond to the lighted area A, so a light source with high light use efficiency can be actualized.例文帳に追加

偏光変換後の出射光を照明領域Ａに対応させてあるので、光の利用効率の高い光源を実現できる。 - 特許庁

When an operator depresses a power source OFF button, a CPU stores the position coordinate of a Z axis in a power failure coordinate storage area.例文帳に追加

作業者が電源ＯＦＦボタンを押下した場合、ＣＰＵはＺ軸の位置座標を電源遮断時座標記憶エリアに記憶する。 - 特許庁

The control CPU 15 performs the emitting control including the intermittent control in each emitting area by controlling the light source driving part 16.例文帳に追加

制御ＣＰＵ１５は、光源駆動部１６を制御することで、間欠制御を含む各発光領域の発光制御を実行する。 - 特許庁

To provide a mass separation type ion source realizing simplification of the structure of a mass separation part, extension of the service life, and improvement of the rate of hole area.例文帳に追加

質量分離部の構造の簡素化、長寿命化および開口率向上を図った質量分離型イオン源を提供する。 - 特許庁

To reliably continue copying snapshot difference data while efficiently using a storage area in a copy source and a copy destination.例文帳に追加

スナップショット差分データのデータコピー処理を、コピー元及びコピー先において記憶領域を効率的に使用しつつ確実に継続する。 - 特許庁

The visible light detector 3 receives and detects the light in the visible area which is irradiated from the light source 2 and reflected by the base material 1.例文帳に追加

可視光検出器３は、光源２から照射されて基材１で反射された可視光域の光を受光して検出する。 - 特許庁

An optical absorber 4 is arranged parallel to an outgoing face 3 between the light source 1 and the effective emission area 10 of the light guide plate 2.例文帳に追加

光源１と導光板２の有効発光エリア１０の間に、出射面３と平行に光吸収体４を配置する。 - 特許庁

The light source 24 is moved along the distal end face 20T so as to increase the amount of the illumination light irradiating the low luminance area.例文帳に追加

光源２４は、低輝度領域に対する照明光の照射量が増加するように、先端面２０Ｔに沿って移動される。 - 特許庁

To provide a complex light control plate, an area light source device and a transmission-type image display device, capable of suppressing unevenness in luminance in a more stable manner.例文帳に追加

より安定して輝度ムラを抑制可能な複合光制御板、面光源装置および透過型画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To easily and quickly form a clean space in which clean air flows even in the case dust generating source exists in the peripheral area.例文帳に追加

周囲に発塵源があっても、清浄な空気が流れる清浄空間を短時間且つ簡単に形成できるようにすること。 - 特許庁

To reduce the circuit area when structuring a power source circuit, and to provide stable circuit operation at the same time.例文帳に追加

電源回路を構成する際に回路面積の削減を図ることができると共に安定した回路動作を得ることができるようにする。 - 特許庁

A source electrode (3), a drain electrode (4), and a gate electrode (5) are formed on one main surface of the main semiconductor area (1).例文帳に追加

主半導体領域（１）の一方の主面上にソース電極（３）及びドレイン電極（４）及びゲート電極（５）が形成されている。 - 特許庁

On both sides of the channel area of the semiconductor layer 4, a source electrode 5 and a drain electrode 6 are arranged to form a TFT.例文帳に追加

半導体層４のチャネル領域の両側にソース電極５及びドレイン電極６が配置され、ＴＦＴが形成されている。 - 特許庁

The control gate 512' has a spacer shape, and the spacer 528 on a source side is located on the side wall of the charge save area and the control gate 512'.例文帳に追加

制御ゲート５１２′はスペーサ形状を有し、ソース側スペーサ５２８は電荷保存領域と制御ゲート５１２′の側壁に位置する。 - 特許庁

To quickly and easily reproduce a propagated sound from a specified area by using audio source data measured at a prescribed observation point.例文帳に追加

所定の観測点で計測した音源データを用いて指定された領域からの伝播音を短時間でかつ容易に再生する。 - 特許庁

To provide a reflection member with which light from a light source is efficiently guided to the inside of an effective display area formed on a liquid crystal panel.例文帳に追加

光源からの光を液晶パネルに形成された有効表示領域内に効率良く導く反射部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a heat pump system where the structure is simplified and also the installation area becomes small, utilizing a thermal source efficiently.例文帳に追加

熱源を効率的に利用し、構造を単純化するとともに、設置面積を小さく占めるようにしたヒートポンプシステムを提供する。 - 特許庁

At this moment, flow rates of the heat source liquid and the heat collecting liquid are determined while considering a heat transferring area and an energy collection rate.例文帳に追加

このとき、伝熱面積とエネルギー回収率を考慮にいれて熱源液体及び熱回収液体の流量を設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can reduce an electric field adjacent to a source/drain area on a storage node side, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ストレージノード側のソース・ドレイン近傍の電界を緩和することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a source driver for a liquid crystal display device in which the area of D/A conversion circuits can be reduced without generating a parasitic transistor.例文帳に追加

寄生トランジスタを発生させずに、Ｄ/Ａ変換回路の面積を縮小できる液晶表示装置のソースドライバを提供する。 - 特許庁

The first conductive well 12 is formed to include a channel area, and not to be overlapped on the source/drain layers 14a and 14b.例文帳に追加

第１導電型のウェル１２は、チャネル領域を含み、かつ、ソース／ドレイン層１４ａ，１４ｂと重ならないように形成されている。 - 特許庁

A movable device is provided forward of the display unit, and an electric driving source of the movable device is provided outside a visual recognition area of the display unit.例文帳に追加

表示ユニットの前方に可動装置を設け、可動装置の電気的駆動源を表示ユニットの視認領域の外側に設けた。 - 特許庁

The part of the 3rd axis from a lamp included in the light source part to the specified point is arranged in either area above-mentioned.例文帳に追加

前記第3の軸のうち、前記光源部に含まれるランプから特定の点までの部分は、前記一方の領域に配置されている。 - 特許庁

To provide a thin surface light source device easily usable with a large area to be made without impairing light intensity and uniformity.例文帳に追加

光度及びその均一性を低下させることなく容易に大面積化することが可能な薄型の面光源装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-type pressure-resistant light-emitting device with a large light source area capable of standing a water pressure at a depth of around 6,000 m.例文帳に追加

深度６０００ｍ程度の水圧にも耐えることのできる、薄型で光源面積の広い耐圧性発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a wide area radio frequency plasma source suitable for simultaneously ashing or etching multiple semiconductor substrates.例文帳に追加

複数の半導体基盤に同時にアッシングまたはエッチング処理を行うのに最適な広域高周波プラズマ供給源を提供する。 - 特許庁

A luminance coefficient a_ij for connecting the luminance B_i of each calibration area to the light quantity of each light source is previously found out.例文帳に追加

また、各較正領域の輝度Ｂ_ｉと各光源の各光量Ｌ_ｊとを結びつける輝度係数ａ_ｉｊを予め求めておく。 - 特許庁

A silicide film 5_S on source and a silicide film 5_D on drain are provided on the active area formed of the p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１からなる活性領域の上には、ソース上シリサイド膜５_Ｓ、ドレイン上シリサイド膜５_Ｄが設けられている。 - 特許庁

More preferably, impurity injection into an n^+ source/drain area 13 is also performed after forming the oxide film 15 and the sidewall 16.例文帳に追加

さらに好ましくは、Ｎ＋ソース／ドレイン領域１３の注入についても、酸化膜１５およびサイドウォール１６の形成後に行なう。 - 特許庁